CN219476679U - 互连超薄型集成电路封装结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种互连超薄型集成电路封装结构，包括由金属引脚、连接金属及集成电路组成的封装结构，集成电路设置于由连接金属围合的区域内，金属引脚连接于连接金属的内边，且连接金属与金属引脚位于同一平面上，金属引脚的另一端与设置于集成电路上的I/O点连接。本实用新型解决了现有技术中的集成电路封装结构在高频高功率时的散热、电性漂移及衰减问题。

Description

互连超薄型集成电路封装结构

技术领域

本实用新型涉及集成电路封装领域，特别涉及一种互连超薄型集成电路封装结构。

背景技术

在集成电路领域中，封装是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。利用一系列技术，将芯片在框架上布局粘贴固定及连接，引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺。通俗的说就是给芯片加一个外壳并固定在电路板上。在目前的第三代半导体的5G应用，以及GaN,SiC新材料技术应用中，集成电路封装对高频高功率散热和电性漂移，及电性衰减的要求越来越高，而传统的铜线或金线互连方法无法解决高频率、高功率的集成电路在封装中的热集中，和电性漂移、衰减问题。

实用新型内容

本实用新型技术方案旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的主要目的在于提供一种互连超薄型集成电路封装结构，旨在解决现有技术中的集成电路封装结构在高频高功率时的散热、电性漂移及衰减问题。

为实现上述目的，本实用新型提供一种互连超薄型集成电路封装结构，包括由金属引脚、连接金属及集成电路组成的封装结构，所述集成电路设置于由所述连接金属围合的区域内，所述金属引脚连接于所述连接金属的内边，且所述连接金属与所述金属引脚位于同一平面上，所述金属引脚的另一端与设置于所述集成电路上的I/O点连接。

作为本实用新型再进一步的方案，金属引脚设置于所述连接金属内的双侧及四边。

作为本实用新型再进一步的方案，封装结构整体为金属铜结构，且所述封装结构厚度为0.12mm-0.50mm。

作为本实用新型再进一步的方案，金属引脚连接处外形与所述I/O点位置对应设置。

作为本实用新型再进一步的方案，金属引脚的宽度最小为0.12mm。

作为本实用新型再进一步的方案，金属引脚外部覆盖位置为双面蚀刻结构，且背面蚀刻厚度最大为所述封装结构的1/2，正面蚀刻厚度最大为0.05mm。

本实用新型的有益效果如下：

本实用新型提出的互连超薄型集成电路封装结构，采用集成电路I/O凸点直接与管脚互连，缩短集成电路与外部I/O互连距离，增加互连接触面积，比传统采用微米级的金线或铜线微连接方法，更短的I/O互连距离，集成电路输出电参更接近芯片设计数据，输出更稳定；更大的输出接触面积，克服了微米金铜线电阻损耗，可以满足高频，大功率集成电路封装需求。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型技术方案实施例或现有技术中的实用新型技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型技术方案的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本实用新型的封装结构局部剖面示意图。

【主要部件/组件附图标记说明表】

具体实施方式

为了使本实用新型技术方案的目的、实用新型技术方案的优点更加清楚明白，下面将结合本实用新型技术方案实施例中的附图，对本实用新型技术方案实施例中的实用新型技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型技术方案的一部分实施例，而不是全部的实施例。

基于本实用新型技术方案中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型技术方案保护的范围。

需要说明，本实用新型技术方案实施例中所有方向性指示(例如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定状态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

在本实用新型技术方案中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。

在本实用新型技术方案的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型技术方案中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体成型；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型技术方案中的具体含义。

另外，本实用新型技术方案中各个实施例之间的实用新型技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当实用新型技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种实用新型技术方案的结合不存在，也不在本实用新型技术方案要求的保护范围之内。

本实用新型的具体实施例如下：

请参阅附图1，

主要结构包括：

由金属引脚102、连接金属101及集成电路104组成的封装结构100，集成电路104设置于由连接金属101围合的区域内，金属引脚102连接于连接金属101的内边，且连接金属101与金属引脚102位于同一平面上，金属引脚102的另一端与设置于集成电路104上的I/O点103连接。

若干个金属引脚102通过半蚀刻处理的连接金属101固定在一个平面，使之不变形和散落。

工作原理如下：

本技术方案提供的互连超薄型无引脚引线框，开发设计周期短，可实现快速方案验证，应对市场快速更迭要求；通过采用集成电路104I/O凸点直接与管脚互连，缩短集成电路104与外部I/O互连距离，增加互连接触面积，比传统采用微米级的金线或铜线微连接方法，更短的I/O互连距离，集成电路104输出电参更接近芯片设计数据，输出更稳定；更大的输出接触面积，克服了微米金铜线电阻损耗，可以满足高频，大功率集成电路104封装需求；这种互连超薄型无引脚引线框，可实现封装尺寸与芯片尺寸接近1:1尺寸，使封装尺寸更小，取消粘片工序，节约粘片工序人员和设备，生产工时，生产周期短，可替代焊线工艺，使封装体积可以做的更薄，生产成本更低，产品可靠性更高。

本实用新型中一个较佳的实施例：金属引脚102设置于连接金属101内的双侧及四边。

本实用新型中一个较佳的实施例：封装结构100整体为金属铜结构，且封装结构100厚度为0.12mm-0.50mm。

本实用新型中一个较佳的实施例：金属引脚102连接处外形与I/O点103位置对应设置。

本实用新型中一个较佳的实施例：金属引脚102的宽度最小为0.12mm。

本实用新型中一个较佳的实施例：金属引脚102外部覆盖位置为双面蚀刻结构，且背面蚀刻厚度最大为封装结构100的1/2，正面蚀刻厚度最大为0.05mm。

而金属引脚102在集成电路104上的I/O点103对应位置不做正面蚀刻设计，增加金属引脚102与集成电路104非I/O点103互连区域的间隙，保证安全电性距离。

以上仅为本实用新型技术方案的优选实施例，并非因此限制本实用新型技术方案的专利范围，凡是在本实用新型技术方案的实用新型技术方案构思下，利用本实用新型技术方案说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型技术方案的专利保护范围内。

Claims (6)

1.一种互连超薄型集成电路封装结构，其特征在于，包括

由金属引脚、连接金属及集成电路组成的封装结构，所述集成电路设置于由所述连接金属围合的区域内，所述金属引脚连接于所述连接金属的内边，且所述连接金属与所述金属引脚位于同一平面上，所述金属引脚的另一端与设置于所述集成电路上的I/O点连接。

2.根据权利要求1所述的互连超薄型集成电路封装结构，其特征在于，所述金属引脚设置于所述连接金属内的双侧及四边。

3.根据权利要求1所述的互连超薄型集成电路封装结构，其特征在于，所述封装结构整体为金属铜结构，且所述封装结构厚度为0.12mm-0.50mm。

4.根据权利要求1所述的互连超薄型集成电路封装结构，其特征在于，所述金属引脚连接处外形与所述I/O点位置对应设置。

5.根据权利要求1所述的互连超薄型集成电路封装结构，其特征在于，所述金属引脚的宽度最小为0.12mm。

6.根据权利要求1所述的互连超薄型集成电路封装结构，其特征在于，所述金属引脚外部覆盖位置为双面蚀刻结构，且背面蚀刻厚度最大为所述封装结构的1/2，正面蚀刻厚度最大为0.05mm。