CZ302134B6 - Kaskádové cerpací usporádání pro prístroj s korpuskulárním zárením a prístroj s korpuskulárním zárením - Google Patents

Kaskádové cerpací usporádání pro prístroj s korpuskulárním zárením a prístroj s korpuskulárním zárením Download PDF

Info

Publication number
CZ302134B6
CZ302134B6 CZ20030367A CZ2003367A CZ302134B6 CZ 302134 B6 CZ302134 B6 CZ 302134B6 CZ 20030367 A CZ20030367 A CZ 20030367A CZ 2003367 A CZ2003367 A CZ 2003367A CZ 302134 B6 CZ302134 B6 CZ 302134B6
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
pump
sample chamber
pumping
turbomolecular
vacuum
Prior art date
Application number
CZ20030367A
Other languages
English (en)
Other versions
CZ2003367A3 (cs
Inventor
Gnauck@Peter
Drexel@Volker
Original Assignee
Carl Zeiss Nts Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss Nts Gmbh filed Critical Carl Zeiss Nts Gmbh
Publication of CZ2003367A3 publication Critical patent/CZ2003367A3/cs
Publication of CZ302134B6 publication Critical patent/CZ302134B6/cs

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04D—NON-POSITIVE-DISPLACEMENT PUMPS
    • F04D19/00—Axial-flow pumps
    • F04D19/02—Multi-stage pumps
    • F04D19/04—Multi-stage pumps specially adapted to the production of a high vacuum, e.g. molecular pumps
    • F04D19/046—Combinations of two or more different types of pumps
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04D—NON-POSITIVE-DISPLACEMENT PUMPS
    • F04D25/00—Pumping installations or systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/18—Vacuum control means
    • H01J2237/188—Differential pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes
    • H01J2237/2602—Details
    • H01J2237/2605—Details operating at elevated pressures, e.g. atmosphere

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Non-Positive Displacement Air Blowers (AREA)
  • Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)

Abstract

Kaskádové cerpací usporádání pro prístroj s korpuskulárním zárením je provedeno s první turbomolekulární vývevou (14) a s druhou turbomolekulární vývevou (13). Výstup (26) druhé turbomolekulární vývevy (13) je prostrednictvím oblasti stredního tlaku stlacovacího stupne (22) ležící mezi hlavním cerpacím otvorem (21) a výstupem (25) první turbomolekulární vývevy (14) pripojen k predcerpávání. Prístroj s korpuskulárním zárení, který obsahuje zdroj (3) korpuskulárního zárení provozovaný v ultravysokém vakuu a komoru (1) pro vzorek, která je provozovatelná s tlaky v rozsahu od vysokého vakua až do alespon 1 hPa, obsahuje uvedené kaskádové cerpací usporádání. Usporádání je urceno pro elektronový mikroskop.

Description

Kaskádové čerpací uspořádání pro přístroj s korpuskulámím zářením a přístroj s korpuskulámím zářením
Oblast techniky
Vynález se týká kaskádového čerpacího uspořádání pro přístroj s korpuskulámím zářením a tohoto přístroje s korpuskulámím zářením se zdrojem korpuskutámího záření provozovaným v ultravysokem vakuu.
Dosavadní stav techniky
Ze spisu US 5 828 064 je známý takzvaný environmentální skenovací elektronový mikroskop (Environmental Scanning Elektronenmikroskop - ESEM) se zdrojem elektronů působením silného elektrického pole, neboli se zdrojem emisí vytvářených silným elektrickým polem. Tyto environmentální skenovací elektronové mikroskopy umožňují elektromikroskopické zkoumání vzorků při normálním atmosférickém tlaku nebo při tlaku vůči normálnímu atmosférickému tlaku jen nepatrně sníženém. Protože zdroje elektronů působením elektrického pole a rovněž takzvané
Schottkyho emitory, které jsou často označovány jako zdroje elektronů působením elektrického pole, potřebují pro svůj provoz ultravysoké vakuum, je celý elektronový mikroskop vytvořen jako diferenciálně čerpající systém se třemi vloženými tlakovými stupni. Celý systém proto obsahuje pět tlakových oblastí, které jsou od sebe odděleny čtyřmi tlakovými stupni nebo clonami. Kromě nákladů na čerpání vyplývá ze zastavěného prostoru potřebného pro vakuové přípojky tří vložených tlakových oblastí po potřeba přídavné konstrukční výšky, čehož by pouze pro elektrooptické komponenty nebylo vůbec zapotřebí.
Ze spisu US 4 720 633-A je známý další environmentální skenovací elektronový mikroskop, u něhož je však vakuum v komoře zdroje elektronů příliš nedostatečné, aby tento přístroj mohl být jo provozován se zdrojem elektronů působením elektrického pole.
Ze spisu US 5 717 204-A je známý elektronový mikroskop pro inspekci při výrobě polovodičů, u něhož jsou oblast ultravysokého vakua a oblast středního tlaku sousedící s touto oblastí uhravý sokého vakua vakuovány iontovými getrovými vývČvami. Komora pro vzorek a tlaková oblast sousedící s touto komorou pro vzorek jsou odčerpány vždy příslušnou turbomolekulámí vývěvou, přičemž obě tyto turbomolekulámí vývěvy jsou připojeny na sací stranu společné předřazené vývěvy. Takové inspekční přístroje nejsou obvykle koncipovány pro provoz s nedostatečným vakuem v komoře pro vzorek.
Ze spisu DE 43 31 589-A1 je známé kaskádové čerpací uspořádání s turbomolekulámími vývěvami uspořádanými za sebou, u něhož je vždy výstup jedné turbomolekulámí vývěvy předčerpán hlavním otvorem předřazené turbomolekulámí vývěvy, přičemž sací strana předřazené turbomolekulární vývěvy je pomocí T-kusu současně připojena k oblasti středního tlaku. Tímto kaskádovým čerpacím uspořádáním se vakuum v oblasti středního tlaku odčerpávané předřazenou turbomolekulámí vývěvou zatíží proudem plynu sousedního vyššího vakuového stupně.
Ze spisu US 4 889 995-A je známý rastrový elektronový mikroskop, u něhož turbomolekulámí vývěva předčerpáná rotačním čerpadlem slouží paralelně prostřednictvím ventilů jak pro vakuování komoty pro vzorek, tak i pro vakuování komory zdroje elektronů a oblastí středního tlaku.
Pro vakuování komory zdroje elektronů a obou sousedních oblastí středního tlaku slouží přídavné vývěvy vytvářející ultravysoké vakuum. Pomocí takového čerpacího uspořádání rovněž není možný provoz s nedostatečným vakuem v komoře pro vzorek.
V článku publikace Japan. J. Appi. Phys. Suppl 2, str. 249 atd. (1974) je popsán elektronový mik55 roskop s čerpacím uspořádáním z olejových dífúzních vývěv. Olejové difuzní vývěvy však
- 1 CZ 302134 B6 v důsledku své malé čerpací kapacity při vysokých tlacích nejsou vhodné pro elektronové mikroskopy, ii nichž musí být komora pro vzorek provozována s měnícími se tlaky.
Úkolem vynálezu proto je vytvořit přístroj s korpuskulárním zářením, zejména rastrový elektro> nový mikroskop, který bude mít i přes proměnný tlak v komoře pro vzorek, přičemž tento tlak se mění od téměř okolního tlaku až do ultravysokého vakua, v oblasti zdroje korpuskulámího záření zjednodušenou konstrukci. Dalším úkolem vynálezu je vytvořit vakuový čerpací systém, pomocí něhož se umožní zjednodušené provedení přístroje s korpuskulárním zářením.
io
Podstata vynálezu
Uvedený úkol splňuje kaskádové čerpací uspořádání pro přístroj s korpuskulárním zářením, s první turbomolekulámí vývěvou a s druhou turbomolekulární vývěvou, podle vynálezu, jehož podstatou je, že výstup druhé turbomolekulární vývěvy je prostřednictvím oblasti středního tlaku stlačovaného stupně ležící mezi hlavním čerpacím otvorem a výstupem první turbomolekulární vývěvy připojen k předěerpávání.
Uvedený úkol dále splňuje přístroj s korpuskulárním zářením, který obsahuje zdroj korpuskulár20 ního záření provozovaný v ultravysokém vakuu a komoru pro vzorek, kteráje provozovatelná s tlaky v rozsahu od vysokého vakua až do alespoň 1 hPa, podle vynálezu, jehož podstatou je, že obsahuje kaskádové čerpací uspořádání podle vynálezu.
Kaskádové čerpací uspořádání podle vynálezu pro přístroj s korpuskulárním zářením tedy obsa25 huje dvě turbomolekulární vývěvy, z nichž druhá turbomolekulámí vývěvy slouží k předčerpání výstupu první turbomolekulární vývěvy, přičemž výstup druhé turbomolekulámí vývěvy je připojen k oblasti středního tlaku první turbomolekulámí vývěvy ležící mezi hlavním Čerpacím otvorem a výstupem.
První turbomolekulární vývěvou může přitom být takzvaná vývěva s děleným průtokem s připojovacím hrdlem ke stlaěovacímu stupni, která má přídavný čerpací otvor, který leží v oblasti stlačovaciho stupně turbomolekulámí vývěvy. Tento čerpací otvor se potom s výhodou použije k předčerpání druhé turbomolekulární vývěvy.
Jako stlačovací stupeň se přitom obvykle označuje v turbomolekulamích vývěvách často používané uspořádání, vytvořené z kotoučů rotujících kolem statoru provedených svyvýšeninou a otvorem v okrajové oblasti, které je uspořádáno na výstupní straně poslední lopatky rotoru turbomolekulární vývěvy a slouží k přídavné kompresi čerpaných plynů.
to Předěerpávání turbomolekulární vývěvy počátečním vakuem oblasti středního tlaku, například čerpacího otvoru stlačovaciho stupně, předčerpávané turbomolekulámí vývěvy poskytuje tu výhodu, že oblast hlavního čerpacího otvoru není zatížena tokem plynu předčerpávané turbomolekulární vývěvy. Tím je možné přes dvojí funkci předčerpávané turbomolekulámí vývěvy dosáhnout v oblasti vakuované hlavním čerpacím otvorem lepšího vakua.
Přístroj s korpuskulárním zářením s příslušným kaskádovým čerpacím uspořádáním obsahuje zdroj korpuskulámího záření provozovaný v ultravysokém vakuu a komoru pro vzorek, která se provozuje s tlaky od vysokého vakua s tlaky nižšími než 10“3 hPa až do alespoň 1 hPa (hektopasealu). Mezi oblastí ultravysokého vakua zdroje korpuskulámího záření a komorou pro vzorek jsou u přístroje s korpuskulárním zářením podle vynálezu upraveny přesně dvě další tlakové oblasti.
Přístroj s korpuskulárním zářením má tedy přesně čtyři tlakové oblasti, tj. oblast ultravysokého vakua, v níž je uspořádán zdroj korpuskulámího záření, dvě oblasti středního tlaku a komoru pro
-2CZ 302134 B6 vzorek. U přístroje s korpuskulámím zářením podle vynálezu proto vzniknou tři tlakové stupně, pro které je zapotřebí celkově tří clon.
Aby se vystačilo pouze se třemi tlakovými stupni, je tlaková oblast sousedící s oblastí ultravysokého vakua odčerpávána turbomolekulámí vývěvou. Dále je výstup této turbomolekulámí vývěvy předčerpáván předřazenou turbomolekulámí vývěvou, přičemž výstup turbomolekulámí vývěvy je připojen ke stlačovacímu stupni předřazené turbomolekulámí vývěvy. Tímto čerpacím uspořádáním se tlak v tlakové oblasti sousedící s oblastí ultravysokého vakua udržuje na hodnotě vyšší než 10 6 hPa.
Podle dalšího výhodného příkladného provedení je hlavní čerpací otvor první turbomolekulámí vývěvy připojen k tlakové oblasti sousedící s komorou pro vzorek. První turbomolekulámí vývěva potom může plnit dvojí funkci, totiž současně předčerpávat výstup druhé turbomolekulámí vývěvy a kromě toho odčerpávat tlakovou oblast sousedící s komorou pro vzorek.
Dále je s výhodou upravena předřazená vývěva, kterou je předčerpáván výstup první turbomolekulární vývěvy. Tato předřazená vývěva může přídavně sloužit k odčerpávání komory pro vzorek na požadovaný tlak. Má-li být přístroj s korpuskulámím zářením podle vynálezu provozován i při tlacích v komoře pro vzorek vyšších než 5 hPa, doporučuje se však použít druhou předřazenou vývěvu pro odčerpávání komory pro vzorek, takže potom první předřazená vývěva předčerpává výlučně výstup první turbomolekulámí vývěvy.
Přehled obrázků na výkresech
Vynález bude dále blíže objasněn na příkladných provedeních podle přiložených výkresů, na nichž obr. 1 znázorňuje principiální skicu prvního příkladného provedení vynálezu pro nižší tlaky v komoře a obr.2 principiální skicu druhého příkladného provedení vynálezu pro vyšší tlaky v komoře.
Příklady provedení vynálezu
Na obr. 1 je znázorněna komora I pro vzorek a elektrooptický sloupec 2 přístroje s korpuskulámím zářením. Elektrooptický sloupec 2 obsahuje tri tlakové oblasti 6, 7, 8, které jsou od sebe odděleny clonami 9, 10, 11, tvořícími tlakové stupně. Nej hořejší tlaková oblast 6, viděno geometricky, elektronově mikroskopického sloupce 2 je dimenzována pro udržování ultravysokého vakua s tlakem nižším než 5x10“8 hPa. Tato tlaková oblast 6 ultravysokého vakua je odčerpávána iontovou getrovou vývěvou 12. V této tlakové oblasti 6 ultravysokého vakua je uspořádán zdroj 3 korpuskulárního záření ve formě zdroje elektronů působením elektrického pole, respektive Schottkyho emitoru.
Mezi tlakovou oblastí 6 ultravysokého vakua a s ní sousedící první oblastí 7 středního tlaku je uspořádána kondenzorová čočka 5 přístroje s korpuskulámím zářením, z níž je na obr.l naznačen pouze pólový nástavec. Přibližně ve výšce mezery pólového nástavce nebo - při pohledu ve směru šíření elektronů - za touto mezerou kondenzorové čočky 5 je uspořádána první clona 9 tvořící tlakový stupeň, která slouží k udržování vhodného tlakového rozdílu mezi tlakovou oblastí 6 ultravysokého vakua a s ní sousedící první oblastí 7 středního tlaku.
Za první oblastí 7 středního tlaku následuje druhá oblast 8 středního tlaku, která je od první oblasti 7 středního tlaku oddělena druhou clonou 10 tvořící tlakový stupeň. Mezi toto druhou oblastí 8 středního tlaku a komorou £ pro vzorek je uspořádána čočka 4 objektivu, z níž je na
-3CZ 302134 B6 obr. 1 rovněž naznačen pouze pólový nástavec. Mezi nebo - při pohledu ve směru šíření elektronů - před pólovým nástavcem čočky 4 objektivuje uspořádána třetí clona U tvořící tlakový stupen, která zajišťuje vhodný tlakový rozdíl mezi druhou oblastí 8 středního tlaku a komorou 1 pro vzorek.
Pro nastavení vhodných vakuových podmínek je u příkladného provedení podle obr. 1 kromě iontové getrové vývěvy 12 pro tlakovou oblast 6 ultravysokého vakua upraveno kaskádové čerpací uspořádání vytvořené z první předřazené vývěvy 16 a dvou turbomolekulámích vývěv 13, 14, částečně rovněž zapojených sériově. První předřazená vývěva 16 přitom plní dvojí funkci, io Tato první předřazená vývěva 16 slouží jednak k odčerpávání komory 1 pro vzorek přímo prostřednictvím zvláštního trubkového spoje ajednak k odčerpávání výstupu 25 první turbomolekulární vývěvy 14. Odčerpávání komory 1 pro vzorek je přitom v trubkovém spoji regulováno prostřednictvím prvního ventilu 17. Tlak v komoře 1 pro vzorek je nastavitelný pomocí neznázoměného regulovatelného vstupního ventilu plynu.
První turbomolekulární vývěva 14 je dimenzována jako výkonná takzvaná vývěva s děleným průtokem a plní trojí funkci. Sací hrdlo hlavního čerpacího otvoru 21 je prostřednictvím potrubí 15 připojeno přímo k druhé oblasti 8 středního tlaku sousedící s komorou 1 pro vzorek a slouží proto pro přímé odčerpávání této druhé oblasti 8 středního tlaku. Současně je sací hrdlo hlavního čerpacího otvoru 21 připojeno přímo ke komoře 1 pro vzorek přes druhý ventil 19. Sací hrdlo otvoru stlačovacího stupně 22 první turbomolekulární vývěvy 14 je dále připojeno k výstupu druhé turbomolekulární vývěvy 13, takže první turbomolekulární vývěva M slouží přídavně k odčerpávání druhé oblasti 8 středního tlaku sousedící s komorou 1 pro vzorek pro předČerpávání druhé turbomolekulární vývěvy 13 prostřednictvím otvoru stlačovacího stupně 22. Sací hrdlo
2? 23 druhé turbomolekulární vývěvy 13 je přímo připojeno k první oblasti 7 středního tlaku sousedící s tlakovou oblastí 6 ultravysokého vakua.
Pokud se hovořilo nebo ještě bude hovořit o přímém připojení vakuové vývěvy k tlakové oblasti, je tím míněno to, že odčerpávání příslušné tlakové oblasti prováděné touto vývěvou se provádí přímo, tedy bez toho, že by molekuly plynu odčerpávané touto vývěvou musely procházet clonou tvořící tlakový stupeň mezi příslušnou tlakovou oblastí a sacím hrdlem vývěvy.
Výše popsaný vakuový systém je diferenciálně čerpaným vakuovým systémem s celkově čtyřmi tlakovými oblastmi.
Pomocí popsaného kaskádového sériově zapojeného čerpacího uspořádání je možno jedinou iontovou getrovou vývěvou J2,, dvěma turbomolekulámími vývěvami 13, 14 a jedinou předřazenou vývěvou 16 udržovat v tlakové oblasti 6 ultravysokého vakua ultravysoké vakuum s tlaky nižšími než 5x10 8 hPa při tlacích v rozsahu od 5 do 10 7 hPa v komoře 1 pro vzorek. Při požado40 váných tlacích v komoře 1 pro vzorek v rozsahu od 10 2 do 5 hPa je přitom první ventil Γ7 mezi první předřazenou vývěvou 16 a komorou i pro vzorek otevřen a druhý ventil J9 mezi první turbomolekulární vývěvou 14 a komorou 1 pro vzorek uzavřen. Vakuum v komoře 1 pro vzorek je potom určeno výlučně vakuem dosažitelným, respektive regulovatelným, první předřazenou vývěvou J_6. Předčerpáváním výstupu 26 druhé turbomolekulární vývěvy 13 prostřednictvím předčerpání stlačovacího stupně 22 první turbomolekulární vývěvy 14 a tím, že téměř celý čerpací výkon první turbomolekulární vývěvy 14 slouží výlučně k odčerpávání druhé oblasti 8 středního tlaku sousedící s komorou 1 pro vzorek, se zajistí to, že v první oblasti 7 středního tlaku sousedící s tlakovou oblastí 6 ultravysokého vakua se udržuje vakuum v rozmezí od 10“4 do 106 hPa.
Při tlacích v komoře 1 pro vzorek nižších než 10~2 hPa, které nejsou dosažitelné první předřazenou vývěvou 16, se první ventil Γ7 mezi první předřazenou vývěvou J_6 a komorou 1 pro vzorek uzavře a otevře se druhý ventil 19 mezi komorou 1 pro vzorek a první turbomolekulární vývěvou 14. První předřazená vývěva J_6 potom slouží výlučně k předčerpávání první turbomolekulární vývěvy J_4. Jak komora 1 pro vzorek, tak i druhá oblast 8 středního tlaku sousedící s komorou 1 pro vzorek, je potom odčerpávána první turbomolekulární vývěvou 14. Třetí clona JJ. tvořící
-4CZ 302134 B6 tlakový stupeň a uspořádaná v čočce 4 objektivu nemá v tomto případě žádný účinek. Pomocí druhé turbomolekulámí vývěvy 13 předčerpávané první turbomolekulámí vývěvou 14 se potom v tomto případě v první oblasti 7 středního tlaku sousedící s tlakovou oblastí 6 ultravysokého vakua udržuje vakuum v rozsahu od 10 4 do 10“6 hPa.
V obou případech leží počáteční vakuum stlačovacího stupně 22 první turbomolekulámí vývěvy J4, kterouje předčerpávána druhá turbomolekulámí vývěva 13, v rozsahu od 10“‘ do 10“4 hPa.
Aby u popsaného příkladného provedení bylo v tlakové oblasti 6 ultravysokého vakua udržováno io ultravysoké vakuum i při otevření komory I pro vzorek, je uvnitř elektrooptického sloupce 2, s výhodou mezi tlakovou oblastí 6 ultravysokého vakua a první oblastí 7 středního tlaku sousedící s tlakovou oblastí 6 ultravysokého vakua, upraven uzavírací ventil 18, který se před otevřením komory I pro vzorek uzavře. První předřazená vývěva 16 a obě turbomolekulámí vývěvy 13, H proto nemusí být při otevření komory 1 pro vzorek v činnosti.
Příkladné provedení znázorněné na obr, 2 v podstatě odpovídá příkladnému provedení podle obr. 1. Proto jsou na obr. 2 komponenty, které odpovídají komponentám na obr. 1, opatřeny stejnými vztahovými značkami. Pokud jsou obě příkladná provedení shodná, uvádí se ohledně obr. 2 odkaz na výše uvedený popis k obr. 1.
Podstatný rozdíl mezi příkladným provedením podle obr. 2 a příkladným provedením podle obr. 1 spočívá v tom, že předřazená vývěva 16 u příkladného provedení podle obr.2 slouží výlučně k předčerpávání první turbomolekulámí vývěvy 14. jejíž stlačovací stupeň na straně počátečního vakua opět slouží k předčerpávání druhé turbomolekulámí vývěvy 13. Pro odčerpávání komory 1 pro vzorek je upravena druhá předřazená vývěva 20, jejíž čerpací výkon je zase regulovatelný pomocí prvního ventilu 17'. Pomocí tohoto alternativního čerpacího uspořádání s druhou předřazenou vývěvou 20 může být přístroj s korpuskulámím zářením při udržování ultravysokého vakua v tlakové oblasti 6 ultravysokého vakua použit i při tlacích v komoře 1 pro vzorek do 100 hPa. Při tlacích v komoře I pro vzorek nižších než 10 2 hPa se jak komora 1 pro vzorek, tak i druhá vložená tlaková oblast 8 sousedící s komorou 1 pro vzorek, odčerpává výlučně první turbomolekulámí vývěvou 14. V tomto případě je první ventil 17' mezi druhou předřazenou vývěvou 20 a komorou 1 pro vzorek uzavřen a druhý ventil 19 mezi první turbomo leku lární vývěvou 14 a komorou I pro vzorek je otevřen. Pri tlacích v rozsahu od 10'2 do 100 hPa je naproti tomu první ventil 17' otevřen, takže komora 1 pro vzorek se odčerpává druhou předřaze35 nou vývěvou 20 a druhý ventil 19 je zavřen. Proud plynu mezi komorou 1 pro vzorek a druhou oblastí 8 středního tlaku sousedící s komorou I pro vzorek, který je v důsledku vyšších tlaků v komoře I pro vzorek silnější, se u tohoto příkladného provedení zachycuje tím, že první předřazená vývěva 16 slouží výlučně k předčerpávání první turbomolekulámí vývěvy J_4, která proto musí mít odpovídajícím způsobem zvýšený dopravní výkon. I v tomto případě zaručuje druhá turbomolekulámí vývěva 13 predčerpávaná stlačovacím stupněm 22 první turbomolekulámí vývěvy 14 předběžným vakuem v rozsahu od 10_l do 10‘4hPa udržování vakua v první oblasti středního tlaku sousedící s tlakovou oblastí 6 ultravysokého vakua v rozsahu od 105 do 10“6 hPa.
U příkladného provedení znázorněného na obr. 2 se mezi tlakovou oblastí 6 ultravysokého vakua a komorou I pro vzorek udržuje tlakový rozdíl až do číselného řádu 10, tedy až do hodnoty 10l° hPa, pomocí pouze dvou vložených tlakových oblastí 7, 8.
V zásadě by rovněž připadalo v úvahu, stejně jako u uvedeného dosavadního stavu techniky, odčerpávat i první oblast 7 středního tlaku sousedící s tlakovou oblastí 6 ultrazvukového vakua pomoct druhé iontové getrové vývěvy. V tomto případě by potom oblast středního tlaku sousedící s komorou 1 pro vzorek musela být odčerpávána pomocí turbomolekulárních vývěv předčerpávaných stlačovacím stupněm turbomolekulámí vývěvy. Tato druhá iontová getrová vývěva by potom však musela být dimenzována na velmi vysoký čerpací výkon, což by opět mělo v důsledku velkých rozměrů iontové getrové vývěvy za následek větší konstrukční výšku elek55 tronově mikroskopického sloupce.

Claims (11)

  1. PATENTOVÉ NÁROKY
  2. 2. Kaskádové Čerpací uspořádání podle nároku 1, vyznačující se tím, že první turbomolekulární vývěva (14) je vývěvou sděleným průtokem s připojovacím hrdlem ke stlačovacímu stupni (22).
    15
  3. 3. Kaskádové čerpací uspořádání podle nároku I nebo 2, vyznačující se tím, že obsahuje první předřazenou vývěvu (16) pro předčerpávání výstupu (25) první turbomolekulární vývěvy (14).
  4. 4. Přístroj s korpuskulárním zářením, který obsahuje zdroj (3) korpuskulárního záření provozo20 váný v ultravysokém vakuu a komoru (1) pro vzorek, která je provozovatelná s tlaky v rozsahu od vysokého vakua až do alespoň IhPa, vyznačující se tím, že obsahuje kaskádové čerpací uspořádání podle jednoho z nároků 1 až 3.
  5. 5. Přístroj podle nároku 4, vyznačující se tím, že mezi tlakovou oblastí (6) ultra25 vysokého vakua zdroje korpuskulárního záření a komorou (1) pro vzorek jsou upraveny přesně dvě další oblasti (7, 8) středního tlaku.
    5 1. Kaskádové čerpací uspořádání pro přístroj s korpuskulárním zářením, s první turbomolekulární vývěvou (14) a s druhou turbomolekulární vývěvu (13), vyznačující se tím, že výstup (26) druhé turbomolekulární vývěvy (13) je prostřednictvím oblasti středního tlaku stlačovaeího stupně (22) ležící mezi hlavním čerpacím otvorem (21) a výstupem (25) první turbomolekulární vývěvy (14) připojen k předčerpávání.
    m
  6. 6. Přístroj podle jednoho z nároků 4 a 5, vyznačující se tím, že tlaková oblast sousedící silákovou oblastí (6) ultravysokého vakua je připojena k sacímu hrdlu (23) druhé turbo3o molekulární vývěvy (13).
  7. 7. Přístroj podle jednoho z nároků 4až6, vyznačující se tím, že první turbomolekulární vývěva (14) je přes hlavní čerpací otvor (21) přímo připojena k oblasti (8) středního tlaku sousedící s komorou (1) pro vzorek.
  8. 8. Přístroj podle nároku 7, vyznačující se tím, že předřazená vývěva (16) je přes první ventil (17) připojena přímo ke komoře (I) pro vzorek.
  9. 9. Přístroj podle jednoho z nároků 4 až 8, vyznačující se tím, že první turbo4o molekulární vývěva (14) je přídavně přes druhý ventil (19) připojena přímo ke komoře (1) pro vzorek.
  10. 10. Přístroj podle jednoho z nároků 8a 9, vyznačující se tím, že obsahuje druhou předřazenou vývěvu (20), která je připojena ke komoře (I) pro vzorek.
  11. 11. Přístroj podle jednoho z nároků 4 až 10, vyznačující se tím, že obsahuje iontovou getrovou vývěvu (12) pro odčerpávání tlakové oblasti (6) ultravysokého vakua.
CZ20030367A 2000-07-07 2001-07-03 Kaskádové cerpací usporádání pro prístroj s korpuskulárním zárením a prístroj s korpuskulárním zárením CZ302134B6 (cs)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10032607A DE10032607B4 (de) 2000-07-07 2000-07-07 Teilchenstrahlgerät mit einer im Ultrahochvakuum zu betreibenden Teilchenquelle und kaskadenförmige Pumpanordnung für ein solches Teilchenstrahlgerät

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CZ2003367A3 CZ2003367A3 (cs) 2003-06-18
CZ302134B6 true CZ302134B6 (cs) 2010-11-03

Family

ID=7647835

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ20030367A CZ302134B6 (cs) 2000-07-07 2001-07-03 Kaskádové cerpací usporádání pro prístroj s korpuskulárním zárením a prístroj s korpuskulárním zárením

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6872956B2 (cs)
EP (1) EP1299898B1 (cs)
JP (1) JP4981235B2 (cs)
CZ (1) CZ302134B6 (cs)
DE (2) DE10032607B4 (cs)
WO (1) WO2002005310A1 (cs)

Families Citing this family (130)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE0102497D0 (sv) * 2001-07-13 2001-07-13 Nanofactory Instruments Ab Kammare för elektronmikroskop
DE10211977A1 (de) * 2002-03-18 2003-10-02 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Rasterelektronenmikroskop
GB0229353D0 (en) * 2002-12-17 2003-01-22 Boc Group Plc Vacuum pumping system and method of operating a vacuum pumping arrangement
EP1515359A1 (en) * 2003-09-12 2005-03-16 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Chamber with low electron stimulated desorption
GB0409139D0 (en) * 2003-09-30 2004-05-26 Boc Group Plc Vacuum pump
GB0411426D0 (en) * 2004-05-21 2004-06-23 Boc Group Plc Pumping arrangement
WO2006025706A1 (en) * 2004-09-01 2006-03-09 Cebt Co. Ltd. Motioning equipment for electron column
GB0424198D0 (en) * 2004-11-01 2004-12-01 Boc Group Plc Pumping arrangement
JP2007141633A (ja) * 2005-11-18 2007-06-07 Hitachi High-Technologies Corp 電子顕微鏡
EP1798751A1 (en) * 2005-12-13 2007-06-20 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Protecting aperture for charged particle emitter
JP4634295B2 (ja) * 2005-12-26 2011-02-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子顕微鏡の真空排気装置
JP4930754B2 (ja) * 2006-01-25 2012-05-16 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 荷電粒子ビーム装置
EP1816668A2 (en) * 2006-02-01 2007-08-08 FEI Company Particle-optical apparatus with a predetermined final vacuum pressure
EP2565900B1 (en) * 2007-11-13 2016-02-03 Carl Zeiss Microscopy Limited Beam device and system comprising a particle beam device and an optical microscope
JP5244730B2 (ja) * 2009-07-31 2013-07-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 低真空走査電子顕微鏡
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US8461526B2 (en) 2010-12-01 2013-06-11 Kla-Tencor Corporation Electron beam column and methods of using same
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
JP5320418B2 (ja) 2011-01-31 2013-10-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
JP6224710B2 (ja) * 2012-07-30 2017-11-01 エフ・イ−・アイ・カンパニー 環境制御型ｓｅｍガス注入システム
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
JP6035602B2 (ja) * 2012-11-21 2016-11-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置、試料台ユニット、及び試料観察方法
AU2013352273A1 (en) 2012-11-30 2015-06-04 Tyco Electronics Corporation Distributed split configuration for multi-dwelling unit
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US20140311581A1 (en) * 2013-04-19 2014-10-23 Applied Materials, Inc. Pressure controller configuration for semiconductor processing applications
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US10269537B2 (en) * 2013-12-16 2019-04-23 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Vacuum assembly for an ion implanter system
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9478434B2 (en) 2014-09-24 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Chlorine-based hardmask removal
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US10304655B2 (en) 2015-04-15 2019-05-28 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle beam device and evacuation method for same
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
TWI766433B (zh) 2018-02-28 2022-06-01 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
US20220120282A1 (en) * 2019-05-29 2022-04-21 Edwards Limited A turbomolecular pump, a vacuum pumping system and a method of evacuating a vacuum chamber
DE102022208597A1 (de) 2022-08-18 2024-02-29 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vorrichtung zum Abbilden und Bearbeiten einer Probe mit einem fokussierten Teilchenstrahl

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4651171A (en) * 1985-04-25 1987-03-17 Image Graphics, Inc. Vacuum system for a charged particle beam recording system
EP0643227A1 (en) * 1993-09-10 1995-03-15 The BOC Group plc Vacuum pumps
US5733104A (en) * 1992-12-24 1998-03-31 Balzers-Pfeiffer Gmbh Vacuum pump system
US5828064A (en) * 1995-08-11 1998-10-27 Philips Electronics North America Corporation Field emission environmental scanning electron microscope
US6030189A (en) * 1995-10-20 2000-02-29 Leybold Vakuum Gmbh Friction vacuum pump with intermediate inlet
WO2000046508A1 (en) * 1999-02-02 2000-08-10 Varian, Inc. Dual inlet vacuum pumps

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4720633A (en) * 1986-01-17 1988-01-19 Electro-Scan Corporation Scanning electron microscope for visualization of wet samples
EP0275306B1 (en) 1986-08-01 1990-10-24 Electro-Scan Corporation Multipurpose gaseous detector device for electron microscopes
US4785182A (en) 1987-05-21 1988-11-15 Electroscan Corporation Secondary electron detector for use in a gaseous atmosphere
JP2607572B2 (ja) * 1987-12-23 1997-05-07 株式会社日立製作所 荷電粒子を用いる分析装置および方法
US5717204A (en) * 1992-05-27 1998-02-10 Kla Instruments Corporation Inspecting optical masks with electron beam microscopy
EP0603694A1 (de) * 1992-12-24 1994-06-29 BALZERS-PFEIFFER GmbH Vakuumpumpsystem
DE4331589C2 (de) * 1992-12-24 2003-06-26 Pfeiffer Vacuum Gmbh Vakuumpumpsystem
DE50113837D1 (de) 2000-07-07 2008-05-21 Zeiss Carl Nts Gmbh Detektor für variierende druckbereiche und elektronenmikroskop mit einem entsprechenden detektor

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4651171A (en) * 1985-04-25 1987-03-17 Image Graphics, Inc. Vacuum system for a charged particle beam recording system
US5733104A (en) * 1992-12-24 1998-03-31 Balzers-Pfeiffer Gmbh Vacuum pump system
EP0643227A1 (en) * 1993-09-10 1995-03-15 The BOC Group plc Vacuum pumps
US5828064A (en) * 1995-08-11 1998-10-27 Philips Electronics North America Corporation Field emission environmental scanning electron microscope
US6030189A (en) * 1995-10-20 2000-02-29 Leybold Vakuum Gmbh Friction vacuum pump with intermediate inlet
WO2000046508A1 (en) * 1999-02-02 2000-08-10 Varian, Inc. Dual inlet vacuum pumps

Also Published As

Publication number Publication date
JP4981235B2 (ja) 2012-07-18
US20040076529A1 (en) 2004-04-22
WO2002005310A1 (de) 2002-01-17
DE10032607B4 (de) 2004-08-12
CZ2003367A3 (cs) 2003-06-18
EP1299898B1 (de) 2007-11-14
DE50113269D1 (de) 2007-12-27
JP2004503063A (ja) 2004-01-29
DE10032607A1 (de) 2002-01-24
US6872956B2 (en) 2005-03-29
EP1299898A1 (de) 2003-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CZ302134B6 (cs) Kaskádové cerpací usporádání pro prístroj s korpuskulárním zárením a prístroj s korpuskulárním zárením
US8716658B2 (en) Mass spectrometer system
JP6087056B2 (ja) 誘導結合プラズマｍｓ／ｍｓ型質量分析装置
US6446651B1 (en) Multi-chamber vacuum system and a method of operating the same
JP2005330967A (ja) 軽量気体用真空ポンプシステム
JP4806636B2 (ja) 真空ポンプ
WO2016166825A1 (ja) 荷電粒子線装置、およびその真空排気方法
JP2007507658A (ja) 真空ポンプ
JP5244730B2 (ja) 低真空走査電子顕微鏡
JPH06215716A (ja) 走査電子顕微鏡
JPH03159049A (ja) イオン注入装置
JP4634295B2 (ja) 電子顕微鏡の真空排気装置
US20240044737A1 (en) Device for leakage detection via mass spectrometry, having a three-stage turbomolecular pump and a booster pump
JP2006100118A (ja) 電子顕微鏡分析装置
JP7396237B2 (ja) 質量分析装置
JPH1140094A (ja) 真空装置の排気システムおよび排気方法
JPH11185695A (ja) 誘導結合プラズマ質量分析装置
JPS6364734B2 (cs)
JP2008226521A (ja) 走査型電子顕微鏡
KR101216961B1 (ko) 전자 현미경 시스템
JPH0429402Y2 (cs)
JPH0746853Y2 (ja) 差動排気系
JPH07272634A (ja) 真空ポンプ及びその排気方法
JPH07272670A (ja) 真空ポンプ及びその排気方法
JPS63318050A (ja) 絞り清浄装置付電子顕微鏡

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Patent lapsed due to non-payment of fee

Effective date: 20200703