CN86105621A - 复合板、复合板的制造方法和设备 - Google Patents

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桥本彰夫
藤田敏明
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Abstract

一种复合板,由金属基板和叠加在基板上的金属被覆层组成。其特征为叠加被覆层的表面上有通过激光照射,使之熔化和快速凝固而形成的硬化层区域。在基板与被覆层之间,可以通过类似的硬化层而插进一层过渡层。在用激光束照射了任意一层层状元件之后,用冷被覆的方法,使层状元件通过几微米厚的硬化层区域上的均匀的显微裂纹,牢固地结合起来。这种复合板可用于制造集成电路的引线框架,其中基板是导体金属,而被覆层是覆在基板部分面积上的钎料。照射和被覆过程连续进行,压下量小。

Description

本发明与一种复合板和制造这种复合板的方法有关,上述复合板是由一层金属基板和一层金属被复层组成(在这两层金属之间,也可能有一层金属过渡层)。
本发明特别与一种新颖的复合板有关,在这种复合板中,用冷被复的方法把一层被复材料被复在基板的整个表面上,或者部分地被复在要求被复的区域。上述基板是一层或者多层重叠的金属(或合金)板。更进一步说,本发明是关于一种高质量的,改善了整体性的复合板,这种复合板用对连续的(或者带状的)被复材料进行辗压的办法,进行高效率的冷被复。
目前,现有的电气另件用的复合材料有下述各种多层的带状复合板,如:铁-镍基(40~55%Ni-Fe)-铝板(破折号前表示基板,破折号后表示被复层;以下的表示方法均与此相同),铁-镍基(40~55%Ni-Fe)-银钎料板,铁-镍基(40~55%Ni-Fe)-银板,柯伐(Kovar,一种商业用名称)合金板-银钎料板等;还有全部表面都被复的复合板,如:铁-镍基(40~55%Ni-Fe)-铝板,柯伐合金板(25~50%Ni,10~20%Ni-Fe)-银钎料板等。(本申请案中如未特别说明,百分比“%”均指重量的百分比。)
例如,铝的带状复合板通常是用下列方法生产的。一块42%镍-铁合金的窄条(或带状物)金属基板,在还原气氛中退火,以清理其表面,然后对基板上要进行冷被复的一部分表面进行抛光,作为进一步的处理。把至少一条具有特定形状的铝带重叠在要用辗压方法进行冷被复的基板上,接着,在一种半复合的状态下,或者至少经过一次冷辗压之后,把所得到的产品在600℃或者再低一些的温度下进行扩散退火,以完成铝带与金属基板的结合。再以后,为了调整复合板的尺寸和形状,把经过上述加工而得到的产品至少进行一道冷辗压,然后进行一次热处理,以便对被复带(一条或几条)施加张力并增加其长度,从而消除在基板的宽度方向上由于带状被复而均匀地残留下来的内应力,或者在冲切出来后,例如,在制造引线框架时在边缘部分残留下来的应力。
但是,采用象钢丝刷抛光那样的机械抛光方法,令人担心抛光可能会扩大到基板上予先确定需要被复的表面区域之外的其余表面上去,例如,可能会扩大到基板的整个表面,结果在抛光表面上形成裂纹,产生并沉积起鳞片状的金属粉末和积存起灰尘。这就产生一个问题,即在粘结被复层的时候,上述金属粉末、灰尘或者各种气体,会被吸附在要被复的基板的表面上,可能造成表面气泡。
特别是对于复合板的表面上被复有一条或几条被复层的所谓带状复合板,裂纹往往使得用辗压方法进行冷被复的过程,或随后的冷辗压过程产生细微的金属粉末,这些细微的金属粉末又沉积在复合板上,导致复合板的表面质量恶化等等问题。此外,常规的生产工艺过程需要许多工序,还要热处理,造成生产成本增加,同时在扩散退火过程中,出现了在被复材料上产生缺陷的问题,以及表面质量恶化的问题。
本发明的主要目的是提供一种复合板,在这种复合板中,各层结构元件(一层基板,一层被复层和一层可按需要选择的过渡层)之间的接合面是清理得非常干净的。
本发明的另外一个目的是提供一种各结构元件的整体性好的复合板。
本发明的第三个目的是提供一种没有表面气泡,没有疵点或类似的缺陷的高质量复合板。
本发明的第四个目的是提供一种复合板,它能减少为了有效地被复所必要的,辗压时的压下量。
本发明的第五个主要目的是提供一种能高效率地制造上述复合板的方法和设备。
通过对本发明的全部描述,本发明的其它一些目的将是显而易见的。
本发明的第一方面是提出了一种复合板,它有一层金属基板和叠在上述基板的至少一个表面上的金属被复层,其特征是上述基板的叠有被复层的表面,有一个由熔化和快速凝固而形成的硬化层区域。
本发明的第二个方面是提出一种复合板,它有一层金属基板和按顺序叠在上述基板的至少一个表面上的一层金属过渡层和一层金属被复层,其特征是上述基板上叠放过渡层的表面,和上述过渡层上叠放被复层的表面,有一个由熔化和快速凝固而形成的硬化层区域。
本发明的第三个方面是提出了一种复合板,它有一层金属基板,和在上述基板的一个表面上,按顺序叠放的一层金属过渡层和一层金属被复层,而在上述基板的另一个表面上,又叠放一层金属被复层,其特征是上述基板的那两个表面和上述过渡层上叠放被复层的那个表面,都有一个由熔化和快速凝固而形成的硬化层区域。
在本发明的第一、第二和第三方面中所提出的复合板中,它的各结构层单元之间的,具有由熔化和快速凝固而形成的硬化层区域的结合面,是清理干净的了,从而达到了最初提出的第一个主要目的和其他目的。
本发明的第四方面是提出了一种制造复合板的方法,这种方法是用至少一束激光束照射在金属基板的至少一个表面上,再把一层金属被复层材料用辗压的方法冷被复在上述基板的用激光照射过的表面上。
本发明的第五方面是提出了一种制造复合板的方法,这种方法由下列工序组成:
(a)用至少一束激光束照射一块金属基板的至少一个表面上,
(b)用辗压的方法,把一层金属过渡层材料冷被复在上述基板的经过激光束照射的表面上,
(c)用至少一束激光束照射上述过渡层的背向上述基板的自由表面上,
(d)把一层被复材料,用辗压的方法,冷被复在上述过渡层的经过激光束照射的表面上。
本发明的第六方面是提出了一种制造复合板的方法,它包括下列工序:
(a)用至少一束激光束照射一块基板的一个表面上,
(b)用辗压的方法,把一层金属过渡层材料冷被复在上述基板的经过激光束照射的表面上,
(c)用至少一束激光束照射上述过渡层的背向上述基板的自由表面,
(d)用辗压的方法,把一层被复材料冷被复在上述过渡层的经过激光束照射的表面上,
(e)用至少一束激光束照射上述金属基板的另一个表面,
(f)把一层被复材料冷被复在上述基板的经过激光束照射的表面上。
采用本发明的第四、第五和第六方面所提出的制造方法,就有可能大大的减少工序的数量,并且每个工序都简便易行,速度快,这样就达到了本发明在上面提到的其他主要目的。
换言之,按照本发明的第四、第五和第六方面所提出的制造方法,沉积在基板表面上的灰尘,油脂和水,吸收了激光束,从而被气化而清除掉,所以基板表面就清理干净了(不仅是照射到的区域,也包括周围未被照射到而受到热影响的区域)、
本发明的第七方面是提出了一种制造金属复合板的设备,该设备包括:
(a)把至少一层金属被复元件连续地冷被复在一层金属基板元件上制成复合板的装置,
(b)至少一个用激光束照射上述任何一层层状元件中要被复的表面部分的装置,这种照射装置,设置在被复装置的开始端,并且具有通过照射使之熔化后凝固,产生一层硬化层区域的功率。
基板表面的洁净,使得基板材料与贴附上去的这层材料之间很容易产生原子间的结合,并且使基板本身能吸收激光束。因此,深度尺寸小于几微米的一层极薄的表面熔化了,而且又很快的凝固,形成一层硬化层。由于在用辗压方法冷被复那一层被复层材料时发生的内滑移变形,使这层硬化层产生细微的裂纹,于是基板就露出了里面的新金属表面,而由于被复时的辗压力,有一些基板金属和被复层的材料就被压入已经形成的裂纹内,和另外一些金属材料相接触。这样,就可能大大地改善基板材料与被复层材料的整体性(结合力)。
这就是说,采用现有技术机械抛光时,基板材料与被复层材料之间,在层叠压紧过程中的结合是机械性质的,这是由于这样的事实,即在基板的表面上一点灰尘也没有。但是,在本发明中,在整个结合强度中,除了机械结合之外,由于表面干净,还存在上述的原子间的结合。再进一步说,因为按照本发明的方法,只在作用表面的最外层形成硬化层区域(通常,其厚度数值为5微米或更小),在这个硬化层区域中发生的显微裂纹,既均匀又细小,因此所造成的机械结合力也比用常规方法的大。
此外,本发明的方法既能防止表面裂纹,也能防止金属粉末的产生和沉积以及残留的灰尘。而当采用常规的机械抛光方法时,就会发生金属粉末和灰尘的沉积。本发明的方法还能避免被复层的表面气泡,而常规方法由于夹带气体,就会产生表面气泡。在这方面,还要指出,用轧制方法进行完全的被复,省掉了扩散退火处理,而在现有技术中,为了获得稳定的结合,就要求扩散退火处理。再进一步说,由于轧制时所需要的压下量减少了,能得到软的复合板,也就有可能防止冲压后的变形;这一点也有助于节省能量。
如果说,在现有技术中至少必须有70%的压下量,那末,在本发明中,如果施加25~70%的压下量,就能获得足够的结合力。
按照本发明的方法,基层金属(基板)是在移动中被激光照射的,这就使得很容易用扫描的办法进行带状或交错排列方式的照射。
本发明的方法还有一个优于常规方法的优点,就是借助于在长度方向间歇地用激光束照射基板,能更加容易制造出长度方向断续地排列岛屿式被复层的复合板,这是因为激光束能很容易地加以遮蔽。
在上述每一个方面,如果在金属基板与被复层材料之间介入一层过渡层,并且在所述的过渡层上形成一片和在金属基板上所形成的同样的硬化层区域,那末金属基板与被复层材料之间的整体性就将进一步改善。
不用说,在基板的一面还是两面设置被复层,以及是否设置过渡层,可根据需要任意选择。
图1A和1B,是按照本发明的复合板的两个实施例的透视图,
图2A-C,是按照本发明的另外一些复合板的实施例的断面图,
图3是按照本发明的复合板的一个实施例放大了的部分断面图,
图4是按照本发明的复合板的一个实施例的(部分)平面图,
图5A-F,是说明按照本发明的方法的工序顺序示意图,
图6是按照本发明的方法的一个实施例的透视图。
从图7到图10A和图10B都是按照本发明的方法的另一些实施例的透视图,图7说明上面复有被复层材料的过渡层的辗压复盖过程,图8说明本发明的一种包括压槽工序在内的方法,图9说明本发明的一种包括予热工序在内的方法,图10则说明多条的层叠法,
图11表示另一种不同的激光束照射装置,
图12是一个部分断面图,说明本发明的复合板的应用情况,
图13是说明如何利用本发明的复合板的平面图,
图14是一个曲线图,图上示出新发明的以激光束照射的基板表面的硬度(Hv)(曲线a)和现有技术的基板表面的硬度(抛光表面的硬度,曲线b)。
现在对本发明的第一,第二和第三方向的最佳实施例进行说明。
具有一定厚度层的,由于熔化和快速凝固而硬化了的硬化表面区域(称为“硬化层区域”),是靠用激光束照射产生的。这就使得有可能用激光束靠气化来除去沉积在表面上的灰尘,从而把经过照射的表面清理干净(同时也就是把结合面清理干净)。
硬化层区域的厚度为5微米或更小些。在这样的厚度下,当受到外部压力时,很容易在硬化层区域中产生显微裂纹。过渡层和被复层叠放在基板上,当其与硬化层区域接触时,靠近硬化层区域的一部分新材料就会被挤入显微裂纹中去,因此,基板层和被复层之间(或再加上和过渡层之间)的结合强度就提高了(以后提到上述各层时,一般称之为层状元件)。为了在进行被复时形成均匀的显微裂纹,硬化层区域的厚度以5微米或小于5微米为佳,等于2微米或小于2微米则更好。最好是等于或小于1微米。
现在来说明层状元件之间的关系,被复层是叠加在基板的一面或两面,有还是没有过渡层,可根据需要任意选择。
被复层可以叠加在基板的一个表面或两个表面上,可以是整个表面,也可以是表面上的局部区域。当被复层叠加在基板表面上的局部区域上时,铺设被复层的方式,大致为在基板的长度方向至少有一条带状被复层。
很可能,基板上叠加被复层的区域(所谓被复表面)并不要求与在基板上形成硬化层的区域(所谓硬化表面)完全重合。换句话说,即使硬化层表面只是一部分被复表面,但只要热影响区域基本上布满被复表面,硬化层表面也能起到应起的作用。如果有过渡层,那么硬化层表面与过渡层表面之间的关系,或硬化的过渡层表面与被复层之间的关系,也是如此。
所用的基板可以是单层板,也可以是双层或多层的层叠板,这可以按改善传导性能,抗腐蚀性能,或改善强度等等方面的考虑来选择。在基板的两个表面上都有被复层时,对形成这两层的被复层的材料的要求可以相同,也可以不同。根据不同要求,例如,钎焊等,也可以采用一层或几层过渡层。
在本发明中,各种层状元件中至少基板要有硬化层区域。当几层层状元件形成多个结合面时,每一个结合面上都可以有硬化层区域。在这种情况下,不仅在不同种类的层状元件之间可以有硬化层区域(例如在基板与被复层之间),而且在同样种类层状元件之间(例如在同样的两层基板之间,或在同样的两层过渡层之间),也可以有硬化层区域。
本发明也可用于由多层复合板层叠组合起来的组合复合板。
不用说,复合板的层叠起来的最外层的表面,既可以是平的,也可以是台阶状的(或有槽的)。
本发明可用于能进行被复加工的各种材料的层状元件的任何组合形式。下面是最常用的材料:
(a)基板材料
铁-镍基板材料(40~55%的Ni-Fe),
柯伐(商业名称)合金(25~50%的Ni-10~20%的Co-Fe),
铜合金,含铜量至少为55%,而且至少含有一种重量百分比不超过下列规定的元素:
1.1%Be,0.6%Mg,1.0%Ti,
0.7%Zr,1.6%Cr,7.0%Mn,
6.0%Fe,2.0%Co,15%Ni,
0.5%B,12%Al,6.0%Si,
12%Sn,0.08%Pb,0.5%P,
0.6%Te,1.5%Ag,43%Zn,
1.3%Cd,
(b)过渡层材料
铜,铜合金和镍。(铜合金可从上面提到的用于基板材料的铜合金中选择)
(c)被复层材料
铝,铝合金,银,银钎料,金及黄铜钎料。
当被复层材料是银或银钎料时,如果采用过渡层,可以得到满意的结果。所以作过渡层用的最佳材料是铜,铜合金或镍。前面已经提到过,被复层可以加在基板一个表面的全部面积上,也可以只加在一部分面积上。如果是全表面复合板,其厚度最好是0.05~5.0毫米,如果是带状被复的复合板,其厚度最好是0.05~1.0毫米。厚度值可按用途任意选择。
下面,参照图1到图4,描述这种新颖复合板的最佳实施例。如图1A和2A所示,按照本发明的复合板的结构中,有一层基板2和一层被复层3,基板2由铁-镍基的密封材料(含40~55%的Ni-Fe)组成,被复层3是一层铝板,它通过一层基板上用激光束照射过,使之熔化,然后凝固的厚度为2h的硬化层,用冷被复方法连续地被复在基板的整个表面上。另一种方法如图1B所示,新颖的复合板是所谓的带状结构,它有一层基板2和一层被复层3,被复层3通过一层用激光束照射在基板上,使之熔化,然后凝固的厚度为2h的硬化层,用辗压的方法进行冷被复,连续被复在需要的部位上,例如,基板的中央部位。要指出的是,带状被复层3是这样铺设的,即在基板2上至少做出一条宽度与被复层3相适应的槽2a(参见图8),然后再把被复层3通过硬化层区域2h,被复在槽2a里面。
在本行业中,有许多周知的复合板,在这些复合板中,按照被复层3和基板2(各由所要求的材料制造)的组合,加上一层过渡层,如图2B所示,按照本发明的复合板的结构是这样的,即一层过渡层,例如是镍,通过一层由激光束照射而在基板上形成的硬化区域2h,连续地被复在一块基板2上,例如由铁-镍合金(40~55%Ni-Fe)做成的基板的指定的主表面上,而一层被复层3,例如一种银钎料,则通过由激光束照射而在过渡层上形成的硬化区域4h,连续地被复在过渡层的表面上。
基板是一块单板,只在基板的一个表面上有被复层的复合板,已经参照图2A和B加以说明了。应该指出,对于象图2c那样的所述的基板2的两个表面上都有(同样的或不同样的)被复层的复合板,也适用上面同样的说明。
图2c表示一块有双层基板的复合板,它的一块基板元件2由Fe-Ni基板材料做成,而另一块基板元件2′,则由铜合金做成。一层镍做的过渡层4,通过由激光束照射而在基板元件2上形成的硬化层区域2h,连续地被复在基板元件2上。而银钎料做的被复层3,则通过由激光束照射,在过渡层上形成的硬化层区域4h,连续地被复在过渡层4的表面上。在另一面,一层银钎料被复层4′,通过一条连续带状的,由激光束照射而形成的硬化层区域2′h,被复在基板元件2′上。
需要指出,在基板元件2与2′之间,也可以夹有由激光束照射而形成的硬化层区域。
再说硬化层区域,它存在于结合面上。就是说,存在于图3所表示的实施例中基板2和被复层3之间的结合面上。硬化层区域在面对被复层3的一侧,有大量细小而均匀分布的显微裂纹2c……,基板2和被复层3的任何一种材料,或两种材料,一起被挤入嵌在这些显微裂纹中,这样就有助于提高层状元件2和3的结合强度。
例如,如图4所示,用激光束照射在一个平面上,就形成了一种这样交错排列的硬化层区域2h。但是,即使如此,周围部分2i也受到热影响,因此,一层带状的被复层就被包容在包括2i在内的带状区域2S中。
现在叙述本发明的第四、第五和第六方面。
上面已经说过的工序(a)到工序(f)可以按照不同的次序进行,只要满足这样一个要求就行,即用激光束照射之后,那照射过的部分要在压力下(例如,使用辗压的方法)进行冷被复。具体的说,第六方面的照射工序(a)和(c),这两个工序那一个先进行都可以。换一个方式,两个工序也可以同时进行。另一方面,再说被复工序,即在第五方面中的被复工序(b)和(d),以及第六方面中的被复工序(b)、(d)和(f),这些被复工序可以分别进行,也可以两个或三个工序同时进行。
上述情况以示意图的方式示于图5A-F。图5B-C表示被复用的材料3和过渡层材料4辗压-被复在基板的一个表面上的布置方式,图5D和F,则表示被复层3及其他各层被复在基板2的两面的布置方式。整个图5A-F中,箭头指的部位是照射激光的位置。
(1-1)图5A表示一个基本过程,按照这个基本过程,基板2首先用激光束照射,然后用辗压的方法(在11部位)被复一层被复层3。然后,被复好的产品送入压力辊11a之间的辊隙中,以便精细地校正压下量。
(1-2)图5B和C表示被复层3和过渡层4的辗压-被复过层。如图5B中所示,首先进行叠加过渡层4的激光束照射和辗压被复工序,然后再进行叠加被复层3的激光束照射和辗压被复工序。换一种方式,如图5c中所示,基板2和过渡层4可以先用激光束照射(照射的次序可以如上述,也可以反过来),然后在11部位处同时把被复层和过渡层被复在基板材料2上。有时还使用导向辊11b。
(2-1)图5D和E表示在基板2的两个面上都叠加被复层的情况。如图5D所示,基板2首先在第一表面(或正面)上用激光束照射后,再把叠加的被复层3辗压-被复在上面,然后在第二表面(或背面)上用激光束照射后,再把叠加的被复层3′辗压-被复在上面。换一种方式,如图5E所示,基板2可先用激光束照射正面,然后照射背面,也可以把照射的次序倒过来。然后把被复层材料3和3′辗压-被复在基板的经过照射的两个平面上。
(2-2)图5F表示在基板2的顶面上叠加过渡层4和被复层3,而在基板的背面叠加被复层3′的情况。以恰当的次序进行激光照射之后,3、4和3′各层材料可以同时进行辗压-被复工序。
另外,在一个结合面进行照射和被复工序之后,可以接一道重新卷绕工序,然后再进行另一个结合面的照射和被复工序。当然,作为进一步的发展,很可能采用把按照本发明的照射和被复工序,与按照现有技术的简单被复工序(没有任何为照射工序用的予处理)相结合的方式,只要这种办法是能令人满意的话。
在激光束照射工序中,激光束是照射在重叠在一起的层状元件形成结合面的表面上的。然而,并不是所有的结合面都必须用激光照射;因此,如果可行,激光束至少要照射在基板上。被复层和过渡层可以是单层结构的。
在叠加在一起形成结合面的层状元件中,激光束不仅可以照在打算叠加其他元件的层状元件上(例如基板或过渡层),如有必要,也可以照射在叠加上去的元件上(过渡层,被复层)。
再说用激光束照射的面积,包括热影响区域在内的面积,至少应该与予定要进行被复的表面积相对应。这是因为在照射的过程中,周围未被照射到的部分也受到热的影响,从而把沉积在表面上的灰尘气化掉,并且清理干净了。因此,直接照射到的面积,亦即硬化层区域所划定的面积,可能只是予定要进行被复的表面积的一部分。为了使包括热影响区域在内的照射区与予定要进行被复的表面相重合,在照射区中形成硬化层的部分最好占据大部分,也就是占据予定要进行被复的表面区域的约70%,或更多些。
为了使激光束能均匀地照射在予定要进行被复的层状元件表面上,可将点状激光束通过一面反射镜以线状或二度空间的方式在表面上扫描,或为了使照射在表面上的点大一些,借助于一组透镜,反过来增大激光束的直径。还可以用交错,波浪形或条纹状的方式,使激光束照射在予定要进行被复的层状元件的局部表面上。使激光束光点在一个方向上摆动,而使基板横着激光束摆动的方向移动,就可以造成交错的扫描。这样的照射,可以使热影响的表面面积基本上布满要进行被复的面积。
如果激光束的直径因为用了透镜元件而增加,就能增加激光束光点扫描的速度和光点之间的距离,因而也就提高了加工效率。
对于激光束照射的条件没有什么特别的要求,只要激光束的能量能被最外层的、厚度为5微米或更薄的一层表面所吸收,而又不对基板的内部产生任何有害的影响,从而能将沉积在表面上的灰尘气化掉,并且使基板之类的表面熔化就可以了。这一点将在提到激光束的能量密度和波长时进行说明。
至于对于上面提到过的材料,激光束的能量密度的范围以100~1500千瓦/毫米2为佳,如为300~900千瓦/毫米2,则更好。如果激光束的能量密度低于100千瓦/毫米2,就不能产生为进行被复所需要的足够的表面清理效果,如果激光束的能量密度超过1500千瓦/毫米2时,就使表面凹凸不平。再者,当能量密度增大到如此大的程度时,便出现了形成不希望有的气孔的倾向。
再说激光的波长。效果好的激光波长是2微米或小于2微米。希望用的波长为2微米或小于2微米,因为波长超过2微米时,被基板吸收的效果就差。
在照射时,可以用一个激光振荡器激发出激光束,通过一个准直管和一个透镜,使激光束聚光,然后通过一套光学装置使激光束照射到指定的位置上。
可以使用像电镜那样的扫描装置,或使一个多面体镜子旋转来使激光束发生摆动。对于局部照射,可采用园柱形透镜把激光束聚光到一定的宽度,或用光导纤维定向为好。照射的条件根据各种不同因素来决定,例如各种不同的材料,层状元件(基板,被复层和过渡层)的尺寸等,照射的条件还包括激光束的激发方式,输出,聚焦和焦点到被照射表面的距离,被照射对象的移动速度等。
冷被复工序的状况,可以通过25~70%的压下量来表示。在这样的条件下,有可能使由于激光照射而形成的硬化层区域在被复加工过程中产生显微裂纹。
这样,压下量以在30~50%的范围内为佳,而在25~40%则更好。
在进行照射工序之前,可以先进行压槽工序(也可以在为另一个结合面用的照射工序之后)。换言之,当将被复层(有时还有过渡层)叠加在基板一侧的一部分表面上时,(例如,以单条的形式或多条的形式)在基板上用于叠加的部位压出槽来,然后激光束就照射这条槽,从而使所制成的复合板在产品的形状和尺寸精度方面得到改善,同时更适于用在需要高精度的引线框架上。此时,在压出槽来之后,在激光束照射前,带槽的材料可以在850~1050℃的温度下进行退火,以消除因压槽而产生的残余内应力。用激光束照射基板上压槽表面的反面,而且照射的位置与压槽的位置相对,也能得到上述效果。应该指出,槽的深度可根据,例如,被复材料的厚度来确定。
如果在照射工序之前加一个予热工序,本发明的效果更好。不言而喻,予热工序也可以加在另一个结合面的照射工序之前。予热工序的温度最好在200~1000℃之间,采用适当的加热装置,例如,利用光束的加热装置,钇铝石榴石激光器,二氧化碳激光器,高频或低频的加热装置等等。因为当加热温度低于200℃时,予热不能产生有用的效果,而超过1000℃时,被加热的表面就可能产生氧化、变形等等的缺陷。既然如此,那末至少对基板进行予热,就能得到所希望的结果。当每一层都要用激光束照射时,就有许多层状元件要进行予热处理。
最好在辗压被复工序(图中的11部位)之后至少再加一道辗压工序(图中的11a部位),以便精密地校正压下量。不用说,在另一个结合面的辗压被复工序之前或之后,也可以加一道这样的辗压工序。
要指出的是,用于制造复合板的加热气氛可以是一种非氧化性气氛,例如,象氩或氮那样的不起化学作用的气氛,或者是象氢那样的还原气氛,以防止不希望产生的表面氧化。
还要指出,本发明的方法方面所用的各种层状元件的材料可以与本发明在产品方面所提出的材料相同。
现在,结合下面一些非特定的例子,对本发明进行更加详细的说明。
在下面的说明书中,结合图6-10,阐述本发明的各种方法。
图6是一个立体图,它表示本发明的一个生产过程。这里举出一个例子,其中,一条带状的铝要冷被复到一块42%的镍-铁合金板(基板)从宽度方向看的中央部分上去。
把一卷42%的镍-铁合金板卷2打开,把它送到照射箱5,以便用激光束照射正在通过的合金板2的上表面,上述照射箱的构造,能把整个合金板2包围起来,并且有为激光束照射用的氩气在箱中流动。在照射箱5的上方是包括部件7-10在内的照射装置6。激光束由产生钇铝石榴石激光的激光振荡器激发出来,通过准直管8和电镜9,由fe透镜10进行聚光和聚焦。然后,这样的调整透镜10,即使得要求照射的合金板2从宽度方向看的中央部分,正处于按要求的距离,离开焦点的位置上被激光束所照射。
如果在本发明所用的照射装置中,采用多面体镜或分块拼合的镜子代替电镜9,就有可能增加激光扫描的速度。换一种方式,如果用一块园柱形透镜,使激光束照射在合金板上的范围更大些,那么,就有可能提高加工的速度。
激光束交错地或者呈带状地照在合金板2从宽度方向看的中央部分的要求的宽度上,使合金板的最外层表面熔化,然后又凝固,从而使得表面没有沉积物、油脂和水,产生一个新的表面。然后合金板再朝被复辊11前进。
在另一侧,铝带卷3被打开,然后从合金板2的上方把它送到被复辊11的辊隙中,使之与合金板2上面被激光束照射过的表面接触。
这时,在照射过的表面上形成的硬化层,由于内部滑移变形,在表面上产生了裂纹,暴露出内部新表面来,从而与铝带3紧密地接触。因此,由于与机械抛光的表面相比,所得到的表面清洁程度较高,所以合金板2和铝带3的结合强度就得到了改善。此外,与常规的方法相比,压缩量可以小些,故能以很高的效率生产出软质复合板。
如图7中所示,当要加过渡层时,就在基板2的前进方向上,为过渡层4和被复层3连续配备两套照射装置5和被复装置11。
如果在照射工序之前要进行压槽工序,则可如图8所示,先把一卷基板2打开,再借助一根带压槽凸台的压槽辊12,在基板2的上表面压出一条凹槽来,然后在充满氢气的退火炉中进行退火,最后,送至照射工序和被复工序中。
如果在照射工序之前要进行予热工序,则如图9所示,把一卷基板2打开,使其通过或从下面通过予热装置14,然后再送到照射装置和被复装置中去。
如果要叠加多条被复层,则如图10A所示,可根据所被复的条数,设置照射装置6和被复装置11。此时,所制成的多条复合板1′能用一台纵剪机15切成单条复合板(图10B)。
如图11所示,可以直接用一根光导纤维,把由激光振荡器7所产生的激光束,引导出来进行照射,所以能很容易地使激光束照在不同的部位上(换言之,即不仅可以照在移动着的基板2上,也可以照在被复层3上),或者以不同的形式照射。
本发明的复合板特别适用于制造集成电路另件引线框架。
更具体地说,如图12所示,一根引线与装在陶瓷集成电路封壳内的集成电路硅片18连接,作为外接线,上述引线通常用一种易熔玻璃20密封在集成电路封壳内。但是,按照本发明,在层状元件中,铁-镍基合金的基板2通过易熔玻璃20,固定在集成电路封壳17上,而铝基的被复层则用超声波之类的方法与一根金属丝19(铝或金的)连接,上述金属丝19与集成电路硅片18连接。
再进一步说,当采用包在集成电路封壳17上的金属化外层(例如,用镍粉之类压制成的金属层)以代替金属丝19作为延伸到集成电路硅片18外面的导体时,那末本发明中的层状元件的被复层3(例如银钎料)就和上述包在集成电路封壳17的侧壁上的上述金属化外层相连。当用树脂(例如环氧树脂)作为集成电路封壳的材料时,从配伍性能的观点来看,本发明中的基板材料最好用铜合金,铁-镍合金(含镍40~55%)之类。
不言而喻,如图13所示,当本发明的复合板用作上述引线时,事先制造好的复合板,可裁切成适合于做导线的形状。更具体地说,予制好的带状复合板1冲裁或冲切成只连着一点点的分开的框架件1a,这个框架件中包括引线部分1b……,和由基板2及被复层3合成的引线框架,以后引线框架便与集成电路封壳连接。
实例
例1-1
用一层厚0.5毫米,宽30毫米的含镍42%的镍-铁合金板作金属基板,用一条厚0.08毫米,宽10毫米、纯度为99.7%的铝板做被复层。
在照射箱中充满氩气,基板的移动速度为10米/分。
如图6中所示的那样,用一台波长为1微米,输出为100瓦的10千赫的Q调剂激光器作为照射装置。透镜的焦点离基板的距离为100毫米,从宽度方向看基板的中间部分,在长度方向上连续地用激光束进行照射,照射的宽度为10毫米,能量密度为400千瓦/毫米2,以便形成均匀的照射面。以32.5%的压下量,用被复辊把铝板冷被复到照射过的表面上。
然后,按照本发明,再进行一次冷辗压,制成厚度为0.25毫米,宽度为30毫米的带状复合板,其总压下量为50%。
为了进行比较,用同样的金属基板材料和被复层材料,按下列方法制造相同尺寸的带状复合板。在常规方法中,用一把钢丝直径为0.1毫米,运动速度为22米/秒的旋转的钢丝刷,用钢丝刷抛光法对基板表面进行机械抛光,然后将铝板用辗压方法冷被复在基板上。
对所得到的两种复合板测量了其尺寸,做了外观品质和机械性能的试验。试验的结果列于表1-1中。
表1-1
Figure 86105621_IMG1
从表1-1中可清楚看到,本发明提供了一种软质复合板,这种复合板的外观品质好,而且质量大大改善了。
按照本发明,对基板进行激光束照射后(被复前),从表面层到内部的硬度,以及比较用的基板在钢丝抛光后从表面层到内部的硬度,两者进行了进一步试验,其结果示于图14中。
从图14中可很明显的看出,用钢丝抛光后的基板的表面层,被硬化的厚度有10微米左右,与此相对照的,新颖试样上的硬化层区域的厚度最多只有2微米。
因为硬化层区域通常在塑性方面比基板的内部差,可以由于辗压-被复过程中发生的变形,硬化层便产生了粗糙的裂纹,被复层材料就在裂纹处与新的表面紧密结合。这一点可以从这个事实来鉴定,即当为了检测被复后的结合情况进行加热时,作比较用的试样,是从这些裂纹开始扩散过程的。
上面提到的由钢丝抛光而造成的硬化本身,很可能对被复前要进行的表面处理有一定的作用。但是,只有把沉积物,油脂和水完全清除掉,得到为被复所需要的清洁表面,这样的处理才起作用,可是,很可能由于经过钢丝抛光这样的磨削加工,抛光的表面可能变得十分粗糙,引起鳞片状金属粉末的产生和沉积,而金属粉末又会使气体夹杂到要进行被复的表面上去。此外,当使用这种抛光方法时,把抛光限定在基板予定要进行被复的表面上的带状区域之内,也存在困难。除此之外,用抛光法产生的裂纹不均匀,而本发明能获得均匀的裂纹。更确切地说,抛光造成了粗糙的裂纹或产生了鳞皮,这对于被复是很有害的。
相反,根据本发明,正如在这个例子中所表明的,有可能把激束束照射到规定的带状区域内。选择适当的照射条件,能把沉积物、油脂和水完全清除掉,而不必担心使被处理的表面变得凹凸不平,通过熔化和快速凝固而形成的硬化层厚度,能用可控制的方式加以控制,也就是说,能控制在极薄的一层内。
本发明中的硬化层,是通过熔化和快速凝固而形成的,并且在辗压-被复的过程中,由于内部滑移变形的影响,在表面上产生了裂纹。由形成显微裂纹而产生的新表面,使得在减小压下量的条件下为被复加工提供的新表面面积,比起比较例的更大,且分布均匀,结合紧密。这一点从这个事实中得到了确认,即,在被复过程之后进行加热测试其整体性时,扩散进行得很均匀。
例1-2
用厚0.35毫米,宽25毫米的含镍42%的镍-铁合金板作为金属基板,用厚0.08毫米,宽5.5毫米的铝板作为被复材料。
照射箱中充满氩气,基板的移动速度为80毫米/秒。制造新颖样品和比较用样品时,被复时所用的压下量都是24%,总压下量都是29%,其它方面都与前面的例子(1-1)相同。
试验的结果示于表1-2。
表1-2
Figure 86105621_IMG2
Figure 86105621_IMG3
例1-3
用作金属基板的是厚0.35毫米,宽32.9毫米,的含镍42%的镍-铁合金板,用作被复材料的是厚0.01毫米,宽10毫米的铝板。
照射箱中充满氩气,基板的移动速度为10米/分。制造新颖试样和比较用的试样时,被复时的压下量都是32.5%,总的压下量都是37.5%,被复带的宽度为10毫米,其它方面均与上面提到的例(1-1)相同。试验的结果与例1-2相似。
例2
采用厚0.36毫米,宽23毫米的含镍42%的镍-铁合金板作金属基板,采用厚0.08毫米,宽5.5毫米的、纯度为99.7%的铝板作被复材料。
照射箱内充满氩气,基板的移动速度为10米/分。
所用的激光照射装置,是输出为100瓦的10千赫的Q调制激光器。
根据前面所提到的,并由图6说明的本发明的方法,用激光束在长度方向连续照射基板上从宽度方向看的、宽5、5毫米的中央部分。照射的宽度为5.5毫米,节距宽为0.5毫米,照射的条件为:离开透镜焦点的距离为100毫米,波长为1微米,激光的能量密度为500千瓦/毫米2,照射部分形成一个交错地延伸,而又成为一个整体的照射面,如图4所示,成为一条2S宽的带状,其中包括照射区2i和未照射到的热影响区26。铝板在29%的压下量,用辗压法冷被复在上述照射过的表面上。
以后,为了得到本发明的厚0.25毫米,宽23毫米的带状复合板,再进行一次冷辗压,总压下量为30%。
为了比较,用同样的金属基板和被复材料,用下述方法制成了同样尺寸的带状复合板。用常规方法时,基板是用一把旋转钢丝刷,用钢丝抛光工艺去抛光表面,钢丝刷由直径0.1毫米的钢丝做成,运动速度为22米/秒,然后用辗压法把铝板冷被复在基板上。
对用这两种方法制成的两种复合板测量了尺寸,试验了外观品质和机械性能。试验的结果列于表2。
表2
Figure 86105621_IMG4
Figure 86105621_IMG5
例3
用厚1毫米,宽25毫米的含镍42%的镍-铁合金板做金属基板,用厚0.08毫米、宽5.5毫米、纯度为99.7%的镍板做过渡层材料。
用厚0.08毫米,宽5.5毫米、纯度为99.9%的银板做被复材料。
照射箱内充满氩气,基板的移动速度为80厘米/秒。
所用的激光照射装置,输出为50瓦的10千赫的Q调制激光器。
根据图7中所示的方法,用激光束来在长度方向连续照射基板上从宽度方向看的宽5.5毫米的中央部分,照射的宽度为5.5毫米,节距宽为0.5毫米,照射条件为:离透镜焦点的距离为100毫米,波长为1.06微米,激光的能量密度为500千瓦/毫米2,从而形成一个如图4所示的交错照射表面区,该区中包括照射区2i和未照射到的热影响区26。作过渡层材料用的镍板以17%的压下量,用辗压法冷被复在上述照射过的表面上。
被复在基板上的镍过渡层,再用激光束用上述相同的照射条件照射其表面,形成一个交错的照射表面区,银板就冷被复在这个表面上,压力量为70%。
此后,按照本发明,为了制成带状复合板,再进行一次冷辗压,制成的复合板厚0.25毫米,宽25毫米。总压下量为75%。
为了比较,用同样金属基板,过渡层材料和被复材料,以下述方法制成了同样尺寸的带状复合板。用常规方法时,基板是用一把旋转钢丝刷,用钢丝抛光法对表面进行机械抛光。钢丝刷由直径0.1毫米的钢丝做成,运动速度为22米/秒。然后,用作过滤层材料的镍板,通过辗压冷被复在经过这样处理的基板上。最后,用钢丝抛光法在同样的条件下抛光了过渡层表面之后,通过辗压,把银板冷被复在过渡层材料的表面上。
对这样制成的两种复合板,测量了它们的尺寸,试验了外观品质和机械性能。其结果列于表3。
表3
续表3
Figure 86105621_IMG7
例4-1
采用厚1毫米,宽25毫米,含镍42%的镍-铁合金板做金属基板,用厚0.03毫米,宽3毫米,含银85%的银-铜钎料板做被复材料。
借助于冷辗压,在金属基板一个主表面的中央部分,压出一条深0.3毫米,宽3毫米的槽。然后,金属基板在氢气中,在1000℃下退火30秒钟。
然后,在下述照射条件下,用激光束照射在基板的一个主表面上压出的凹槽。
照射箱内充满氩气,基板的移动速度为10米/秒。
所用的激光照射装置,是波长为1微米,输出为100瓦的10千赫的Q调制激光器,透镜的焦点离照射表面的距离为100毫米。根据本发明在上面所提到的和在图8中说明的方法,用照射宽度为3毫米,节距宽度为0.3毫米的激光束,在长度方向连续照射基板上宽3毫米的槽底,照射的条件是能量密度为500千瓦/毫米2,从而形成一个交错的照射表面区,如图4所示,这个表面区在长度方向大致形成一条宽2S的带,2S中包括照射到的区域2i和未照射到的热影响区2b。借助于被复辊,把上述银-铜基钎料板用辗压法冷被复在上述照射过的表面区域上,压下量为60%。
然后,为了制成本例子的带状复合板,再进行一次冷辗压,最后的复合板尺寸为厚0.25毫米,宽25毫米,总压下量为75%。
为了比较,按照下列方法,用同样的金属基板和被复材料制成了同样尺寸的带状复合板。在常规方法中,用一把旋转的钢丝刷,利用钢丝抛光法,对基板的表面进行机械抛光,钢丝刷由直径为0.1毫米的钢丝做成,其运动速度为22米/秒,而银-铜基钎料板就用辗压法冷被复在上面。
对这样制成的两种复合板,测量了其尺寸,试验了其外观品质和机械性能。其结果列于表4中。
表4
Figure 86105621_IMG8
例4-2
采用厚0.5毫米,宽23毫米,含镍42%的镍-铁合金板做金属基板,并且在基板的一个主表面的中央部分压出一条宽5.5毫米,深0.1毫米的槽。在1000℃下退火30秒之后,在氮气中,用光束把基板上在压槽表面的反面的与槽相对应的部位予热到400℃。
在与例4-1相同的激光束照射条件下,使用一个波长为1微米,输出为100瓦的Q调制脉冲激光器,用激光束对基板进行如图4所示的交错式照射,从而形成照射区2i及未照射到的区域2b,然后用辗压法把作为被复材料的铝板冷被复在基板上。然后,再一次进行冷辗压,制成本发明的厚0.25毫米,宽23毫米的复合板。总压下量为50%。其结果是成功的,如表4所示。
例5-1
用作金属基板的是厚0.35毫米,宽25毫米,含镍42%的镍-铁合金板,用作被复材料的是厚0.02毫米,宽5.5毫米的铝板。
照射箱内充满氩气,基板的移动速度为80厘米/秒。
用光束把基板上从宽度方向看的5.5毫米宽的中央部分加热到400℃。
所用的激光照射装置,是输出为50瓦,波长1微米的10千赫的Q调制激光器,透镜的焦点离开被照射表面的距离为100毫米。按照本发明上面所述的,和图9所示的方法,用激光束在长度方向连续照射基板上从宽度方向看的5.5毫米宽的中央部分,以形成一个均匀的照射表面。铝板用辗压法冷被复在上述照射过的表面上,压下量为24%。
然后,再一次进行冷辗压,得到了按本发明的,厚0.25毫米,宽25毫米的带状复合板。总压下量为29%。
为了比较,用下述方法,用同样的金属基板和被复材料,制成了同样尺寸的带状复合板。用常规方法时,是用一把旋转钢丝刷,用钢丝抛光法对基板的表面进行机械抛光,钢丝刷由直径为0.3毫米的钢丝制成,运动速度为17米/秒,然后把铝板冷被复在抛光表面上。
对用这两种方法制成的两种复合板,测量了尺寸,试验了外观品质和机械性能,其结果列于表5。
表5
Figure 86105621_IMG9
例5-2
采用的基板宽33毫米,照射以交错的方式进行,如图4所示,其他方面都和例5-1中的一样,制成的复合板厚0.25毫米,宽33毫米。总压下量为29%。试验的结果和例5-1相似,是成功的。
例6
用作金属基板2的是厚0.45毫米,宽130毫米,含镍为42%的镍-铁合金板,如图10所示,用一个能激发出Q调制脉冲激光的激光束照射装置11,在这块金属基板的一个主表面上形成四条照射表面,激光的波长为1微米,输出为100瓦,其能量能够形成四条宽5.5毫米,间隔25毫米的带状照射面。激光束的照射条件与例1中所述的相同。然后,借助于被复辊11,用辗压法同时把上述作为被复材料的四条铝板冷被复到四条照射过的表面上。此后,再经过三道冷辗压,按照本例,制成一块厚0.25毫米,宽130毫米的多带复合板1′。
以后,用一台纵剪机15,把多带复合板1′剪成按照本发明的单带复合板1……,其尺寸为:厚0.25毫米,宽25毫米。总压下量为44%。
为了比较,用下述方法,用同样的金属基板和被复材料,制成同样尺寸的带状复合板。在常规方法中,用一把旋转钢丝刷,用钢丝抛光法对基板的表面进行机械抛光。钢丝刷的钢丝直径为0.1毫米,运动速度为22米/秒。然后用辗压法把铝板冷被复在抛光过表面上。
对用这两种方法制成的两种复合板,测量了尺寸,试验了外观品质和机械性能。其结果列于表6。
表6
Figure 86105621_IMG10

Claims (62)

1、一种由一层金属基板和一层叠加在上述基板的至少一个表面上的金属被复层组成的复合板,其特征是上述基板的上述叠加被复层的表面,有一个由于熔化和凝固而形成的硬化层区域。
2、一种由一层金属基板,在上述基板的至少一个表面上,按照所叙述的次序叠加了一层金属过渡层和一层金属被复层而组成的复合板,其特征是上述基板的上述叠加过渡层的表面,和上述过渡层的叠加被复层的表面,都有一个由于熔化和凝固而形成的硬化层区域。
3、一种由一层金属基板,在上述基板的一个表面上按所叙述次序叠加了一层金属过渡层,和一层金属被复层,在上述基板的另一个表面上,叠加了另一层被复层而组成的复合板,其特征是上述基板的二个表面和上述过渡层的上述叠加被复层的表面,都有一个由于熔化和凝固而形成的硬化层区域。
4、一种如权利要求1~3中任何一项权利要求所规定的复合板,其特征是所说的复合板是集成电路引线框架用的一种基板。
5、一种如权利要求1~3中任何一项权利要求所规定的复合板,其特征是所说的硬化层区域是由激光束照射而形成的。
6、一种如权利要求1~3中任何一项权利要求所规定的复合板,其特征是所说的硬化层区域的厚度为5微米或更小。
7、一种如权利要求6所规定的复合板,其特征是所说的硬化层区域的厚度为2微米或更小。
8、一种如权利要求1~3中任何一项权利要求所规定的复合板,其特征是在所说的硬化层区域中有显微裂纹。
9、一种如权利要求8所规定的复合板,其特征是叠加在所说基板上的上述被复层或上述被复层和过渡层,借助于贯入到所述的显微裂纹中去而与上述硬化层区域相接触。
10、一种如权利要求1~3中任何一项权利要求所规定的复合板,其特征是所说的基板是一种单层板。
11、一种如权利要求1~3中任何一项权利要求所规定的复合板,其特征是所说的基板是一种层叠板。
12、一种如权利要求1~3中任何一项权利要求所规定的复合板,其特征是所说的金属基板至少是镍-铁合金,镍-钴-铁合金和铜合金中的一种。
13、一种如权利要求12所规定的复合板,其特征是所说的基板至少由下述三种合金中的一种制成:镍-铁合金,含镍40~50%,余量为铁;镍-钴-铁合金,含镍25~50%,含钴10~20%,余量为铁;铜合金,含铜至少55%,上述百分比均指重量的百分比。
14、一种如权利要求12所规定的复合板,其特征是铜合金的组分中至少含有一种按重量百分比不大于下面所规定的含量的组分:
1.1%Be,0.6%Mg,1.0%Ti,
0.7%Zr,1.6%Cr,7.0%Mn,
6.0%Fe,2.0%Co,15%Ni,
0.5%B,12%Al,6.0%Si,
12%Sn,0.08%Pb,0.5%P,
0.6%Te,1.5%Ag,43%Zn,
1.3%Cd。
15、一种如权利要求1~3中任何一项权利要求所规定的复合板,其特征是所说的被复层是由铝,铝合金,银,银钎料,铝-锡钎料,金及黄铜钎料中的一种材料制成。
16、一种如权利要求2或3所规定的复合板,其特征是所说的过渡层是由镍,铜和铜合金中至少一种材料制成。
17、一种如权利要求13所规定的复合板,其特征是所说的被复层是铝。
18、一种如权利要求13所规定的复合板,其特征是基板是镍-铁合金,镍-钴-铁合金或铜合金,被复层是银或银钎料,而过渡层是铜,铜合金或镍。
19、一种如权利要求13所规定的复合板,其特征是基板是含40~55%重量的镍的镍-铁合金,被复层是银,而过渡层是镍。
20、一种如权利要求1~3中任何一项权利要求所规定的复合板,其特征是所说的被复层,或者还加上所说的过渡层,是叠加在所说的基板的至少一个表面的整个表面上。
21、一种如权利要求1~3中任何一项权利要求所规定的复合板,其特征是所说的被复层,或者还加上所说的过渡层,是叠加在所说的基板的至少一个表面的局部面积上。
22、一种如权利要求21所规定的复合板,其特征是所说的局部面积至少是一块基本上沿着所说的基板的长度方向分布的带状区域。
23、一种制造复合板的方法,该方法是用至少一束激光束照射一层金属基板的至少一个表面,然后用辗压法把一层金属被复层材料,冷被复在激光束照射过的上述基板表面上。
24、一种制造复合板的方法,该方法由下列工序组成:
(a)用至少一束激光束照射一层金属基板的至少一个表面,
(b)把一层金属过渡层材料,冷被复到所说的基板的用激光束照射过的表面上,
(c)用至少一束激光束照射所述的过渡层背向所述基板的自由表面上,
(d)把一层被复层材料,冷被复在所说的过渡层的用激光束照射过的表面上。
25、一种制造复合板的方法,该方法由下列工序组成:
(a)用至少一束激光束照射一层金属基板的一个表面,
(b)把一层金属过渡层材料,冷被复在所说的基板的用激光束照射过的表面上,
(c)用至少一束激光束照射所说的过渡层背向所说的基板的自由表面,
(d)把一层被复层材料,冷被复在所说的过渡层的用激光束照射过的表面上,
(e)用至少一束激光束照射所说的金属基板的另一个表面,
(f)把一层金属被复层材料,冷被复在所说的基板的用激光束照射过的另一个表面上。
26、一种如权利要求23~25中任何一项权利要求所规定的制造复合板的方法,其特征是进行照射的激光束的波长不超过5微米,而激光束的能量密度为100~1500千瓦/毫米2
27、一种如权利要求26所规定的制造复合板的方法,其特征是进行照射的激光束的波长不超过2微米,而激光束的能量密度为300~900千瓦/毫米2
28、一种如权利要求23~25中任何一项权利要求所规定的制造复合板的方法,其特征是进行冷被复时的压下量为25~70%。
29、一种如权利要求23~25中任何一项权利要求所规定的制造复合板的方法,该方法还有下列工序:
在事先已制成的基板上予定要进行被复的表面上制出一条凹槽,
用至少一束激光束照射上述的凹槽。
30、一种如权利要求23~25中任何一项权利要求所规定的制造复合板的方法,该方法还有下列工序:
在事先已制成的基板的一个表面上制出一条凹槽,
在上述基板的与予定表面相背的表面上,用至少一束激光束进行照射,照射的部位与上述的凹槽相一致。
31、一种如权利要求23~25中任何一项权利要求所规定的制造复合板的方法,该方法还包括下列工序:
在所说的激光束照射前,予热所说的予定进行激光束照射的表面。
32、一种如权利要求31所规定的制造复合板的方法,其特征是上述予热是在非氧化气氛中进行的,予热温度为200~1000℃。
33、一种如权利要求32所规定的制造复合板的方法,其特征是上述予热是由光束加热装置,钇铝石榴石激光加热装置,二氧化碳激光加热装置,高频或低频加热装置来实现的。
34、一种如权利要求23~25中任何一项权利要求所规定的制造复合板的方法,该方法还包括在冷被复后进行的冷辗压工序。
35、一种如权利要求23~25中任何一项权利要求所规定的制造复合板的方法,其特征是照射到的面积至少复盖要进行被复的面积的70%。
36、一种如权利要求35所规定的制造复合板的方法,其特征是以这样的方式来达到照射的效果,即要进行被复的面积至少受到照射的热的影响。
37、一种如权利要求23~25中任何一项权利要求所规定的制造复合板的方法,其特征是激光照射在金属基板上,而基板在激光下移动中进行的。
38、一种如权利要求37所规定的制造复合板的方法,其特征是激光束是沿着所说基板的移动方向照射的,以至少形成一带状。
39、一种如权利要求37所规定的制造复合板的方法,其特征是激光束是以扫描的方式照射的。
40、一种如权利要求39所规定的制造复合板的方法,其特征是扫描是以交错的,波浪形的或者直线形的方式进行的。
41、一种如权利要求23~25中任何一项权利要求所规定的制造复合板的方法,其特征是激光束由一组透镜聚光和聚焦,激光束照在被照射表面上时,其焦点的位置离开被照射表面某一点一定的距离。
42、一种如权利要求23~25中任何一项权利要求所规定的制造复合板的方法,其特征是激光束通过光导纤维引导到一个规定的照射位置上。
43、一种如权利要求41所规定的制造复合板的方法,其特征是所述的透镜组有一个扫描镜。
44、一种如权利要求36所规定的制造复合板的方法,其特征是激光束是由一个钇铝石榴石振荡器产生的。
45、一种如权利要求24所规定的制造复合板的方法,其特征是所述的工序(a)到工序(d)是依次序进行的。
46、一种如权利要求24所规定的制造复合板的方法,其特征是所述的工序(b)和工序(d)是同时进行的。
47、一种如权利要求25所规定的制造复合板的方法,其特征是所述的工序(a)到工序(d)是依次序进行的。
48、一种如权利要求25所规定的制造复合板的方法,其特征是所述的工序(a)到工序(d)和工序(e)到工序(f)是分开进行的。
49、一种如权利要求25所规定的制造复合板的方法,其特征是一对所述的工序(b)和工序(f),或工序(d)和工序(f)是同时进行的。
50、一种如权利要求29所规定的制造复合板的方法,该方法在照射工序之前还有所述的基板的退火工序。
51、一种如权利要求30所规定的制造复合板的方法,该方法在照射工序之前还有所述的基板的退火工序。
52、一种制造金属复合板的设备,该设备具有:
(a)连续地把至少一层金属被复层元件冷被复到一层金属基板层元件上,形成复合板的装置,
(b)至少一个照射装置,该装置对所述的层状元件中任何一种元件的要进行被复的表面区域进行照射,这种照射装置布置在被复装置的开始端,并且具有通过照射由于熔化和凝固而产生硬化层区域的功率。
53、一种如权利要求52所规定的设备,该设备还有一个照射箱,层状元件通过这个照射箱,而且在这个箱内进行激光束的照射。
54、一种如权利要求52所规定的设备,其特征是照射装置中具有放大激光束宽度的装置。
55、一种如权利要求52或54所规定的设备,其特征是照射装置中具有用于激光束扫描的装置。
56、一种如权利要求52所规定的设备,该设备还有:
(c)布置在照射区前端,在基板层状元件上压槽的装置。
57、一种如权利要求56所规定的设备,该设备还有:
(d)布置在压槽装置的后端,而在照射区前端的,为压槽元件退火用的装置。
58、一种如权利要求56所规定的设备,其特征是压槽装置是用来在要进行被复的表面区域上或在其反面的表面区域上压槽的。
59、一种如权利要求52所规定的设备,该设备在照射点的前端还有:
(e)用激光束照射基板层状元件和过渡层元件中任何一个要进行被复的表面上的一个区域的第二照射装置,
(f)用于将过渡层元件冷被复在照射过的表面上的第二被复装置,该第二被复装置布置在第二照射装置的后端,在那里,从第二被复装置(f)中加工出来的板,就象基板层状元件被予定送到所述的被复装置中去(a),进一步被向前送进。
60、一种如权利要求52所规定的设备,该设备还有一个第二激光照射装置,用来照射所述的被复层元件要被复上去的表面的反面。
61、一种如权利要求60所规定的设备,该设备在第二照射装置的后端,还有一个第二冷被复装置。
62、一种如权利要求52所规定的设备,该设备还有用于予热层状元件中任何一种元件的予热装置。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1073892C (zh) * 1998-05-22 2001-10-31 陈忠林 金属复合板的制造方法
CN102237205A (zh) * 2010-04-27 2011-11-09 上海电科电工材料有限公司 一种合金铜铜嵌复银汽车电器材料及其制造方法
CN102267260A (zh) * 2010-04-28 2011-12-07 普拉特及惠特尼火箭达因公司 具有激光烧结的底板的基片
CN101602162B (zh) * 2009-07-06 2012-05-30 哈尔滨工业大学 一种制造硬质点耐磨复合钢板的方法及设备
CN102774071A (zh) * 2012-08-10 2012-11-14 昆山乔锐金属制品有限公司 一种不锈钢为基材的复合涂层
CN103567637A (zh) * 2012-07-18 2014-02-12 艾默生环境优化技术公司 通过焊接工艺连接两个零部件的方法
CN105643215A (zh) * 2016-03-29 2016-06-08 上海大学 金属基多层/梯度复合板材的直接成形制造方法及其工艺装置
CN111432972A (zh) * 2018-06-14 2020-07-17 日本轻金属株式会社 复合扁坯的制造方法
CN112207133A (zh) * 2020-07-24 2021-01-12 上海工程技术大学 金属复合材料的超塑性成型方法及装置
CN112589104A (zh) * 2019-09-16 2021-04-02 中国科学院金属研究所 粉末增材制造-轧制-热处理联合制备镁铝复合板的方法
CN112775183A (zh) * 2020-12-31 2021-05-11 洛阳铜一金属材料发展有限公司 一种铝铜银复合型金属板材及其制备方法

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH675260A5 (zh) * 1988-07-19 1990-09-14 Sulzer Ag
DE4137118A1 (de) * 1991-11-12 1993-05-13 Schaeffler Waelzlager Kg Kaltband zur herstellung praezisions-tiefgezogener, einsatzgehaerteter bauteile, insbesondere waelzlager- und motorenteile
US5437096A (en) * 1994-02-28 1995-08-01 Technical Materials, Inc. Method for making a multilayer metal leadframe
DE19502140C1 (de) * 1995-01-25 1996-05-15 Thyssen Stahl Ag Verfahren zum laserunterstützten Plattieren von Band und dessen Anwendung
IT1287310B1 (it) * 1996-06-27 1998-08-04 Sergio Graser Procedimento di lavorazione di un nastro in materiale prezioso munito di una striscia centrale in materiale di saldatura
DE19640612C1 (de) * 1996-10-01 1998-06-18 Thyssen Stahl Ag Verfahren und Vorrichtung zum Fügen von überlappend miteinander zu verbindenden Flachprodukten
US5578227A (en) * 1996-11-22 1996-11-26 Rabinovich; Joshua E. Rapid prototyping system
US6144008A (en) * 1996-11-22 2000-11-07 Rabinovich; Joshua E. Rapid manufacturing system for metal, metal matrix composite materials and ceramics
DE19652744C3 (de) * 1996-12-18 2003-06-05 Honsel Walzprodukte Gmbh Verfahren zum Herstellen von Profilbändern und Profilblechen sowie danach hergestellte Profilbänder und Profilbleche
DE19927137C1 (de) * 1999-06-15 2001-03-01 Wieland Werke Ag Verwendung einer Kupfer-Zinn-Eisen-Titan-Legierung
GB9823267D0 (en) * 1998-10-24 1998-12-16 Hardwick Roy Method of producing a metal composites which can be processed at high temperatures
US6321930B1 (en) * 1999-09-20 2001-11-27 Lockheed Martin Corporation Cryogenic tank joint
US6815086B2 (en) 2001-11-21 2004-11-09 Dana Canada Corporation Methods for fluxless brazing
US20040035910A1 (en) * 2001-11-21 2004-02-26 Dockus Kostas F. Low temperature fluxless brazing
US20040038070A1 (en) * 2001-11-21 2004-02-26 Dockus Kostas F. Fluxless brazing
US20060102696A1 (en) 2001-11-21 2006-05-18 Graham Michael E Layered products for fluxless brazing of substrates
US20040035911A1 (en) * 2001-11-21 2004-02-26 Dockus Kostas F. Fluxless brazing
US7451906B2 (en) * 2001-11-21 2008-11-18 Dana Canada Corporation Products for use in low temperature fluxless brazing
ITBO20020456A1 (it) * 2002-07-16 2004-01-16 Bomet S R L Bilaminato e metodo pe rla realizzazione di manufatti con tale bilaminato
US7374823B2 (en) * 2003-02-28 2008-05-20 Press Kogyo Co., Ltd. Welded portion constitution and welding method
AU2003296160B2 (en) * 2003-07-07 2007-08-30 Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd. Brazing filler metal sheet and method for production thereof
EP1777305B1 (en) * 2004-08-10 2010-09-22 Mitsubishi Shindoh Co., Ltd. Copper-base alloy casting with refined crystal grains
DE502005009545D1 (de) * 2004-10-11 2010-06-17 Diehl Metall Stiftung & Co Kg Kupfer-zink-silizium-legierung, deren verwendung und deren herstellung
US20070037004A1 (en) * 2005-08-12 2007-02-15 Antaya Technologies Corporation Multilayer solder article
US20070036670A1 (en) * 2005-08-12 2007-02-15 John Pereira Solder composition
US20070292708A1 (en) * 2005-08-12 2007-12-20 John Pereira Solder composition
US20080175748A1 (en) * 2005-08-12 2008-07-24 John Pereira Solder Composition
US20070231594A1 (en) * 2005-08-12 2007-10-04 John Pereira Multilayer solder article
WO2007043101A1 (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Sanbo Shindo Kogyo Kabushiki Kaisha 溶融固化処理物並びに溶融固化処理用銅合金材及びその製造方法
KR100717909B1 (ko) * 2006-02-24 2007-05-14 삼성전기주식회사 니켈층을 포함하는 기판 및 이의 제조방법
AT506897B1 (de) * 2008-05-29 2010-03-15 Gebauer & Griller Metallwerk G Metallischer verbunddraht mit wenigstens zwei metallischen schichten
CN101285138B (zh) * 2008-06-11 2010-09-08 路达(厦门)工业有限公司 无铅易切削磷黄铜合金及其制造方法
CN101285137B (zh) * 2008-06-11 2010-06-02 路达(厦门)工业有限公司 无铅易切削镁黄铜合金及其制造方法
JP2010080540A (ja) * 2008-09-24 2010-04-08 Fujitsu Ltd 電極接続部の形成方法
US8334475B2 (en) * 2008-11-04 2012-12-18 Rabinovich Joshua E Process for energy beam solid-state metallurgical bonding of wires having two or more flat surfaces
JP4944279B2 (ja) * 2010-02-15 2012-05-30 株式会社Neomaxマテリアル リード用クラッド材およびリード用クラッド材の溶接方法
US9228609B2 (en) 2013-08-16 2016-01-05 Caterpillar Inc. Laser cladding fabrication method
CN103660429B (zh) * 2013-11-29 2017-03-01 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 一种多层金属复合板及其制作方法
TWI610411B (zh) * 2014-08-14 2018-01-01 艾馬克科技公司 用於半導體晶粒互連的雷射輔助接合
US9655414B2 (en) 2014-09-19 2017-05-23 Leachgarner, Inc. Age hardenable clad metal having silver fineness and a surface layer with enhanced resistance to tarnish, scratching, and wear
US10259082B2 (en) * 2015-04-24 2019-04-16 EMS Engineered Materials Solution, LLC Self brazing material and a method of making the material
US10611124B2 (en) 2015-10-06 2020-04-07 Fourté International SDN. BHD Multiple layered alloy/non alloy clad materials and methods of manufacture
JP6658894B2 (ja) * 2016-08-17 2020-03-04 三菱電機株式会社 板状はんだの製造方法および製造装置
DE102018219134B3 (de) * 2018-11-09 2020-01-30 Thyssenkrupp Ag Vorrichtung und Verfahren zur thermischen Behandlung einer Oberfläche eines bewegten Metallbandes
CN109385631A (zh) * 2018-12-10 2019-02-26 山东泰利先进制造研究院有限公司 一种激光熔覆复合修复制造方法及其应用

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2691815A (en) * 1951-01-04 1954-10-19 Metals & Controls Corp Solid phase bonding of metals
US2753623A (en) * 1951-01-05 1956-07-10 Metals & Controls Corp Solid phase bonding of metals
FR1405978A (fr) * 1964-06-03 1965-07-16 Pechiney Prod Chimiques Sa Procédé de fabrication de tôles ou bandes à bords épais
CH451355A (de) * 1965-03-30 1968-05-15 Steigerwald Gmbh K H Verfahren zur Materialbearbeitung mit Strahlungsenergie
US3800406A (en) * 1969-03-20 1974-04-02 Trw Inc Tantalum clad niobium
US3684464A (en) * 1970-11-04 1972-08-15 Texas Instruments Inc Composite metal laminate material and lead frame
GB1580529A (en) * 1975-10-24 1980-12-03 Nat Res Dev Polymers useful for producing carbon fibres
CA1095387A (en) * 1976-02-17 1981-02-10 Conrad M. Banas Skin melting
BR7804586A (pt) * 1978-07-14 1980-01-22 Metal Leve Sa Ind Com Aperfeicoamento em processo deposicao de ligas de aluminio
JPS6032553B2 (ja) * 1980-02-15 1985-07-29 新日本製鐵株式会社 物体の接合法
US4348263A (en) * 1980-09-12 1982-09-07 Western Electric Company, Inc. Surface melting of a substrate prior to plating
DE3106607C2 (de) * 1981-02-23 1987-08-20 Fr. Kammerer GmbH, 7530 Pforzheim Plattierverfahren
US4452389A (en) * 1982-04-05 1984-06-05 The Bendix Corporation Method for welding with the help of ion implantation
US4568014A (en) * 1983-09-29 1986-02-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Interior Bonding of metallic glass to crystalline metal
US4732312A (en) * 1986-11-10 1988-03-22 Grumman Aerospace Corporation Method for diffusion bonding of alloys having low solubility oxides
JPH0632553A (ja) * 1992-07-16 1994-02-08 Hitachi Ltd エレベータ装置

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1073892C (zh) * 1998-05-22 2001-10-31 陈忠林 金属复合板的制造方法
CN101602162B (zh) * 2009-07-06 2012-05-30 哈尔滨工业大学 一种制造硬质点耐磨复合钢板的方法及设备
CN102237205A (zh) * 2010-04-27 2011-11-09 上海电科电工材料有限公司 一种合金铜铜嵌复银汽车电器材料及其制造方法
CN102267260A (zh) * 2010-04-28 2011-12-07 普拉特及惠特尼火箭达因公司 具有激光烧结的底板的基片
CN103567637B (zh) * 2012-07-18 2017-06-27 艾默生环境优化技术公司 通过焊接工艺连接两个零部件的方法
CN103567637A (zh) * 2012-07-18 2014-02-12 艾默生环境优化技术公司 通过焊接工艺连接两个零部件的方法
CN102774071A (zh) * 2012-08-10 2012-11-14 昆山乔锐金属制品有限公司 一种不锈钢为基材的复合涂层
CN105643215A (zh) * 2016-03-29 2016-06-08 上海大学 金属基多层/梯度复合板材的直接成形制造方法及其工艺装置
CN105643215B (zh) * 2016-03-29 2018-10-23 上海大学 金属基多层/梯度复合板材的直接成形制造方法及其工艺装置
CN111432972A (zh) * 2018-06-14 2020-07-17 日本轻金属株式会社 复合扁坯的制造方法
CN111432972B (zh) * 2018-06-14 2022-05-03 日本轻金属株式会社 多层包覆件的制造方法
CN112589104A (zh) * 2019-09-16 2021-04-02 中国科学院金属研究所 粉末增材制造-轧制-热处理联合制备镁铝复合板的方法
CN112207133A (zh) * 2020-07-24 2021-01-12 上海工程技术大学 金属复合材料的超塑性成型方法及装置
CN112775183A (zh) * 2020-12-31 2021-05-11 洛阳铜一金属材料发展有限公司 一种铝铜银复合型金属板材及其制备方法

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