KR20090046301A - 단결정 기판 제조방법 및 이를 이용한 태양전지 제조방법 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title abstract description 56
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 66
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 66
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 34
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 17
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 17
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 8
- 230000004927 fusion Effects 0.000 abstract 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 11
- 239000008710 crystal-8 Substances 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011532 electronic conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 oxide Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/14—Crucibles or vessels
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
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- H—ELECTRICITY
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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Abstract
본 발명은 단결정 실리콘 기판을 형성하기 위한 기판 제조방법 및 이를 이용한 태양전지 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 단결정 기판 제조방법은, 사각형상의 틀을 준비하는 단계; 상기 준비된 틀 내에 다결정의 실리콘 융해액을 주입하는 단계; 상기 실리콘 융해액을 냉각시켜 다결정화시키는 단계; 및 상기 틀의 어느 한 모서리로부터 이와 마주하는 모서리로 발열체를 이동시켜 단결정의 실리콘 기판을 형성하는 단계;를 포함하여 단결정 기판 제조공정을 단순화시키고 재료비를 절감시킬 수 있는 효과가 있다.
다결정, 단결정, 기판, 태양전지, 발열체, 불순물, 실리콘 융해액
Description
본 발명은 단결정 기판 제조방법 및 이를 이용한 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 사각형상의 틀에 실리콘 융해액을 주입하여 실리콘 융해액을 굳히고 틀의 어느 한 모서리로부터 이와 대응되는 모서리로 발열체를 이동시킴으로써 다결정의 실리콘 융해액을 단결정의 실리콘 기판으로 형성하기 위한 단결정 기판 제조방법 및 상기 단결정 기판을 이용하여 태양전지를 제조하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 태양전지의 발전원리는 적당한 에너지를 갖는 광이 단결정 실리콘 또는 비결정 실리콘 반도체층에 입사되면 입사된 광과 상기 반도체층과의 상호 작용에 의해 전자와 정공이 발생되고, 상기 반도체층 중 PN 접합에 따른 전계가 있을 경우 전자와 정공이 각기 N형 반도체층과 P형 반도체층에 확산하게 되며 이때 양 전극을 결선함으로써 전력을 생산할 수 있게 된다.
이와 같은 발전원리의 태양전지를 소형배터리로 제작하여 휴대용 소형전자제품의 전원으로 적용하여 왔는데, 최근 전자 및 반도체 기술 등이 급격히 진보됨에 따라 태양전지의 특성향상과 비용절감을 중심으로 활발한 연구개발이 이루어져 왔다.
이하, 관련도면을 참조하여 단결정을 갖는 기판의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 종래 기술에 의한 단결정 실리콘 인상장치의 단면도이고, 도 2는 종래 기술에 의한 단결정 실리콘의 절단공정을 나타낸 사시도이다.
먼저, 도 1에 도시한 바와 같이, 종래 기술에 의한 단결정 실리콘은 실리콘 인상장치에 의해 제조되는데, 상기 실리콘 인상장치는 수냉식의 금속 챔버(Chamber: 1)를 구비하고, 상기 금속챔버(1)의 중앙 내부에 높은 온도에서도 녹지 않는 물질로 이루어진 도가니(2)가 결합되어 있으며 상기 도가니(2)는 결정 원료가 되는 다결정 실리콘의 융해액(7)을 수용하고 있다.
또한, 상기 도가니(2)의 상부에는 실리콘의 단결정(8)을 유지하는 시드 척(seed chuck: 5)이 위치하며 상기 시드 척(5)은 와이어(6)에 설치되어 상기 와이어(6)의 회전과 상승에 의해 상기 실리콘 종자결정(8)을 상방향으로 회전 상승시킨다.
이러한 인상장치를 이용한 종래 단결정 실리콘 제조방법은, 상기 도가니(2) 내에 실리콘의 고순도 다결정 원료를 수납시키고 상기 도가니(2)를 가열하여 이에 수납된 고순도 다결정 원료를 가열하여 용융시킨다. 이때 상기 다결정 원료의 녹는점은 1420℃ 이기 때문에 상기 온도 이상으로 가열함으로써 다결정 원료를 완전히 녹여 액체상태를 만든다.
그런 다음, 상기 실리콘 융해액의 표면 중심부에 종결정(4)의 선단을 접촉시킨 후 상기 와이어(6)를 감아 올리게 되면 상기 종결정(4)에 실리콘 단결정(8)이 성장하기 시작하게 되고 제조하고자 하는 크기의 실리콘 단결정(8)이 완료되는 시점에 와이어(6)를 상방향으로 끌어올린다.
상기 와이어(6)를 상방향으로 끌어올리게 되면 상기 실리콘 단결정(8)은 시드 척(5)를 중심으로 하여 그 크기를 일정하게 유지하면서 지속적으로 성장하게 되어 긴 원통형으로 제조된다.
도 2에 도시한 바와 같이, 상기 종래 방법에 의해 제조된 실리콘 단결정(8)을 하나의 웨이퍼(wafer)로 각각 제작하기 위하여 절단 공정을 진행하게 되는데 상기 절단 공정은 가는 와이어 커팅이 가능한 절단기(9)를 이용하여 절단함으로써 얇은 두께를 갖는 다수의 실리콘 단결정 웨이퍼(8a)를 제조할 수 있다.
그러나, 상기와 같은 종래 기술에 의한 실리콘 기판 제조방법은 다음과 같은 문제점이 있었다.
상기 다수의 실리콘 단결정 웨이퍼(8a)를 얻기 위해서는 부피가 크고 고가의 인상장치를 사용하여야 하며, 상기 인상장치를 통해 제조되는 실리콘 단결정(8)은 원형으로만 형성되고 상기 실리콘 단결정(8)을 절단하기 위한 절단공정에서 절단기(9)의 와이어 두께에 의해 파편으로 제거되는 현상이 발생하게 됨에 따라 재료비가 상승하는 문제점이 있었다.
또한, 태양전지를 제조하기 위하여 사용되는 태양전지 기판은 원형이 아니라 사각형상이기 때문에 상기 원형의 실리콘 단결정 웨이퍼(8a)를 다시 사각형상으로 절단해야함에 따라 공정이 복잡해지고 수율이 저하되는 문제점이 있었다. 아울러, 태양전지 기판은 효율을 향상시키기 위하여 넓은 표면적을 가져야 하지만 종래 기술에 의한 실리콘 단결정 웨이퍼(8a)는 상기 절단공정에 의해 절단됨에 따라 그 표면이 평평한 면으로 이루어져 이를 태양전지 기판으로 사용할 경우 표면적을 넓히기 위한 에칭 공정을 추가로 진행해야 함에 따라 공정이 복잡해지고 재료비가 상승하는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 사각형상의 틀 에 실리콘 융해액을 주입하여 실리콘 융해액을 굳히고 상기 틀의 어느 한 모서리로부터 이와 대응되는 모서리로 발열체를 이동시킴으로써 다결정의 실리콘 융해액을 단결정의 실리콘 기판으로 형성하기 위한 단결정 기판 제조방법 및 이러한 제조방법에 의해 제조된 단결정 기판을 이용하여 태양전지를 제조하는 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 단결정 기판 제조방법은, 사각형상의 틀을 준비하는 단계; 상기 준비된 틀 내에 다결정의 실리콘 융해액을 주입하는 단계; 상기 실리콘 융해액을 냉각시켜 다결정화시키는 단계; 및 상기 틀의 어느 한 모서리로부터 이와 마주하는 모서리로 발열체를 이동시켜 단결정의 실리콘 기판을 형성하는 단계;를 포함하여 단결정 기판의 제조 공정을 단순화시킬 수 있는 효과가 있다.
이때, 상기 틀은 상기 실리콘 융해액 보다 높은 녹는점을 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하고, 상기 틀은 텡스텐 또는 산화물로 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 발열체는 상기 실리콘 융해액의 녹는점 보다 높은 온도를 발열하며 길이방향으로 길게 형성된 막대형상으로 이루어진 것을 특징으로 한다. 특히, 상기 발열체는 상기 틀의 서로 마주하는 모서리 사이의 간격보다 더 길게 형성되어 상기 틀 내에 굳으면서 형성된 단결정 실리콘을 용이하게 융해시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.
아울러, 상기 목적을 달성하기 위한 단결정 기판을 이용한 태양전지 제조방 법은, 사각형상의 틀 내에 다결정의 실리콘 융해액을 주입하는 단계; 상기 실리콘 융해액을 냉각시켜 다결정화시키는 단계; 상기 틀의 어느 한 모서리로부터 이와 마주하는 모서리로 발열체를 이동시켜 단결정의 실리콘 기판을 형성하는 단계; 상기 단결정의 실리콘 기판 상에 하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극 상에 PN 접합층을 형성하는 단계; 및 상기 PN 접합층 상에 상부전극을 형성하는 단계; 를 포함하여 태양전지의 제조공정을 단순화시킬 수 있는 효과가 있다.
이때, 상기 틀은 상기 실리콘 융해액 보다 높은 녹는점을 갖는 물질로 이루어지고 상기 틀은 상기 실리콘 융해액 보다 높은 녹는점을 갖는 텡스텐 또는 산화물로 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 발열체는 상기 실리콘 융해액의 녹는점 보다 높은 온도를 발열하는 것을 특징으로 하고, 길이방향으로 길게 형성된 막대형상으로 이루어지며 상기 틀의 서로 마주하는 모서리 사이의 간격보다 더 길게 형성되어 상기 틀 내에 굳으면서 형성된 단결정 실리콘을 용이하게 융해시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 하부전극은 알루미늄 또는 은을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하고, 상기 상부전극은 투명한 ITO 전극을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
특히, 상기 상부전극 상에 반사방지막을 형성하는 단계를 더 포함하여 태양전지 외부로 반사되어 방출되는 빛을 차단시킴으로써 태양전지의 전력 생산효율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명에 따른 단결정 기판 제조방법 및 이를 이용한 태양전지 제조방법은, 사각형상의 틀에 실리콘 융해액을 주입하여 실리콘 융해액을 굳히고 틀의 어느 한 모서리로부터 이와 대응되는 모서리로 발열체를 이동시킴으로써 다결정의 실리콘 융해액을 단결정의 실리콘 기판으로 형성함에 따라 제조공정을 줄일 수 있으며, 부피가 큰 인상장치를 사용하지 않고 절단 공정을 진행하지 않게 됨에 따라 재료비를 줄일 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 실리콘 융해액 내에 포함되어 있는 불순물을 단결정화 과정에서 어느 하나의 모서리로 이동시킴에 따라 순도를 높일 수 있으며, 표면이 굴곡지게 형성되어 에칭 공정을 진행하지 않게 됨으로써 공정을 단순화시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명에 따른 단결정 기판 제조방법 및 이를 이용한 태양전지 제조방법 및 그 효과에 관한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예가 도시된 도면을 참조한 아래의 상세한 설명에 의해서 명확하게 이해될 것이다.
단결정 기판 제조방법
이하, 관련도면을 참조하여 본 발명에 따른 단결정 기판의 제조방법에 대하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 단결정 기판의 제조과정을 나타낸 사시도이고, 도 5는 본 발명에 따른 단결정 기판의 단면도이다.
본 발명에 따른 단결정 기판 제조방법은, 도 3에 도시한 바와 같이, 우선, 사각형상의 틀(10)에 다결정의 실리콘 융해액(20)을 주입한다.
이때, 상기 틀(10)은 상기 실리콘 융해액(20) 보다 높은 녹는점을 갖는 물질로 이루어져 상기 실리콘 융해액(20)이 주입되어도 이에 의해 녹지 않고 형태를 그대로 유지하는 것이 바람직하다.
특히, 상기 틀(10)은 상기 실리콘 융해액(20)의 녹는점 보다 높은 녹는점을 갖는 물질인 텅스텐(tungsten), 산화물 또는 그라파이트(Graphite) 중 선택된 어느 하나의 물질로 이루어짐으로써 상기 실리콘 융해액(20)에 의해 그 형태가 변하지 않는 것이 바람직하다.
상기 다결정의 실리콘 융해액(20)을 상기 틀(10)에 주입한 다음, 도 4에 도시한 바와 같이, 상온에서 소정의 시간 동안 냉각시키면서 상기 실리콘 융해액(20)을 상기 틀(10)과 동일한 사각형상으로 굳힘으로써 얇은 두께의 다결정 실리콘(25)을 형성하게 된다.
이때, 상기 다결정 실리콘(25)의 두께는 상기 틀(10)에 주입되는 실리콘 융해액(20)의 양에 따라 조절 가능함으로써 얇은 두께의 다결정 실리콘(25)을 형성할 수 있는 이점이 있다.
이렇게 상기 실리콘 융해액(20)이 굳게 되면 이의 결정은 다결정을 갖게 되며 상기 실리콘 융해액(20) 내에 포함되어 있던 불순물들이 그대로 굳게 되어 순도 가 낮은 다결정 실리콘(25)이 형성된다.
상기 실리콘 융해액(20)이 틀(10) 내에 완전히 굳어 다결정 실리콘(25)으로 형성된 후, 발열체(30)를 상기 틀(10)의 어느 한 모서리에 위치시킨다. 그런 다음 상기 발열체(30)가 위치한 모서리에서 이와 대응되는 위치의 모서리까지 'A' 방향으로 상기 발열체(30)를 서서히 이동시킨다.
이때, 상기 발열체(30)는 상기 굳어진 실리콘 융해액(20) 즉, 다결정 실리콘(25)을 다시 녹일 수 있는 온도까지 열을 발할 수 있는 물질로 이루어져 상기 틀(10) 상에 위치함으로써 상기 틀(10) 하부에 위치하는 다결정 실리콘(25)을 녹이며, 길이방향으로 길게 형성된 막대형상으로써 서로 대응되는 모서리의 간격보다 길게 형성되어 틀(10) 내의 모든 영역에 열을 전달할 수 있다.
즉, 상기 실리콘 융해액(20)이 모두 굳게 되어 상기 틀(10) 내의 모든 실리콘 융해액(20)이 다결정 실리콘(25)으로 형성되면 상기 발열체(30)를 상기 틀(10)의 모서리 중 어느 한 모서리에 위치시킨다. 그런 다음 상기 발열체(30)를 가열하면 상기 발열체(30)로부터 발산되는 열에 의해 상기 발열체(30)가 위치한 모서리의 다결정 실리콘(25)이 녹게 된다.
이 상태에서 상기 발열체(30)를 'A' 방향으로 서서히 이동시키면 상기 모서리의 다결정 실리콘(25)은 녹았다가 다시 굳어지면서 단결정 실리콘(27)으로 형성되고 상기 다결정 실리콘(25) 내에 포함되어 있던 불순물을 발열체(30)가 위치하여 융해되는 영역으로 밀어낸다.
상기 발열체(30)를 지속적으로 'A' 방향으로 이동시키게 되면 상기 발열 체(30)에 의해 녹았다가 다시 굳어지는 다결정 실리콘(25)은 상기 모서리의 단결정에 영향을 받아 모두 단결정으로 다시 굳어지고 불순물은 밀어냄으로써 도 5에 도시한 바와 같이, 단결정으로 이루어진 얇은 단결정 기판(40)을 얻을 수 있다. 그리고, 이와 동시에 단결정 실리콘(27)은 불순물을 포함하지 않아 순도가 높아지는 이점이 있다.
특히, 상기와 같은 본 발명에 따라 제조된 단결정 기판(40)은 상기 다결정 실리콘(25)이 녹았다가 다시 굳어지면서 형성되었기 때문에 그 상부가 평평하지 않고 도시한 'B'와 같이 울퉁불퉁한 형상으로 이루어진다.
이에 따라, 상기 단결정 기판(40)을 이용하여 태양전지를 제조하게 될 경우 하부기판의 표면적을 넓히기 위해 하부기판의 상부 표면에 에칭 공정을 진행하지 않아도 되기 때문에 공정을 단순화시킬 수 있는 이점이 있다.
또한, 상기 틀(10) 내에 주입되는 실리콘 융해액(20)의 양만을 조절함으로써 단결정 기판(40)의 두께를 조절할 수 있게 됨에 따라 얇은 두께의 단결정 기판(40)을 제조할 수 있게 되어 상기 단결정 기판(40)을 사용하는 장치의 크기를 줄일 수 있는 장점이 있다.
아울러, 종래 기술과 같이 부피가 큰 인상장치를 통해 단결정 기판을 제조하는 것이 아니라, 사각형상의 틀(10)에 실리콘 융해액(20)을 주입한 후 발열체(30)를 이용하여 단결정 기판(40)을 형성함으로써 단결정 기판(40)의 제조공정을 단순화시킬 수 있는 효과가 있다.
단결정 기판을 이용한 태양전지 제조방법
이하, 관련도면을 참조하여 본 발명에 따른 단결정 기판을 이용한 태양전지 제조방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 6 내지 도 8은 본 발명에 따른 태양전지의 제조방법을 나타낸 공정 단면도이다.
우선, 상술한 본 발명에 따른 단결정 기판 제조방법에 따라 진행하여 얇은 두께를 갖는 단결정 기판(40)을 형성한다.
그런 다음, 상기 단결정 기판(40) 상에 하부전극(41)을 형성한다. 이때, 상기 하부전극(41)은 투명한 전도성 물질을 이용하여 형성하며, 상기 투명한 전도성 물질로는 ITO 전극을 사용하는 것을 특징으로 한다.
상기 단결정 기판(40) 상에 하부전극(41)을 형성한 후, 상기 하부전극(41) 상에 N형 실리콘층(42a)을 형성한다. 상기 N형 실리콘층(42a)은 인(P:Phosphorous) 또는 질소(N:Nitrogen) 등과 같이 N형의 불순물이 도핑(doping)된 층이다.
또한, 상기 N형 실리콘층(42a) 상에 P형 실리콘층(41b)을 형성하는데, 상기 P형 실리콘층(42b)은 붕소(Boron) 등의 제3족 원소인 P형 불순물이 도핑된 층이다. 이렇게 형성된 N형 및 P형 실리콘층(42a, 42b)은 PN 접합층(42)을 이루게 되고 상기 PN 접합층(42)은 플라즈마 CVD(Plasma Chemical Vapor Deposition) 공정 또는 유도결합형 플라즈마 CVD 공정을 통하여 형성할 수 있다.
이렇게 형성된 PN 접합층(42)은 외부로부터 입사되는 빛과의 상호작용에 의해 전자와 정공이 발생되고, 상기 발생된 전자는 N형 실리콘층(42a)으로 확산하고 상기 정공은 P형 실리콘층(42b)으로 각각 확산하게 된다. 이때, 상기 N형 실리콘층(42a)와 P형 실리콘층(42b)을 전기적으로 결선하게 되면 상기 전자와 정공의 이동에 의해 소정의 전력이 생성된다.
특히, 상기 'B'와 같이 울퉁불퉁한 요철형상에 의해 상기 단결정 기판(40)의 표면적이 종래 웨이퍼의 평평한 면일 경우의 표면적 보다 넓게 되어 전자 및 정공의 형성 영역이 넓어지게 됨에 따라 더 많은 전력의 생산이 가능하게 됨으로써 전력 효율을 증가시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 상기 단결정 기판(40)은 상부 표면 자체가 'B'와 같이 울퉁불퉁하게 형성되어 있기 때문에 종래의 태양전지 제조과정 중 요철형상을 형성하기 위한 별도의 에칭 공정을 진행하지 않아도 됨에 따라 제조공정을 단축시킬 수 있는 효과가 있다.
상기와 같이 형성된 PN 접합층(42)을 상기 하부전극(41) 상에 형성한 후, 상기 PN 접합층(42) 상에 전도성 물질로 이루어진 상부전극(43)을 형성한다. 이때, 상기 상부전극(43)은 외부로부터 입사되는 빛을 상기 PN 접합층(42)으로 통과시키기 위해 투명 전극을 사용하여 형성하고, 상기 하부전극(43)과 같이 투명한 전도성 전극인 ITO 전극을 사용하여 상부전극(43)을 형성하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 상부전극(43)을 형성하는 방법은 스퍼터링(Spattering) 공정 또는 진공증착법 중 선택된 어느 하나의 방법을 사용한다.
한편, 도 8에 도시한 바와 같이, 상기 상부전극(43) 상에 외부로부터 입사되는 빛이 상기 하부전극(41)에 의해 반사되어 외부로 방출되는 것을 방지하기 위한 반사방지막(44)을 더 형성할 수 있다. 이때, 상기 반사방지막(44)은 상기 하부전극(41)에 의해 반사되어 외부로 방출되는 빛을 차단시킴으로써 태양전지의 전력 생산 효율을 증가시킬 수 있는 장점이 있다.
상기와 같은 단결정 기판(40)을 이용한 태양전지 제조방법은, 종래 종자결정이 단결정을 이루는 단결정 실리콘(8)을 절단 공정을 통해 평평한 면을 갖는 단결정 웨이퍼(8a)를 얻는 것에 비하여 사각형상의 틀(10)에 다결정의 실리콘 융해액(10)을 주입한 후 발열체(30)을 이동시킴으로써 간단하게 단결정 실리콘(B)을 형성할 수 있게 됨에 따라 제조공정을 단축시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 태양전지 제조방법은 단결정 기판(40)의 상부가 울퉁불퉁한 요철형상으로 형성되어 있기 때문에 표면적을 넓히기 위한 별도의 에칭 공정을 진행하지 않아도 됨에 따라 제조공정을 단축시킬 수 있으며, 상기 실리콘 융해액(20)의 양에 따라 단결정 기판(40)의 두께를 결정할 수 있기 때문에 얇은 두께의 단결정 기판(40)을 형성할 수 있는 효과가 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이러한 치환, 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
도 1은 종래 기술에 의한 단결정 실리콘 인상장치의 단면도.
도 2는 종래 기술에 의한 단결정 실리콘의 절단공정을 나타낸 사시도.
도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 단결정 기판의 제조과정을 나타낸 사시도.
도 5는 본 발명에 따른 단결정 기판의 단면도.
도 6 내지 도 8은 본 발명에 따른 태양전지의 제조방법을 나타낸 공정 단면도.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
10 : 틀 20 : 실리콘 융해액
30 : 발열체 40 : 기판
41 : 하부전극 42a : N형 실리콘층
42b : P형 실리콘층 42 : PN 접합층
43 : 상부전극
Claims (15)
- 사각형상의 틀을 준비하는 단계;상기 준비된 틀 내에 다결정의 실리콘 융해액을 주입하는 단계;상기 실리콘 융해액을 냉각시켜 다결정화시키는 단계; 및상기 틀의 어느 한 모서리로부터 이와 마주하는 모서리로 발열체를 이동시켜 단결정의 실리콘 기판을 형성하는 단계;를 포함하는 기판 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 틀은 상기 실리콘 융해액 보다 높은 녹는점을 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 제조방법.
- 제2항에 있어서,상기 틀은 텡스텐, 산화물 또는 그라파이트 중 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 발열체는 상기 실리콘 융해액의 녹는점 보다 높은 온도를 발열하는 것을 특징으로 하는 기판 제조방법.
- 제4항에 있어서,상기 발열체는 길이방향으로 길게 형성된 막대형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 제조방법.
- 제5항에 있어서,상기 발열체는 상기 틀의 서로 마주하는 모서리 사이의 간격보다 더 긴 것을 특징으로 하는 기판 제조방법.
- 사각형상의 틀 내에 다결정의 실리콘 융해액을 주입하는 단계;상기 실리콘 융해액을 냉각시켜 다결정화시키는 단계;상기 틀의 어느 한 모서리로부터 이와 마주하는 모서리로 발열체를 이동시켜 단결정의 실리콘 기판을 형성하는 단계;상기 단결정의 실리콘 기판 상에 하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극 상에 PN 접합층을 형성하는 단계; 및상기 PN 접합층 상에 상부전극을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 틀은 상기 실리콘 융해액 보다 높은 녹는점을 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 틀은 텡스텐, 산화물 또는 그라파이트 중 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 발열체는 상기 실리콘 융해액의 녹는점 보다 높은 온도를 발열하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 발열체는 길이방향으로 길게 형성된 막대형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
- 제11항에 있어서,상기 발열체는 상기 틀의 서로 마주하는 모서리 사이의 간격보다 더 긴 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 하부전극은 알루미늄 또는 은을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 상부전극은 투명한 ITO 전극을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 상부전극 상에 반사방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070112343A KR20090046301A (ko) | 2007-11-05 | 2007-11-05 | 단결정 기판 제조방법 및 이를 이용한 태양전지 제조방법 |
| US12/155,156 US20090117683A1 (en) | 2007-11-05 | 2008-05-30 | Method of manufacturing single crystal substate and method of manufacturing solar cell using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070112343A KR20090046301A (ko) | 2007-11-05 | 2007-11-05 | 단결정 기판 제조방법 및 이를 이용한 태양전지 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090046301A true KR20090046301A (ko) | 2009-05-11 |
Family
ID=40588487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070112343A KR20090046301A (ko) | 2007-11-05 | 2007-11-05 | 단결정 기판 제조방법 및 이를 이용한 태양전지 제조방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090117683A1 (ko) |
| KR (1) | KR20090046301A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108609864A (zh) * | 2016-12-12 | 2018-10-02 | 银川隆基硅材料有限公司 | 一种镀膜隔热反光石英热屏及其制备方法 |
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|---|---|---|---|---|
| KR101131485B1 (ko) * | 2010-08-02 | 2012-03-30 | 광주과학기술원 | 무반사를 위한 나노구조의 제조방법 및 무반사 나노구조가 집적된 광소자의 제조방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| GB2086135B (en) * | 1980-09-30 | 1985-08-21 | Nippon Telegraph & Telephone | Electrode and semiconductor device provided with the electrode |
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-
2007
- 2007-11-05 KR KR1020070112343A patent/KR20090046301A/ko not_active Application Discontinuation
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- 2008-05-30 US US12/155,156 patent/US20090117683A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20090117683A1 (en) | 2009-05-07 |
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