CN217475717U - 晶体用加工器具 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种晶体用加工器具，该晶体用加工器具适于对晶体进行表面加工。所述晶体用加工器具包括：一轮状主体，具有一处于径向方向上的加工面并具有一轴心；以及多个齿状凸起，设置于所述加工面上且围绕所述轴心等间距地排列，其中多个所述齿状凸起之间的间距为2mm至4mm，多个所述齿状凸起各自具有5mm至8mm的高度以及7mm至9mm的宽度。因此，能改善晶体表面加工质量，并能提高加工精度和效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种加工器具，具体地，涉及一种适于对晶体(如碳化硅芯片)进行表面加工的晶体用加工器具。
背景技术
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的核心，具有宽能隙、高导热率、高临界击穿电场、高电子饱和迁移率、高化学稳定性等特点，在高温、高频、大功率、高密度集成电子器件等方面有很大的应用潜力。碳化硅芯片的表面质量(如缺陷率和平坦度)会影响于其上形成的磊晶薄膜的质量，严重时会引起漏电和降低电子迁移率，造成半导体元件的性能不正常。然而，相较于硅晶圆容易使用机械或化学的方法加工，碳化硅由于高硬度、高脆性、低断裂韧性等物理特性，加工过程变得更困难、更昂贵和需要更长的时间，且容易留下加工损伤。此外，在使用砂轮对碳化硅芯片进行加工时，砂轮上局部区域容易堆积磨屑，导致磨削能力和效率下降，并影响加工效率和精度。
由上可知，碳化硅芯片的加工问题已成为生产碳化硅基底所必须面对的重要问题。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于针对现有技术的不足提供一种晶体用加工器具。
为了解决上述的技术问题，本实用新型所采用的其中一技术方案是提供了一种晶体用加工器具，所述晶体用加工器具包括：一轮状主体，具有一处于径向方向上的加工面并具有一轴心；以及多个齿状凸起，设置于所述加工面上且围绕所述轴心等间距地排列，其中多个所述齿状凸起之间的间距为2mm至4mm，多个所述齿状凸起各自具有5mm至8mm的高度以及7mm至9mm的宽度。
更进一步地，所述加工面具有一中央区域以及一环绕所述中央区域的周边区域，且多个所述齿状凸起设置于所述周边区域内。
更进一步地，形成多个所述齿状凸起的材料包含一结合剂以及多个磨料颗粒。
更进一步地，所述结合剂为一树脂结合剂。
更进一步地，多个所述磨料颗粒为钻石颗粒。
更进一步地，所述晶体用加工器具经配置以处于一水平位置并通过多个所述齿状凸起对一碳化硅晶体进行表面加工。
更进一步地，所述轮状主体的外径为220mm至250mm，所述轮状主体的厚度为20mm至30mm。
本实用新型的其中一有益效果在于，本实用新型的晶体用加工器具能通过“多个所述齿状凸起设置于所述加工面上且围绕所述轴心等间距地排列，其中多个所述齿状凸起之间的间距为2mm至4mm，多个所述齿状凸起各自具有5mm至8mm的高度以及7mm至9mm的宽度”的技术手段改善晶体表面加工质量，并提高加工精度和效率。另外，本实用新型的晶体用加工器具能在研磨过程中达到更好的冷却效果，以降低研磨负担。
更进一步来说，本实用新型的晶体用加工器具能在加工过程中快速冷却和快速排屑，从而能长时间稳定地加工，解决研磨效果随时间增加而变差的问题。
为使能更进一步了解本实用新型的特征及技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本实用新型加以限制。
附图说明
图1为本实用新型的晶体用加工器具的立体示意图。
图2为本实用新型的晶体用加工器具的局部立体示意图。
图3为本实用新型的晶体用加工器具的俯视示意图。
图4为本实用新型的晶体用加工器具的前视示意图。
图5为本实用新型的晶体用加工器具的使用状态示意图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本实用新型所公开有关“晶体用加工器具”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本实用新型的优点与效果。本实用新型可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本实用新型的构思下进行各种修改与变更。另外，需事先声明的是，本实用新型的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘。以下的实施方式将进一步详细说明本实用新型的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本实用新型的保护范围。另外，本文中所使用的术语“或”应视实际情况而可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
第一实施例
请参阅图1至图4，显示了本实用新型的晶体用加工器具Z的构造。如图1及图2所示，晶体用加工器具Z为一种砂轮，其适于对碳化硅晶体(如碳化硅芯片)进行加工，例如对碳化硅晶体进行表面抛光。晶体用加工器具Z包括一轮状主体1及多个齿状凸起2，轮状主体1具有一处于径向方向上的加工面100及一轴心P，多个齿状凸起2设置于加工面100上且围绕轴心P以一定的间距D(等间距)排列，且多个齿状凸起2各自具有一定的高度和宽度。使用时，可将轮状主体1连接至一驱动装置(电机)，由驱动装置驱动旋转并带动多个齿状凸起2将晶体表面抛光，但本实用新型不受限于上述所举的例子。
值得一提的是，通过将相邻两个齿状凸起2之间的间距D(最小间距)设置为2mm至4mm，并将各个齿状凸起2的高度H设置为5mm至8mm，以及将各个齿状凸起2的宽度W设置为7mm至9mm，本实用新型的晶体用加工器具Z能在加工过程中快速冷却和快速排屑，进而能长时间稳定地加工，解决研磨效果随时间增加而变差的问题；除此之外，还能改善晶体表面加工质量，提高加工精度和效率。
在一些实施例中，相邻两个齿状凸起2之间的间距可为2mm、3mm或4mm；各个齿状凸起2的高度可为5mm、6mm、7mm或8mm；各个齿状凸起2的宽度可为7mm、8mm或9mm。
在本实施例中，轮状主体1的材料包含结合剂及磨料颗粒，且轮状主体1的成型方法包括热压或冷压成型步骤及烧结步骤。实际应用时，轮状主体1所需的结合剂可采用树脂结合剂(如酚醛树脂)，且磨料颗粒可采用钻石颗粒。另外，轮状主体1的外径可为220mm至250mm，轮状主体1的厚度可为20mm至30mm。以上所述只是可行的实施方式，而非用以限制本实用新型。举例来说，在一些实施例中，轮状主体1所需的结合剂也可采用陶瓷结合剂或橡胶结合剂。
在一些实施例中，轮状主体1的外径可为220mm、225mm、230mm、235mm、240mm、245mm或250mm；轮状主体1的厚度可为20mm、21mm、22mm、23mm、24mm、25mm、26mm、27mm、28mm、29mm或30mm。
更进一步来说，轮状主体1的加工面100具有一中央区域101及一周边区域102，中央区域101为轮状主体1的轴心P所在的区域，而周边区域102环绕中央区域101，且多个齿状凸起2设置于周边区域102内。类似地，多个齿状凸起2的材料包含结合剂及磨料颗粒，且多个齿状凸起2的成型方法包括热压或冷压成型步骤及烧结步骤。实际应用时，多个齿状凸起2所需的结合剂可采用树脂结合剂(如酚醛树脂)，且磨料颗粒可采用钻石颗粒。以上所述只是可行的实施方式，而非用以限制本实用新型。举例来说，在一些实施例中，多个齿状凸起2所需的结合剂也可采用陶瓷结合剂或橡胶结合剂。
请参阅图5，显示本实用新型的晶体用加工器具Z的使用方式。如图5所示，晶体用加工器具Z可经配置以处于一水平位置并通过多个齿状凸起2对一碳化硅晶体3进行表面加工，以使碳化硅晶体3具有一抛光面300。然而，晶体用加工器具Z的使用方式不受限于上述所举的例子。在一些实施例中，晶体用加工器具Z可使用于一般精密磨削、超精密磨削、切割、研光、精密光磨等。
实施例的有益效果
本实用新型的其中一有益效果在于本实用新型的晶体用加工器具能通过“多个所述齿状凸起设置于所述加工面上且围绕所述轴心以等间距排列，其中多个所述齿状凸之间的间距为2mm至4mm，多个所述齿状凸起各自具有5mm至8mm的高度以及7mm至9mm的宽度”的技术手段改善晶体表面加工质量，并提高加工精度和效率。另外，本实用新型的晶体用加工器具能在研磨过程中达到更好的冷却效果，以降低研磨负担。
更进一步来说，本实用新型的晶体用加工器具能在加工过程中快速冷却和快速排屑，进而能长时间稳定地加工。
以上所公开的内容仅为本实用新型的优选可行实施例，并非因此局限本实用新型的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本实用新型说明书及附图内容所做的等效技术变化均包含于本实用新型的权利要求书的保护范围内。
Claims (7)
1.一种晶体用加工器具，其特征在于，所述晶体用加工器具包括：
一轮状主体，具有一处于径向方向上的加工面并具有一轴心；以及
多个齿状凸起，设置于所述加工面上且围绕所述轴心等间距地排列，其中多个所述齿状凸起之间的间距为2mm至4mm，多个所述齿状凸起各自具有5mm至8mm的高度以及7mm至9mm的宽度。
2.根据权利要求1所述的晶体用加工器具，其特征在于，所述加工面具有一中央区域以及一环绕所述中央区域的周边区域，且多个所述齿状凸起设置于所述周边区域内。
3.根据权利要求2所述的晶体用加工器具，其特征在于，形成多个所述齿状凸起的材料包含一结合剂以及多个磨料颗粒。
4.根据权利要求3所述的晶体用加工器具，其特征在于，所述结合剂为一树脂结合剂。
5.根据权利要求4所述的晶体用加工器具，其特征在于，多个所述磨料颗粒为钻石颗粒。
6.根据权利要求1所述的晶体用加工器具，其特征在于，所述晶体用加工器具经配置以处于一水平位置并通过多个所述齿状凸起对一碳化硅晶体进行表面加工。
7.根据权利要求1所述的晶体用加工器具，其特征在于，所述轮状主体的外径为220mm至250mm，所述轮状主体的厚度为20mm至30mm。
Applications Claiming Priority (2)
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Publications (1)
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Also Published As
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