CN219449849U - 一种核磁共振玻璃管屏蔽涂层装置结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型属于屏蔽涂层技术领域，公开了一种核磁共振玻璃管屏蔽涂层装置结构，包括真空镀膜室，所述真空镀膜室内设置有旋转基片台，所述旋转基片台上设置有核磁共振玻璃管，所述旋转基片台内设有铠装加热器，所述真空镀膜室的顶部设有磁控溅射靶A和磁控溅射靶B，所述真空镀膜室的左侧部设有真空抽气口。本方案的核磁共振玻璃管屏蔽涂层装置结构，通过选择靶材、调节磁控溅射靶的功率及镀膜时间，并调整基片台转速及加热温度，从而使核磁共振玻璃管屏蔽涂层更为均匀、结合力更好。

Description

一种核磁共振玻璃管屏蔽涂层装置结构

技术领域

本实用新型涉及屏蔽涂层技术领域，具体为一种核磁共振玻璃管屏蔽涂层装置结构。

背景技术

公知的，随着科学技术的飞速发展，核磁共振玻璃管屏蔽涂层的技术已经得到普遍应用，在使用核磁共振玻璃管屏蔽涂层时，玻璃管的屏蔽涂层是一个重要的问题，屏蔽涂层的材料、均匀性和附着力不好，会严重影响玻璃管屏蔽涂层的热学和力学性能，核磁共振玻璃管屏蔽涂层是指为了将玻璃管与屏蔽涂层焊接更结实，需要在玻璃管表面生长一层特殊材料，它与玻璃管的生长方式、旋转速度、加热温度等有关，现有的屏蔽涂层主要采用电子束蒸发，但是这种方式结合力不太好，会影响使用效果。

因此，提出一种能够稳定地在玻璃管表面生长更高品质屏蔽涂层的装置结构，成为本领域技术人员的基本诉求。

实用新型内容

本实用新型的目的是解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种核磁共振玻璃管屏蔽涂层装置结构。

为解决上述问题，本实用新型采用如下的技术方案。

一种核磁共振玻璃管屏蔽涂层装置结构，包括真空镀膜室，所述真空镀膜室内设置有旋转基片台，所述旋转基片台上设置有核磁共振玻璃管，所述旋转基片台内设有铠装加热器，所述真空镀膜室的顶部设有磁控溅射靶A和磁控溅射靶B，所述真空镀膜室的左侧部设有真空抽气口。

相比于现有技术，本实用新型的优点在于：

本方案的核磁共振玻璃管屏蔽涂层装置结构，通过选择靶材、调节磁控溅射靶的功率及镀膜时间，并调整基片台转速及加热温度，从而使核磁共振玻璃管屏蔽涂层更为均匀、结合力更好。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图中标号说明：

1、真空镀膜室；2、旋转基片台；3、核磁共振玻璃管；4、铠装加热器；5、磁控溅射靶A；6、磁控溅射靶B；7、真空抽气口。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述；显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，核磁共振玻璃管屏蔽涂层装置结构，包括真空镀膜室1、旋转基片台2和核磁共振玻璃管3，在基片台2内设有铠装加热器4，在真空镀膜室1的顶部设有磁控溅射靶A5和磁控溅射靶B6，在真空镀膜室1的左侧部设有真空抽气口7。

上述结构，在使用时，根据需要抽真空、加热、当真空度和加热温度达到工作条件后，打开磁控溅射靶A5，磁控溅射靶B6，通过调节镀膜时间和镀膜功率调节镀膜厚度，即可在核磁共振玻璃管表面生长高质量的屏蔽涂层。

本实用新型未详述部分为现有技术。

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式；但本实用新型的保护范围并不局限于此。任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其改进构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围内。

Claims (1)

1.一种核磁共振玻璃管屏蔽涂层装置结构，包括真空镀膜室(1)，其特征在于：所述真空镀膜室(1)内设置有旋转基片台(2)，所述旋转基片台(2)上设置有核磁共振玻璃管(3)，所述旋转基片台(2)内设有铠装加热器(4)；

所述真空镀膜室(1)的顶部设有磁控溅射靶A(5)和磁控溅射靶B(6)，所述真空镀膜室(1)的左侧部设有真空抽气口(7)。