CN113668067B - 单晶硅片碱抛光用添加剂及其应用 - Google Patents

单晶硅片碱抛光用添加剂及其应用 Download PDF

Info

Publication number
CN113668067B
CN113668067B CN202110953886.1A CN202110953886A CN113668067B CN 113668067 B CN113668067 B CN 113668067B CN 202110953886 A CN202110953886 A CN 202110953886A CN 113668067 B CN113668067 B CN 113668067B
Authority
CN
China
Prior art keywords
polishing
alkali
additive
percent
solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110953886.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113668067A (zh
Inventor
杨勇
章圆圆
陈培良
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changzhou Shichuang Energy Co Ltd
Original Assignee
Changzhou Shichuang Energy Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changzhou Shichuang Energy Co Ltd filed Critical Changzhou Shichuang Energy Co Ltd
Priority to CN202110953886.1A priority Critical patent/CN113668067B/zh
Publication of CN113668067A publication Critical patent/CN113668067A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113668067B publication Critical patent/CN113668067B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/08—Etching
    • C30B33/10—Etching in solutions or melts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/04—Aqueous dispersions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本发明公开了一种单晶硅片碱抛光用添加剂，其各组分的质量百分含量为：抛光成分0.01%～1%，分散剂1%～3%，防沉剂1%～5%，保护剂0.05%～0.1%，余量为去离子水。在单晶硅片碱抛光的抛光液中添加本发明的添加剂，可使硅片的背抛面具有高平整度、低比表面积，无线痕，外观呈镜面效果，反射率高，最终电池效率提升0.03%～0.05%，满足PERC电池对抛光的需求。

Description

单晶硅片碱抛光用添加剂及其应用
技术领域
本发明涉及光伏领域，具体涉及一种单晶硅片碱抛光用添加剂及其应用。
背景技术
目前，太阳能电池刻蚀抛光工艺是太阳能高效电池制造工艺中至关重要的一步，对成品电池片的电性能以及EL良率有着重大的影响，刻蚀后硅片背面反射率的均匀性决定了背钝化镀膜的均匀性，镀膜的均匀性决定了激光开孔率及大小的均匀性；因此刻蚀在PERC电池（钝化发射区背面电池，Passivated emitter rear contact solar cells）生产过程中起着举足轻重的作用。
碱抛是目前一种较为常见的技术手段，但碱抛常存在如下问题：1）碱抛抛光不彻底会有金字塔残留；2）碱抛反射率很难提高，而且稳定性差；3）碱抛所形成的塔基较小。
目前也在抛光液中使用添加剂来改善上述碱抛问题，但现有碱抛添加剂主要采用抛光剂、螯合剂、保护剂，仍存在如下问题：1）碱抛添加剂稳定性较差，有效期在3个月以内；2）抛光所形成的塔基小；3）抛光面的平整度差，反射率低。
发明内容
为提高碱抛光添加剂的稳定性以及抛光后刻蚀背面的平整度和反射率，进而更好的提高成品电池片的转换效率，本发明提供一种单晶硅片碱抛光用添加剂，其各组分的质量百分含量为：抛光成分0.01%～1%，分散剂1%～3%，防沉剂1%～5%，保护剂0.05%～0.1%，余量为去离子水；
所述抛光成分选自乙基香兰素、香草素、异十三醇醚、醇醚磷酸酯、异构十醇醚中的一种或多种。
优选的，所述分散剂选自聚磷酸盐、聚羧酸磺酸盐、聚乙烯醇中的一种或多种。
优选的，所述防沉剂选自四乙酸二钠、乙二醇双四乙酸、亚硫二乙酸中的一种或多种。
优选的，所述保护剂选自苯并三氮唑、次亚磷酸钠、2-巯基苯并噻唑中的一种或多种。
本发明还提供一种单晶硅片碱抛光用抛光液，其含有碱液和上述的添加剂，添加剂与碱液的质量比为2.3～4.5:100。
优选的，所述碱液为NaOH溶液或KOH溶液。
优选的，所述NaOH溶液中NaOH的质量浓度为5%～8.5%，所述KOH溶液中KOH的质量浓度为8%～15%。
本发明还提供一种单晶硅片碱抛光方法，利用上述的抛光液对单晶硅片进抛光处理。
优选的，所述抛光处理的温度控制在60～70℃。
优选的，所述抛光处理的时间控制在2～5min。
本发明的优点和有益效果在于：
本发明的单晶硅片碱抛光用添加剂，能控制无机碱对硅片的刻蚀的晶面方向和速度，达到更大塔基、更高反射率的背抛效果；抛光后的硅片塔基大小23～28微米，反射率41～43%。
本发明添加剂所用的抛光成分能提高OH-对硅片刻蚀面的选择性，从而得到平整度更好的抛光面。抛光成分主要通过自身的化学结构来影响OH-对单晶硅的晶面的选择，优先选择刻蚀111晶面，从而显示出塔基更平整。
本发明添加剂所用的分散剂能使抛光成分更好的分散在抛光液中。
本发明添加剂所用的防沉剂能通过自身结构锁住溶液中的一些金属离子，防止金属离子在高浓度的硅酸钠的溶液中与硅酸钠结合形成不溶的硅酸盐沉淀。
本发明添加剂所用的保护剂主要是通过物质本身与磷硅玻璃层相结合，形成致密的钝化膜从而阻止OH-对硅的正面的腐蚀，而背面由于不具有磷硅玻璃层的结构，所以碱只刻蚀背面；但是溶液中微量的金属离子沉淀后会影响保护剂的性能，所以需要防沉剂来阻止沉淀。
本发明的添加剂具有高稳定性，将本发明的添加剂配入碱液，可抛光持续时间达到24～48小时。由于本添加剂中不存在市场上常用的强氧化剂，整个配方无论常温条件还是抛光的高碱环境，都不存在自身分解或是与其他化学物质的反应，所以具有强的稳定能力。
采用本发明抛光液对硅片进行背抛，可使硅片的背抛面具有高平整度、低比表面积，无线痕，外观呈镜面效果，反射率高，背面抛光更平坦，满足PERC电池对抛光的需求。
本发明单晶硅片碱抛光用添加剂的组分易清洗，不残留在硅片上。
采用本发明的添加剂制备电池片，能使电池片的电性能增益，通过前后道工艺匹配，可以提高效率0.03%～0.05%。
附图说明
图1为实施例1和对比例1抛光后的硅片表面平整度图；
图2为实施例1和对比例1抛光后的硅片塔基图；
图3为实施例2和对比例2抛光后的硅片塔基图；
图4为实施例3和对比例3所制得成品电池片的性能数据。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
本发明提供一种单晶硅片碱抛光方法，具体步骤包括：
1）配制添加剂：将质量百分含量为0.01%～1%的抛光成分、1%～3%的分散剂、1%～5%的防沉剂、0.05%～0.1%的保护剂加入到余量的水中，混合均匀配成添加剂；
所述抛光成分选自乙基香兰素、香草素、异十三醇醚、醇醚磷酸酯、异构十醇醚中的一种或多种；
所述分散剂选自聚磷酸盐、聚羧酸磺酸盐、聚乙烯醇中的一种或多种；
所述防沉剂选自四乙酸二钠、乙二醇双四乙酸、亚硫二乙酸中的一种或多种；
所述保护剂选自苯并三氮唑、次亚磷酸钠、2-巯基苯并噻唑中的一种或多种；
2）配制抛光液：将步骤1）制成的添加剂加到碱液中，混合均匀配成抛光液；添加剂与碱液的质量比为2.3～4.5:100；碱液为NaOH溶液或KOH溶液，且NaOH的质量浓度为5%～8.5%，KOH的质量浓度为8%～15%；
3）利用步骤2）制得的抛光液对硅片背面进行抛光处理，抛光处理的温度控制在60～70℃，时间控制在2～5min。
本发明的具体实施例如下：
实施例1
取2.5L碱抛槽，加入2L水，将温度升高到65℃，再加入100mL的48%的NaOH，待温度稳定后加入30ml本发明的添加剂（配方为：0.05wt%乙基香兰素，1wt%聚磷酸盐，3wt%四乙酸二钠，0.08wt%苯并三氮唑，余量为去离子水）；搅拌均匀后，取去PSG的硅片，在45℃的NaOH和双氧水的槽内进行预清洗2min，预清洗完成后，放入水槽清洗2min，再将硅片放入碱抛槽抛光4min，抛光完成后再放入水槽清洗2min，碱抛刻蚀工艺完成。
对比例1
取2.5L碱抛槽，加入2L水，将温度升高到65℃，再加入100mL的48%的NaOH，待温度稳定后加入30ml目前市场上使用的添加剂（配方为：5wt%高氯酸钠，3wt%柠檬酸钠，3wt%棕榈酸，0.001wt%十六烷基三甲基氧化胺，0.1wt%吐温，余量为去离子水）；搅拌均匀后，取去PSG的硅片，在45℃的NaOH和双氧水的槽内进行预清洗2min，预清洗完成后，放入水槽清洗2min，再将硅片放入碱抛槽抛光4min，抛光完成后再放入水槽清洗2min，碱抛刻蚀工艺完成。
实施例1与对比例1抛光后的硅片表面平整度图如图1所示，从图1中可以看出：本发明的添加剂抛光后的硅片明显在镜面效果上好于市场上所售的添加剂抛光的硅片，从另一方面说明本发明的添加剂抛光后的硅片表面更加平整。
实施例1与对比例1抛光后的硅片塔基图如图2所示，从图2中可以看出：本发明的添加剂抛光后的硅片从微观结构上的塔基大小明显大于市场上的添加剂所抛硅片，而且平面的凸起较少。
实施例2
取2.5L碱抛槽，加入2L水，将温度升高到65℃，再加入100mL的48%的NaOH，待温度稳定后加入30ml本发明的添加剂（配方为：0.05wt%乙基香兰素，1wt%聚磷酸盐，3wt%四乙酸二钠，0.08wt%苯并三氮唑，余量为去离子水），制得抛光液；将抛光液放置三个月后使用，使用时，将抛光液搅拌均匀，取去PSG的硅片，在45℃的NaOH和双氧水的槽内进行预清洗2min，预清洗完成后，放入水槽清洗2min，再将硅片放入碱抛槽抛光4min，抛光完成后再放入水槽清洗2min，碱抛刻蚀工艺完成。
对比例2
取2.5L碱抛槽，加入2L水，将温度升高到65℃，再加入100mL的48%的NaOH，待温度稳定后加入30ml目前市场上使用的添加剂（配方为：5wt%高氯酸钠，3wt%柠檬酸纳，3wt%棕榈酸,0.001wt%十六烷基三甲基氧化胺，0.1wt%吐温，余量为去离子水），制得抛光液；将抛光液放置三个月后使用，使用时，将抛光液搅拌均匀，取去PSG的硅片，在45℃的NaOH和双氧水的槽内进行预清洗2min，预清洗完成后，放入水槽清洗2min，再将硅片放入碱抛槽抛光4min，抛光完成后再放入水槽清洗2min，碱抛刻蚀工艺完成。
实施例2与对比例2抛光后的硅片塔基图如图3所示，从图3中可以看出：本发明的添加剂在放置了3个月后使用效果完全和初配时一模一样，没有金字塔的残留；而市场上所售添加剂基本上已经失去抛光效用，金字塔存留很多；说明本发明添加剂稳定性很好。
实施例3
取150L碱抛槽，加入140L水，将温度升高到65℃，再加入6L的48%的NaOH，待温度稳定后加入3.5L本发明的添加剂（配方为：0.05wt%乙基香兰素，1wt%聚磷酸盐，3wt%四乙酸二钠，0.08wt%苯并三氮唑，余量为去离子水）；搅拌均匀后，对1200片去PSG的硅片进行抛光，在45℃的NaOH和双氧水的槽内进行预清洗2min，预清洗完成后，放入水槽清洗2min，再将硅片放入碱抛槽抛光4min，抛光完成后再放入水槽清洗2min，碱抛刻蚀工艺完成；然后进入后续太阳能电池制备工艺，制得成品电池片。
对比例3
取150L碱抛槽，加入140L水，将温度升高到65℃，再加入6L的48%的NaOH，待温度稳定后加入3.5L目前市场上使用的添加剂（配方为：5wt%高氯酸钠，3wt%柠檬酸纳，3wt%棕榈酸,0.001wt%十六烷基三甲基氧化胺，0.1wt%吐温，余量为去离子水）；搅拌均匀后，对1200片去PSG的硅片进行抛光，在45℃的NaOH和双氧水的槽内进行预清洗2min，预清洗完成后，放入水槽清洗2min，再将硅片放入碱抛槽抛光4min，抛光完成后再放入水槽清洗2min，碱抛刻蚀工艺完成；然后进入后续太阳能电池制备工艺，制得成品电池片。
实施例3与对比例3所制得成品电池片的性能数据如图4所示，从图4中可以看出：本发明添加剂的电池平均效率22.7045%，市场上所售添加剂的电池平均效率22.6768%；相比之下，本发明添加剂的电池平均效率提高了0.0277%。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.单晶硅片碱抛光用添加剂，其特征在于，其各组分的质量百分含量为：抛光成分0.01%～1%，分散剂1%～3%，防沉剂1%～5%，保护剂0.05%～0.1%，余量为去离子水；
所述抛光成分选自乙基香兰素、香草素、异十三醇醚、醇醚磷酸酯、异构十醇醚中的一种或多种；
所述分散剂选自聚磷酸盐、聚羧酸磺酸盐、聚乙烯醇中的一种或多种；
所述防沉剂选自四乙酸二钠、乙二醇双四乙酸、亚硫二乙酸中的一种或多种；
所述保护剂选自苯并三氮唑、次亚磷酸钠、2-巯基苯并噻唑中的一种或多种。
2.单晶硅片碱抛光用抛光液，其特征在于，其含有碱液和权利要求1所述的添加剂，添加剂与碱液的质量比为2.3～4.5:100。
3.根据权利要求2所述的单晶硅片碱抛光用抛光液，其特征在于，所述碱液为NaOH溶液或KOH溶液。
4.根据权利要求3所述的单晶硅片碱抛光用抛光液，其特征在于，所述NaOH溶液中NaOH的质量浓度为5%～8.5%，所述KOH溶液中KOH的质量浓度为8%～15%。
5.单晶硅片碱抛光方法，其特征在于，利用权利要求2至4中任一项所述的抛光液对单晶硅片进抛光处理。
6.根据权利要求5所述的单晶硅片碱抛光方法，其特征在于，所述抛光处理的温度控制在60～70℃。
7.根据权利要求5所述的单晶硅片碱抛光方法，其特征在于，所述抛光处理的时间控制在2～5min。
CN202110953886.1A 2021-08-19 2021-08-19 单晶硅片碱抛光用添加剂及其应用 Active CN113668067B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110953886.1A CN113668067B (zh) 2021-08-19 2021-08-19 单晶硅片碱抛光用添加剂及其应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110953886.1A CN113668067B (zh) 2021-08-19 2021-08-19 单晶硅片碱抛光用添加剂及其应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113668067A CN113668067A (zh) 2021-11-19
CN113668067B true CN113668067B (zh) 2022-05-17

Family

ID=78543862

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110953886.1A Active CN113668067B (zh) 2021-08-19 2021-08-19 单晶硅片碱抛光用添加剂及其应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113668067B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114350265A (zh) * 2021-11-30 2022-04-15 嘉兴市小辰光伏科技有限公司 一种单晶硅碱抛光添加剂及其使用方法
CN114316804A (zh) * 2021-12-15 2022-04-12 嘉兴市小辰光伏科技有限公司 一种改善单晶硅碱抛光外观问题的添加剂及其抛光工艺
CN114351258A (zh) * 2022-01-11 2022-04-15 江苏捷捷半导体新材料有限公司 一种高反射率单晶硅片碱抛添加剂、制备方法及其用途
CN115386302B (zh) * 2022-08-23 2023-06-02 常州时创能源股份有限公司 一种硅片背抛光用添加剂及其应用
CN115948123A (zh) * 2022-12-12 2023-04-11 嘉兴市小辰光伏科技有限公司 一种单晶硅碱抛光添加剂及碱抛光方法
CN118240485B (zh) * 2024-05-27 2024-08-16 嘉兴市小辰光伏科技有限公司 一种具有云朵状塔基硅片碱抛添加剂及其使用方法
CN118374230B (zh) * 2024-06-26 2024-08-23 嘉兴市小辰光伏科技有限公司 一种适应TOPCon薄片化的低减重的单晶硅碱抛添加剂及其使用方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101636465A (zh) * 2007-01-31 2010-01-27 高级技术材料公司 用于化学机械抛光浆料应用的聚合物-二氧化硅分散剂的稳定化
CN102586887A (zh) * 2012-03-15 2012-07-18 苏州先拓光伏科技有限公司 一种低反射率单晶硅制绒添加剂
CN107904663A (zh) * 2017-12-01 2018-04-13 绍兴拓邦电子科技有限公司 一种晶体硅抛光添加剂及其用于晶体硅抛光的使用方法
CN108264612A (zh) * 2018-02-25 2018-07-10 温岭汉德高分子科技有限公司 一种用于单晶硅制绒的壳聚糖-聚2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸钠共聚物的制备方法
CN110872729A (zh) * 2018-08-30 2020-03-10 比亚迪股份有限公司 金刚线切割多晶硅片的制绒挖孔添加剂、制绒沉银挖孔液、硅片以及太阳能电池

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI498954B (zh) * 2009-08-21 2015-09-01 Sumco Corp 磊晶矽晶圓的製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101636465A (zh) * 2007-01-31 2010-01-27 高级技术材料公司 用于化学机械抛光浆料应用的聚合物-二氧化硅分散剂的稳定化
CN102586887A (zh) * 2012-03-15 2012-07-18 苏州先拓光伏科技有限公司 一种低反射率单晶硅制绒添加剂
CN107904663A (zh) * 2017-12-01 2018-04-13 绍兴拓邦电子科技有限公司 一种晶体硅抛光添加剂及其用于晶体硅抛光的使用方法
CN108264612A (zh) * 2018-02-25 2018-07-10 温岭汉德高分子科技有限公司 一种用于单晶硅制绒的壳聚糖-聚2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸钠共聚物的制备方法
CN110872729A (zh) * 2018-08-30 2020-03-10 比亚迪股份有限公司 金刚线切割多晶硅片的制绒挖孔添加剂、制绒沉银挖孔液、硅片以及太阳能电池

Also Published As

Publication number Publication date
CN113668067A (zh) 2021-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113668067B (zh) 单晶硅片碱抛光用添加剂及其应用
TWI494416B (zh) 用於蝕紋單晶及多晶矽基板表面之酸性蝕刻溶液及方法
US8053270B2 (en) Method for producing silicon substrate for solar cells
EP2605289B1 (en) Texture-etchant composition for crystalline silicon wafer and method for texture-etching
TWI498421B (zh) 水性鹼性蝕刻與清潔組合物及處理矽基板表面之方法
KR101407988B1 (ko) 에칭액 및 실리콘 기판의 표면가공 방법
US20130228220A1 (en) Method for the wet-chemical etching of a highly doped semiconductor layer
CN114032035B (zh) 硅片碱抛光用添加剂及其应用
CN109750353B (zh) 单晶硅片倒金字塔制绒用辅助剂及其应用
CN103563097A (zh) 太阳能电池用晶片的制造方法、太阳能电池单元的制造方法以及太阳能电池组件的制造方法
CN103314449A (zh) 用于太阳能电池发射体的湿化学反向蚀刻的方法
CN103717687A (zh) 处理硅基材表面的含水碱性组合物和方法
CN106119976A (zh) 多晶黑硅制绒用扩孔酸液的添加剂及其应用
CN101818348A (zh) 一步法制备单晶硅太阳能电池绒面的方法
CN118240485B (zh) 一种具有云朵状塔基硅片碱抛添加剂及其使用方法
CN111455468B (zh) 一种单晶制绒用添加剂及其应用
KR101956352B1 (ko) 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법
CN107245761B (zh) 金刚线多晶硅片制绒辅助剂及其应用
CN116454174B (zh) 一种背接触电池的背面抛光方法
CN114634766B (zh) 一种单晶硅片背抛光用添加剂及其应用
CN105385359A (zh) 晶体硅酸性抛光液的添加剂及其应用
CN110644049A (zh) 金刚线多晶硅片制绒添加剂及金刚线多晶硅片制绒刻蚀液
CN111394796B (zh) 一种单晶硅片制绒剂及利用该制绒剂进行制绒的方法
WO2011152973A1 (en) Texturing of multi-crystalline silicon substrates
CN107747126A (zh) 一种单晶硅无醇制绒添加剂、制绒液及其使用方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant