DD263968A1 - Verfahren zur herstellung von reinem chiolith aus fluosilikathaltiger mutterlauge der alf tief 3. 3 h tief 2 o - kristallisation - Google Patents
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Abstract
Verfahren zur Herstellung von reinem Chiolith aus fluosilikathaltiger Mutterlauge der Aluminiumfluorid-Trihydrat-Kristallisation. Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von reinem Chiolith aus fluosilikathaltiger Mutterlauge der Aluminiumfluorid-Trihydrat-Kristallisation durch Umsetzung der AlF3-haltigen Mutterlauge mit der zur Chiolithbildung entsprechend der Reaktionsgleichung 5 Na3AlF64 AlF33 Na5Al3F14 notwendigen Menge an festem Kryolith bei Temperaturen oberhalb 60C.
Description
5 Na3AIF6 + 4 AIF3 = 3 Na6AI3F14
unter Einhaltung einer Fällungstemperatiir 600C, vorzugsweise 70-100"C, ui folgt.
Unter diesen erfindungsgemäßen Bedingungen erfolgt die Bildung eines leicht filtrierfähigen und gut auswaschbaren Natriumfluoroaluminatniederschlages des Chioliithtyps, der praktisch frei von Kieselsäureverunreinigungen ist
Während bei Raumtemperatur noch nach 6ümin keine signifikante Umsetzung mit dem AIF3-Anteil der Mutterlauge festzusteller, ist, orfolgt bei 60°C bereits nach einer Stunde eine Umsetzung von 25%. Oberhalb 800C beträgt der Umsetzung; grad bereits nach 30min 100%, d. h. nach dieser Zeit ist die zur Reaktion gebrachte AIF3-haltige Mutterlauge praktisch vom AIF3-Anteil befreit. Der SiO2-Gehalt der so gewonnenen Chiolithprodukte liegt bei einem Rest-H2SiF6-Gehalt von 1,0% nach dem Auswaschen der Fällung unter 0,1 % SiO2. Durch die Anwendung von festem unlöslichem Kryolith als Fällungsagens wird dabei die Mitfällung von Natriumhexafluorosilikat aus der H2SiF6-haltigen Mutterlauge der AIF3 · 3 H2O-Kristallisation praktisch vollständig vermieden und es gelingt unter den erfindungsgemäßen Bedingungen, ein Natriumfluoroaluminat des Chiolithtyps herzustellen, dessen Kieselsäuregehalt ausschließlich durch den SiCyGehalt des zur Anwendung kommenden Kryoliths bestimmt wird. Beim Einsatz von Natriumfluorid als Fällungsagens entsprechend den bekannten Verfahren zur Herstellung von Chiolith aus A!F3-haltiger Mutterlauge (PL-PS 102461, DD-PS 92232 und DE-OS 2.048.517) erfolgt hingegen durch die teilweise Mitfällung von Natriumhexafluor'osilikat eine Verunreinigung des Chioliths, so daß er dan für die T> erdeschmelzelektrolyse gestellten Anforderungen, insbesondere zur Herstellung von reinem Leitaluminium, nicht mehr entspricht
Die Erfindung soll nunmehr anhand eines Ausführungsbeispiels erlä'jcert werden.
Ausführungsbeispiel
1000kg Mutterlauge aus der AIF3 · 3 H2O-Kristallisation mit einem Gehalt von 2,1 Ma.-% AIF3 und 1,0Ma.-% H2SiF6 werden unter Rühren mit 660kg Kryolith (Na3AIF0) 45min bei 8O0C umgesetzt und die resultierende Fällung ab'iltriert, neutral gewaschen und getrocknet. Es resultieren 850kg Chiolith (Na5AI3Fi4) mit folgender chemischer Zusammensetzung: Al 17,4%, F 59,4%, Na 23,2%, SiO2 0,09%
Ausbeute: 98,0%
Claims (2)
1. Verfahren zur Herstellung von reinem Chiolith aus fluosilikathaliiger Mutterlauge der Aluminiumfluorid-Trihydrat-Kristallisation, dadurch gekennzeichnet, daß die AIF3-haltige Mutterlauge unter Rühren bei Temperaturen oberhalb 600C, mit der für die Natriumfluoroaluminatbildung des Typs Chiolith Na5AI3F^ stöchiometrisch notwendigen Menge an festen Kryolith umgesetzt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Umsetzungstemperatur 70-1000C beträgt.
Anwendungsgebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von reinem Chiolith aus fluosilikathaltigen Mutterlaugen der Aluminiumfluorid-Trihydrat-Kristallisation. Chiolith ist ein Natriumfluoraluminat der Formel Na5AI3F14, welches anstelle eines Gemisches von Kryolith und Aluminiumfluorid als Flußmittel bei der Schmelzflußelektrolyse von Tonerde zur Aluminiumgewinnung verwendet werden kann. Dabei ist es notwendig, daß solche Natriumfluoroaluminate weitgehend frei von Kieselsäure sind. So begrenzt die TGL 12074 den zulässigen SiO2-Gehalt im Kryolith auf max. 0,25% und die TGL 9789 den zulässigen SiO2-Gehalt im Aluminiumfluorid auf 0,3% SiO2.
Charakteristik des bekannten Standes der Technik
Wird Aluminiumfluorid-Trihydrat durch Kristallisation aus seinen wäßrigen Lösungen gewonnen, so enthält die resultierende Mutterluage etwa 2% Aluminiumfluorid als Rsst. Eine weitere Absenkung dieses Gehaltes ist auch durch eine längere Kristaliisationsdauer oder Veränderung der Kristallisationstemperatur nicht mehr möglich, so daß beträchtliche Aluminium- und Fluormengen, ca. 20% der theoretischen Kristallausbeute, verloren gehen. Wird Aluminiumfluorid durch Umsetzung von Hexafluorkieselsäure und Tonerdehydrat hergestellt, so enthalten die dabei resultierenden Mutterlaugen außer Aluminiumfluorid auch noch Aluminiumhexafluorosilikat bzw. freie Hexafluorokieselsäure (DD-PS 35796, TD-PS 59281). In der Vergangenheit wurden zahlreiche Vorschläge unterbreitet, um das restliche in der Mutterlauge verbleibende Aluminiumfluorid als Wertsioff für die Tonerdeelektrolyse zurückzugewinnen und andererseits die Herstellung von Aluminiumfluorid durch Kristallisation von Aluminiumfluorid-Trihydrat abwasserseitig zu entlasten. So ist in der DD-PS 105188 auf die Möglichkeit hingewiesen, die Mutterlauge aus der AIF3 - 3 H2O-Kris;allisation als Absorptionslösung für HF- bzw. SiF4-haltige Abgase der Phosphatdüngemittelerzeugung 7ii verwendon. Dabei kommt es jedoch zu einer Anreicherung von P2O5-Verunreinigungen in der Absorptionssäure, die die Qualität des resultierenden Aluminiumfluoride bei der Verarbeitung solcher HF- bzw. H2SiF6-haitigen Säuren zu AIF3 nachteilig beeinflussen und eine Verwertung des AIF3 in der Tonerdeelektrolyse beeinträchtigen. Nach der AT-PS 310125 wird eine Eindampfung der Mutterlauge im Vakuum auf eine ca. 14%igeAIF3-Lösung vorgeschlagen, die erneut zur Kristallisation gebracht wird. Das dabei remitierende AIF3 ist jedoch mit einsm Kioselsäuregehalt von 1-1,3% behaftet, wenn das Aluminiumfluorid aus Hexafluorkieselsäure dürr ι Umsetzung mit Tonerdehydrat gewonnen wurde.
Weiterhin existieren Vorschläge, die anfallende AIF7-Mutterlauge durch Umsetzung mit Natriumfluorid zu Kryolith (Na3AIF6) oder Chiolith (Na5AI3F14) (GB-PS 643.510, DE-OS 2.043.130, PL-PS 102461) umzusetzen. Die dabei resultierenden Natriumfluoroaluminate sind jedoch in der Regel schwer filtrierbare Fällungen, die mit SiOyVerunreinigungen belastet sind, wenn die Mutterlauge neben AIF3 auch noch Hexafluorokieselsäure enthält, da sich neben den schwerlöslichen Natriumfluoroaluminaten auch noch schwerlösliches Natriumhexafluorosilikat bildet. Auch Versuche, durch Anwendung von Ammoniak bzw. Ammoniumcarbonat zu einer SiO2-ärmeren Fluoroaluminatfällung zu gelangen (DD-PS 96937), zeigten, daß zwar die Filtrisrfähigkeit der resultierenden Ammoniumchiolithfällung erheblich verbessert wird, daß aber der SiCyGehalt mit Werten bis zu 2,5% SiO2 für eine Anwendung in der Tonerdeelektrolyse wesentlich zu hoch ist und nicht den Forderungen der TGL 12074 entspricht.
Ziel der !Erfindung
Das Ziel der Erfindung ist eine erhebliche Verbesserung der Materialökonomie bei der AIF3-Herstellung durch Ve Vürtung der Ablauge zur Gewinnung eines wertvollen Kuppelproduktes, das vorteilhaft in der Tonerdeschmelzelektrolyie eingesetzt werden kann. Gleichzeitig soll eine Verringerung der Umweltbelastung mit F-haltigem Abwasser erreicht werden.
Darlegung des Wesens dor Erfindung
Aufgabe der Erfindung ist die Herstellung eines SiC2-arff!<?n Natriumfluoroaliiminates von leichter Filtrierbarkeit aus Mutterlaugen der AIF3-Herstellung, die bei der Umsetzung von Hexafluorokieselsäure mit Tonerdehydrat nach der Kristallisation . des AIF3 · 3 H2O anfallen. Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß bei der Umsetzung einer AIF3-haltigen
Mutterlauge aus der Umsetzung von Hexafluorokieselsäure mit Tonerdehydrat und anschließender Kristallisation von Aluminiumfluorid-Trihydrat mit Kryolith (N 35AIF5) ein Natriumfluoioaluminat des Typs Chiolith (Na5AI3F14) von leichter Filtrierbarkeit und Auswaschbarkeit gewonnen werden kann, welches praktisch frei von Kieselsäureverunreinigungen ist, wenn der Umsetzungsprozeß unter Rühren mit der stöchiometrisch notendigen Menge an Kryolith entsprechend der Reaktionsgleichung
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD30522987A DD263968A1 (de) | 1987-07-22 | 1987-07-22 | Verfahren zur herstellung von reinem chiolith aus fluosilikathaltiger mutterlauge der alf tief 3. 3 h tief 2 o - kristallisation |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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DD263968A1 true DD263968A1 (de) | 1989-01-18 |
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Family Applications (1)
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DD (1) | DD263968A1 (de) |
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1987
- 1987-07-22 DD DD30522987A patent/DD263968A1/de not_active IP Right Cessation
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