CN218677055U - 一种非硅类半导体晶圆去胶装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种非硅类半导体晶圆去胶装置。包括：工作台，工作台具有配合使用的去胶区域和清洗区域；超声清洗机构，设置在去胶区域；超声清洗机构内部设有承载器皿，且承载器皿内具有去胶溶剂；承载器皿外壁环设有冷却组件；承载架，其上设有多个卡位，用于支撑倾斜放置的待去胶晶片；清洗机构，设置在清洗区域；清洗机构包括：清洗池和清洗喷头，清洗喷头位于清洗池的上方，用于向清洗池内喷射冲洗溶剂；氮气枪，设置在清洗区域；经过去胶工序，能够有效去除晶片表面胶体。

Description

一种非硅类半导体晶圆去胶装置

技术领域

本公开一般涉及非硅类半导体晶圆划切技术领域，具体涉及一种非硅类半导体晶圆去胶装置。

背景技术

非硅类半导体晶圆在划切前需要涂抹一层保护胶，用以防止晶圆表面金属化区域被划切液(一般为去离子水)腐蚀和被晶渣所污染，而保护胶需要在划切完成后去除干净，表面不得有一丝残留。这就需要一台专用去胶设备用以完成这一操作。

目前市面常见的去胶方法为两种：丙酮去胶和酒精去胶。丙酮去胶存在污染大的缺陷，并且丙酮会溶解用于晶圆固定的UV膜或电子级胶带，易出现晶圆无法整体操作的问题；而常见的酒精去胶设备一般应用于批量流转晶片，存在设备造价高、原料消耗大、机种切换不便的问题。因此，我们提出一种非硅类半导体晶圆去胶装置用以解决上述问题。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种有效去除晶片表面胶体，成本低，无污染且操作简便的非硅类半导体晶圆去胶装置。

本申请提供一种非硅类半导体晶圆去胶装置，包括：

工作台，所述工作台具有配合使用的去胶区域和清洗区域；

超声清洗机构，设置在所述去胶区域；所述超声清洗机构内部设有承载器皿，且所述承载器皿内具有去胶溶剂；所述承载器皿外壁环设有冷却组件；

承载架，其上设有多个卡位，用于支撑倾斜放置的待去胶晶片；

清洗机构，设置在所述清洗区域；所述清洗机构包括：清洗池和清洗喷头，所述清洗喷头位于所述清洗池的上方，用于向清洗池内喷射冲洗溶剂；

氮气枪，设置在所述清洗区域。

根据本申请实施例提供的技术方案，所述冷却组件包括：

冷却管道，缠绕在所述承载器皿的外壁上；

供给箱，其具有供给喷头，所述供给喷头与所述冷却管道一端连通；

收集箱，其具有进口，所述进口与所述冷却管道的自由端连通。

根据本申请实施例提供的技术方案，所述清洗池底部连通有导流管，所述导流管的自由端与所述收集箱连通。

根据本申请实施例提供的技术方案，还包括：防护组件；

所述防护组件包括：

防护本体，其一侧设有弧形导流罩，其另一侧设有把手；

集水槽，其具有第一边沿和第二边沿，所述第一边沿与所述防护本体靠近弧形导流罩的边沿连接；所述弧形导流罩的边沿可伸至所述集水槽内；所述第二边沿向集水槽槽内弯折形成限位沿；

开口，开设在所述防护本体的中心位置，用于容纳所述氮气枪的枪头贯穿。

根据本申请实施例提供的技术方案，所述工作台上还开设有承接槽，所述承接槽位于去胶区域与清洗区域之间；所述承接槽内填充有海绵。

根据本申请实施例提供的技术方案，还包括：托架，设置在所述工作台底部，用于承载所述超声清洗机构。

根据本申请实施例提供的技术方案，还包括：护罩，其罩设在所述工作台上。

根据本申请实施例提供的技术方案，还包括：

支撑架，其顶部与所述工作台底部连接；

脚轮，设置在所述支撑架底部。

根据本申请实施例提供的技术方案，所述工作台与所述支撑架为304不锈钢材质。

根据本申请实施例提供的技术方案，所述去胶溶剂为酒精，所述冲洗溶剂为去离子水。

综上所述，本申请具体地公开了一种非硅类半导体晶圆去胶装置的具体结构。本申请设计具有去胶区域和清洗区域的工作台，在去胶区域设置超声清洗机构，其内部设有承载器皿，承载器皿内盛放有去胶溶剂，承载器皿外壁环设有冷却组件；在去胶区域与清洗区域之前具有移送晶片的承载架，承载架上设有多个卡位，用于支撑倾斜放置的待去胶晶片；在清洗区域设有清洗机构，清洗机构包括：清洗池和清洗喷头，清洗喷头位于清洗池的上方，用于向清洗池内喷射冲洗溶剂；在清洗区域还设有氮气枪。

在去胶时，将一定数量的待去胶晶片倾斜放置在承载架上，再将放有待去胶晶片的承载架浸入超声清洗机构的承载器皿内，启动超声清洗机构进行超声清洗，超声清洗机构可使清洗溶剂温度升高，使得待去胶晶片与其表面的胶体脱离，同时使用冷却组件对承载器皿降温，避免承载器皿内部清洗溶剂温度过高，出现爆炸或起火问题，经过超声清洗后，将承载架由承载器皿移送至清洗池内，使用清洗喷头向去胶后的晶片表面喷射冲洗溶剂，洗去去胶后的晶片表面的去胶溶剂，再使用氮气枪吹净晶片表面的冲洗溶剂，从而完成晶片表面去胶操作，能够有效去除晶片表面胶体且操作简便。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为一种非硅类半导体晶圆去胶装置的结构示意图。

图2为承载架的结构示意图。

图3为冷却管道的结构示意图。

图4为防护组件的结构示意图。

图中标号：1、工作台；2、超声清洗机构；3、承载架；4、清洗池；5、清洗喷头；6、氮气枪；7、冷却管道；8、承接槽；9、托架；10、护罩；11、支撑架；12、脚轮；13、防护本体；14、把手；15、集水槽；16、限位沿；17、导流口。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

实施例1

请参考图1所示的本申请提供的一种非硅类半导体晶圆去胶装置的第一种实施例结构示意图，包括：

工作台1，所述工作台1具有配合使用的去胶区域和清洗区域；

超声清洗机构2，设置在所述去胶区域；所述超声清洗机构2内部设有承载器皿，且所述承载器皿内具有去胶溶剂；所述承载器皿外壁环设有冷却组件；

承载架3，其上设有多个卡位，用于支撑倾斜放置的待去胶晶片；

清洗机构，设置在所述清洗区域；所述清洗机构包括：清洗池4和清洗喷头5，所述清洗喷头5位于所述清洗池4的上方，用于向清洗池4内喷射冲洗溶剂；

氮气枪6，设置在所述清洗区域；

装置工作时，放有待去胶晶片的承载架3浸入所述承载器皿内，启动超声清洗机构2，同时冷却组件对所述承载器皿降温，经超声清洗后，将承载架3移送至清洗池4内，利用清洗喷头5喷射冲洗溶剂，洗去去胶后的晶片表面的去胶溶剂，再使用氮气枪6吹净晶片表面的冲洗溶剂，从而完成晶片表面去胶操作。

在本实施例中，工作台1，其具有配合使用的去胶区域和清洗区域，如图1所示，去胶区域具有开口，用于容纳超声清洗机构2穿过，可方便人员在工作台1表面将待去胶晶片置入超声清洗机构2内；清洗区域也具有开口，用于安装清洗池4；

超声清洗机构2，设置在去胶区域，超声清洗机构2内部设有承载器皿，用于盛放去胶溶剂；其中，去胶溶剂可为酒精；

此处，待去胶晶片可为非硅类半导体晶圆；超声清洗机构2的工作频率可为35KHz；承载器皿的尺寸为570×330×380(mm)，可兼顾3寸、4寸晶圆的单片或批量流转。

冷却组件，环设在承载器皿的外壁，起到降温作用；

如图2所示，承载架3，其具有多个卡位，用于支撑倾斜放置的待去胶晶片，并在去胶区域与清洗区域之间移送晶片；其中，卡位的数量为至少10个，待去胶晶片使用固晶环和电子级胶带进行固定，切割后，其表面向下倾斜30～45°放置在承载架3上；并且，承载架3上的待去胶晶片可根据实际需要进行放置；

清洗机构，设置在清洗区域，清洗机构包括清洗池4和清洗喷头5，清洗喷头5可通过管道与提供冲洗溶剂的清洗箱连通，并且清洗喷头5位于清洗池4上方，在使用清洗机构冲洗时，清洗喷头5的喷射方向朝向清洗池4内；其中，冲洗溶剂可为去离子水；

氮气枪6，设置在清洗区域，用于吹净晶片表面的冲洗溶剂；其中，氮气枪6内为高纯度氮气。

在使用本装置去胶时，将一定数量的待去胶晶片倾斜放置在承载架3上，再将放有待去胶晶片的承载架3浸入超声清洗机构2的承载器皿内，启动超声清洗机构2进行超声清洗，超声清洗机构2可使清洗溶剂温度升高，使得待去胶晶片与其表面的胶体脱离，同时使用冷却组件对承载器皿降温，避免承载器皿内部清洗溶剂温度过高，出现爆炸或起火问题，经过超声清洗后，可利用夹取工具将承载架3由承载器皿移送至清洗池4内，使用清洗喷头5向去胶后的晶片表面喷射冲洗溶剂，洗去去胶后的晶片表面的去胶溶剂，再使用氮气枪6吹净晶片表面的冲洗溶剂，从而完成晶片表面去胶操作，能够有效去除晶片表面胶体且操作简便。

进一步地，如图3所示，冷却组件包括：

冷却管道7，缠绕在承载器皿的外壁上；

供给箱，其具有供给喷头，供给喷头与冷却管道7一端连通；

收集箱，其具有进口，进口与冷却管道7的自由端连通。

其中，供给箱内盛放的冷却介质可为去离子水，去离子水由供给喷头进入冷却管道7内，对承载器皿起到一定降温作用，经过冷却管道7的去离子水由收集箱收集起来，避免对环境造成污染。

进一步地，清洗池4底部连通有导流管，导流管的自由端与收集箱连通，使得清洗池内的冲洗溶剂与清洗溶剂同样可回收，避免污染环境。

进一步地，如图4所示，还包括：防护组件，用于在氮气枪6吹除晶片表面的冲洗溶剂时，起到防飞溅作用；

防护组件包括：

防护本体13，其一侧设有弧形导流罩，对附着在其表面的流体起到导流作用；防护本体13的另一侧设有把手14，便于移动防护组件；

集水槽15，其具有第一边沿和第二边沿，第一边沿与防护本体13靠近弧形导流罩的边沿连接；弧形导流罩的边沿可伸至集水槽15内，附着在弧形导流罩表面的流体可流入集水槽15内；第二边沿向集水槽15槽内弯折形成限位沿16，起到限位作用；

开口，开设在防护本体13的中心位置，用于容纳氮气枪6的枪头贯穿；并且，氮气枪6可绕开口处转动，进行不同角度的喷射，使得晶片表面的冲洗溶剂能够被完全吹净。

在氮气枪6吹除晶片表面的冲洗溶剂前，将防护本体13罩在清洗池4上，弧形导流罩朝向清洗池4内部，将氮气枪6的枪头由防护本体13中心位置的开口伸入清洗池4内进行吹气，飞溅的冲洗溶剂落在弧形导流罩表面，其中一部分飞溅冲洗溶剂由于重力较大可直接落在清洗池4内，而剩余部分飞溅冲洗溶剂可沿弧形导流罩的弧面滑落到集水槽15内，达到防飞溅的目的。

进一步地，如图4所示，集水槽15远离弧形导流罩的一侧上还开设有导流口17，使集水槽15内收集的冲洗溶剂可由导流口17排出。

并且，集水槽15槽底还可设计为向远离弧形导流罩的一侧倾斜的形式，更便于集水槽15内冲洗溶剂的排出。

进一步地，工作台1上还开设有承接槽8，承接槽8位于去胶区域与清洗区域之间；承接槽8内填充有海绵。

如图1所示，在将承载架3由承载器皿移送至清洗池4内时，超声清洗机构2与清洗池4之间具有一定距离，为了防止移送过程中清洗溶剂滴落在工作台1表面造成污染，利用承接槽8与其内填充的海绵吸收移送过程中会滴落的清洗溶剂，达到降低污染的目的。

进一步地，如图1所示，还包括：托架9，设置在工作台1底部，用于承载超声清洗机构2，对超声清洗机构2起到支撑作用。

进一步地，如图1所示，还包括：护罩10，其罩设在工作台1上，起到保护作用。其中，护罩10的材质可为亚克力材质。

进一步地，如图1所示，还包括：

支撑架11，其顶部与工作台1底部连接，对工作台1起到支撑作用；

脚轮12，设置在支撑架11底部，便于移动整个装置。

其中，脚轮12的类型可为福马轮；工作台1与支撑架11可为304不锈钢材质，可进一步避免装置长期使用而产生锈蚀，有效杜绝装置锈蚀物再次污染晶片表面。

以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (10)

1.一种非硅类半导体晶圆去胶装置，其特征在于，包括：

工作台(1)，所述工作台(1)具有配合使用的去胶区域和清洗区域；

超声清洗机构(2)，设置在所述去胶区域；所述超声清洗机构(2)内部设有承载器皿，且所述承载器皿内具有去胶溶剂；所述承载器皿外壁环设有冷却组件；

承载架(3)，其上设有多个卡位，用于支撑倾斜放置的待去胶晶片；

清洗机构，设置在所述清洗区域；所述清洗机构包括：清洗池(4)和清洗喷头(5)，所述清洗喷头(5)位于所述清洗池(4)的上方，用于向清洗池(4)内喷射冲洗溶剂；

氮气枪(6)，设置在所述清洗区域。

2.根据权利要求1所述的一种非硅类半导体晶圆去胶装置，其特征在于，所述冷却组件包括：

冷却管道(7)，缠绕在所述承载器皿的外壁上；

供给箱，其具有供给喷头，所述供给喷头与所述冷却管道(7)一端连通；

收集箱，其具有进口，所述进口与所述冷却管道(7)的自由端连通。

3.根据权利要求2所述的一种非硅类半导体晶圆去胶装置，其特征在于，所述清洗池(4)底部连通有导流管，所述导流管的自由端与所述收集箱连通。

4.根据权利要求1所述的一种非硅类半导体晶圆去胶装置，其特征在于，还包括：防护组件；

所述防护组件包括：

防护本体(13)，其一侧设有弧形导流罩，其另一侧设有把手(14)；

集水槽(15)，其具有第一边沿和第二边沿，所述第一边沿与所述防护本体(13)靠近弧形导流罩的边沿连接；所述弧形导流罩的边沿可伸至所述集水槽(15)内；所述第二边沿向集水槽(15)槽内弯折形成限位沿(16)；

开口，开设在所述防护本体(13)的中心位置，用于容纳所述氮气枪(6)的枪头贯穿。

5.根据权利要求1所述的一种非硅类半导体晶圆去胶装置，其特征在于，所述工作台(1)上还开设有承接槽(8)，所述承接槽(8)位于去胶区域与清洗区域之间；所述承接槽(8)内填充有海绵。

6.根据权利要求1所述的一种非硅类半导体晶圆去胶装置，其特征在于，还包括：托架(9)，设置在所述工作台(1)底部，用于承载所述超声清洗机构(2)。

7.根据权利要求1所述的一种非硅类半导体晶圆去胶装置，其特征在于，还包括：护罩(10)，其罩设在所述工作台(1)上。

8.根据权利要求1所述的一种非硅类半导体晶圆去胶装置，其特征在于，还包括：

支撑架(11)，其顶部与所述工作台(1)底部连接；

脚轮(12)，设置在所述支撑架(11)底部。

9.根据权利要求8所述的一种非硅类半导体晶圆去胶装置，其特征在于，所述工作台(1)与所述支撑架(11)为304不锈钢材质。

10.根据权利要求1所述的一种非硅类半导体晶圆去胶装置，其特征在于，所述去胶溶剂为酒精，所述冲洗溶剂为去离子水。

Images