CN114032035B - 硅片碱抛光用添加剂及其应用 - Google Patents
硅片碱抛光用添加剂及其应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114032035B CN114032035B CN202111279549.5A CN202111279549A CN114032035B CN 114032035 B CN114032035 B CN 114032035B CN 202111279549 A CN202111279549 A CN 202111279549A CN 114032035 B CN114032035 B CN 114032035B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mass
- alkali
- polishing
- parts
- silicon wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 91
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 80
- 239000003513 alkali Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 80
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 239000000654 additive Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 title claims abstract description 46
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 76
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 claims abstract description 11
- SOIFLUNRINLCBN-UHFFFAOYSA-N ammonium thiocyanate Chemical compound [NH4+].[S-]C#N SOIFLUNRINLCBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 claims abstract description 11
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 claims abstract description 11
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 claims abstract description 11
- -1 alkyl glycoside Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 229930182470 glycoside Natural products 0.000 claims abstract description 10
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims abstract description 9
- 229940113720 aminosalicylate Drugs 0.000 claims abstract description 9
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims abstract description 9
- WXMKPNITSTVMEF-UHFFFAOYSA-M sodium benzoate Chemical compound [Na+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 WXMKPNITSTVMEF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 9
- 235000010234 sodium benzoate Nutrition 0.000 claims abstract description 9
- 239000004299 sodium benzoate Substances 0.000 claims abstract description 9
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 28
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 22
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- HTZCNXWZYVXIMZ-UHFFFAOYSA-M benzyl(triethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](CC)(CC)CC1=CC=CC=C1 HTZCNXWZYVXIMZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- NHGXDBSUJJNIRV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC NHGXDBSUJJNIRV-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 5
- JBIROUFYLSSYDX-UHFFFAOYSA-M benzododecinium chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 JBIROUFYLSSYDX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 12
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- FVVDKUPCWXUVNP-UHFFFAOYSA-M Aminosalicylate sodium anhydrous Chemical compound [Na+].NC1=CC=C(C([O-])=O)C(O)=C1 FVVDKUPCWXUVNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940046927 sodium aminosalicylate Drugs 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 1
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 1
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 1
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/04—Aqueous dispersions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种硅片碱抛光用添加剂，其各组分的含量为：0.5～2质量份明胶、1～2质量份丙烯酰胺、0.5～2质量份季铵盐、1～3质量份对氨基水杨酸钠、4～5质量份硫氰酸铵、3～4质量份烷基糖苷、0.1～0.3质量份苯甲酸钠、81.7～89.9质量份水。在硅片碱抛光的抛光液中添加本发明的添加剂，能改变[111]/[100]面的反应速率，抑制[100]面的反应速度，能改变硅片背面平整度，能使碱抛光后硅片背面形成相对粗糙的小尺寸塔基状结构，小幅度降低硅片背面反射率，这有利于背面浆料接触，提升浆料拉力，还能使FF得以提升，提高电池片电性能。
Description
技术领域
本发明涉及光伏领域，具体涉及一种硅片碱抛光用添加剂及其应用。
背景技术
单晶硅背抛光用添加剂是指在单晶硅太阳能电池的制造工艺过程中，在抛光液中添加的有利于保护硅片正面PN结不被破坏，且提高背面抛光效果的化学助剂。在晶硅太阳能电池片生产过程中，为了进一步提升电池片的性能和效率，通常会对硅片背面进行抛光，使硅片背表面更加光滑甚至达到镜面效果，抛光后硅片的背面平整，一方面可以加强对透射光的反射减小透光率，另一方面可以使铝浆与硅片表面接触更加充分提高钝化效果。通过背表面抛光分别使电流Isc和开路电压Voc得到了提升，从而可以提高太阳能电池的转换效率。
对于PERC电池而言，从背钝化的角度出发，对碱抛后的反射率和塔基要求较高，反射率要求在40%以上，且塔基尺寸大于15μm，因为较高的背反射率和尺寸较大的塔基可以形成较好的钝化效果。而从背面铝浆匹配的角度出发，对碱抛后的塔基要求较低，塔基尺寸要求在10μm以下，因为尺寸较小的塔基可以形成较好的接触。因此塔基的尺寸控制对最终电池的效率、良率都有所影响。而目前市场上的单晶硅背抛光用添加剂都只能形成尺寸较大的塔基，还未有能形成尺寸较小塔基的添加剂上市。
发明内容
本发明的目的在于提供一种硅片碱抛光用添加剂及其应用，在硅片碱抛光的抛光液中添加本发明的添加剂，能改变[111]/[100]面的反应速率，抑制[100]面的反应速度，能改变硅片背面平整度，能使碱抛光后硅片背面形成相对粗糙的小尺寸塔基状结构，小幅度降低硅片背面反射率，这有利于背面浆料接触，提升浆料拉力，还能使FF得以提升，提高电池片电性能。
为实现上述目的，本发明提供一种硅片碱抛光用添加剂，其各组分的含量为：0.5～2质量份明胶、1～2质量份丙烯酰胺、0.5～2质量份季铵盐、1～3质量份对氨基水杨酸钠、4～5质量份硫氰酸铵、3～4质量份烷基糖苷、0.1～0.3质量份苯甲酸钠、81.7～89.9质量份水。
优选的，所述水为去离子水。
优选的，所述季铵盐选自十二烷基二甲基苄基氯化铵、苄基三乙基氯化铵、四丁基氯化铵中的一种或几种。
本发明还提供一种硅片碱抛光用抛光液，其含有碱液和上述的添加剂，添加剂与碱液的质量比为0.5～2:100；碱液为碱组分的水溶液，碱组分包括氢氧化钾和/或氢氧化钠。
优选的，所述碱液中碱组分总的质量百分含量为1.5%～4%。
本发明还提供一种硅片碱抛光方法，利用上述的抛光液对硅片进行抛光处理；所述硅片为单晶硅片。
优选的，所述的硅片碱抛光方法，其具体步骤包括：
1）配制添加剂：将0.5～2质量份明胶、1～2质量份丙烯酰胺、0.5～2质量份季铵盐、1～3质量份对氨基水杨酸钠、4～5质量份硫氰酸铵、3～4质量份烷基糖苷、0.1～0.3质量份苯甲酸钠加入到81.7～89.9质量份水中，混合均匀配成添加剂；
2）配制抛光液：将步骤1）制成的添加剂加到碱液中，混合均匀配成抛光液；添加剂与碱液的质量比为0.5～2:100；碱液为碱组分的水溶液，碱组分包括氢氧化钾和/或氢氧化钠；
3）利用步骤2）制得的抛光液对硅片进行抛光处理，抛光处理的温度控制在55～75℃，时间控制在90～300s。
优选的，步骤3）中，所述硅片正面有氧化层。
优选的，步骤3）中，所述硅片经过激光SE处理。
优选的，步骤2）中，添加剂与碱液的质量比为0.75～1.25:100；所述碱液中碱组分总的质量百分含量为2%～3%。
优选的，步骤3）中，抛光处理的温度控制在60～70℃，时间控制在160～240s。
本发明的优点和有益效果在于：
本发明的硅片碱抛光用添加剂，其含有加速硅腐蚀的组分（主要是对氨基水杨酸钠和硫氰酸铵），能够增强硅的腐蚀速度进而减低碱的使用量，且添加剂中还有组分（主要是丙烯酰胺）能保护Si-OH键，进而对PN结的氧化层进行保护。
添加剂的有效成分明胶、丙烯酰胺、季铵盐、对氨基水杨酸钠和硫氰酸铵能够在硅片背面形成小尺寸塔基状结构，还能增强硅片正面氧化层的保护性；烷基糖苷主要用于润湿硅表面状态，苯甲酸钠主要起到稳定体系的作用。将本发明添加剂加入无机碱液中，协同作用于待抛光的单晶硅表面，对正面氧化层进行保护，进而保护正面PN结，抛光得到背面小尺寸塔基状结构。
明胶和季铵盐对得到背面小尺寸塔基状结构起到关键作用，明胶和季铵盐在裸露的硅表面具有吸附作用，能抑制[100]面的反应速率，在硅片背面腐蚀达到小尺寸的塔基状结构。
丙烯酰胺对含氧化层的硅表面起到保护作用，丙烯酰胺在氧化硅表面具有吸附作用，抑制了氧化硅与无机碱的反应，保护了硅表面扩散层。
对氨基水杨酸钠和硫氰酸铵对背面抛光平整性起到作用，对氨基水杨酸钠和硫氰酸铵改变了硅背面[111]/[100]面的反应速率，提高了[111]面的腐蚀速率。
烷基糖苷在抛光过程中主要起到润湿作用，硅片背表面界面的浸润性也有利于抛光的快速进行。
本发明能在低碱浓度下实现小尺寸的背面塔基状结构，提高了硅片背面粗糙度，小幅度降低硅片背面反射率，这有利于背面浆料接触，提升浆料拉力，还能使FF得以提升，提高电池片电性能。
在硅片碱抛光的抛光液中添加本发明的添加剂，能改变[111]/[100]面的反应速率，抑制[100]面的反应速度，能改变硅片背面平整度，能使碱抛光后硅片背面形成相对粗糙的小尺寸塔基状结构，小幅度降低硅片背面反射率。
本发明添加剂能在低碱浓度下实现良好抛光稳定性，且硅片背面塔基状结构尺寸结构可控，对电池转换效率有增益。
相对于现有技术，本发明能在降低碱浓度的同时增强PN结的保护性，抛光得到小尺寸塔基状结构利于背面铝浆接触，提高电池转换效率。
本发明添加剂的配方抛光效果好、抛光无污染和抛光塔基状结构尺寸可控，显著提升抛光效果，应用前景广阔。
附图说明
图1是实施例1碱抛光处理后硅片背面的扫描电镜图；
图2是实施例2碱抛光处理后硅片背面的扫描电镜图；
图3是对比例1碱抛光处理后硅片背面的扫描电镜图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
本发明提供一种硅片碱抛光方法，其具体步骤包括：
1）配制添加剂：将0.5～2质量份明胶、1～2质量份丙烯酰胺、0.5～2质量份季铵盐、1～3质量份对氨基水杨酸钠、4～5质量份硫氰酸铵、3～4质量份烷基糖苷、0.1～0.3质量份苯甲酸钠加入到81.7～89.9质量份去离子水中，混合均匀配成添加剂；所述季铵盐选自十二烷基二甲基苄基氯化铵、苄基三乙基氯化铵、四丁基氯化铵中的一种或几种；
2）配制抛光液：将步骤1）制成的添加剂加到碱液中，混合均匀配成抛光液；添加剂与碱液的质量比为0.5～2:100（优选为0.75～1.25:100）；碱液为碱组分的水溶液，碱组分包括氢氧化钾和/或氢氧化钠；碱液中碱组分总的质量百分含量为1.5%～4%（优选为2%～3%）；
3）利用步骤2）制得的抛光液对硅片进行抛光处理，抛光处理的温度控制在55～75℃（优选为60～70℃），时间控制在90～300s（优选为160～240s）；所述硅片为单晶硅片。
更具体的，步骤3）中：所述硅片正面可以有氧化层；硅片也可以经过激光SE处理。
本发明的具体实施例如下：
实施例1
1）配制添加剂：将0.75质量份明胶、2质量份丙烯酰胺、0.5质量份苄基三乙基氯化铵、3质量份对氨基水杨酸钠、4质量份硫氰酸铵、3质量份烷基糖苷、0.2质量份苯甲酸钠加入到86.55质量份去离子水中，混合均匀配成添加剂；
2）配制抛光液：将步骤1）制成的添加剂加到氢氧化钾溶液中，混合均匀配成抛光液；添加剂与氢氧化钾溶液的质量比为1:100；氢氧化钾溶液中氢氧化钾的质量百分含量为3%；
3）碱抛光：利用步骤2）制得的抛光液对单晶硅片进行抛光处理，抛光处理的温度控制在70℃，时间控制在180s。
实施例1碱抛光处理后硅片背面的扫描电镜图如图1所示，从图1中可知：实施例1所得硅片背面塔基状结构的对角线尺寸大致在8～9μm左右。
实施例2
1）配制添加剂：将1.5质量份明胶、1.5质量份丙烯酰胺、1质量份四丁基氯化铵、3质量份对氨基水杨酸钠、5质量份硫氰酸铵、4质量份烷基糖苷、0.2质量份苯甲酸钠加入到83.8质量份去离子水中，混合均匀配成添加剂；
2）配制抛光液：将步骤1）制成的添加剂加到氢氧化钾溶液中，混合均匀配成抛光液；添加剂与氢氧化钾溶液的质量比为0.75:100；氢氧化钾溶液中氢氧化钾的质量百分含量为2.5%；
3）碱抛光：利用步骤2）制得的抛光液对单晶硅片进行抛光处理，抛光处理的温度控制在60℃，时间控制在240s）。
实施例2碱抛光处理后硅片背面的扫描电镜图如图2所示，从图2中可知：实施例2所得硅片背面塔基状结构的对角线尺寸也大致在8～9μm左右。
对比例1
利用质量百分含量为3%的氢氧化钾溶液对单晶硅片进行抛光处理，抛光处理的温度控制在70℃，时间控制在180s。
对比例1碱抛光处理后硅片背面的扫描电镜图如图3所示，从图3中可知：对比例1所得硅片背面塔基状结构的对角线尺寸大致在13～15μm左右。
实施例1所得硅片背面塔基状结构的对角线尺寸大致在8～9μm左右，而对比例1所得硅片背面塔基状结构的对角线尺寸大致在13～15μm左右；对比实施例1和对比例1可知，在相同抛光处理时间，相同抛光处理温度，相同碱浓度下，本发明添加剂能减小硅片背面小塔基状结构的尺寸，本发明可以在小幅度降低硅片背面反射率情况下，提高硅片背面粗糙度，这有利于电池片在丝网印刷段，增强背面浆料接触，提升浆料拉力，提高电池片品质及良率；还可以在电池片电性能方面，使FF得以提升，提高电池片转换效率。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (11)
1.硅片碱抛光用添加剂，其特征在于，其各组分的含量为：0.5～2质量份明胶、1～2质量份丙烯酰胺、0.5～2质量份季铵盐、1～3质量份对氨基水杨酸钠、4～5质量份硫氰酸铵、3～4质量份烷基糖苷、0.1～0.3质量份苯甲酸钠、81.7～89.9质量份水。
2.根据权利要求1所述的硅片碱抛光用添加剂，其特征在于，所述水为去离子水。
3.根据权利要求1所述的硅片碱抛光用添加剂，其特征在于，所述季铵盐选自十二烷基二甲基苄基氯化铵、苄基三乙基氯化铵、四丁基氯化铵中的一种或几种。
4.硅片碱抛光用抛光液，其特征在于，其含有碱液和权利要求1、2或3所述的添加剂，添加剂与碱液的质量比为0.5～2:100；碱液为碱组分的水溶液，碱组分包括氢氧化钾和/或氢氧化钠。
5.根据权利要求4所述的硅片碱抛光用抛光液，其特征在于，所述碱液中碱组分总的质量百分含量为1.5%～4%。
6.硅片碱抛光方法，其特征在于，利用权利要求4或5所述的抛光液对硅片进行抛光处理；所述硅片为单晶硅片。
7.根据权利要求6所述的硅片碱抛光方法，其特征在于，其具体步骤包括：
1）配制添加剂：将0.5～2质量份明胶、1～2质量份丙烯酰胺、0.5～2质量份季铵盐、1～3质量份对氨基水杨酸钠、4～5质量份硫氰酸铵、3～4质量份烷基糖苷、0.1～0.3质量份苯甲酸钠加入到81.7～89.9质量份水中，混合均匀配成添加剂；
2）配制抛光液：将步骤1）制成的添加剂加到碱液中，混合均匀配成抛光液；添加剂与碱液的质量比为0.5～2:100；碱液为碱组分的水溶液，碱组分包括氢氧化钾和/或氢氧化钠；
3）利用步骤2）制得的抛光液对硅片进行抛光处理，抛光处理的温度控制在55～75℃，时间控制在90～300s。
8.根据权利要求7所述的硅片碱抛光方法，其特征在于，步骤3）中，所述硅片正面有氧化层。
9.根据权利要求7或8所述的硅片碱抛光方法，其特征在于，步骤3）中，所述硅片经过激光SE处理。
10.根据权利要求7所述的硅片碱抛光方法，其特征在于，步骤2）中，添加剂与碱液的质量比为0.75～1.25:100；所述碱液中碱组分总的质量百分含量为2%～3%。
11.根据权利要求7所述的硅片碱抛光方法，其特征在于，步骤3）中，抛光处理的温度控制在60～70℃，时间控制在160～240s。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111279549.5A CN114032035B (zh) | 2021-10-28 | 2021-10-28 | 硅片碱抛光用添加剂及其应用 |
| PCT/CN2022/118908 WO2023071585A1 (zh) | 2021-10-28 | 2022-09-15 | 硅片碱抛光用添加剂及其应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111279549.5A CN114032035B (zh) | 2021-10-28 | 2021-10-28 | 硅片碱抛光用添加剂及其应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114032035A CN114032035A (zh) | 2022-02-11 |
| CN114032035B true CN114032035B (zh) | 2022-06-07 |
Family
ID=80135851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111279549.5A Active CN114032035B (zh) | 2021-10-28 | 2021-10-28 | 硅片碱抛光用添加剂及其应用 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114032035B (zh) |
| WO (1) | WO2023071585A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114032035B (zh) * | 2021-10-28 | 2022-06-07 | 常州时创能源股份有限公司 | 硅片碱抛光用添加剂及其应用 |
| CN114634766B (zh) * | 2022-03-10 | 2024-02-13 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种单晶硅片背抛光用添加剂及其应用 |
| CN115386302B (zh) * | 2022-08-23 | 2023-06-02 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种硅片背抛光用添加剂及其应用 |
| CN115785820A (zh) * | 2022-11-17 | 2023-03-14 | 万华化学集团电子材料有限公司 | 一种硅抛光组合物及其应用 |
| CN116844937B (zh) * | 2023-06-30 | 2024-04-09 | 淮安捷泰新能源科技有限公司 | 硅片的rca清洗方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05121320A (ja) * | 1991-06-13 | 1993-05-18 | Fujitsu Ltd | 半導体量子箱装置及びその製造方法 |
| JP2005019605A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Naoetsu Electronics Co Ltd | テクスチャー形成用エッチング液 |
| WO2012169721A1 (ko) * | 2011-06-10 | 2012-12-13 | 동우화인켐 주식회사 | 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 |
| WO2016019767A1 (zh) * | 2014-08-06 | 2016-02-11 | 中国科学院物理研究所 | 用于刻蚀太阳能电池硅片的酸性制绒液、制绒方法、太阳能电池片及其制作方法 |
| CN110010721A (zh) * | 2019-03-22 | 2019-07-12 | 通威太阳能（合肥）有限公司 | 一种基于se的碱抛光高效perc电池工艺 |
| CN110042474A (zh) * | 2019-05-18 | 2019-07-23 | 上海汉遥新材料科技有限公司 | 一种单晶硅太阳能电池制绒添加剂及其应用 |
| CN111254498A (zh) * | 2020-03-30 | 2020-06-09 | 常州时创能源股份有限公司 | 硅片酸抛光用添加剂及其应用 |
| CN113322008A (zh) * | 2021-05-10 | 2021-08-31 | 南京卓胜自动化设备有限公司 | 一种单晶碱抛光添加剂、抛光液及抛光方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10063488A1 (de) * | 2000-12-20 | 2002-06-27 | Bayer Ag | Polierslurry für das chemisch-mechanische Polieren von Siliciumdioxid-Filmen |
| JP4288112B2 (ja) * | 2003-07-17 | 2009-07-01 | 鶴見曹達株式会社 | 基板処理方法及び基板処理液 |
| CN111663186A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-09-15 | 常州时创能源股份有限公司 | 金刚线切割单晶硅片制绒用添加剂及其应用 |
| CN113122148A (zh) * | 2021-04-07 | 2021-07-16 | 云南合义德新材料有限公司 | 一种晶体硅碱抛光添加剂及使用方法 |
| CN114032035B (zh) * | 2021-10-28 | 2022-06-07 | 常州时创能源股份有限公司 | 硅片碱抛光用添加剂及其应用 |
-
2021
- 2021-10-28 CN CN202111279549.5A patent/CN114032035B/zh active Active
-
2022
- 2022-09-15 WO PCT/CN2022/118908 patent/WO2023071585A1/zh unknown
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05121320A (ja) * | 1991-06-13 | 1993-05-18 | Fujitsu Ltd | 半導体量子箱装置及びその製造方法 |
| JP2005019605A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Naoetsu Electronics Co Ltd | テクスチャー形成用エッチング液 |
| WO2012169721A1 (ko) * | 2011-06-10 | 2012-12-13 | 동우화인켐 주식회사 | 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 |
| WO2016019767A1 (zh) * | 2014-08-06 | 2016-02-11 | 中国科学院物理研究所 | 用于刻蚀太阳能电池硅片的酸性制绒液、制绒方法、太阳能电池片及其制作方法 |
| CN110010721A (zh) * | 2019-03-22 | 2019-07-12 | 通威太阳能（合肥）有限公司 | 一种基于se的碱抛光高效perc电池工艺 |
| CN110042474A (zh) * | 2019-05-18 | 2019-07-23 | 上海汉遥新材料科技有限公司 | 一种单晶硅太阳能电池制绒添加剂及其应用 |
| CN111254498A (zh) * | 2020-03-30 | 2020-06-09 | 常州时创能源股份有限公司 | 硅片酸抛光用添加剂及其应用 |
| CN113322008A (zh) * | 2021-05-10 | 2021-08-31 | 南京卓胜自动化设备有限公司 | 一种单晶碱抛光添加剂、抛光液及抛光方法 |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| Kim, Y.The effect of rear surface polishing to the performance of thin crystalline silicon solar cells.《SOLAR ENERGY》.2011,第85卷(第5期),全文. * |
| Singh, K.Effect of textured silicon pyramids size and chemical polishing on the performance of carrier-selective contact heterojunction solar cells.《SOLAR ENERGY》.2019,第183卷 * |
| 李宁.制绒添加剂在单晶硅制绒的作用.《太阳能学报》.2018,第39卷(第7期),全文. * |
| 李跃.背钝化膜特性对PERC单晶硅太阳电池的影响研究.《太阳能》.2019,全文. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023071585A1 (zh) | 2023-05-04 |
| CN114032035A (zh) | 2022-02-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN114032035B (zh) | 硅片碱抛光用添加剂及其应用 | |
| CN113668067B (zh) | 单晶硅片碱抛光用添加剂及其应用 | |
| CN102181935B (zh) | 一种制作单晶硅绒面的方法及腐蚀液 | |
| EP2605289B1 (en) | Texture-etchant composition for crystalline silicon wafer and method for texture-etching | |
| CN113322008A (zh) | 一种单晶碱抛光添加剂、抛光液及抛光方法 | |
| CN102308363A (zh) | 用于硅单晶衬底的损伤蚀刻和纹理化的方法 | |
| CN105304734A (zh) | 一种多晶硅片制绒辅助剂及其应用方法 | |
| CN112144122A (zh) | 适用于大尺寸单晶硅片的制绒添加剂、制绒液及应用 | |
| CN109750353B (zh) | 单晶硅片倒金字塔制绒用辅助剂及其应用 | |
| CN111560249A (zh) | 一种perc电池碱抛光添加剂制备方法 | |
| CN110534595A (zh) | 一种perc双面太阳能电池及其制备方法 | |
| CN112813501A (zh) | 一种单晶硅片制绒添加剂及其应用 | |
| CN103320018B (zh) | 晶体硅抛光液的添加剂及其使用方法 | |
| CN114634766B (zh) | 一种单晶硅片背抛光用添加剂及其应用 | |
| CN108054231B (zh) | 一种基于Si衬底的四结太阳电池及制作方法 | |
| CN111455468B (zh) | 一种单晶制绒用添加剂及其应用 | |
| CN104928680A (zh) | 结晶性硅片的纹理蚀刻液组合物和纹理蚀刻方法 | |
| KR101213147B1 (ko) | 태양전지용 단결정 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링제 조성물 및 이를 이용한 텍스쳐링 방법 | |
| CN111394796B (zh) | 一种单晶硅片制绒剂及利用该制绒剂进行制绒的方法 | |
| CN105385359A (zh) | 晶体硅酸性抛光液的添加剂及其应用 | |
| CN110295395A (zh) | 一种添加氧化石墨烯量子点的单晶硅制绒添加剂及其应用 | |
| TWI589655B (zh) | 結晶矽鹼性拋光液的添加劑及其應用 | |
| CN111254498B (zh) | 硅片酸抛光用添加剂及其应用 | |
| CN115261995A (zh) | 一种晶面微构化助剂及其制备方法与应用 | |
| CN114267580A (zh) | 双面perc太阳能电池的背面结构刻蚀方法及其刻蚀液 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |