CZ20014586A3 - Leątící suspenze pro chemicko-mechanické leątění filmů z oxidu křemičitého - Google Patents
Leątící suspenze pro chemicko-mechanické leątění filmů z oxidu křemičitého Download PDFInfo
- Publication number
- CZ20014586A3 CZ20014586A3 CZ20014586A CZ20014586A CZ20014586A3 CZ 20014586 A3 CZ20014586 A3 CZ 20014586A3 CZ 20014586 A CZ20014586 A CZ 20014586A CZ 20014586 A CZ20014586 A CZ 20014586A CZ 20014586 A3 CZ20014586 A3 CZ 20014586A3
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- polishing
- quaternary ammonium
- silica
- suspension according
- chemical
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 75
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 53
- 239000000725 suspension Substances 0.000 title claims description 19
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims description 15
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 title description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 31
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 229910052736 halogen Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 3
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- PXFDQFDPXWHEEP-UHFFFAOYSA-M benzyl-dimethyl-octylazanium;chloride Chemical group [Cl-].CCCCCCCC[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 PXFDQFDPXWHEEP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 claims description 4
- LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M Cetrimonium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 2
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 229940075614 colloidal silicon dioxide Drugs 0.000 abstract description 5
- 150000002148 esters Chemical group 0.000 abstract 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000001698 pyrogenic effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- -1 amine salt Chemical class 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052914 metal silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000003856 quaternary ammonium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
Leštící suspenze pro chemicko-mechanické leštění filmů z oxidu křemičitého
Oblast techniky
Vynález se týká leštící suspenze pro chemickomechanické leštění, které je možno použít k leštění filmů z oxidu křemičitého, zejména koloidní leštící suspenze typu oxidu křemičitého, která obsahuje kvartérní amoniovou sůl.
Dosavadní stav techniky
V současnosti je chemicko-mechanické leštění (CMP, Chemical-Mechanical Polishing) při výrobě integrovaných obvodů (IC, Integrated Circuits) upřednostňovanou metodou pro dosažení optimální rovinnosti destiček (globální planarizace). Destička je leštěná křemíková destička, na které jsou uspořádány integrované spoje. Nejprve se leštící suspenze nanese na elastomerní leštící sukno (podušku) nebo přímo na leštěný povrch destičky. Leštící sukno se pak přitlačuje proti leštěnému povrchu a přitom se pohybuje relativně k rovině destičky, takže částice suspenze jsou přitisknuty k povrchu destičky. Pohyb leštícího sukna způsobuje rozdělení leštící suspenze a tím i částic na povrchu destičky, což vede k chemickému a mechanickému úběru povrchu substrátu.
Mohou být rozlišovány dva typy leštících suspenzí. Jeden typ sestává z disperze z pyrogenní kyseliny křemičité jako brusivá (abraziva), a druhý typ obsahuje jako brusivo koloidní oxid křemičitý. Způsoby výroby leštících suspenzí • · · · · · z pyrogenní kyseliny křemičité a z koloidního oxidu křemičitého, nazývaného také křemičitý sol, jsou různé. Disperze pyrogenní kyseliny křemičité se získá tím, že se pyrogenní kyselina křemičitá disperguje ve vodném médiu. Pro leštící suspenze, které obsahují koloidní oxid křemičitý, se koloidní oxid křemičitý získává pomocí techniky sol-gel přímo z vodného roztoku, např. z roztoku křemičitého sodného. V žádném časovém bodě výroby není koloidní oxid křemičitý přítomen v suchém stavu, který může vést k aglomeraci nebo agregaci, jak je tomu v případě pyrogenní kyseliny křemičité. Disperze pyrogenní kyseliny křemičité má širší rozdělení velikosti částic než leštící suspenze typu koloidního oxidu křemičitého. To vede k tomu, že částice leštící suspenze z pyrogenní kyseliny křemičité v průběhu skladování a/nebo leštění aglomerují nebo sedimentují, což vede k další nerovnoměrnosti rozdělení velikosti částic. Při použiti leštící suspenze z pyrogenní kyseliny křemičité to způsobuje vady, jako například drsnost povrchu a mikroškrábance na leštěném povrchu polovodiče. Tento jev se stává závažným, když se šířka linky konstrukčního prvku integrovaného obvodu snižuje na 0,2 5 μτη resp. 0,18 μιπ nebo méně. Proto nachází leštící suspenze typu koloidního oxidu křemičitého rozšiřující se použití.
Byly vyvinuty různé leštící suspenze. US 5 891 205 popisuje složení chemicko-mechanické leštící suspenze, která obsahuje alkalickou vodnou disperzi, zahrnující částice oxidu ceru a částice oxidu křemičitého. US 5 264 010 popisuje složení leštící suspenze, která zahrnuje oxid ceru, pyrogenní kyselinu křemičitou a srážený oxid křemičitý. US 5 139 571 popisuje leštící suspenzi pro polovodičové destičky, která zahrnuje množství jemných částic brusivá a kvartérní amoniovou sloučeninu. US 5 230 833 popisuje způsob výroby sólu kyseliny křemičité s nízkým obsahem kovu.
Existuje však stále potřeba vyvinout leštící suspenzi typu křemičitého sólu pro chemicko-mechanické leštění s vysokou rychlostí leštění.
Podstata vynálezu
Úkolem předloženého vynálezu je tedy poskytnout leštící suspenzi pro chemicko-mechanické leštění s vysokou rychlostí leštění a s nízkou povrchovou drsností substrátu.
Pro vyřešení výše uvedeného úkolu obsahuje leštící suspenze pro chemicko-mechanické leštění podle vynálezu následující složky:
až 50 % hmotn. koloidního abraziva z oxidu křemičitého a 0,1 až 10 % hmotn. kvartérní amoniové soli představované vzorcem R4N+X, přičemž R mohou být stejné nebo různé a jsou zvoleny ze skupiny sestávající z alkylu, alkenylu, alkylarylu, arylalkylu a esterové skupiny a X je hydroxyl nebo halogen.
Leštící suspenze podle vynálezu pro chemicko-mechanické leštění je zvláště vhodná pro použití při leštění filmu z oxidu křemičitého. Přitom oxid křemičitý může být takzvaný termální oxid, PE-TEOS nebo HDP.
Film z oxidu křemičitého může obsahovat dopovací prvky jako například Β, P a/nebo F.
• · · · · · • ·
Leštící suspenze podle vynálezu je kromě toho vhodná pro leštění tvarových těles ze skla, která obsahují jako hlavní složku SiO2.
V leštící suspenzi podle vynálezu je přítomno koloidní abrazivum z oxidu křemičitého s výhodou v množství 10 až 30 % hmotn., a amoniová sůl je přítomna s výhodou v množství 0,3 až 5 % hmotn. Koloidní oxid křemičitý může vykazovat střední velikost částic 10 nm až 1 μσι, s výhodou 2 0 nm až 100 nm.
Střední velikost částici se určuje pomocí sedimentace v tíhovém poli ultracentrifugy.
V kvartérní amoniové soli R4N+X‘ podle vynálezu může být R s výhodou Ci-2o-alkyl, Ci_2o-alkenyl, C7-2o-alkylaryl, C7-2o-arylalkyl nebo esterová skupina. Kvartérní amoniová skupina může současně obsahovat různý zbytek R. Podle výhodného provedení vynálezu je X halogen. Zvláště vhodné příklady pro kvartérní amoniovou sůl jsou oktyldimethylbenzylamoniumchlorid a cetyltrimethylamoniumbromid.
Leštící suspenze podle vynálezu má při 22 °C pH 9 až 12, s výhodou 11 až 12.
Leštící disperze podle vynálezu může dále obsahovat hydroxid alkalického kovu, jako například hydroxid draselný.
Příklady provedení vynálezu
Následující příklady ilustrují způsob provádění a výhody vynálezu aniž by omezovaly jeho rozsah, jelikož odborníkovi jsou zřejmé četné modifikace a varianty.
Leštící suspenze podle příkladů a srovnávacích příkladů byly vyrobeny za níže uvedených podmínek. Leštícími suspenzemi byly leštěny pomocí leštícího stroje Westech-372 filmy oxidu křemičitého na křemíkových destičkách, které byly vyrobeny pomocí nízkotlakého CVD-postupu. Výsledky jsou uvedeny v tabulce 1. Rychlost leštění byla počítána dělením diference tloušťky před leštěním a po leštění dobou leštění, přičemž tloušťka filmu byla měřena prostřednictvím Nanospec. Nerovnoměrnost byla měřena Ισ-metodou, přičemž rychlosti leštění byly měřeny na 9 různých polohách povrchu destičky.
Příklad 1
Levasil® 50 CK/30%, koloidní křemičitý sol od Bayer AG, Leverkusen, byl nastaven deionizovanou vodou na 30 % hmotn. oxidu křemičitého. Střední velikost částic koloidního oxidu křemičitého byla 60 až 90 nm, a měrný povrch byl 50 až 180 m2/g. Ke zředěnému křemičitému sólu bylo přidáno 0,8 % hmotn. oktyldimethylbenzylamonium-chloridu a důkladně promícháno, čímž byla získána požadovaná leštící suspenze s hodnotou pH 11,2. Výsledky jsou uvedeny v tabulce 1.
Příklad 2
Byl použit stejný způsob jako v příkladu 1 s tou výjimkou, že křemičitý sol byl zředěn na leštící suspenzi s 15 % oxidu křemičitého. Hodnota pH leštící suspenze byla 11,0. Výsledky jsou uvedeny v tabulce 1.
Srovnávací příklad 1
Byl použit stejný způsob jako v příkladu 1 s tou výjimkou, že nebyl přidán žádný oktyldimethylbenzylamoniumchlorid. Hodnota pH leštící suspenze byla 11,2. Výsledky jsou uvedeny v tabulce 1.
Srovnávací příklad 2
Byl použit stejný způsob jako v příkladu 1 s tou výjimkou, že nebyl přidán žádný oktyldimethylbenzylamoniumchlorid a křemičitý sol byl zředěn na leštící suspenzi s 15 % oxidu křemičitého. Hodnota pH leštící suspenze byla 11,0. Výsledky jsou uvedeny v tabulce 1.
Srovnávací příklad 3
V případě leštící suspenze použité v tomto příkladu se jednalo o SS 25 od Cabot Mickroelectronics, Aurora, 111., USA, s 25 % pyrogenní kyseliny křemičité. Hodnota pH leštící suspenze byla 11,2.
Srovnávací příklad 4
Leštící disperze SS 25 byla zředěna deionizovanou vodou, čímž byla získána leštící suspenze s 12,5 % hmotn. pyrogenní kyseliny křemičité. Hodnota pH leštící suspenze byla 11,0.
Z výše uvedených příkladů vyplývá, že prostřednictvím přídavku kvartérní amoniové soli může být zvýšena rychlost leštění leštící suspenzí typu koloidního oxidu křemičitého.
Výše uvedený popis výhodných provedení vynálezu je uveden pro lepší osvětlení a popis. Zřejmé modifikace a varianty jsou v rámci výše uvedené myšlenky možné. Tato provedení byla zvolena a popsána pro lepší osvětlení principů vynálezu a pro poskytnutí jejich praktického využití, aby bylo odborníkům umožněno využití vynálezu v různých provedeních a s různými pro konkrétní použití vhodnými modifikacemi. Všechny takovéto modifikace a varianty spadají do rozsahu vynálezu.
Tabulka 1
| Příklady | Zdroj oxidu křemičitého | Koncentrace oxidu křemičitého (% hmotn.) | Koncentrace kvartérní aminiové soli (% hmotn.) | Rychlost leštění (nm/min) | Nerovnoměrnost (%) |
| příklad 1 | koloidní oxid křemičitý | 30% | 0,8 % | 310 | 4,1 |
| příklad 2 | koloidní oxid křemičitý | 15% | 0,8 % | 224,6 | 2,3 |
| srovn. př. 1 | koloidní oxid křemičitý | 30% | 0 | 270,2 | 3,9 |
| srovn. př. 2 | koloidní oxid křemičitý | 15% | 0 | 194,6 | 1,8 |
| srovn. př. 3 | pyrogenní kyselina křemičitá | 25% | 0 | 190 | 4,1 |
| srovn. př. 4 | pyrogenní kyselina křemičitá | 12,5 % | 0 | 136,6 | 6 |
• ·
Claims (5)
- PATENTOVÉ NÁROKYΡ22οοΊ-fySfá ······ · · · · 1.1. Leštící suspenze pro chemicko-mechanické leštění obsahuj ící:5 až 50 % hmotn. koloidního abraziva z oxidu křemičitého a 0,1 až 10 % hmotn. kvartérní amoniové soli představované vzorcem R4N+X‘, přičemž R mohou být stejné nebo různé a jsou zvoleny ze skupiny sestávající z alkylu, alkenylu, alkylarylu, arylalkylu a esterové skupiny a X je hydroxyl nebo halogen.
- 2. Leštící suspenze podle nároku 1, vyznačující se tím, že koloidní abrazivum z oxidu křemičitého je přítomno v množství 10 až 30 % hmotn. , a kvartérní amoniová sůl je přítomna v množství 0,3 až 5 % hmotn.
3 . Leštící suspenze podle nároku 1 , vyznačující se tím, ze zbytek R je, stejný nebo různý, Cx-20-alkyl, Ci-2o- alkenyl, C7-2o-alkylaryl, C7-2o-arylalkyl nebo esterová skupina. 4 . Leštící suspenze podle nároku 1 , vyznačující se tím, že X je halogen. 5 . Leštící suspenze podle nároku 4 , vyznačující se tím, v ze ! kvartérní amoniová sůl je oktyldimethylbenzyl- amoniumchlorid nebo cetyltrimethylamoniumbromid.• · - 6. Leštící suspenze podle nároku 5, vyznačující se tím, že kvartérní amoniová sůl je oktyldimethylbenzylamoniumchlorid.
- 7. Leštící suspenze podle nároku 1, vyznačující se tím, že dále obsahuje hydroxid alkalického kovu.
tím, 8 . že Leštící hydroxid suspenze podle je hydroxid sodný nároku 7, vyznačuj ící se tím, 9. že Leštící má při 22 suspenze podle °C pH 9 až 12. nároku 1, vyznačuj ící se 10 . Leštící suspenze podle nároku 1, vyznačuj ící se tím, ze koloidní oxid křemičitý má střední velikost částic - 10 nm až 1 μπι.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10063488A DE10063488A1 (de) | 2000-12-20 | 2000-12-20 | Polierslurry für das chemisch-mechanische Polieren von Siliciumdioxid-Filmen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ20014586A3 true CZ20014586A3 (cs) | 2002-08-14 |
Family
ID=7667925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ20014586A CZ20014586A3 (cs) | 2000-12-20 | 2001-12-18 | Leątící suspenze pro chemicko-mechanické leątění filmů z oxidu křemičitého |
Country Status (17)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020170237A1 (cs) |
| EP (1) | EP1217650A1 (cs) |
| JP (1) | JP2002246341A (cs) |
| KR (1) | KR20020050145A (cs) |
| CN (1) | CN1359997A (cs) |
| AU (1) | AU9730101A (cs) |
| CA (1) | CA2365593A1 (cs) |
| CZ (1) | CZ20014586A3 (cs) |
| DE (1) | DE10063488A1 (cs) |
| HU (1) | HUP0105380A3 (cs) |
| IL (1) | IL147165A0 (cs) |
| MX (1) | MXPA01013270A (cs) |
| NO (1) | NO20016236L (cs) |
| NZ (1) | NZ516222A (cs) |
| RU (1) | RU2001134183A (cs) |
| SG (1) | SG130931A1 (cs) |
| TW (1) | TW517301B (cs) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100396881B1 (ko) * | 2000-10-16 | 2003-09-02 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 연마에 이용되는 슬러리 및 이를 이용한 화학기계적 연마 방법 |
| KR100506056B1 (ko) * | 2002-06-24 | 2005-08-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 산화막용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 형성 방법 |
| KR100474539B1 (ko) * | 2002-07-15 | 2005-03-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| US7253111B2 (en) * | 2004-04-21 | 2007-08-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holding, Inc. | Barrier polishing solution |
| DE102006008689B4 (de) | 2006-02-24 | 2012-01-26 | Lanxess Deutschland Gmbh | Poliermittel und dessen Verwendung |
| JP4836731B2 (ja) * | 2006-07-18 | 2011-12-14 | 旭硝子株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
| CN101168647A (zh) * | 2006-10-27 | 2008-04-30 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液 |
| TWI393770B (zh) * | 2007-03-07 | 2013-04-21 | Anji Microelectronics Co Ltd | 用於拋光多晶矽的化學機械拋光液 |
| CN102766408B (zh) * | 2012-06-28 | 2014-05-28 | 深圳市力合材料有限公司 | 一种适用于低下压力的硅晶片精抛光组合液及其制备方法 |
| CN103484024B (zh) * | 2013-09-13 | 2014-10-15 | 上海新安纳电子科技有限公司 | 一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液及其制备方法 |
| JP7222750B2 (ja) * | 2019-02-14 | 2023-02-15 | ニッタ・デュポン株式会社 | 研磨用組成物 |
| CN110846018A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-02-28 | 中国石油集团渤海钻探工程有限公司 | 一种小分子阳离子表面活性剂型防膨剂及其制备方法 |
| US20220348788A1 (en) | 2021-04-27 | 2022-11-03 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing composition and method of polishing a substrate having enhanced defect reduction |
| CN114032035B (zh) * | 2021-10-28 | 2022-06-07 | 常州时创能源股份有限公司 | 硅片碱抛光用添加剂及其应用 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4462188A (en) * | 1982-06-21 | 1984-07-31 | Nalco Chemical Company | Silica sol compositions for polishing silicon wafers |
| US5230833A (en) * | 1989-06-09 | 1993-07-27 | Nalco Chemical Company | Low sodium, low metals silica polishing slurries |
| US5139571A (en) * | 1991-04-24 | 1992-08-18 | Motorola, Inc. | Non-contaminating wafer polishing slurry |
| EP0520109B1 (en) * | 1991-05-28 | 1995-03-29 | Rodel, Inc. | Low sodium, low metals silica polishing slurries |
| JP3810588B2 (ja) * | 1998-06-22 | 2006-08-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
-
2000
- 2000-12-20 DE DE10063488A patent/DE10063488A1/de not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-11-21 SG SG200107211-5A patent/SG130931A1/en unknown
- 2001-12-07 EP EP01128485A patent/EP1217650A1/de not_active Withdrawn
- 2001-12-17 NZ NZ516222A patent/NZ516222A/xx unknown
- 2001-12-17 US US10/023,172 patent/US20020170237A1/en not_active Abandoned
- 2001-12-17 CA CA002365593A patent/CA2365593A1/en not_active Abandoned
- 2001-12-18 CZ CZ20014586A patent/CZ20014586A3/cs unknown
- 2001-12-18 IL IL14716501A patent/IL147165A0/xx unknown
- 2001-12-18 JP JP2001384490A patent/JP2002246341A/ja active Pending
- 2001-12-18 MX MXPA01013270A patent/MXPA01013270A/es unknown
- 2001-12-18 TW TW090131265A patent/TW517301B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-12-19 NO NO20016236A patent/NO20016236L/no not_active Application Discontinuation
- 2001-12-19 HU HU0105380A patent/HUP0105380A3/hu unknown
- 2001-12-19 RU RU2001134183/04A patent/RU2001134183A/ru not_active Application Discontinuation
- 2001-12-19 AU AU97301/01A patent/AU9730101A/en not_active Abandoned
- 2001-12-19 KR KR1020010081028A patent/KR20020050145A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-12-20 CN CN01143343A patent/CN1359997A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| HUP0105380A2 (en) | 2002-08-28 |
| HUP0105380A3 (en) | 2002-12-28 |
| IL147165A0 (en) | 2002-08-14 |
| KR20020050145A (ko) | 2002-06-26 |
| TW517301B (en) | 2003-01-11 |
| NZ516222A (en) | 2002-12-20 |
| AU9730101A (en) | 2002-06-27 |
| JP2002246341A (ja) | 2002-08-30 |
| NO20016236L (no) | 2002-06-21 |
| RU2001134183A (ru) | 2003-08-27 |
| NO20016236D0 (no) | 2001-12-19 |
| MXPA01013270A (es) | 2004-05-21 |
| SG130931A1 (en) | 2007-04-26 |
| HU0105380D0 (en) | 2002-02-28 |
| CA2365593A1 (en) | 2002-06-20 |
| CN1359997A (zh) | 2002-07-24 |
| US20020170237A1 (en) | 2002-11-21 |
| DE10063488A1 (de) | 2002-06-27 |
| EP1217650A1 (de) | 2002-06-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20160280963A1 (en) | Raspberry-type metal oxide nanostructures coated with ceo2 nanoparticles for chemical mechanical planarization (cmp) | |
| US5885334A (en) | Polishing fluid composition and polishing method | |
| JP5385141B2 (ja) | 水に可溶性酸化剤を使用する炭化ケイ素の研磨方法 | |
| JP2592401B2 (ja) | 表面を研磨及び平坦化する組成物と方法 | |
| KR100628019B1 (ko) | 에지 연마 조성물 | |
| JP4963825B2 (ja) | 研磨用シリカゾルおよびそれを含有してなる研磨用組成物 | |
| CZ20014586A3 (cs) | Leątící suspenze pro chemicko-mechanické leątění filmů z oxidu křemičitého | |
| JP6422325B2 (ja) | 半導体基板用研磨液組成物 | |
| US9982166B2 (en) | Metal oxide-polymer composite particles for chemical mechanical planarization | |
| US20020129560A1 (en) | Acidic polishing slurry for the chemical-mechanical polishing of SiO2 isolation layers | |
| US7708900B2 (en) | Chemical mechanical polishing slurry compositions, methods of preparing the same and methods of using the same | |
| US20080038996A1 (en) | Polishing composition for semiconductor wafer, production method thereof, and polishing method | |
| KR20120001766A (ko) | 반도체 기판용 연마액 및 반도체 기판의 연마 방법 | |
| JP3841873B2 (ja) | 研磨用砥粒及び研磨用組成物 | |
| JP3521614B2 (ja) | シリコン用研磨液組成物 | |
| EP2092034B1 (en) | Chemical mechanical polishing slurry compositions, methods of preparing the same and methods of using the same | |
| US8512593B2 (en) | Chemical mechanical polishing slurry compositions, methods of preparing the same and methods of using the same | |
| KR20000006327A (ko) | 연마조성물및표면처리조성물 | |
| TWI812633B (zh) | 用於淺溝槽隔離之水性矽石漿料組合物及其使用方法 | |
| JP2000230169A (ja) | 研磨用のスラリー | |
| TW201831645A (zh) | 研磨用組合物及研磨方法 | |
| JP2001284296A (ja) | 研磨性スラリー及びその使用 | |
| WO2019176558A1 (ja) | 研磨組成物 | |
| JP2000239653A (ja) | 研磨用組成物 | |
| KR100497410B1 (ko) | 연마성능이 개선된 산화막 연마용 슬러리 조성물 |