CS226803B1 - Způsob výroby dozimetrických diod - Google Patents
Způsob výroby dozimetrických diod Download PDFInfo
- Publication number
- CS226803B1 CS226803B1 CS848181A CS848181A CS226803B1 CS 226803 B1 CS226803 B1 CS 226803B1 CS 848181 A CS848181 A CS 848181A CS 848181 A CS848181 A CS 848181A CS 226803 B1 CS226803 B1 CS 226803B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- diodes
- dosimetric
- manufacturing
- dosimetric diodes
- ions
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
Vynález se týká způsobu výroby dozimetrických diod. Dosavadní způsob výroby dozimetrických diod využívá difúzní proces, při kterém dochází k aktivaci termorekombinačních center, což má za následek zhoršení elektrických parametrů dozimetrických diod, dále je proces difúze energeticky nákladný a vyžaduje velmi komplikovaná regulační zařízení.
Uvedené nedostatky odstraňuje podle vynálezu způsob výroby dozimetrických diod, přičemž podstata spočívá v tom, že se na jednu stranu základní křemíkové destičky implantují ionty boru a na druhou stranu ionty fosforu o koncentraci 10 J až 10 cm a s energií ÍOO’10^ až 300*10eV, potom se křemíková destička rozřeže na jednotlivé systémy, které se potom žíhají při teplotě 750 až 850 °C po dobu 2 až 100 hodin a oleptévají v kyselině fluorovodíkové.
Použití implantace pro výrobu dozimetrických diod přináší značné výhody a to jednak podstatné zkrácení výrobního procesu, repročukovatelnost, shodu počátečních parametrů, a umožňuje výrobu citlivějších dozimetrických diod pomocí zvětšené tloušíky základní křemíkové destičky. Další výhoda spočívá v minimální generaci termorekombinačních center. Energeticky je výroba diod pomocí iontové implantace nesrovnatelně výhodnější než výroba difúzní technologií.
Způsob podle vynálezu je déle popsán na konkrétním příkladu provedení.
226 803
226 803
Příklad
Křemíková deska,opracovaná na požadovanou tloušlku běžnými technologickými způsoby, byla naimplantována z jedné strany ionty boru o koncentraci S.lO^cm”^, z druhé strany ionty fosforu o koncentraci 5.10^cm“2. fjaimpiantovaná deska se diamantovou pilou rozčlenila na jednotlivé systémy, které se po pečlivém očištění podrobily osmi hodinovém žíhání v neutrální atmosféře. Po vyžíhání byl oživen povrch diod oleptáním ve fluorovodíkové kyselině a diody byly umístěny ve speciálním držáku pro vakuové napaření chromoniklových kontaktů. Na tyto kontakty byly cínovou pájkou přiletovény přívody ze stříbrného drátu o 0 0,4 mm. Diody nyly v konečné fázi zapouzdřeny pomocí fluidizace.
Claims (1)
- Způsob výroby dozimetrických diod, vyznačující se tím, že se na jednu stranu základní křemíkové destičky implantují ionty boru a na druhou stranu ionty fosforu o koncentraci 10^5 ag ^cm a s energií 150‘^θ^ až 300av, potom se křemíková destička rozřeže na jednotlivé systémy, které se potom žíhají při teplotě 750 až 850 °C po dobu 2 až 100 hodin a oleptávají se v kyselině fluorovodíkové.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS848181A CS226803B1 (cs) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | Způsob výroby dozimetrických diod |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS848181A CS226803B1 (cs) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | Způsob výroby dozimetrických diod |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS226803B1 true CS226803B1 (cs) | 1984-04-16 |
Family
ID=5435364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS848181A CS226803B1 (cs) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | Způsob výroby dozimetrických diod |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS226803B1 (cs) |
-
1981
- 1981-11-18 CS CS848181A patent/CS226803B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES8602300A1 (es) | Un metodo de producir un semiconductor de silicio que ha sido impurificado por implantacion ionica | |
| US4144139A (en) | Method of plating by means of light | |
| JPH025447A (ja) | 半導体デバイスの製造方法並びにその製造方法に使用する可撓性ウエファ構造 | |
| ES8405999A1 (es) | Procedimiento para fabricar un dispositivo optico | |
| TW340239B (en) | Plasma etching electrode and the manufacturing process | |
| US3909304A (en) | Method of doping a semiconductor body | |
| DE3278598D1 (en) | Method of making a gaas semiconductor device by ion implantation, and substrate and device so obtained | |
| EP0148448A3 (en) | Etching method | |
| CS226803B1 (cs) | Způsob výroby dozimetrických diod | |
| EP0201111A3 (en) | Semiconductor device manufacture using an implantation step | |
| JPS6476737A (en) | Manufacture of semiconductor integrated circuit device | |
| ES466448A1 (es) | Un metodo perfeccionado de implantacion ionica en pastillas de material semiconductor, en la fabricacion de circuitos integrados. | |
| EP0217616A3 (en) | Substrate processing apparatus | |
| JPS5650531A (en) | Semiconductor integrated circuit and programming method therefor | |
| JPS6472533A (en) | Manufacture of single crystal semiconductor substrate | |
| JPS5758352A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| US3456334A (en) | Method of producing an array of semiconductor elements | |
| JPS637022B2 (cs) | ||
| JPS6074536A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| SE8503835D0 (sv) | Sett att tillverka solceller | |
| KR930011163A (ko) | 반도체 소자 분리 방법 | |
| KR890005885A (ko) | 바이폴라 트랜지스터의 제조방법 | |
| JPS57154859A (en) | Composite semiconductor element | |
| JPS6119102B2 (cs) | ||
| JPS566434A (en) | Manufacture of semiconductor device |