CN217847945U - 一种半导体引线框架 - Google Patents

Abstract

本实用新型属于半导体封装领域，特别是一种半导体引线框架，包括粘片基岛、第一连接引脚、第二连接引脚、第三连接引脚、第一功能性引脚、第二功能性引脚和第三功能性引脚，第一功能性引脚与粘片基岛固定连接，第二功能性引脚、第三功能性引脚分别设置在粘片基岛的两侧，第一连接引脚、第二连接引脚和第三连接引脚分别与粘片基岛固定连接。本实用新型加强了粘片基岛的连接强度，有效解决了压焊过程中翘起、松动的问题，提升了产品品质；并且框架的功能性引脚上设有凹槽，需要分离时容易被冲切断开，确保产品外观在冲切过程不会被损坏；另外加长了框架的引脚，能够满足多组焊线需求，提升了产品的电性负载能力。

Description

一种半导体引线框架

技术领域

本实用新型属于半导体封装领域，特别是一种半导体引线框架。

背景技术

目前使用的常规半导体引线框架，粘片基岛只有一个功能性引脚与其连接，图1为现有技术的结构示意图，如图1所示，存在的问题是，粘片基岛1在粘片压焊过程中容易翘起，甚至变形，导致压合容易松动，甚至压焊偏位等异常；另外第二功能性引脚6和第三功能性引脚7的管脚尺寸偏短，对于多引线焊接的MOS器件，第二功能性引脚6和第三功能性引脚7的长度无法满足多焊线要求，再有第二功能性引脚6和第三功能性引脚7折弯处呈圆弧形，成型时容易在成型外力冲切作用下与塑封料形成相对移动，出现引脚分层的问题。

发明内容

为了克服上述现有技术的缺陷，本实用新型提出一种半导体引线框架，加强了粘片基岛的连接强度，功能性引脚上设有凹槽，需要分离时容易被冲切断开。本实用新型所要解决的技术问题是通过如下技术方案实现的：

一种半导体引线框架，包括粘片基岛、第一连接引脚、第二连接引脚、第三连接引脚、第一功能性引脚、第二功能性引脚和第三功能性引脚，第一功能性引脚与粘片基岛固定连接，第二功能性引脚、第三功能性引脚分别设置在粘片基岛的两侧，第一连接引脚、第二连接引脚和第三连接引脚分别与粘片基岛固定连接。

进一步地，第一连接引脚通过第一窄边与粘片基岛固定连接，第二连接引脚通过第二窄边与粘片基岛固定连接，第三连接引脚通过第三窄边与粘片基岛固定连接。

进一步地，第一窄边、第二窄边、第三窄边的宽度为0.05mm-0.25mm。

进一步地，在第一窄边的中部设置第一凹槽，在第二窄边的中部设置第二凹槽，在第三窄边的中部设置第三凹槽。

具体地，第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽的深度为0.03mm-0.08mm。

具体地，第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽均为楔形凹槽。

具体地，在第二功能性引脚、第三功能性引脚分别设置第一卡口、第二卡口和第三卡口。

具体地，第一卡口、第二卡口和第三卡口为半圆形、方形、三角形或不规则形。

更好地，粘片基岛的两侧设有基岛耳朵，基岛耳朵设置在粘片基岛的上侧，基岛耳朵的上边缘与粘片基岛的上边缘齐平。

更好地，第二功能性引脚、第三功能性引脚分别越过粘片基岛的中心线，一直延伸至基岛耳朵处。

本实用新型加强了粘片基岛的连接强度，有效解决了压焊过程中翘起、松动的问题，提升了产品品质；并且框架的功能性引脚上设有凹槽，需要分离时容易被冲切断开，确保产品外观在冲切过程不会被损坏；另外加长了框架的引脚，能够满足多组焊线需求，提升了产品的电性负载能力。

附图说明

图1为现有技术的结构示意图；

图2为本实用新型的结构示意图；

图3为凹槽的剖面结构示意图。

具体实施方式

图2为本实用新型的结构示意图；图3为凹槽的剖面结构示意图；如图2和图3所示，一种半导体引线框架，包括粘片基岛1、第一连接引脚2、第二连接引脚3、第三连接引脚4、第一功能性引脚5、第二功能性引脚6和第三功能性引脚7，第一功能性引脚5与粘片基岛1固定连接，第二功能性引脚6、第三功能性引脚7分别设置在粘片基岛1的两侧，第一连接引脚2、第二连接引脚3和第三连接引脚4分别与粘片基岛1固定连接。

以SOT23-3系列的半导体引线框架为例子说明，功能性引脚是实现了芯片与外引脚相互连接，实现了电热性能要求，连接引脚只是设计辅助基岛的固定，在实际产品成型后会切除，不形成特定的功能作用的引脚；本实施例的第一连接引脚2通过第一窄边8与粘片基岛1固定连接，第二连接引脚3通过第二窄边9与粘片基岛1固定连接，第三连接引脚4通过第三窄边10与粘片基岛1固定连接，有效避免了在生产过程中粘片基岛1翘起形变的问题；第一窄边8、第二窄边9、第三窄边10的宽度为0.05mm-0.25mm，本实施例的第一窄边8、第二窄边9、第三窄边10的宽度为0.15mm，宽度比引脚的宽度小，确保切割时容易分离；在第一窄边8的中部设置第一凹槽8.1，在第二窄边9的中部设置第二凹槽9.1，在第三窄边10的中部设置第三凹槽10.1，第一凹槽8.1、第二凹槽9.1、第三凹槽10.1的深度D为0.03mm-0.08mm，参见图3所示，本实施例的第一凹槽8.1、第二凹槽9.1、第三凹槽10.1均为楔形凹槽，深度D为0.05mm，其作用是保证在切割时容易被切断，有效预防冲切毛刺。

在第二功能性引脚6、第三功能性引脚7分别设置第一卡口11、第二卡口12和第三卡口13，第一卡口11、第二卡口12和第三卡口13可以为半圆形、方形、三角形或不规则形；本实施例的第一卡口11为0.08mm*0.08mm的方形，加强与塑封料的结合，第二卡口12和第三卡口13为不规则形，其中第二卡口12为圆弧倒钩角，第三卡口13为冒尖卡口，第二卡口12和第三卡口13均包封在塑封体20内，成型时与塑封料形成一个反向作用力，加强了功能性引脚与塑封料的结合性能，防止生产过程分层不良形成。

粘片基岛1的两侧设有基岛耳朵1.1，基岛耳朵1.1设置在粘片基岛1的上侧，基岛耳朵1.1的上边缘与粘片基岛1的上边缘齐平；第二功能性引脚6、第三功能性引脚7分别越过粘片基岛1的中心线，一直延伸至基岛耳朵1.1处；本实施例的第二功能性引脚6、第三功能性引脚7的焊接部位长度达到0.9mm，是现有引脚焊接部位的3倍，能够满足产品更多的布线数量要求，降低产品的RDSON参数。

本实施例的第一功能性引脚5、第二功能性引脚6和第三功能性引脚7呈品字分布，第一连接引脚2、第二连接引脚3、第三连接引脚4呈倒品字分布；第二功能性引脚6、第三功能性引脚7的焊接部位表面镀金属处理，基岛耳朵1.1表面镀金属处理，方便生产过程根据产品性能要求进行布线要求，提升焊接区域的可焊性能。

本实用新型适用于SOT23-3系列或SMD的半导体引线框架，当然也适用于类似结构的其他型号的半导体引线框架。

总之，本实用新型加强了粘片基岛的连接强度，有效解决了压焊过程中翘起、松动的问题，提升了产品品质；并且框架的功能性引脚上设有凹槽，需要分离时容易被冲切断开，确保产品外观在冲切过程不会被损坏；另外加长了框架的引脚，能够满足多组焊线需求，提升了产品的电性负载能力。

Claims (10)

1.一种半导体引线框架，包括粘片基岛、第一连接引脚、第二连接引脚、第三连接引脚、第一功能性引脚、第二功能性引脚和第三功能性引脚，所述第一功能性引脚与粘片基岛固定连接，所述第二功能性引脚、第三功能性引脚分别设置在粘片基岛的两侧，其特征是，所述第一连接引脚、第二连接引脚和第三连接引脚分别与粘片基岛固定连接。

2.根据权利要求1所述的半导体引线框架，其特征是，所述第一连接引脚通过第一窄边与粘片基岛固定连接，所述第二连接引脚通过第二窄边与粘片基岛固定连接，所述第三连接引脚通过第三窄边与粘片基岛固定连接。

3.根据权利要求2所述的半导体引线框架，其特征是，所述第一窄边、第二窄边、第三窄边的宽度为0.05mm-0.25mm。

4.根据权利要求2所述的半导体引线框架，其特征是，在所述第一窄边的中部设置第一凹槽，在所述第二窄边的中部设置第二凹槽，在所述第三窄边的中部设置第三凹槽。

5.根据权利要求4所述的半导体引线框架，其特征是，所述第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽的深度为0.03mm-0.08mm。

6.根据权利要求4所述的半导体引线框架，其特征是，所述第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽均为楔形凹槽。

7.根据权利要求1所述的半导体引线框架，其特征是，在所述第二功能性引脚、第三功能性引脚分别设置第一卡口、第二卡口和第三卡口。

8.根据权利要求7所述的半导体引线框架，其特征是，所述第一卡口、第二卡口和第三卡口为半圆形、方形、三角形或不规则形。

9.根据权利要求1所述的半导体引线框架，其特征是，所述粘片基岛的两侧设有基岛耳朵，所述基岛耳朵设置在所述粘片基岛的上侧，所述基岛耳朵的上边缘与所述粘片基岛的上边缘齐平。

10.根据权利要求1所述的半导体引线框架，其特征是，所述第二功能性引脚、第三功能性引脚分别越过粘片基岛的中心线，一直延伸至基岛耳朵处。

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