CS241935B1 - Způsob fixace polovodičových prvků na podložku založený na použití nízkoviskožních tmelů - Google Patents
Způsob fixace polovodičových prvků na podložku založený na použití nízkoviskožních tmelů Download PDFInfo
- Publication number
- CS241935B1 CS241935B1 CS843992A CS399284A CS241935B1 CS 241935 B1 CS241935 B1 CS 241935B1 CS 843992 A CS843992 A CS 843992A CS 399284 A CS399284 A CS 399284A CS 241935 B1 CS241935 B1 CS 241935B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- low
- semiconductor elements
- sealant
- fixing semiconductor
- viscosity
- Prior art date
Links
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
Podstata řešeni spočívá v tom, že se na část povrchu polovodičového prvku nejprve nanese tmel, ze kterého se otáčením prvku vytvoří vrstva, jež se dále vysuší a poté následuje fixace polovodičového prvku na podložku pájecím zařízením při teplotě 120 až 250 °C.
Description
Vynález se týká způsobu fixace polovodičových prvků na podložku, založeného na použití nízkoviskozních tmelů.
Doposud známé způsoby využívají bučí nanášení tmelu na podložku dávkováním, razítkováním, sítotiskem apod. a pak vsazování polovodičových prvkůz nebo nanášení vodivého tmelu na zadní stranu prvku sítotiskem, jeho předtvrzení a pak fixace na podložku při zvýšené teplotě. Pro tyto postupy lze použít tmelů o viskozitě 50tfz500 Pa.s, resp. tmely schopné sítotisku.
Nízkoviskozní tmely lze nanášet dávkováním na podložku pouze pro malé prvky přibližně čtvercového půdorysu za předpokladu, že se zabrání vysychání tmelu. Ostatní citované metody jsou pro nízkoviskozní tmely nevhodné.
Výše uvedený nedostatek odstraňuje způsob fixace polovodičových prvků na podložkui založený na použití nízkoviskozních tmelů podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že na Část povrchu polovodičového prvku se nejprve nanese tmel, ze kterého se otáčením prvku vytvoří vrstva, jež se dále vysuší a poté následuje fixace polovodičového prvku ha podložku pájecím zařízením při teplotě 120^/ 250 °C.
Nanášením tmelu na část povrchu polovodičového prvku rotací se docílí homogenní vrstvy tmelu, jejíž tlouštku lze přesně regulovat rychlostí otáčení. Záměrným vysušením tmelu odpadnou problémy se změnou viskozity tmelu a při dalším zpracování polovodičového prvku lze plně využít stávající techniky pro montáž polovodičových prvků bez jakýchkoliv úprav.
Jako příklad je uveden postup fixace křemíkového integrovaného obvodu na patku typu TO 5. Jako tmel je použita polyimidová pryskyřice.
241 93S
- 2.
Nanášení pryskyřice je provedeno na zadní stranu křemíkové desky s čipy integrovaného obvodu na odstředivce při 2000^000 ot/min, čímž se vytvoří homogenní vrstva pryskyřice 0,03«i0,05 mm. Následné vysušení pryskyřice je prováděno v teplovzdušném sterilizátoru při teplotě 70 °C po dobu 1 hod. Členění je v plném rozsahu prováděno standardní technologií. Fixace neboli lepení se provádí na běžných pájecích zařízeních při teplotě 160λΖ180 °C, přičemž následuje vytvrzení pryskyřice v teplovzdušném sterilizátoru při teplotě 200 °C po dobu 30 min.
Claims (1)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZUZpůsob fixace polovodičových prvků na podložku založený na použití nízkoviskožních tmelů, vyznačující se, tím, že na část povrchu polovodičového prvku se nejprve nanese tmel, ze kterého se otáčením prvku vytvoří vrstva, jež se dále vysuší a poté následuje fixace polovodičového prvku na podložku pájecím zařízením při teplotě 120k250 °C.Vytiskly Moravské tiskařské závody, střed. 11 100, tř.Lidových milicí 3, OlomoucCena: 2,40 Kčs
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS843992A CS241935B1 (cs) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | Způsob fixace polovodičových prvků na podložku založený na použití nízkoviskožních tmelů |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS843992A CS241935B1 (cs) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | Způsob fixace polovodičových prvků na podložku založený na použití nízkoviskožních tmelů |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS399284A1 CS399284A1 (en) | 1985-08-15 |
| CS241935B1 true CS241935B1 (cs) | 1986-04-17 |
Family
ID=5381622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS843992A CS241935B1 (cs) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | Způsob fixace polovodičových prvků na podložku založený na použití nízkoviskožních tmelů |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS241935B1 (cs) |
-
1984
- 1984-05-28 CS CS843992A patent/CS241935B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS399284A1 (en) | 1985-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04234193A (ja) | 基板にｓｍｄ構成要素を実装する方法 | |
| US6084311A (en) | Method and apparatus for reducing resin bleed during the formation of a semiconductor device | |
| JP2002538626A5 (cs) | ||
| CS241935B1 (cs) | Způsob fixace polovodičových prvků na podložku založený na použití nízkoviskožních tmelů | |
| DE102004032605B4 (de) | Halbleiterbauteil mit einem Halbleiterchip und elektrischen Verbindungselementen zu einer Leiterstruktur | |
| JPS62104044A (ja) | パツシベ−シヨン方法 | |
| JP3264072B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JPS589345A (ja) | 半導体板に半導体デバイスを製作する方法 | |
| JPH084101B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02102563A (ja) | 半導体装置とその製法 | |
| JPS629728Y2 (cs) | ||
| JPS6012789A (ja) | 電子部品実装基板の防水処理方法 | |
| KR950034720A (ko) | Ic다이와 기판간의 본딩을 위한 다이 부착물 큐어 방법 및 이 방법에 의한 프로덕트 | |
| JPH06124952A (ja) | 半導体チップのバンプ形成方法 | |
| JPS62281361A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60245293A (ja) | プリント基板 | |
| JP2676815B2 (ja) | 混成集積回路装置の防湿処理方法 | |
| JPH0212931A (ja) | 回路装置の製造方法 | |
| JPH07263470A (ja) | 半導体チップの装着方法 | |
| EP0343379A3 (en) | Thin film package for mixed bonding of a chip | |
| JPH0334552A (ja) | 半導体ベアチップ | |
| JPS6468935A (en) | Face-down bonding of semiconductor integrated circuit device | |
| JPS6480057A (en) | Manufacture of circuit module | |
| JPH0225251Y2 (cs) | ||
| JPS57133641A (en) | Manufacture of semiconductor device |