CS241935B1

CS241935B1 - A method of fixing semiconductor elements to a backing based on the use of low-viscosity sealants

Info

Publication number: CS241935B1
Application number: CS843992A
Authority: CS
Inventors: Jan Curaj
Original assignee: Jan Curaj
Priority date: 1984-05-28
Filing date: 1984-05-28
Publication date: 1986-04-17
Also published as: CS399284A1

Abstract

Podstata řešeni spočívá v tom, že se na část povrchu polovodičového prvku nejprve nanese tmel, ze kterého se otáčením prvku vytvoří vrstva, jež se dále vysuší a poté následuje fixace polovodičového prvku na podložku pájecím zařízením při teplotě 120 až 250 °C.The essence of the solution is that a sealant is first applied to a part of the surface of the semiconductor element, from which a layer is formed by rotating the element, which is then dried, followed by fixation of the semiconductor element to the substrate with a soldering device at a temperature of 120 to 250 °C.

Description

Vynález se týká způsobu fixace polovodičových prvků na podložku, založeného na použití nízkoviskozních tmelů.The invention relates to a method of fixing semiconductor elements to a substrate based on the use of low viscosity sealants.

Doposud známé způsoby využívají bučí nanášení tmelu na podložku dávkováním, razítkováním, sítotiskem apod. a pak vsazování polovodičových prvků_z nebo nanášení vodivého tmelu na zadní stranu prvku sítotiskem, jeho předtvrzení a pak fixace na podložku při zvýšené teplotě. Pro tyto postupy lze použít tmelů o viskozitě 50tfz500 Pa.s, resp. tmely schopné sítotisku.The prior art methods utilize either applying the sealant to the substrate by dispensing, stamping, screen printing, and the like, and then embedding the semiconductor elements _from or applying the conductive sealant to the back of the element by screen printing, pre-curing and then fixing to the substrate at elevated temperature. For these processes it is possible to use cements with viscosity 50 tfz500 Pa.s, resp. screen printing mastics.

Nízkoviskozní tmely lze nanášet dávkováním na podložku pouze pro malé prvky přibližně čtvercového půdorysu za předpokladu, že se zabrání vysychání tmelu. Ostatní citované metody jsou pro nízkoviskozní tmely nevhodné.Low-viscosity sealants can only be applied to the substrate for small elements of approximately square ground plan, provided the sealant does not dry out. The other methods cited are unsuitable for low viscosity sealants.

Výše uvedený nedostatek odstraňuje způsob fixace polovodičových prvků na podložkui založený na použití nízkoviskozních tmelů podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že na Část povrchu polovodičového prvku se nejprve nanese tmel, ze kterého se otáčením prvku vytvoří vrstva, jež se dále vysuší a poté následuje fixace polovodičového prvku ha podložku pájecím zařízením při teplotě 120^/ 250 °C.The above-mentioned drawback removes the method of fixing semiconductor elements on a substrate based on the use of low viscosity sealants according to the invention, which consists in that a part of the surface of the semiconductor element is first applied with a sealant. fixation of the semiconductor element to the substrate by a solder at a temperature of 120 ° / 250 ° C.

Nanášením tmelu na část povrchu polovodičového prvku rotací se docílí homogenní vrstvy tmelu, jejíž tlouštku lze přesně regulovat rychlostí otáčení. Záměrným vysušením tmelu odpadnou problémy se změnou viskozity tmelu a při dalším zpracování polovodičového prvku lze plně využít stávající techniky pro montáž polovodičových prvků bez jakýchkoliv úprav.By applying the sealant to a portion of the surface of the semiconductor element by rotation, a homogeneous layer of sealant is obtained whose thickness can be precisely controlled by the rotation speed. By deliberately drying the sealant, problems with changing the viscosity of the sealant will be eliminated and further processing of the semiconductor element can be fully utilized without any modifications.

Jako příklad je uveden postup fixace křemíkového integrovaného obvodu na patku typu TO 5. Jako tmel je použita polyimidová pryskyřice.As an example, the silicon integrated circuit is fixed to a TO 5 foot. A polyimide resin is used as a sealant.

241 93S241 93S

- 2.- 2.

Nanášení pryskyřice je provedeno na zadní stranu křemíkové desky s čipy integrovaného obvodu na odstředivce při 2000^000 ot/min, čímž se vytvoří homogenní vrstva pryskyřice 0,03«i0,05 mm. Následné vysušení pryskyřice je prováděno v teplovzdušném sterilizátoru při teplotě 70 °C po dobu 1 hod. Členění je v plném rozsahu prováděno standardní technologií. Fixace neboli lepení se provádí na běžných pájecích zařízeních při teplotě 160λΖ180 °C, přičemž následuje vytvrzení pryskyřice v teplovzdušném sterilizátoru při teplotě 200 °C po dobu 30 min.The resin is deposited on the back of a silicon wafer with integrated circuit chips on a centrifuge at 2000-4000 rpm, thereby forming a homogeneous resin layer of 0.03 mm to 0.05 mm. Subsequent drying of the resin is carried out in a hot-air sterilizer at a temperature of 70 ° C for 1 hour. The division is carried out in full by standard technology. Fixing or bonding is carried out on conventional soldering equipment at a temperature of 160 ° -180 ° C, followed by curing of the resin in a hot air sterilizer at 200 ° C for 30 minutes.

Claims

SUBJECT OF THE INVENTION

Method of fixing semiconductor elements to a substrate based on the use of low-viscosity sealants, characterized in that a part of the surface of the semiconductor element is first applied with a sealant from which a layer is rotated by rotating the element which is further dried; at 120k250 ° C.

Printed by Moravian printing works, center. 11 100, the class of People's Militia 3, Olomouc

Price: 2,40 Kčs