CS206272B1 - Method of cleaning the surfaces of the semiconductor plates - Google Patents

Description

ČESKOSLOVENSKÁ SOCIALISTICKÁ POPIS VYNALEZU 206272 R E P U B L 1 K A (11) (Bl) ( 19 ) K AUTORSKÉMU OSVEDČENIU (22) Přihlášené 16 03 79 (51) Int. Cl.3 H ;01 L 21/02 (21) (PV 1754-79) (40) Zverejnené 30 05 80 ÚŘAD PRO VYNÁLEZY A OBJEVY (45) Vydané θί θ7 θ4 (75)

Autor vynálezu

LAPČÍK LUBOMÍR doc. ing. CSc., BRATISLAVA, ZELENAY EMIL ing. aŠKYRTA JÁN, PIEŠŤANY (54) Spósob čistenia povrchov polovodičových dosíek

Vynález sa týká spósobu čistenia povrchovpolovodičových dosiek před operáciami epitaxné-ho rastu, difúzie, fotolitografie a naparovania.

Pri výrobě polovodičových prvkov diod, tranzis-toróv a integrovaných obvodov sa čistenie polovo-dičových dosiek kremíka,. germania, galia, arzeni-du, atd. prevádza tak, že polovodičové došky sapřed technologickými operáciami epitaxného ras-tu, difúzie, fotolitógrafie a naparovania čistia,umývajú v rózných kyselinách a rozpúšťadlách akosú toluén, trichlóretylén, aceton, alkoholy a podob-né. V posledných operáciach sa spravidla konáumývanie v tečúcej deionizovanej vodě za použitiaultrazvuku, resp. prebublávania vody dusíkoma v konečnom premývaní v tečúcej deionizovanejvodě. Nakoniec sa polovodičové došky odstreďujú,resp. před odstředěním sa polovodičové doškysprchujú deionizovanou vodou. Pri týchto čistia-cich procesoch sa nedosahuje požadovaná kvalitačistoty povrchov polovodičových dosiek, takže nanich zostávajú vrstvy nežiadúcich anorganickýcha organických látok, ktoré negativné pósobia pritechnologických operáciach výroby a tým zhoršujúkvalitu statických a dynamických parametrov polo-vodičových prvkov.

Uvedené nedostatky odstraňuje spósob čisteniapodlá vynálezu, ktorého podstata je v tom, žepolovodičové došky sa za pósobenia prúdu pár deionizovanej vody, azeotropických zmesí a inýchrozpúšťadiel otáčajú frekvenciou 1 až 60 min“1,pričom na závěr čistenia sa frekvencia otáčaniazvýši na 2000 až 6000 min-1.

Interakciou pár vody, azeotropických zmesía rozpúšťadiel na povrchu polovodičových vrstievsa dosiahne vyššieho čistiaceho účinku na povrchupolovodičových dosiek, čo sa prejaví na zvýšeníkvalitatívnych parametrov na jednotlivých techno-logických operáciach pri výrobě diod, tranzistorova integrovaných obvodov.

Predmet vynálezu je opísaný v príkladoch preve-denia bez toho, aby sa iba na tieto příkladyvztahoval. Příklad 1

Polovodičové došky sa umiestnia do technolo-gického zásobníka a podrobuj ú pósobeniu zmesikyseliny sírovej a peroxidu vodíka a ďalej sapremyjú deionizovanou vodou. V dalšej operáciisa leptajú v zriedenej kyselme fluorovodíkoveja potom sa premyjú deionizovanou vodou. Potomsa zásobník uchytí do odstředivky, kde sa došky prifrekvencii otáčania 50 min-1 vystavujú pósobeniuprúdu pár deionizovanej vody, dalej zmesi vodya metylalkoholu, etylalkoholu izopropylalkoholua nakoniec acetonu. Potom sa frekvencia odstreďo-vania zvýši na 2000 min-1. 206272

Claims (2)

1. 206272 Příklad
2. 2 Postupuje sa ako v příklade 1 s tým rozdielom, ženamiesto acetónu sa pósobí metylatylketónoma obrátky sa z 20 min-1 zvýšia na 6000 min-1. Kondenzované páry na polovodičových doškách PREDMET Spósob čistenia povrchov polovodičových do-siek vyznačujúci sa tým, že na povrch polovodičo-vých dosiek sa pósobí prúdom pár deionizovanejvo0y, azeotropických zmesí a iných rozpúšťadielza vytvá‘rajú súvislý povlak oplachovadla, ktorý saodstrhňuje zvýšením obrátok odstředivky, pričomviacnásobným kondenzováním pár vody a rozpúš-ťadiel sa dosiahne za odstreďovania požadovanýč^stiaci efekt. VYNÁLEZU ich otáčania frekvenciou 1 až 60 min-1, pričom nazávěr čistenia sa frekvencia otáčania zvýši na 2000až 0000 min-1.