DD291877A5 - Verfahren zum herstellen selbstjustierender silizidkontakte auf halbleiteranordnungen - Google Patents

Verfahren zum herstellen selbstjustierender silizidkontakte auf halbleiteranordnungen

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DD291877A5
DD291877A5 DD33742290A DD33742290A DD291877A5 DD 291877 A5 DD291877 A5 DD 291877A5 DD 33742290 A DD33742290 A DD 33742290A DD 33742290 A DD33742290 A DD 33742290A DD 291877 A5 DD291877 A5 DD 291877A5
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DD
German Democratic Republic
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silicide contacts
producing self
semiconductor arrangements
adjusting
adjusting silicide
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Application number
DD33742290A
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Joerg Herold
Reinhard Portius
Thomas Koschny
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Mikroelektronik "Karl Marx" Erfurt,De
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5502004A (en) * 1992-10-05 1996-03-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device with heat treated diffusion layers

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