CS210895B1 - Způsob úpravy vývodů pouzder pro elektronické prvky a obvody - Google Patents
Způsob úpravy vývodů pouzder pro elektronické prvky a obvody Download PDFInfo
- Publication number
- CS210895B1 CS210895B1 CS754879A CS754879A CS210895B1 CS 210895 B1 CS210895 B1 CS 210895B1 CS 754879 A CS754879 A CS 754879A CS 754879 A CS754879 A CS 754879A CS 210895 B1 CS210895 B1 CS 210895B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- layer
- circuits
- electronic components
- aluminum
- terminals
- Prior art date
Links
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Způsob úpravy vývodů pouzder pro elektronické prvky a obvody. Vynález řeší problém připojení integrovaného obvodu hliníkovým drátem k vývodům pouzdra. Dosavadní povrchová vrstva zlata nezaručuje dostatečně spolehlivý spoj. Podstatou vynálezu je nahražení této vrstvy vrstvou vhodného adhezního prvku, která se nanáší na poniklovaný základní kov. Na adhezivní vrstvu se nanese vrstva hliníku. Hliníkový přívod se připájí ultrazvukem. Vzniklý monometalický spoj je velmi spolehlivý.
Description
Vynález se týká způsobu úpravy vývodů pouzder pro elektronické prvky a obvody při připojení integrovaného obvodu hliníkovým drátem k vývodům pouzdra.
Při výrobě elektronických prvků a obvodů, například hybridních integrovaných obvodů, se vlastní obvod propojuje s vývody pouzdra ěasto hliníkovým drátem.
Toto spojení dvou různých kovů není v náročných podmínkách provozu ani kvalitní ani spolehlivé a je žádoucí je nahradit spojením, jehož se účastní pouze jeden kov.
Uvedené nevýhody odstraňuje způsob úpravy vývodů pouzder pro elektronické prvky a obvody, například monolitické a hybridní integrované obvody, jehož podstata spočívá v tom, že na vnitřní kontaktní část vývodů pouzder pro elektronické prvky a obvody, například monolitické a hybridní integrované obvody, se nanese vrstva adhezního prvku a pak se vakuově nanese jako poslední, vrchní vrstva hliníku, pro vytvoření monolitického spoje při připojování hliníkového přívodu za působení ultrazvuku.
U větěiny hermetických kovových pouzder, u kterých jsou zlacené pouze kolíky se tímto způsobem vyloučí použití drahého kovu nanášeného na vývody z jedovatých lázní a hlavně se zvýší spolehlivost spojů na kolících vznikem monometalického spoje.
Na obr. 1 je znázorněno dosud známé vyřešení kontaktní části vývodů pouzdra, na obr. 2 je vytvořena kontaktní část vývodů pouzdra podle vynálezu.
Kontaktní část vývodů pouzdra je vytvořena obvykle tak, že na základní materiál X vývodu - koliku je nanesena vrstva niklu 2 a vrstva zlata J., J., jak patrno z obr. 1 . Vlastní spojení tedy tvoří dva kovy, hliník a zlato. Tento spoj není ideální a zvláště v náročných podmínkách provozu výsledné součástky může svou kvalitou ovlivňovat její spolehlivost. Kvalitnější spoj je spoj monometalický tj. takový spoj, kterého se účastní pouze jeden kov.
Podle vynálezu se tohoto spoje dosáhne například u kovových hermetických kolíkových pouzder tak, že se přes jednoduchou kovovou masku nanese na poniklovanou vrstvu 2 základního kovu vnitřních kontaktních částí J vývodů vrstva adhezního prvku 6 a potom vrstva hliníku X, jak znázorněno na obr. 2.
Tyto vrstvy je možné nanést například vakuovým napařováním. Hliníkový přívod se připájí ultrazvukem. Uvedený způsob úpravy vývodů pouzder je vhodný pro pouzdra pro polovodičové součástky, hybridní integrované obvody a podobně, kde se používá pro kontaktování na vývody pouzdra hliníkový drát.
Claims (1)
- Způsob úpravy vývodů pouzder pro elektronické prvky a obvody, například monolitické a hybridní integrované obvody, vyznačující se tím, že na vnitřní kontaktní část vývodů pouzder pro elektronické prvky s obvody například monolitické a hybridní integrované obvody, se nanese vrstva adhezního prvku (6) a pak se vakuově nanese jako poslední, vrchní vrstva hliníku (7) pro vytvoření monometalického spoje při připojování hliníkového přívodu za působení ultrazvuku.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS754879A CS210895B1 (cs) | 1979-11-06 | 1979-11-06 | Způsob úpravy vývodů pouzder pro elektronické prvky a obvody |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS754879A CS210895B1 (cs) | 1979-11-06 | 1979-11-06 | Způsob úpravy vývodů pouzder pro elektronické prvky a obvody |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS210895B1 true CS210895B1 (cs) | 1982-01-29 |
Family
ID=5424838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS754879A CS210895B1 (cs) | 1979-11-06 | 1979-11-06 | Způsob úpravy vývodů pouzder pro elektronické prvky a obvody |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS210895B1 (cs) |
-
1979
- 1979-11-06 CS CS754879A patent/CS210895B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3768158B2 (ja) | 半導体デバイス | |
| JPH05129473A (ja) | 樹脂封止表面実装型半導体装置 | |
| US5661337A (en) | Technique for improving bonding strength of leadframe to substrate in semiconductor IC chip packages | |
| USH498H (en) | Electronic component including soldered electrical leads | |
| JP2003100980A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH09162230A (ja) | 電子回路装置及びその製造方法 | |
| JP2569400B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| US3553828A (en) | Lead assembly structure for semiconductor devices | |
| CN108364928B (zh) | 一种集成电路封装结构及其加工方法 | |
| CS210895B1 (cs) | Způsob úpravy vývodů pouzder pro elektronické prvky a obvody | |
| JP3297959B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63185035A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000252320A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS63122135A (ja) | 半導体チツプの電気的接続方法 | |
| US20030052416A1 (en) | Thick film circuit connection | |
| JPS58191460A (ja) | 電子部品 | |
| JP2000124251A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| CN115274467A (zh) | 芯片的封装方法以及封装机构 | |
| JPH10321746A (ja) | 電子部品の実装構造 | |
| JPH0832010A (ja) | 電子部品及びそれを実装した配線基板を着脱可能に支持する支持装置 | |
| JP2008010922A (ja) | 圧電発振器 | |
| JPH01145826A (ja) | 電気的接続接点 | |
| JPS62241364A (ja) | リ−ド付き電子部品及びその製造方法 | |
| JPH05235236A (ja) | 半導体チップキャリア | |
| JPS63308330A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 |