CN216671624U - 引线框架 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种引线框架，包括：晶粒座，用于承载晶粒；以及多个引线，环绕所述晶粒座布置，并分别电连接到所述晶粒；其中，所述晶粒座的周围设有至少一个台阶部，所述至少一个台阶部的顶面凸出于所述晶粒座的上表面形成凸部，所述至少一个台阶部的底面凹陷于所述晶粒座的下表面形成凹部。所述台阶部能够加长水汽侵入晶粒的路径，从而加强阻挡水汽侵入效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种引线框架。
背景技术
现有的引线框架中，晶粒座的侧边为垂直断边。在使用过程中，受到挤压时容易造成晶粒座的断边变成不规则形状，减少晶粒座与引线的内脚之间的距离，存在晶粒座翘曲的风险，水汽容易侵入到晶粒座上的晶粒。
实用新型内容
为了解决现有技术中存在的技术问题，本实用新型的实施例提供了一种引线框架，通过设置台阶部来加长水汽侵入晶粒的路径，从而加强阻挡水汽侵入效果。
根据本实用新型的实施例，提供一种引线框架。所述引线框架包括：晶粒座，用于承载晶粒；以及多个引线，环绕所述晶粒座布置，并分别电连接到所述晶粒；其中，所述晶粒座的周围设有至少一个台阶部，所述至少一个台阶部的顶面凸出于所述晶粒座的上表面形成凸部，所述至少一个台阶部的底面凹陷于所述晶粒座的下表面形成凹部。
可选地，所述晶粒座的周围设有至少两个台阶部，每个台阶部的顶面凸出于相邻的前面一个台阶部的顶面形成凸部，每个台阶部的底面凹陷于相邻的前面一个台阶部的底面形成凹部。
可选地，每个台阶部的凸部的高度为0.05～0.20mm，每个台阶部的凹部的深度为0.05～0.20mm。
可选地，每个台阶部的凸部的高度与每个台阶部的凹部的深度相同。
可选地，每个台阶部的凸部的宽度为0.05～0.50mm，每个台阶部的凹部的宽度为0.05～0.50mm。
可选地，每个台阶部的凸部的宽度与每个台阶部的凹部的宽度相同。
可选地，每个台阶部的厚度为0.10～0.40mm。
可选地，所述引线框架还包括框架本体，所述框架本体和所述晶粒座通过拉杆连接。
可选地，所述引线框架还包括用于将所述多个引线分别电连接到所述晶粒的导线。
可选地，所述晶粒座采用半切工艺形成。
与现有技术相比，本实用新型的实施例的技术方案具有以下优点：
根据本实用新型的实施例，所述晶粒座的周围设有至少一个台阶部，所述至少一个台阶部的顶面凸出于所述晶粒座的上表面形成凸部，所述至少一个台阶部的底面凹陷于所述晶粒座的下表面形成凹部。
通过在所述晶粒座的周围设置所述台阶部，一方面，能够加长水汽侵入所述晶粒的路径，从而加强阻挡水汽侵入效果；另一方面，能够增加灌封物料的表面面积，从而增加铜材与灌封物料的互锁强度。
附图说明
本实用新型的其它特征以及优点将通过以下结合附图详细描述的可选实施方式更好地理解，附图中相同的标记表示相同或相似的部件，其中：
图1示出了根据本实用新型的第一实施例的引线框架的前立体图；
图2示出了根据本实用新型的第一实施例的引线框架的后立体图；
图3示出了图1中的引线框架的晶粒座的示意图；
图4示出了图1中的引线框架的晶粒座的剖面图；
图5示出了根据本实用新型的第二实施例的引线框架的前立体图；
图6示出了根据本实用新型的第二实施例的引线框架的后立体图；
图7示出了图5中的引线框架的晶粒座的示意图；以及
图8示出了图5中的引线框架的晶粒座的剖面图。
具体实施方式
下面详细讨论实施例的实施和使用。然而，应当理解，所讨论的具体实施例仅仅示范性地说明实施和使用本实用新型的特定方式，而非限制本实用新型的范围。在描述时各个部件的结构位置例如上、下、顶部、底部等方向的表述不是绝对的，而是相对的。当各个部件如图中所示布置时，这些方向表述是恰当的，但图中各个部件的位置改变时，这些方向表述也相应改变。
根据本实用新型的实施例，提供一种引线框架，包括：晶粒座，用于承载晶粒；以及多个引线，环绕所述晶粒座布置，并分别电连接到所述晶粒；其中，所述晶粒座的周围设有至少一个台阶部，所述至少一个台阶部的顶面凸出于所述晶粒座的上表面形成凸部，所述至少一个台阶部的底面凹陷于所述晶粒座的下表面形成凹部。所述台阶部能够加长水汽侵入晶粒的路径，从而加强阻挡水汽侵入效果。
图1示出了根据本实用新型的第一实施例的引线框架10的前立体图，图2示出了根据本实用新型的第一实施例的引线框架10的后立体图。
具体地，引线框架10包括晶粒座11和多个引线12，晶粒座11用于承载晶粒。多个引线12环绕晶粒座11布置，并分别电连接到所述晶粒，例如通过导线分别电连接到所述晶粒。
结合图3和图4中所示，晶粒座11的周围设有至少一个台阶部13。具体地，晶粒座11的每个侧边113设有一个台阶部13，台阶部13的顶面凸出于晶粒座11的上表面111形成凸部131，台阶部13的底面凹陷于晶粒座11的下表面112形成凹部132。
在一些实施例中，台阶部13的凸部131的高度D1为0.05～0.20mm，台阶部13的凹部132的深度D2为0.05～0.20mm。
在一些实施例中，台阶部13的凸部131的高度D1与台阶部13的凹部132的深度D2相同。
在一些实施例中，台阶部13的凸部131的宽度W1为0.05～0.50mm，台阶部13的凹部132的宽度W2为0.05～0.50mm。
在一些实施例中，台阶部13的凸部131的宽度W1与台阶部13的凹部132的宽度W2相同。
在一些实施例中，台阶部13的厚度T为0.10～0.40mm。在一些实施例中，台阶部13的凸部131的高度D1为T/2，台阶部13的凹部132的深度D2为T/2。
在一些实施例中，引线框架10还包括框架本体，框架本体通常采用铜材制成。晶粒座11的每个角落处设置一个拉杆14，晶粒座11和框架本体通过拉杆14连接。
在一些实施例中，晶粒座11采用半切工艺通过冲压形成。例如，使用凸模和凹模组合来将晶粒座向上推移到至少一半厚度，但并没有把晶粒座切断，以此原理半切一次。
通过在晶粒座11的每个侧边113设置台阶部13，一方面，能够加长水汽侵入所述晶粒的路径，从而加强阻挡水汽侵入效果；另一方面，能够增加灌封物料的表面面积，从而增加铜材与灌封物料的互锁强度。
图5示出了根据本实用新型的第二实施例的引线框架10的前立体图，图6示出了根据本实用新型的第二实施例的引线框架10的后立体图。
具体地，引线框架10包括晶粒座11和多个引线12，晶粒座11用于承载晶粒。多个引线12环绕晶粒座11布置，并分别电连接到所述晶粒，例如通过导线分别电连接到所述晶粒。
结合图7和图8中所示，引线框架10的晶粒座11的周围设有至少两个台阶部13，具体地，晶粒座11的每个侧边113设有两个台阶部13。第一个台阶部13的顶面凸出于晶粒座11的上表面111形成凸部131，第一个台阶部13的底面凹陷于晶粒座11的下表面112形成凹部132，第二个台阶部13的顶面凸出于第一个台阶部13的顶面形成凸部131，第二个台阶部13的底面凹陷于第一个台阶部13的底面形成凹部132。
在一些实施例中，每个台阶部13的凸部131的高度D1为0.05～0.20mm，每个台阶部13的凹部132的深度D2为0.05～0.20mm。
在一些实施例中，每个台阶部13的凸部131的高度D1相同，每个台阶部13的凹部132的深度D2相同，并且对于每个台阶部13，凸部131的高度D1与凹部132的深度D2相同。
在一些实施例中，每个台阶部13的凸部131的宽度W1为0.05～0.50mm，每个台阶部13的凹部132的宽度W2为0.05～0.50mm。
在一些实施例中，每个台阶部13的凸部131的宽度W1相同，每个台阶部13的凹部132的宽度W2相同，并且对于每个台阶部13，凸部131的宽度W1与凹部132的宽度W2相同。
在一些实施例中，每个台阶部13的厚度T为0.10～0.40mm。在一些实施例中，每个台阶部13的凸部131的高度D1为T/2，每个台阶部13的凹部132的深度D2为T/2。
在一些实施例中，引线框架10还包括框架本体，框架本体通常采用铜材制成。晶粒座11的每个角落处设置一个拉杆14，晶粒座11和框架本体通过拉杆14连接。
在一些实施例中，晶粒座11采用半切工艺通过冲压形成。
在其他的实施例中，引线框架10的晶粒座11的每个侧边113还可以设有多个台阶部13，每个台阶部13的顶面凸出于相邻的前面一个台阶部13的顶面形成凸部131，每个台阶部13的底面凹陷于相邻的前面一个台阶部13的底面形成凹部132。
通过在晶粒座11的每个侧边113设置多个台阶部13，一方面，能够加长水汽侵入所述晶粒的路径，从而加强阻挡水汽侵入效果；另一方面，能够增加灌封物料的表面面积，从而增加铜材与灌封物料的互锁强度。
以上已揭示本实用新型的技术内容及技术特点，然而可以理解，在本实用新型的创作思想下，本领域的技术人员可以对上述公开的构思作各种变化和改进，但都属于本实用新型的保护范围。上述实施方式的描述是例示性的而不是限制性的，本实用新型的保护范围由权利要求所确定。
Claims (10)
1.一种引线框架，其特征在于，包括：
晶粒座，用于承载晶粒；以及
多个引线，环绕所述晶粒座布置，并分别电连接到所述晶粒；
其中，所述晶粒座的周围设有至少一个台阶部，所述至少一个台阶部的顶面凸出于所述晶粒座的上表面形成凸部，所述至少一个台阶部的底面凹陷于所述晶粒座的下表面形成凹部。
2.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述晶粒座的周围设有至少两个台阶部，每个台阶部的顶面凸出于相邻的前面一个台阶部的顶面形成凸部，每个台阶部的底面凹陷于相邻的前面一个台阶部的底面形成凹部。
3.根据权利要求2所述的引线框架，其特征在于，每个台阶部的凸部的高度为0.05～0.20mm，每个台阶部的凹部的深度为0.05～0.20mm。
4.根据权利要求3所述的引线框架，其特征在于，每个台阶部的凸部的高度与每个台阶部的凹部的深度相同。
5.根据权利要求2所述的引线框架，其特征在于，每个台阶部的凸部的宽度为0.05～0.50mm，每个台阶部的凹部的宽度为0.05～0.50mm。
6.根据权利要求5所述的引线框架，其特征在于，每个台阶部的凸部的宽度与每个台阶部的凹部的宽度相同。
7.根据权利要求1到6中任一项所述的引线框架，其特征在于，每个台阶部的厚度为0.10～0.40mm。
8.根据权利要求1到6中任一项所述的引线框架，其特征在于，所述引线框架还包括框架本体，所述框架本体和所述晶粒座通过拉杆连接。
9.根据权利要求1到6中任一项所述的引线框架，其特征在于，所述引线框架还包括用于将所述多个引线分别电连接到所述晶粒的导线。
10.根据权利要求1到6中任一项所述的引线框架，其特征在于，所述晶粒座采用半切工艺形成。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| CN202123426285.XU CN216671624U (zh) | 2021-12-31 | 2021-12-31 | 引线框架 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202123426285.XU CN216671624U (zh) | 2021-12-31 | 2021-12-31 | 引线框架 |
Publications (1)
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Country Status (2)
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| TW (1) | TWM641737U (zh) |
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2021
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2022
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