CN218585980U - 一种新型半导体封装结构 - Google Patents
一种新型半导体封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN218585980U CN218585980U CN202222784530.2U CN202222784530U CN218585980U CN 218585980 U CN218585980 U CN 218585980U CN 202222784530 U CN202222784530 U CN 202222784530U CN 218585980 U CN218585980 U CN 218585980U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chip
- metal
- contact hole
- layer
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Abstract
本申请实施例提供了一种新型半导体封装结构，包括：引线框架，芯片和塑封层；所述芯片通过连接层固定在所述引线框架上，所述塑封层包覆在所述芯片和引线框架周围，在所述芯片上表面的塑封层中设置有第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔中设置有第一金属，所述第二接触孔中设置有第二金属，所述第一金属与所述芯片通过芯片导电保护层进行电连接，所述第二金属与所述引线框架进行电连接。本申请实施例芯片封装结构有利于芯片的散热，同时也利于芯片的在不同场景下的应用。
Description
技术领域
本申请实施例属于半导体技术领域，具体涉及一种新型半导体封装结构。
背景技术
现有技术中，芯片的封装结构芯片不是全部都在芯片的正面，有些会在芯片的背面，此种封装结构不利于芯片的散热和导电，同时也不利于芯片的在不同场景下的应用。
实用新型内容
本申请实施例的目的在于提供一种新型半导体封装结构。用以解决或缓解上述由于现有技术中的问题。
为实现上述目的，本申请实施例提供了一种新型半导体封装结构，包括：引线框架，芯片和塑封层；
所述芯片通过连接层固定在所述引线框架上，所述塑封层包覆在所述芯片和引线框架周围，在所述芯片上表面的塑封层中设置有第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔中设置有第一金属，所述第二接触孔中设置有第二金属，所述第一金属与所述芯片通过芯片导电保护层进行电连接，所述第二金属与所述引线框架进行电连接。
作为本申请一优选实施例，所述连接层为胶体或焊锡。
作为本申请一优选实施例，所述第一金属和第二金属为金属铜。
作为本申请一优选实施例，所述芯片导电保护层为镍金层。
作为本申请一优选实施例，所述第一接触孔为三个，所述第一接触孔为一个。
作为本申请一优选实施例，三个所述第一接触孔和一个第二接触孔的深度不同。
作为本申请一优选实施例，所述第二接触孔的深度大于第一接触孔的深度。
作为本申请一优选实施例，通过所述第一接触孔的第一金属引出第一电极和第二电极，通过所述第二接触孔的第二金属引出第三电极。
与现有技术相比，本申请实施例提供了一种新型半导体封装结构，包括：引线框架，芯片和塑封层；所述芯片通过连接层固定在所述引线框架上，所述塑封层包覆在所述芯片和引线框架周围，在所述芯片上表面的塑封层中设置有第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔中设置有第一金属，所述第二接触孔中设置有第二金属，所述第一金属与所述芯片通过芯片导电保护层进行电连接，所述第二金属与所述引线框架进行电连接。本申请实施例芯片封装结构有利于芯片的散热和导电。
附图说明
图1为本申请一实施例提供的一种新型半导体封装结构结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
如图1所示，本申请实施例提供了一种新型半导体封装结构，包括：引线框架02，芯片07和塑封层01；
所述芯片07通过连接层04固定在所述引线框架02上，通过连接层 04可以将芯片07固定在引线框架02上，在本申请实施例中，连接层04 为胶体，所述塑封层01包覆在所述芯片07和引线框架02周围，这样可以将引线框架02的背面也进行包覆，在所述芯片07上表面的塑封层01 中通过激光打孔形成多个第一接触孔06和第二接触孔05，为了实现芯片07与引线框架02的电连接，在所述第一接触孔06中填充第一金属，所述第二接触孔05中填充第二金属，为了保护芯片07在芯片07的表面设置有芯片07导电保护层，所述第一金属与所述芯片07通过芯片07导电保护层进行电连接，所述第二金属与所述引线框架02进行电连接，在本申请实施例中，所述芯片导电保护层(未示出)为镍金层。
在本申请实施例中，所述第一金属和第二金属为金属铜，也可以为其它金属本申请实施例对此不做限制。
具体的，所述第一接触孔06为三个，所述第一接触孔06为一个。
在本申请一实施例中，三个所述第一接触孔06和一个第二接触孔05 的深度不同。
在本申请实施例中，由于芯片07设置在所述引线框架02上，所述第二接触孔05的深度大于第一接触孔06的深度。
在本申请实施例中，通过所述第一接触孔06的第一金属和第一金属层08引出第一电极和第二电极，其中，第一电极为芯片07的源极和栅极，通过所述第二接触孔05的第二金属和第二金属层03引出第三电极，所述第三电极为芯片07的漏极。
通过本申请实施例提供的一种半导体的封装结构，有利于芯片的散热和导电。
虽然，本文中已经用一般性说明及具体实施例对本申请作了详尽的描述，但在本申请基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本申请精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本申请要求保护的范围。
Claims (8)
1.一种新型半导体封装结构，其特征在于，包括：引线框架，芯片和塑封层；
所述芯片通过连接层固定在所述引线框架上，所述塑封层包覆在所述芯片和引线框架周围，在所述芯片上表面的塑封层中设置有第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔中设置有第一金属，所述第二接触孔中设置有第二金属，所述第一金属与所述芯片通过芯片导电保护层进行电连接，所述第二金属与所述引线框架进行电连接。
2.如权利要求1所述的一种新型半导体封装结构，其特征在于，所述连接层为胶体或焊锡。
3.如权利要求1所述的一种半导体的封装结构，其特征在于，所述第一金属和第二金属为金属铜。
4.如权利要求1所述的一种半导体的封装结构，其特征在于，所述芯片导电保护层为镍金层。
5.如权利要求1所述的一种半导体的封装结构，其特征在于，所述第一接触孔为三个，所述第一接触孔为一个。
6.如权利要求1所述的一种半导体的封装结构，其特征在于，四个所述第一接触孔和第二接触孔的深度不同。
7.如权利要求1所述的一种半导体的封装结构，其特征在于，所述第二接触孔的深度大于第一接触孔的深度。
8.如权利要求1所述的一种半导体的封装结构，其特征在于，通过所述第一接触孔的第一金属引出第一电极和第二电极，通过所述第二接触孔的第二金属引出第三电极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202222784530.2U CN218585980U (zh) | 2022-10-21 | 2022-10-21 | 一种新型半导体封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202222784530.2U CN218585980U (zh) | 2022-10-21 | 2022-10-21 | 一种新型半导体封装结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN218585980U true CN218585980U (zh) | 2023-03-07 |
Family
ID=85374960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202222784530.2U Active CN218585980U (zh) | 2022-10-21 | 2022-10-21 | 一种新型半导体封装结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN218585980U (zh) |
-
2022
- 2022-10-21 CN CN202222784530.2U patent/CN218585980U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20010045644A1 (en) | Semiconductor package having heat sink at the outer surface | |
| WO2015043499A1 (zh) | 一种半导体封装结构及其成型方法 | |
| CN102983114B (zh) | 具有超薄封装的高性能功率晶体管 | |
| TW563232B (en) | Chip scale package and method of fabricating the same | |
| CN109616452B (zh) | 一种散热组件、相应的散热装置以及相应的电路板 | |
| CN102790140B (zh) | 封装结构及其制作方法 | |
| JP2017139290A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| CN218585980U (zh) | 一种新型半导体封装结构 | |
| CN219435850U (zh) | Mosfet芯片封装结构 | |
| CN102403236B (zh) | 芯片外露的半导体器件及其生产方法 | |
| CN218585975U (zh) | 一种半导体封装结构 | |
| CN214203676U (zh) | 贴片式光伏旁路模块的封装框架 | |
| CN209785910U (zh) | 大电流半导体功率器件 | |
| CN212033002U (zh) | 一种qfn封装导热焊盘及具有其的qfn封装结构 | |
| CN211700253U (zh) | 表面贴装用dfn器件封装结构 | |
| CN209785924U (zh) | 功率器件外壳端子、外壳 | |
| CN211017068U (zh) | 一种半导体封装结构 | |
| CN110164832A (zh) | 大电流半导体功率器件 | |
| CN206789535U (zh) | 一种电力电子器件的扇出型封装结构 | |
| CN216015357U (zh) | 一种低内阻超薄型功率器件的封装结构 | |
| CN219999689U (zh) | 电路板组件 | |
| WO2018018849A1 (zh) | 一种智能功率模块及其制造方法 | |
| US20230209717A1 (en) | Packaging module and electronic device | |
| CN203118935U (zh) | 整流芯片的dfn封装结构 | |
| CN217134355U (zh) | 一种半导体功率器件封装结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |