CN86102568A - 具有金属涂料接头的太阳电池 - Google Patents

具有金属涂料接头的太阳电池 Download PDF

Info

Publication number
CN86102568A
CN86102568A CN198686102568A CN86102568A CN86102568A CN 86102568 A CN86102568 A CN 86102568A CN 198686102568 A CN198686102568 A CN 198686102568A CN 86102568 A CN86102568 A CN 86102568A CN 86102568 A CN86102568 A CN 86102568A
Authority
CN
China
Prior art keywords
solar cell
metallic paint
diffusion layer
joint
family
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN198686102568A
Other languages
English (en)
Other versions
CN86102568B (zh
Inventor
永原美行
芝田章
浅井正人
中岛绅一
高森信之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN86102568A publication Critical patent/CN86102568A/zh
Publication of CN86102568B publication Critical patent/CN86102568B/zh
Expired legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Abstract

一种太阳电池，它包括：一块半导体基片、通过扩散一些活性杂质到该半导体基片内而形成的一层扩散层和一个形成在扩散层上且由金属涂料制成的接头。该金属涂料包括有作为基本材料的金属粉、粉末玻璃、一种有机粘合剂、一种溶剂以及一种属于元素周期表第五族的化学元素。

Description

本发明涉及一种太阳电池，更具体地说，涉及一种p-n结型太阳电池，在该太阳电池的半导体基片中形成有一个p-n结，该太阳电池还包括一电极（或接头），此电极是由含有元素周期表第五（V）族中的一种化学元素的金属涂料所制成的。
在通常的p-n结型太阳电池中，要在前接头和半导体基片的扩散层之间获得一欧姆接触是有困难的。其理由是在前接头和半导体基片的扩散层之间形成有一层电绝缘材料制成的抗反射涂层。在上述结构中，电流电压（I-V）特性的填充因子（F.F.）会减小，则能量转换效率也会降低。
因此，本发明的一个目的是要提供一改进了的太阳电池，这种经过改进的太阳电池，能在前接头和半导体基片的扩散层之间获得一足够好的欧姆接触，以致能量转换效率变高。
本发明的另一个目的是提供一包括有由金属涂料制成的前接头的改进了的太阳电池，此金属涂料包括：金属粉末、粉末玻璃、一种有机粘合剂、一种溶剂以及在元素周期表第五族某些元素中的至少一种元素。
在此后给出的详细描述中，本发明的其它目的和可用范围是很明显的。然而，应该明白，当说明本发明的一些优选实施方案时，那些特例的详细描述只是按图解说的方法来进行。这是因为从此详细描述出发，在本发明的精神和范围内的各种各样改动和变型，对那些所属技术领域内的专业人员来说，是显而易见的。
为了达到上述目的，按照本发明的一个实施方案的太阳电池包括：一块半导体基片、在该半导体基片内以形成一层p-n结的扩散层以及设置在半导体基片扩散层上的前接头。前接头的材料是金属涂料，它包括：金属粉末、粉末玻璃以及属于元素周期表第五族中的一种元素。
金属涂料可以包括一种有机粘合剂和一种溶剂。
本发明将从下文给出的详细描述及附图中得到更好的了解，这些附图仅作为解说之用，因而并不是说本发明仅限于这些图例。其中：
图1示出了根据本发明的一种实施方案的一种太阳电池结构的剖视图;
图2示出了本发明的太阳电池与通常的太阳电池相互比较的电流电压特性。
下面将参照图1来描述本发明的一种实施方案，正如前面所述，图1是根据本发明的这种实施方案的一种太阳电池结构的剖视图。借助于把一种活性杂质扩散入半导体基片1，在p型硅（Si）基片内形成了一n+型扩散层2。在此扩散层2上形成了抗反射涂层3，以防止光或太阳光被该太阳电池表面所反射，此抗反射涂层3可以由SiO2、TiO2或类似物制成。在半导体基片1上，设置有一些起着负电接头作用的前接头4。这些前接头4被称作栅状接头。在这些前接头4上分别形成有钎焊层5，用以减小串联电阻并改善太阳电池的可靠性。后接头6，例如由铝（Al）涂料制成的电接头，被形成在基片1的背面，并起着正电接头的作用。
在本发明的太阳电池中，活性杂质被浅浅地扩散入基片中，比如说，单晶硅基片上，以致在该基片的表面附近形成一个p-n结层。为了阻止光或太阳光被太阳电池的表面所反射，在半导体基片的前表面上涂有由SiO2、TiO2或其类似物制成的抗反射涂层。在半导体基片的前表面上，利用金属涂料，例如含有粉末玻璃的银涂料，来形成一些前接头。制造前接头方法的一个实例叙述如下：前接头被直接印刷在抗反射涂层上并加以焙烧。因此，前接头穿过抗反射涂层而生成在半导体基片的扩散层上。于是，在前接头和半导体基片的扩散层之间，可获得有效的欧姆接触。这种制造方法称之为烧通法。
在用烧通法制成的太阳电池中，因为设置在半导体基片扩散层上的抗反射涂层是由电绝缘材料，例如TiO2、SiO2或其类似物制成，所以在前接头和半导体基片扩散层之间很难获得一欧姆接触。
为了解决上述问题，根据本发明实施方案的那些前接头4是由含有一种属于周期表第五族元素的金属涂料制成的，例如一种加有少量属于元素周期表第五族的元素磷（P）或磷的化合物的银（Ag）涂料。可以选择所加磷或磷的化合物对银涂料的重量比在约为0.05%至0.3%的范围内。除磷或磷的化合物外，在银涂料内还加有一种有机粘合剂，一种溶剂以及一种添加剂。
因为在银涂料内加入了少量的磷或磷的化合物，所以当焙烧此银涂料时，借助于包含在银涂料内的粉末玻璃与磷或磷化合物之间的协合效应（Synergetic    effect），那些前接头4就会穿过抗反射涂层3而与扩散层2有足够好的接触。所以，在前接头和基片的扩散层之间就能获得足够好的欧姆接触。于是，填充因子得到改进，能量转换效率提高。
利用烧通法来加工前接头4的方法是，直接把银涂料印刷在抗反射涂层3上并加以焙烧，在前接头和基片的扩散层之间就得到了欧姆接触。首先，把象磷一类的n-型杂质在P型硅基片1上，在大约950摄氏度下进行扩散，以形成扩散层2。硅基片1的厚度约400微米，体电阻率在约0.5至约10.0欧姆-厘米之间，而形成的扩散层2的厚度在约0.3到约1.0微米之间。
其次，通过浸渍法、自匀胶法（Spin-on method）或化学汽相沉积（CVD）法在扩散层2的表面形成一层厚度约在700到800埃之间的TiO2层，以作为抗反射涂层3。在P型半导体硅基片1的背面，通过网板印刷法覆盖上一层铝涂料，并在800摄氏度左右焙烧，从而制成了后接头6。把银涂料用网板印刷法涂在抗反射涂层3上，并在600摄氏度到大致700摄氏度之间的温度下进行焙烧，从而制成了那些前接头4。为了改进太阳电池的可靠性并减小串联电阻，通过浸渍工序在太阳电池的一个接头上覆盖上一层钎焊料，从而制成了钎焊层5。这样就制成了图1中所示的太阳电池。
因为用于本发明实施方案中的前接头4是由含有少量周期表第五族中的磷或磷的化合物的银涂料制成的，所以通过包含在银涂料中的粉末玻璃和磷或磷的化合物之间的协合效应，在前接头4和基片的扩散层之间的欧姆接触就会变好，欧姆接触的接触电阻能减小，填充因子得到了改善，能量转换效率提高。
图2示出了本发明的和常用的太阳电池的电流电压（I-V）特性。假设水平轴是有光线照射到太阳电池上时电池的输出电压;而垂直轴是此时的输出电流。虚线代表前接头是以不含磷或磷的化合物的银涂料制成的太阳电池的特性;而实线代表根据本发明的实施方案、前接头以含有磷或磷化合物的银涂料制成的太阳电池的特性。在通常的太阳电池中，那些前接头和扩散层之间的电阻是较大的，填充因子为0.5。在本发明的太阳电池中，与通常的太阳电池相比，其前接头和扩散层之间的电阻减小了。因此，本发明的太阳电池的输出大于通常太阳电池的输出。填充因子被改进到约为0.75，从而提高了能量转换效率。
虽然在本发明的上述实施方案中，应用了属于周期表第五族的磷，但所用元素不必限于磷或磷的化合物。举例来说，也可用钒（Va）、铋（Bi）等元素。虽然前接头是用银涂料来制造的，但也可用铜（Cu）或镍（Ni）作为基本金属材料的金属涂料。
本发明不仅可用于单晶硅太阳电池，而且还可用于多晶硅太阳电池。抗反射涂层不仅可用TiO2，而且可用SiO2、Ta2O5、SnO2、Si3N4等等。
虽然此太阳电池是用烧通法来制造的，本发明还可用于以其它方法来制造的太阳电池，以提高能量转换效率。
金属涂料可以含有元素周期表第五族中的几种元素。
如上所述，以活性杂质扩散入半导体基片来形成P-n结层。前接头以金属涂料来形成，该金属涂料包括有：粉末玻璃、有机粘合剂、溶剂以及属于元素周期表第五族的元素。因此，当焙烧金属涂料时，由于包含在金属涂料中的粉末玻璃和化学元素之间因焙烧而产生的协合效应，使得前接头穿过抗反射涂层。因而那些前接头和基片扩散层之间的欧姆接触会变好。太阳电池的电流电压特性得到了改善，提高了能量转换效率。
在这样地描述了本发明后，上述情况明显地可以有许多种变化。这样一些变化并不看作是偏离了本发明的实质和范围，而所有由此所得到的变型都包括在下面的权利要求范围内。

Claims (12)

1、一种太阳电池，其特征是包括：
一块半导体基片；
通过在该半导体基片内扩散入活性杂质而制成的一扩散层；
由一种金属涂料在该扩散层上制成的一接头，该金属涂料包含有起主要成分作用的金属粉、粉末玻璃以及一种属于元素周期表第五(V)族中的化学元素。
2、根据权利要求1的太阳电池，其特征在于进一步包括：形成于该扩散层上、用以阻止光线被该太阳电池的表面所反射的抗反射涂层。
3、根据权利要求2的太阳电池，其特征在于：该接头的形成是利用焙烧穿通抗反射涂层，在该扩散层和该接头间形成一足够好的欧姆接触。
4、根据权利要求2的太阳电池，其特征在于：该抗反射涂层是由一种电绝缘材料制成的。
5、根据权利要求4的太阳电池，其特征在于：抗反射涂层的材料是从TiO2、SiO2、Ta2O5、SnO2以及Si3N4中挑选出来的。
6、根据权利要求1的太阳电池，其特征在于：附加的第五族元素对金属涂料的重量比在0.05%到约0.3%的范围内进行选择。
7、根据权利要求1的太阳电池，其特征在于：该金属材料是从包括银、铜和镍的金属材料中挑选出来的。
8、根据权利要求1的太阳电池，其特征在于：该金属涂料含有一种有机粘合剂和一种溶剂。
9、根据权利要求1的太阳电池，其特征在于：该金属涂料包含一些属于元素周期表第五族中的化学元素。
10、在具备下述情况，即在一半导体基片中扩散入一些活性杂质以形成一个p-n结层以及前接头是由包括有作为基本材料的金属粉、粉末玻璃、一种有机粘合剂和一种溶剂在内的金属涂料制成的太阳电池中，其特征在于：该金属涂料含有一种属于元素周期表第五族的化学元素。
11、根据权利要求9的太阳电池，其特征在于：该化学元素为磷。
12、根据权利要求10的太阳电池，其特征在于：该金属涂料是一种银涂料。
CN86102568A 1985-08-29 1986-04-14 具有金属涂料电极的太阳电池 Expired CN86102568B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60191243A JPS6249676A (ja) 1985-08-29 1985-08-29 太陽電池
JP60-191243 1985-08-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN86102568A true CN86102568A (zh) 1987-02-25
CN86102568B CN86102568B (zh) 1988-06-08

Family

ID=16271277

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN86102568A Expired CN86102568B (zh) 1985-08-29 1986-04-14 具有金属涂料电极的太阳电池

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4737197A (zh)
JP (1) JPS6249676A (zh)
CN (1) CN86102568B (zh)
DE (1) DE3612085A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102119445A (zh) * 2008-08-13 2011-07-06 E.I.内穆尔杜邦公司 用于形成光伏器件的组合物和方法
CN102130106A (zh) * 2010-12-25 2011-07-20 紫光股份有限公司 一种同时进行光电转换和热电转换的太阳能电池

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01187984A (ja) * 1988-01-22 1989-07-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
GB8802079D0 (en) * 1988-01-30 1988-02-24 British Petroleum Co Plc Producing semiconductor layers
US5698451A (en) * 1988-06-10 1997-12-16 Mobil Solar Energy Corporation Method of fabricating contacts for solar cells
KR900702573A (ko) * 1988-06-10 1990-12-07 버나드 엠. 길레스피에 개량된 태양전지용 접촉구의 제조방법
CA2024662A1 (en) * 1989-09-08 1991-03-09 Robert Oswald Monolithic series and parallel connected photovoltaic module
US5151386A (en) * 1990-08-01 1992-09-29 Mobil Solar Energy Corporation Method of applying metallized contacts to a solar cell
US5151377A (en) * 1991-03-07 1992-09-29 Mobil Solar Energy Corporation Method for forming contacts
US5178685A (en) * 1991-06-11 1993-01-12 Mobil Solar Energy Corporation Method for forming solar cell contacts and interconnecting solar cells
US5320684A (en) * 1992-05-27 1994-06-14 Mobil Solar Energy Corporation Solar cell and method of making same
US5428249A (en) * 1992-07-15 1995-06-27 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic device with improved collector electrode
US5557146A (en) * 1993-07-14 1996-09-17 University Of South Florida Ohmic contact using binder paste with semiconductor material dispersed therein
JP3050064B2 (ja) * 1994-11-24 2000-06-05 株式会社村田製作所 導電性ペースト、この導電性ペーストからなるグリッド電極が形成された太陽電池及びその製造方法
DE19758712B4 (de) * 1996-12-20 2007-02-15 Mitsubishi Denki K.K. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
US6180869B1 (en) 1997-05-06 2001-01-30 Ebara Solar, Inc. Method and apparatus for self-doping negative and positive electrodes for silicon solar cells and other devices
AU766063B2 (en) * 1997-05-06 2003-10-09 Suniva, Inc. Method and apparatus for self-doping negative and positive electrodes for silicon solar cells and other devices
JP2000138386A (ja) * 1998-11-04 2000-05-16 Shin Etsu Chem Co Ltd 太陽電池の製造方法およびこの方法で製造された太陽電池
US6632730B1 (en) 1999-11-23 2003-10-14 Ebara Solar, Inc. Method for self-doping contacts to a semiconductor
JP2004179618A (ja) * 2002-10-04 2004-06-24 Sharp Corp 太陽電池およびその製造方法、太陽電池用インターコネクター、ストリングならびにモジュール
JP2004146464A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Sharp Corp 太陽電池およびその製造方法、太陽電池用インターコネクター、ストリングならびにモジュール
JP2005135942A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Canon Inc 電極配設方法
US20050189015A1 (en) * 2003-10-30 2005-09-01 Ajeet Rohatgi Silicon solar cells and methods of fabrication
JP4846219B2 (ja) * 2004-09-24 2011-12-28 シャープ株式会社 結晶シリコン太陽電池の製造方法
US7435361B2 (en) * 2005-04-14 2008-10-14 E.I. Du Pont De Nemours And Company Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices
US7494607B2 (en) * 2005-04-14 2009-02-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroconductive thick film composition(s), electrode(s), and semiconductor device(s) formed therefrom
US20060231802A1 (en) * 2005-04-14 2006-10-19 Takuya Konno Electroconductive thick film composition, electrode, and solar cell formed therefrom
US7462304B2 (en) * 2005-04-14 2008-12-09 E.I. Du Pont De Nemours And Company Conductive compositions used in the manufacture of semiconductor device
US7556748B2 (en) * 2005-04-14 2009-07-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method of manufacture of semiconductor device and conductive compositions used therein
US20070163634A1 (en) * 2005-07-14 2007-07-19 Kyocera Corporation Solar cell, manufacturing method and manufacturing management system thereof, and solar cell module
US7718092B2 (en) * 2005-10-11 2010-05-18 E.I. Du Pont De Nemours And Company Aluminum thick film composition(s), electrode(s), semiconductor device(s) and methods of making thereof
US8721931B2 (en) * 2005-12-21 2014-05-13 E I Du Pont De Nemours And Company Paste for solar cell electrode, solar cell electrode manufacturing method, and solar cell
US8866007B2 (en) * 2006-06-07 2014-10-21 California Institute Of Technology Plasmonic photovoltaics
US7825328B2 (en) * 2007-04-09 2010-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Nitride-based multi-junction solar cell modules and methods for making the same
US7731868B2 (en) * 2007-04-12 2010-06-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductive composition and process for use in the manufacture of semiconductor device
CN101132027B (zh) * 2007-09-27 2010-09-01 南开大学 用碎硅片制备的太阳电池及其制备方法
US7485245B1 (en) 2007-10-18 2009-02-03 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrode paste for solar cell and solar cell electrode using the paste
KR20090046301A (ko) * 2007-11-05 2009-05-11 삼성전기주식회사 단결정 기판 제조방법 및 이를 이용한 태양전지 제조방법
JP4948458B2 (ja) * 2008-03-19 2012-06-06 三洋電機株式会社 太陽電池の製造方法及び太陽電池
TWI493605B (zh) * 2008-06-11 2015-07-21 Ind Tech Res Inst 背面電極層的製造方法
US20100037941A1 (en) * 2008-08-13 2010-02-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Compositions and processes for forming photovoltaic devices
JP2012500332A (ja) * 2008-08-13 2012-01-05 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー シリコン太陽電池用の多元素金属粉末
TWI389322B (zh) * 2008-09-16 2013-03-11 Gintech Energy Corp 具有差異性摻雜之太陽能電池的製造方法
TWI423462B (zh) * 2008-10-22 2014-01-11 Ind Tech Res Inst 矽晶太陽電池之背面電極製造方法
US8710355B2 (en) 2008-12-22 2014-04-29 E I Du Pont De Nemours And Company Compositions and processes for forming photovoltaic devices
JP5059042B2 (ja) 2009-02-25 2012-10-24 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 太陽電池電極用ペースト組成物
JP5137923B2 (ja) 2009-09-18 2013-02-06 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 太陽電池用電極ペースト組成物
US8697476B2 (en) * 2010-04-30 2014-04-15 E I Du Pont De Nemours And Company Processes and compositions for forming photovoltaic devices with base metal buss bars
JP5351100B2 (ja) 2010-07-02 2013-11-27 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 太陽電池用導電性ペースト組成物
EP2636070A4 (en) * 2010-10-28 2014-04-02 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc SOLAR CELL METALLIZATION CONTAINING METAL ADDITIVE
KR101275576B1 (ko) * 2010-12-28 2013-06-14 엘지전자 주식회사 태양전지 및 이의 제조 방법
WO2013018408A1 (ja) 2011-07-29 2013-02-07 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 太陽電池用導電性ペースト組成物
US8884157B2 (en) * 2012-05-11 2014-11-11 Epistar Corporation Method for manufacturing optoelectronic devices
US20140020743A1 (en) * 2012-07-23 2014-01-23 E I Du Pont De Nemours And Company Solar cell and manufacturing method thereof
EP2749546B1 (en) * 2012-12-28 2018-04-11 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG An electro-conductive paste comprising elemental phosphorus in the preparation of electrodes in mwt solar cells
EP2787541B1 (en) 2013-04-03 2022-08-31 LG Electronics, Inc. Solar cell
JP2013189372A (ja) * 2013-04-23 2013-09-26 Central Glass Co Ltd 導電性ペースト材料

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2348897A1 (fr) * 1976-04-21 1977-11-18 Labo Electronique Physique Contacts ohmiques sur silicium a partir de pates serigraphiables et procede de mise en oeuvre
US4219448A (en) * 1978-06-08 1980-08-26 Bernd Ross Screenable contact structure and method for semiconductor devices
US4163678A (en) * 1978-06-30 1979-08-07 Nasa Solar cell with improved N-region contact and method of forming the same
JPS55103775A (en) * 1979-02-02 1980-08-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of semiconductor device
NL7905817A (nl) * 1979-07-27 1981-01-29 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een zonnecel.
US4235644A (en) * 1979-08-31 1980-11-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film silver metallizations for silicon solar cells
US4375007A (en) * 1980-11-26 1983-02-22 E. I. Du Pont De Nemours & Co. Silicon solar cells with aluminum-magnesium alloy low resistance contacts
US4361718A (en) * 1980-12-19 1982-11-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Silicon solar cell N-region metallizations comprising a nickel-antimony alloy
US4342795A (en) * 1980-12-19 1982-08-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Solar cell metallizations comprising a nickel-antimony alloy
DE3340874A1 (de) * 1983-11-11 1985-05-23 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Verfahren zum herstellen einer solarzelle
DE3516117A1 (de) * 1985-05-04 1986-11-06 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Solarzelle

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102119445A (zh) * 2008-08-13 2011-07-06 E.I.内穆尔杜邦公司 用于形成光伏器件的组合物和方法
CN102130106A (zh) * 2010-12-25 2011-07-20 紫光股份有限公司 一种同时进行光电转换和热电转换的太阳能电池

Also Published As

Publication number Publication date
CN86102568B (zh) 1988-06-08
DE3612085C2 (zh) 1992-09-10
JPS6249676A (ja) 1987-03-04
DE3612085A1 (de) 1987-03-05
JPH0346985B2 (zh) 1991-07-17
US4737197A (en) 1988-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN86102568A (zh) 具有金属涂料接头的太阳电池
US5279682A (en) Solar cell and method of making same
US6091019A (en) Photovoltaic element and manufacturing method thereof
DE102004013833B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Solarzellenmoduls
US8253011B2 (en) Semiconductor substrate, electrode forming method, and solar cell fabricating method
JP3255921B2 (ja) 改良した太陽電池及びその製作方法
US4256513A (en) Photoelectric conversion device
US5178685A (en) Method for forming solar cell contacts and interconnecting solar cells
US5698451A (en) Method of fabricating contacts for solar cells
EP0221767A2 (en) Fault tolerant thin-film photovoltaic cell
US4781766A (en) Fault tolerant thin-film photovoltaic cell and method
JP2002511190A (ja) シリコン太陽電池および他のデバイス用の自己ドーピング陰極および陽極のための方法および装置
US4543443A (en) Method for manufacturing finger electrode structures forming electric contacts at amorphous silicon solar cells
WO2013100084A1 (ja) 電極用導電性ペースト、太陽電池および太陽電池の製造方法
US4486232A (en) Electrode material for semi-conductor devices
JPS61208701A (ja) 導電ペ−スト
CN108701504A (zh) 导电性糊剂和太阳能电池
JPH06209115A (ja) 太陽電池の半田部形成方法
US5411601A (en) Substrate for solar cell and solar cell employing the substrate
JPH0446468B2 (zh)
US5395457A (en) Photovoltaic device and method of manufacturing the same
US4361718A (en) Silicon solar cell N-region metallizations comprising a nickel-antimony alloy
US4342795A (en) Solar cell metallizations comprising a nickel-antimony alloy
JPH0337751B2 (zh)
JPH023555B2 (zh)

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C13 Decision
GR02 Examined patent application
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CX01 Expiry of patent term