CN216389364U - 高频模块和通信装置 - Google Patents

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Murata Manufacturing Co Ltd
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    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier

Abstract

本实用新型提供一种高频模块和通信装置。高频模块(1)能够与外部基板(90)连接，具备：具有彼此相向的主面(30a)和主面(30b)的安装基板(30)；将安装基板(30)与外部基板(90)电连接的多个地端子(411及412)；安装于主面(30a)的PA(14)；以及安装于主面(30b)的LNA(24)。

Description

高频模块和通信装置
本申请是申请日为2019年3月11日、申请号为“201990000581.5”、实用新型名称为“高频模块和通信装置”的申请的分案申请。
技术领域
本实用新型涉及一种高频模块和通信装置。
背景技术
在便携式电话等移动通信装置中，特别是，随着多频段化的进展，构成高频前端电路的电路元件数量增加。
在专利文献1中公开了在安装基板的两面安装有构成高频前端电路的电路元件的半导体模块。在两面安装型的布线基板的彼此相向的2个安装面中的配置有外部端子电极的下表面，安装有配置于接收路径的低噪声放大器和配置于发送路径的功率放大器，在上表面安装有滤波器和无源芯片部件。根据上述结构，能够提供与在单面安装型的基板形成有电路元件的高频模块相比高密度化和小型化的电路模块。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-040602号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
然而，在专利文献1中公开的半导体模块中，作为接收系统部件的低噪声放大器和作为发送系统部件的功率放大器配置于安装基板的同一安装面，因此针对发送系统部件输入输出的发送信号与针对接收系统部件输入输出的接收信号之间产生强的干扰。因此，具有发送路径与接收路径之间的隔离特性下降的问题。
本实用新型是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种提高了发送接收之间的隔离特性的小型的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
为了实现上述目的，本实用新型的一个方式所涉及的高频模块能够与外部基板电连接，所述高频模块具备：安装基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；发送功率放大器，其安装于所述第一主面；以及低噪声接收放大器，其安装于所述第二主面。
根据上述结构，发送功率放大器和低噪声接收放大器分别分开地配置于安装基板的一个安装面和另一个安装面，因此与使用将发送功率放大器和低噪声接收放大器仅配置于单面的安装基板的高频模块相比，能够高密度化和小型化。另外，能够抑制针对发送功率放大器输入输出的发送信号与针对低噪声接收放大器输入输出的接收信号的干扰，因此能够提高发送接收之间的隔离特性。
另外，本实用新型的一个方式所涉及的高频模块能够与外部基板电连接，所述高频模块具备：安装基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；天线连接端子；发送功率放大器；以及天线开关，其与所述天线连接端子连接，对所述天线连接端子与所述发送功率放大器的连接和非连接进行切换，其中，所述发送功率放大器配置于所述第一主面，所述天线开关配置于所述第二主面。
根据上述结构，发送功率放大器和天线开关分别分开地配置于安装基板的一个安装面和另一个安装面，因此与使用将发送功率放大器和天线开关仅配置于单面的安装基板的高频模块相比，能够高密度化和小型化。另外，能够抑制针对发送功率放大器输入输出的发送信号与经由天线开关在接收路径中传输的接收信号的干扰，因此能够提高发送接收之间的隔离特性。
另外，本实用新型的一个方式所涉及的高频模块能够与外部基板电连接，所述高频模块具备：安装基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；天线连接端子；发送功率放大器；阻抗匹配电路，其与所述发送功率放大器的输出端子连接；以及天线开关，其与所述天线连接端子连接，对所述天线连接端子与所述发送功率放大器的连接和非连接进行切换，其中，所述阻抗匹配电路配置于所述第一主面，所述天线开关配置于所述第二主面。
根据上述结构，阻抗匹配电路和天线开关分别分开地配置于安装基板的一个安装面和另一个安装面，因此与使用将阻抗匹配电路和天线开关仅配置于单面的安装基板的高频模块相比，能够高密度化和小型化。另外，能够抑制针对阻抗匹配电路输入输出的发送信号与经由天线开关在接收路径中传输的接收信号的干扰，因此能够提高发送接收之间的隔离特性。
另外，本实用新型的一个方式所涉及的高频模块能够与外部基板电连接，所述高频模块具备：安装基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；发送功率放大器；低噪声接收放大器；阻抗匹配电路，其与所述发送功率放大器的输出端子连接；以及接收开关，其与所述低噪声接收放大器的输入端子连接，其中，所述阻抗匹配电路配置于所述第一主面，所述接收开关配置于所述第二主面。
根据上述结构，阻抗匹配电路和接收开关分别分开地配置于安装基板的一个安装面和另一个安装面，因此与使用将阻抗匹配电路和接收开关仅配置于单面的安装基板的高频模块相比，能够高密度化和小型化。另外，能够抑制针对阻抗匹配电路输入输出的发送信号与经由接收开关在接收路径中传输的接收信号的干扰，因此能够提高发送接收之间的隔离特性。
另外，也可以是，在从与所述第一主面及所述第二主面垂直的方向俯视所述高频模块的情况下，所述发送功率放大器与所述低噪声接收放大器不重叠。
根据上述结构，能够使发送功率放大器与低噪声接收放大器的距离更大，因此能够进一步确保两者之间的隔离度，能够抑制发送信号与接收信号的干扰。
另外，也可以是，所述高频模块还具备配置于所述第二主面的多个外部连接端子。
根据上述结构，高频模块被配置成第一主面和第二主面中的第二主面隔着多个外部连接端子地面对外部基板的一个主面。因此，无需使用线接合等连接手段，能够借助外部连接端子来将高频模块安装于外部基板的表面。由此，能够缩短将高频模块与外部基板连接的连接布线，能够减少高频输入输出信号的传输损耗。另外，由于不需要使用上述连接手段，因此能够实现制造工序的简化和高频模块的小型化。
另外，也可以是，所述多个外部连接端子包括地端子，所述高频模块具备贯通电极，所述贯通电极贯通所述安装基板，将所述发送功率放大器与所述地端子连接。
根据上述结构，发热量大的发送功率放大器安装于第一主面，形成于安装基板的贯通电极连接发送功率放大器和地端子，因此能够提供提高了从发送功率放大器向外部基板散热的散热性的小型的高频模块。
另外，也可以是，所述发送功率放大器具有放大晶体管元件，所述放大晶体管元件具有配置于所述第一主面的基极端子、集电极端子以及发射极端子，并且所述放大晶体管元件与所述基极端子、所述集电极端子及所述发射极端子连接，使集电极电流从所述集电极端子流向所述发射极端子，所述贯通电极将所述发射极端子与所述地端子连接。
根据上述结构，形成于安装基板的贯通电极将发热量大的发射极端子连接于地端子，因此能够提供进一步提高了从发送功率放大器向外部基板散热的散热性的小型的高频模块。
另外，也可以是，在俯视所述安装基板的情况下，所述贯通电极与所述地端子至少有一部分重叠。
根据上述结构，能够将发射极端子与地端子以大致最短距离进行连接，从而能够减少从发送功率放大器向地端子散热的散热路径中的热阻，因此能够更进一步提高从发送功率放大器向外部基板散热的散热性。并且，能够将高频模块的第二主面侧的贯通电极的形成区域限定为发送功率放大器的正下方附近的区域，因此能够使安装于第二主面的电路部件的形成区域大，该电路部件的配置的自由度提高。
另外，也可以是，还具备：发送用滤波器，其安装在所述第一主面上；以及接收用滤波器，其安装在所述第一主面上，其中，在俯视所述安装基板的情况下，所述低噪声接收放大器与所述接收用滤波器至少有一部分重叠。
根据上述结构，能够使包括低噪声接收放大器和接收用滤波器的接收路径的线路长度短，因此能够减少接收信号的传输损耗。并且，通过上述线路长度变短，能够抑制接收路径上的寄生电感和寄生电容，因此能够抑制噪声指数的劣化。
另外，也可以是，还具备：发送用滤波器，其安装在所述第一主面上；以及接收用滤波器，其安装在所述第一主面上，其中，在俯视所述安装基板的情况下，所述发送用滤波器配置于所述发送功率放大器与所述接收用滤波器之间。
根据上述结构，能够使包括发送功率放大器和发送用滤波器的发送路径的线路长度短，因此能够减少发送信号的传输损耗。并且，通过插入安装发送用滤波器，能够确保输出大功率的发送信号的发送功率放大器与接收用滤波器的距离，因此能够抑制因发送信号的干扰引起的接收灵敏度的劣化。
另外，也可以是，在俯视所述安装基板的情况下，所述低噪声接收放大器与所述接收用滤波器至少有一部分重叠。
根据上述结构，能够使包括发送功率放大器和发送用滤波器的发送路径的线路长度短，并且能够使包括低噪声接收放大器和接收用滤波器的接收路径的线路长度短，因此能够减少接收信号和发送信号的传输损耗。并且，能够抑制接收灵敏度的下降和噪声指数的下降这两方。
另外，也可以是，在从与所述第一主面及所述第二主面垂直的方向俯视所述高频模块的情况下，所述发送功率放大器与所述天线开关不重叠。
根据上述结构，能够使发送功率放大器与天线开关的距离更大，因此能够进一步确保两者之间的隔离度，能够抑制发送信号与接收信号的干扰。
另外，也可以是，所述高频模块还具备：配置于所述第二主面的多个外部连接端子；以及贯通电极，其中，所述多个外部连接端子包括地端子，所述贯通电极贯通所述安装基板，将所述发送功率放大器与所述地端子连接。
根据上述结构，能够缩短将高频模块与外部基板连接的连接布线，能够减少高频输入输出信号的传输损耗。另外，由于不需要使用上述连接手段，因此能够实现制造工序的简化和高频模块的小型化。另外，发热量大的发送功率放大器安装于第一主面，形成于安装基板的贯通电极连接发送功率放大器和地端子，因此能够提供提高了从发送功率放大器向外部基板散热的散热性的小型的高频模块。
另外，也可以是，在从与所述第一主面及所述第二主面垂直的方向俯视所述高频模块的情况下，所述阻抗匹配电路与所述天线开关不重叠。
根据上述结构，能够使阻抗匹配电路与天线开关的距离更大，因此能够进一步确保两者之间的隔离度，能够抑制发送信号与接收信号的干扰。
另外，也可以是，所述高频模块还具备：配置于所述第二主面的多个外部连接端子；以及贯通电极，其中，所述发送功率放大器配置于所述第一主面，所述多个外部连接端子包括地端子，所述贯通电极贯通所述安装基板，将所述发送功率放大器与所述地端子连接。
根据上述结构，能够缩短将高频模块与外部基板连接的连接布线，能够减少高频输入输出信号的传输损耗。另外，由于不需要使用上述连接手段，因此能够实现制造工序的简化和高频模块的小型化。另外，发热量大的发送功率放大器安装于第一主面，形成于安装基板的贯通电极连接发送功率放大器和地端子，因此能够提供提高了从发送功率放大器向外部基板散热的散热性的小型的高频模块。
另外，也可以是，在从与所述第一主面及所述第二主面垂直的方向俯视所述高频模块的情况下，所述阻抗匹配电路与所述接收开关不重叠。
根据上述结构，能够使所述阻抗匹配电路与接收开关的距离更大，因此能够进一步确保两者之间的隔离度，能够抑制发送信号与接收信号的干扰。
另外，也可以是，所述高频模块还具备：配置于所述第二主面的多个外部连接端子；以及贯通电极，其中，所述发送功率放大器配置于所述第一主面，所述多个外部连接端子包括地端子，所述贯通电极贯通所述安装基板，将所述发送功率放大器与所述地端子连接。
根据上述结构，能够缩短将高频模块与外部基板连接的连接布线，能够减少高频输入输出信号的传输损耗。另外，由于不需要使用上述连接手段，因此能够实现制造工序的简化和高频模块的小型化。另外，发热量大的发送功率放大器安装于第一主面，形成于安装基板的贯通电极连接发送功率放大器和地端子，因此能够提供提高了从发送功率放大器向外部基板散热的散热性的小型的高频模块。
另外，本实用新型的一个方式所涉及的通信装置具备：所述外部基板；以及上述任一个所述的高频模块，其中，所述外部基板具有与所述多个外部连接端子中的地端子电连接的外部地电极。
根据上述结构，发热量大的发送功率放大器安装于第一主面，低噪声接收放大器安装于第二主面，形成于安装基板的贯通电极连接发送功率放大器和地端子，因此能够提供提高了从发送功率放大器向外部基板散热的散热性和发送接收之间的隔离特性的小型的通信装置。
另外，也可以是，在俯视所述安装基板的情况下，所述外部地电极与贯通电极至少有一部分重叠，所述贯通电极与所述地端子电连接，从所述第一主面朝向所述第二主面贯通所述安装基板。
根据上述结构，能够将贯通电极与外部地电极以大致最短距离进行连接，从而能够减少从发送功率放大器向外部地电极散热的散热路径中的热阻。因此，能够提供提高了从发送功率放大器向外部基板散热的散热性的通信装置。
另外，本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备：公共输入输出端子；发送输入端子；接收输出端子；安装基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；发送功率放大器，其安装于所述第一主面，连接于所述发送输入端子与所述公共输入输出端子之间；接收用滤波器，其安装于所述第一主面，连接于所述公共输入输出端子与所述接收输出端子之间；以及低噪声接收放大器，其安装于所述第二主面，与所述接收用滤波器连接，其中，在从与所述第一主面垂直的方向俯视所述高频模块的情况下，所述低噪声接收放大器与所述接收用滤波器至少有一部分重叠，在从与所述第一主面垂直的方向俯视所述高频模块的情况下，所述发送功率放大器与所述低噪声接收放大器不重叠。
另外，也可以是，所述高频模块还具备第一树脂构件，所述第一树脂构件形成于所述第二主面，覆盖所述低噪声接收放大器的至少侧面。
另外，也可以是，所述高频模块还具备：贯通电极，其贯通所述安装基板和所述第一树脂构件，与所述发送功率放大器连接；以及外部连接端子，其与所述贯通电极连接，其中，所述外部连接端子是地端子。
另外，也可以是，所述发送功率放大器具有放大晶体管元件，所述放大晶体管元件具有基极端子、集电极端子以及发射极端子，所述贯通电极与所述发射极端子连接。
另外，也可以是，在从与所述第一主面垂直的方向俯视所述高频模块的情况下，所述贯通电极与所述地端子至少有一部分重叠。
另外，也可以是，所述高频模块还具备发送用滤波器，所述发送用滤波器安装于所述第一主面，与所述发送功率放大器连接。
另外，也可以是，在从与所述第一主面垂直的方向俯视所述高频模块的情况下，所述发送用滤波器配置于所述发送功率放大器与所述接收用滤波器之间。
另外，也可以是，所述高频模块还具备第二树脂构件，所述第二树脂构件形成于所述第一主面，覆盖所述发送功率放大器和所述接收用滤波器。
另外，也可以是，所述高频模块还具备形成在所述第二树脂构件上的屏蔽电极层。
另外，也可以是，所述高频模块还具备形成于所述第一树脂构件的侧面的屏蔽柱状电极。
另外，本实用新型的一个方式所涉及的通信装置具备：外部基板；以及与所述外部基板连接的上述的高频模块。
实用新型的效果
根据本实用新型，能够提供提高了发送接收之间的隔离特性的小型的高频模块和通信装置。
附图说明
图1A是实施方式所涉及的高频模块的第一截面结构图。
图1B是实施方式所涉及的高频模块的第二截面结构图。
图1C是实施方式所涉及的高频模块的第三截面结构图。
图2A是实施例所涉及的高频模块的第一截面结构图。
图2B是实施例所涉及的高频模块的第二截面结构图。
图2C是实施例所涉及的高频模块的第三截面结构图。
图3A是实施例所涉及的高频模块和通信装置的结构框图。
图3B是实施例所涉及的高频模块所具有的放大元件的电路结构图。
图4A是变形例1所涉及的高频模块的第一截面结构图。
图4B是变形例1所涉及的高频模块的第二截面结构图。
图4C是变形例1所涉及的高频模块的第三截面结构图。
图5A是变形例2所涉及的高频模块的第一截面结构图。
图5B是变形例2所涉及的高频模块的第二截面结构图。
图5C是变形例2所涉及的高频模块的第三截面结构图。
图6是变形例3所涉及的高频模块的第一截面结构图。
图7是变形例4所涉及的高频模块的第一截面结构图。
具体实施方式
下面，使用附图来详细说明本实用新型的实施方式。此外，下面说明的实施方式均表示总括性或具体性的例子。下面的实施方式所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置以及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本实用新型。将下面的实施方式的结构要素中的未记载于独立权利要求的结构要素作为任意的结构要素来进行说明。另外，附图所示的结构要素的大小或者大小之比未必是严格的。
另外，在本说明书中，在安装于基板上的A、B及C中，“在俯视该基板(或该基板的主面)的情况下，C配置于A与B之间”被定义为指以下情况：在俯视该基板的情况下被投影的C的区域的至少一部分同将在俯视该基板的情况下被投影的A的区域内的任意的点与在俯视该基板的情况下被投影的B的区域内的任意的点连结的线重叠。
(实施方式)
[1.实施方式所涉及的高频模块1的结构]
图1A是实施方式所涉及的高频模块1的第一截面结构图。另外，图1B是实施方式所涉及的高频模块1的第二截面结构图。另外，图1C是实施方式所涉及的高频模块1的第三截面结构图。更具体地说，图1A是沿Y轴正方向观察图1B及图1C的IA-IA截面所得到的截面图。另外，图1B是沿Z轴负方向观察图1A的IB-IB截面所得到的截面图。另外，图1C是沿Z轴负方向观察图1A的IC-IC截面所得到的截面图。
如图1A所示，高频模块1具备安装基板30、功率放大电路11、低噪声放大电路21、发送用滤波器12、接收用滤波器22、树脂构件40A及40B、贯通电极51、52、53及54、以及地端子411、412及422。
高频模块1能够与外部基板90电连接。外部基板90在Z轴正方向的表面具有地电极911、912及922，例如相当于便携式电话和通信设备等的主板。
此外，高频模块1能够与外部基板90电连接不仅包括高频模块1直接安装在外部基板90上的情况，还包括高频模块1间接安装在外部基板90上的情况。此外，高频模块1间接安装在外部基板90上的情况是高频模块1被安装于在外部基板90上安装的其它高频模块上的情况等。
安装基板30是如下的两面安装基板：具有彼此相向的主面30a和主面30b，在主面30a及30b分别安装有电路部件。主面30a是安装基板30的Z轴正方向侧的第一主面，主面30b是安装基板30的Z轴负方向侧的第二主面。安装基板30是多个层层叠而成的多层基板，例如能够列举出陶瓷多层基板和PCB基板等。另外，安装基板30具有被设定为地电位的平面布线图案。
功率放大电路11是安装于主面30a的对发送信号进行放大的放大电路。功率放大电路11是具有匹配电路13和PA(Power Amplifier：功率放大器)14的发送功率放大电路。PA14是发送功率放大器的一例。
低噪声放大电路21是安装于主面30b的对接收信号进行放大的放大电路。低噪声放大电路21是具有匹配电路23和LNA(Low Noise Amplifier：低噪声放大器)24的低噪声接收放大电路。LNA 24是低噪声接收放大器的一例。
地端子411、412及422是将安装基板30与外部基板90电连接的多个外部连接端子。
作为以往的高频模块的一例，能够列举出使用单面安装基板的高频模块。在该单面安装方式中，将电路部件配置在同一平面上，因此对于来自顾客的小型化和集成化的要求，是通过减小电路部件之间的间隔或者使电路部件自身小型化来应对的。然而，通过通信技术的发展，当前不仅研究了主流的LTE(Long Term Evolution：长期演进)通信，还研究了5G(5th Generation：第五代)移动通信系统。因此，便携终端上能够搭载高频部件的区域进一步变小，平板产品的小型化是有极限的。另外，在单面安装方式中，PA和LNA会被配置在同一平面上，因此导致PA与LNA直接耦合，难以确保发送接收之间的隔离度。
与此相对，实施方式所涉及的高频模块1具备安装基板30、功率放大电路11以及低噪声放大电路21，根据该结构，PA 14和LNA 24分开地配置于安装基板30的两个安装面即主面30a及30b，因此与使用单面安装基板的高频模块相比，能够高密度化和小型化。另外，能够抑制针对功率放大电路11输入输出的发送信号与针对低噪声放大电路21输入输出的接收信号的干扰，因此能够提高发送接收之间的隔离特性。
另外，期望的是，如图1A～图1C所示，在从与主面30a及30b垂直的方向俯视高频模块1的情况下，PA 14与LNA 24不重叠。
由此，除了将功率放大电路11和低噪声放大电路21分开地配置于主面30a及30b以外，能够使PA 14与LNA 24的距离更大，并且能够抑制PA 14与LNA 24的电磁场耦合，因此能够进一步确保两者之间的隔离度。
另外，期望的是，包括地端子411、412及422的多个外部连接端子仅配置于高频模块1的主面30a侧的暴露面和主面30b侧的暴露面中的主面30b侧的暴露面。
此外，高频模块1的主面30a侧的暴露面例如在图1A中相当于树脂构件40A的暴露面(树脂构件40A的Z轴正方向侧的表面)，高频模块1的主面30b侧的暴露面例如在图1A中相当于树脂构件40B的暴露面(树脂构件40B的Z轴负方向侧的表面)。
据此，高频模块1被配置成主面30a及30b中的主面30b隔着多个外部连接端子地与外部基板90的一个主面相向。因此，无需使用线接合等连接手段，能够借助外部连接端子来将高频模块1安装于外部基板90的表面。由此，能够缩短将高频模块1与外部基板90连接的连接布线，能够减少高频输入输出信号的传输损耗。另外，由于不需要使用线接合等连接手段，因此能够实现制造工序的简化和高频模块1的小型化。
如图1A所示，功率放大电路11具有发射极端子111及112。低噪声放大电路21具有与安装基板30连接的连接端子211及212。
发送用滤波器12是如下的滤波器元件：具有与安装基板30连接的连接端子121及122，以规定频带的发送带为通带。
接收用滤波器22是如下的滤波器元件：具有与安装基板30连接的连接端子221及222，以规定频带的接收带为通带。低噪声放大电路21的连接端子211与接收用滤波器22的连接端子221通过贯通电极53连接。
贯通电极51是如下的电极：将发射极端子111与地端子411电连接，从主面30a朝向主面30b贯通安装基板30。贯通电极52是如下的电极：将发射极端子112与地端子412电连接，从主面30a朝向主面30b贯通安装基板30。
贯通电极53是如下的电极：将接收用滤波器22的连接端子221与低噪声放大电路21的连接端子211电连接，从主面30a朝向主面30b贯通安装基板30。贯通电极54是如下的电极：将接收用滤波器22的连接端子222与地端子422电连接，从主面30a朝向主面30b贯通安装基板30。
此外，在本实施方式中，贯通电极51、52及54不仅贯通安装基板30，还贯通树脂构件40B。
树脂构件40A是形成在主面30a上的覆盖功率放大电路11、发送用滤波器12以及接收用滤波器22的侧面和顶面的第一树脂。此外，树脂构件40A只要覆盖功率放大电路11的至少侧面即可。
树脂构件40B是形成在主面30b上的覆盖低噪声放大电路21的侧面和顶面的第二树脂。此外，树脂构件40B只要覆盖低噪声放大电路21的至少侧面即可。
此外，贯通电极53及54以及树脂构件40A及40B不是本实用新型所涉及的高频模块1所必需的结构要素。
地端子411、412及422相对于安装基板30而言配置于主面30b侧。地端子411经由贯通电极51来与功率放大电路11的发射极端子111电连接，另外，与外部基板90的地电极911直接连接。另外，地端子412经由贯通电极52来与功率放大电路11的发射极端子112电连接，另外，与外部基板90的地电极912直接连接。地端子422经由贯通电极54来与接收用滤波器22的连接端子222电连接，另外，与外部基板90的地电极922直接连接。地端子411、412及422与地电极911、912及922例如借助焊料构件来接合。此外，地端子411、412及422中的各地端子也可以是与贯通电极51、52及54的Z轴负方向的前端面接合的凸块构件(包括锡球)。另外，地端子411、412及422中的各地端子也可以是在贯通电极51、52及54的Z轴负方向的前端面形成的镀层等。并且，作为高频模块1，在贯通电极51、52及54的Z轴负方向的前端面未形成电极层和电极端子的情况下，地端子411、412及422中的各地端子被定义为贯通电极51、52及54的Z轴负方向的前端面本身。也就是说，贯通电极51、52及54的Z轴负方向的前端面分别借助焊料构件等来与地电极911、912及922接合。
[2.实施例所涉及的高频模块1A的构造]
图2A是实施例所涉及的高频模块1A的第一截面结构图。另外，图2B是实施例所涉及的高频模块1A的第二截面结构图。另外，图2C是实施例所涉及的高频模块1A的第三截面结构图。更具体地说，图2A是沿Y轴正方向观察图2B及图2C的IIA-IIA截面所得到的截面图。另外，图2B是沿Z轴负方向观察图2A的IIB-IIB截面所得到的截面图。另外，图2C是沿Z轴负方向观察图2A的IIC-IIC截面(主面40b)所得到的截面图。此外，在图2B和图2C中，不仅示出了在各截面配置的电路元件和端子(实线)，还示出了在沿Z轴方向透视的情况下存在的电路元件(虚线)。
如图2A～图2C所示，高频模块1A具备功率放大电路11、低噪声放大电路21、发送用滤波器12A及12B、接收用滤波器22A及22B、发送接收用滤波器32C、以及开关61～64。本实施例所涉及的高频模块1A是实施方式所涉及的高频模块1的具体结构例。本实施例所涉及的高频模块1A与实施方式所涉及的高频模块1相比在以下方面不同：更详细地附加了滤波器和开关的结构。下面，关于本实施例所涉及的高频模块1A，以其与实施方式所涉及的高频模块1不同的方面为中心来进行说明。首先，在说明实施例所涉及的高频模块1A的构造时，示出实施例所涉及的高频模块1A的具体结构例。
图3A是实施例所涉及的高频模块1A和通信装置8的结构框图。在该图中示出了实施例所涉及的高频模块1A的具体结构例，示出了本实施例所涉及的高频模块1A、公共输入输出端子100、发送输入端子110、接收输出端子120、天线元件5、RF信号处理电路(RFIC)6、以及基带信号处理电路(BBIC)7。另外，高频模块1A、天线元件5、RFIC 6以及BBIC 7构成了通信装置8。此外，通信装置8具备本实施例所涉及的高频模块1A以及图2A中示出的外部基板90。
高频模块1A具备功率放大电路11、低噪声放大电路21、发送用滤波器12A及12B、接收用滤波器22A及22B、发送接收用滤波器32C、以及开关61、62、63及64。
发送用滤波器12A例如是以频段(频带)A的发送带为通带的滤波器元件。发送用滤波器12B例如是以频段(频带)B的发送带为通带的滤波器元件。接收用滤波器22A例如是以频段(频带)A的接收带为通带的滤波器元件。接收用滤波器22B例如是以频段(频带)B的接收带为通带的滤波器元件。此外，发送用滤波器12A和接收用滤波器22A也可以构成频段A用的双工器。另外，发送用滤波器12B和接收用滤波器22B也可以构成频段B用的双工器。发送接收用滤波器32C例如是以频段(频带)C的发送接收带为通带的滤波器元件。
开关61是天线开关的一例，是如下的SP3T(Single Pole 3Throw：单刀三掷)型的开关电路：具有公共端子和3个选择端子，公共端子连接于公共输入输出端子(天线连接端子)100，3个选择端子分别连接于发送用滤波器12A及接收用滤波器22A的连接端子、发送用滤波器12B及接收用滤波器22B的连接端子、以及发送接收用滤波器32C。开关61具有对频段A、频段B以及频段C的信号路径进行切换的功能。此外，开关61只要是使公共端子与3个选择端子中的至少1个选择端子导通的开关电路即可。
开关62是如下的SP3T型的开关电路：具有公共端子和3个选择端子，公共端子连接于功率放大电路11，3个选择端子分别连接于发送用滤波器12A的输入端子、发送用滤波器12B的输入端子、以及开关64的一个选择端子。开关62具有对频段A、频段B以及频段C的发送信号路径进行切换的功能。此外，开关62只要是使公共端子与3个选择端子中的至少1个选择端子导通的开关电路即可。
开关63是接收开关的一例，是如下的SP3T型的开关电路：具有公共端子和3个选择端子，公共端子经由匹配电路23来连接于LNA 24的输入端子，3个选择端子分别连接于接收用滤波器22A的输出端子、接收用滤波器22B的输出端子、以及开关64的另一个选择端子。开关63具有对频段A、频段B以及频段C的接收信号路径进行切换的功能。此外，开关63只要是使公共端子与3个选择端子中的至少1个选择端子导通的开关电路即可。
开关64是如下的SPDT(Single Pole Double Throw：单刀双掷)型的开关电路：具有公共端子和2个选择端子，公共端子连接于发送接收用滤波器32C。开关64具有将包括发送接收用滤波器32C的信号路径切换为发送信号路径或接收信号路径的功能。
低噪声放大电路21是具有匹配电路23和LNA 24的低噪声接收放大电路，将从开关63输入的接收信号放大后输出到接收输出端子120。此外，低噪声放大电路21也可以不具有匹配电路23。
LNA 24是低噪声接收放大器的一例，例如是具有双极晶体管的放大器。
匹配电路23是用于使接收用滤波器22A、22B以及发送接收用滤波器32C的输出阻抗与LNA 24的输入阻抗匹配的电路，例如由电感器和电容器等无源元件构成。
功率放大电路11是具有匹配电路13和PA 14的发送功率放大电路，对从发送输入端子110输入的发送信号进行放大。此外，功率放大电路11也可以不具有匹配电路13。
匹配电路13是与PA 14的输出端子连接的阻抗匹配电路，是用于使PA 14的输出阻抗与发送用滤波器12A、12B及发送接收用滤波器32C的输入阻抗匹配的电路，例如由电感器和电容器等无源元件构成。
在此，例示功率放大电路11的电路结构来详细说明功率放大电路11的结构。
图3B是实施例所涉及的高频模块1A所具有的PA 14的电路结构图。PA 14是发送功率放大器的一例，如该图所示，具备晶体管140、电容器141及142、偏置电路143、集电极端子144、发射极端子111、输入端子145以及输出端子146。
晶体管140例如具有集电极、发射极以及基极，是发射极接地型的双极晶体管，将输入到基极的高频电流放大后从集电极输出。此外，晶体管140也可以是具有漏极、源极以及栅极的场效应型的晶体管。
电容器141是DC截止用的电容元件，具有利用从偏置电路143施加到基极的直流偏置电压来防止直流电流泄漏到输入端子145的功能。
电容器142是DC截止用的电容元件，具有去除叠加了直流偏置电压的高频放大信号的直流成分的功能，该被去除了直流成分的高频放大信号从输出端子146被输出。
偏置电路143与晶体管140的基极连接，具有通过对该基极施加偏置电压来优化晶体管140的动作点的功能。
根据PA 14的上述电路结构，从输入端子145输入的高频信号RFin为从晶体管140的基极流向发射极的基极电流Ib。基极电流Ib被晶体管140放大后成为集电极电流Ic，与该集电极电流Ic对应的高频信号RFout从输出端子146被输出。此时，基极电流Ib与集电极电流Ic相加而成的大电流从发射极端子111流向地。
此外，发射极端子111也可以配置于PA 14的外部且功率放大电路11内。也就是说，也可以是，PA 14不具有发射极端子111，功率放大电路11具有发射极端子111。
再次返回到图3A，说明通信装置8的结构。
RFIC 6对从天线元件5经由高频模块1A输入的接收信号通过下变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的接收信号输出到BBIC 7。
BBIC 7是使用频率比前端部中的高频信号的频率低的中间频带来进行信号处理的电路。由BBIC 7处理后的信号例如被用作图像信号以显示图像，或者被用作声音信号以借助扬声器进行通话。
通过上述结构，高频模块1A能够通过开关61～64的切换动作来选择并传输频段A的高频信号、频段B的高频信号以及频段C的高频信号中的各频段的高频信号。此外，高频模块1A应用于将上述3个频带的发送接收信号分别单独地传输的(非CA)模式，但是也能够应用于同时传输上述3个频带的发送接收信号中的2个以上的发送接收信号的(CA)模式。
此外，在本实施方式中，作为高频模块，例示了作为发送接收分波/合波电路的高频模块1A，但是本实用新型的高频模块也可以是发送合波电路，频带(信号路径)的数量没有限定。
另外，除了图3A所示的电路结构以外，也可以在将各电路元件连接的节点配置有电容器、电感器以及电阻元件等电子部件。
在此，返回到图2A～2C，说明高频模块1A的构造。
功率放大电路11具备基极端子(在图2A中未图示)、集电极端子144(在图2A中未图示)、发射极端子111及112、以及PA 14(在图2A中未图示)。此外，既可以PA 14的多个晶体管140中的各晶体管140由并联连接的多个晶体管元件构成，另外，也可以PA 14具有晶体管140彼此级联连接而成的结构。在具有多个晶体管140级联连接而成的结构的情况下，也可以具有多个基极端子、多个集电极端子以及多个发射极端子。从该观点出发，在图2A中示出了多个发射极端子111及112。
基极端子(在图2A中未图示，相当于图3B的输入端子145)、集电极端子144(在图2A中未图示，在图3B中图示)以及发射极端子111及112(在图2A中图示)配置于主面30a，由金属电极层或金属凸块构件等构成。
此外，也可以是，基极端子和集电极端子经由配置于主面30a的金属电极层或金属凸块构件来与形成于安装基板30的贯通电极连接，该贯通电极与配置于树脂构件40B的表面的外部连接端子连接。此外，该外部连接端子不是地端子，是用于传输高频信号的信号端子。
关于PA 14，如图3B中说明的那样，晶体管140的基极与上述基极端子连接，晶体管140的集电极与集电极端子144连接，晶体管140的发射极与发射极端子111或112连接，使集电极电流Ic从集电极端子144流向发射极端子111或112。
发热量大的PA 14安装于主面30a，形成于两面安装基板30的贯通电极51与PA 14及地端子411连接，形成于两面安装基板30的贯通电极52与PA 14及地端子412连接。由此，能够提供借助将两面安装基板30与外部基板90连接的多个外部连接端子来提高了从PA 14向外部基板90散热的散热性的小型的高频模块1A。
此外，也可以是，贯通电极51与发射极端子111及地端子411连接，形成于安装基板30的贯通电极52与发射极端子112及地端子412连接。在该情况下，发射极端子111及112的发热量大，因此能够提供更进一步提高了从PA14向外部基板90散热的散热性的小型的高频模块1A。
也就是说，关于本实施例所涉及的高频模块1A，PA 14配置在以安装基板30为基准的、与形成地端子411及412的一侧相反的一侧。另外，地端子411及412配置在相对于安装基板30而言的树脂构件40A及40B中的树脂构件40B侧。PA14的散热路径是发射极端子111-贯通电极51-地端子411、以及发射极端子112-贯通电极52-地端子412。假如PA 14配置在相对于安装基板30而言的形成了地端子411及412的一侧，则PA 14的发射极端子111及112与主面30b连接，会经由安装基板30的沿XY平面方向延伸的平面布线图案并通过树脂构件40B内的贯通电极来与地端子411及412连接。与此相对，当如本实施例那样PA 14配置于主面30a时，上述散热路径由经由贯通电极51及52的路径构成，不包括仅经由安装基板30的平面布线图案的路径。也就是说，通过贯通电极51及52来直接与地端子411及412连接，因此能够实现热阻小的散热路径，高频模块1A的散热性提高。
另外，通过配置树脂构件40A，热产生量多的PA 14被树脂构件40A覆盖，因此在提高PA 14的安装可靠性的同时提高从PA 14向外部基板90散热的散热性。
另外，在本实施方式中，地端子411、412及422配置在树脂构件40A及40B中的树脂构件40B上。特别是，在本实施方式中，地端子411、412及422配置于树脂构件40B的(Z轴负方向的)表面(彼此相向的2个主面中的不与主面30b相接的主面)。
据此，通过配置树脂构件40A及40B，提高了功率放大电路11和低噪声放大电路21的可靠性，同时，在树脂构件40B内还形成贯通电极51、52及54，因此能够遍及安装基板30和树脂构件40B地排除仅经由形成于安装基板30和树脂构件40B的布线中的热阻大的平面布线图案的散热路径。
此外，如图2C所示，期望的是，在从与主面30a及30b垂直的方向(Z轴方向)俯视高频模块1A的情况下，贯通电极51与地端子411重叠，贯通电极52与地端子412重叠。
据此，能够将发射极端子111与地端子411以大致最短距离进行连接，另外，能够将发射极端子112与地端子412以大致最短距离进行连接。由此，能够减少从功率放大电路11向地端子411及412散热的散热路径中的热阻，因此能够进一步提高从功率放大电路11向外部基板90散热的散热性。并且，能够将树脂构件40B内的贯通电极51及52的形成区域限定为功率放大电路11的正下方附近的区域，因此能够使安装于主面30b的电路部件的形成区域大。因此，电路部件的配置的自由度提高。
此外，也可以如图2C那样贯通电极51不与地端子411完全重叠，只要贯通电极51的至少一部分与地端子411重叠即可。另外，只要贯通电极52的至少一部分与地端子412重叠即可。
另外，期望的是，在上述俯视下，贯通电极51与地电极911重叠，贯通电极52与地电极912重叠。
据此，能够将发射极端子111与地电极911以大致最短距离进行连接，另外，能够将发射极端子112与地电极912以大致最短距离进行连接。由此，能够减少从功率放大电路11向外部基板90散热的散热路径中的热阻，因此能够提供提高了从功率放大电路11向外部基板90散热的散热性的通信装置8。此外，也可以贯通电极51不与地电极911完全重叠，只要贯通电极51的至少一部分与地电极911重叠即可。另外，只要贯通电极52的至少一部分与地电极912重叠即可。
另外，在本实施例中，PA 14与LNA24以将安装基板30夹在中间的方式配置，因此能够确保两者之间的隔离度，能够抑制发送信号与接收信号的干扰。特别是，能够抑制以下情况：大功率的发送信号侵入到接收路径从而接收灵敏度下降。
另外，期望的是，如图2A～图2C所示，在从与主面30a及30b垂直的方向俯视高频模块1A的情况下，PA14与LNA 24不重叠。
由此，除了将PA 14和LNA 24分开地配置于主面30a及30b以外，能够使PA14与LNA24的距离更大，并且能够抑制PA 14与LNA24的磁场耦合，因此能够进一步确保两者之间的隔离度。另外，将PA 14与地端子411及412连接的贯通电极51及52不受低噪声放大电路21的配置所制约，因此能够将功率放大电路11与地端子411及412以最短距离进行连接。
另外，期望的是，在上述俯视下，如图2A和图2B所示，LNA24与接收用滤波器22A及22B至少有一部分重叠。
由此，能够使包括LNA 24和接收用滤波器22A或22B的接收路径的线路长度短，因此能够减少接收信号的传输损耗。并且，通过上述线路长度变短，能够抑制接收路径上的寄生电容，因此能够抑制LNA24的噪声指数的下降。
另外，期望的是，在上述俯视下，如图2A和图2B所示，发送用滤波器12A及12B配置于PA 14与接收用滤波器22A及22B之间。
由此，能够使包括PA14、发送用滤波器12A及12B的发送路径的线路长度短，因此能够减少发送信号的传输损耗。并且，通过插入安装发送用滤波器12A及12B，能够确保输出大功率的发送信号的PA 14与接收用滤波器22A及22B的距离，因此能够抑制因发送信号的干扰引起的接收灵敏度的下降。
另外，在本实施例中，期望的是，在匹配电路13具有芯片状的第一电感器且匹配电路23具有芯片状的第二电感器的情况下，第一电感器安装于主面30a，第二电感器安装于主面30b。根据该结构，配置在发送系统电路上的第一电感器与配置在接收系统电路上的第二电感器以将安装基板30夹在中间的方式配置，因此能够抑制第一电感器与第二电感器的磁场耦合。因此，能够确保发送系统电路与接收系统电路之间的隔离度，能够抑制发送信号与接收信号的干扰。特别是，能够抑制以下情况：大功率的发送信号侵入到接收路径从而接收灵敏度下降。
另外，在图3A所示的高频模块1A中，也可以在开关61与发送用滤波器12A及接收用滤波器22A之间配置有阻抗匹配用的芯片状的第三电感器，另外，也可以在开关61与发送用滤波器12B及接收用滤波器22B之间配置有阻抗匹配用的芯片状的第四电感器。并且，也可以在公共输入输出端子100与开关61之间配置有阻抗匹配用的芯片状的第五电感器。
在上述结构中，期望的是，第一电感器安装于主面30a，第三电感器安装于主面30b。根据该结构，第一电感器与第三电感器以将安装基板30夹在中间的方式配置，因此能够抑制第一电感器与第三电感器发生磁场耦合。因此，能够抑制发送信号不经由发送用滤波器12A地侵入到接收系统电路，因此能够确保发送系统电路与接收系统电路之间的隔离度，能够抑制发送信号与接收信号的干扰。特别是，能够抑制以下情况：大功率的发送信号侵入到接收路径从而接收灵敏度下降。
另外，在上述结构中，期望的是，第一电感器安装于主面30a，第四电感器安装于主面30b。根据该结构，第一电感器与第四电感器以将安装基板30夹在中间的方式配置，因此能够抑制第一电感器与第四电感器发生磁场耦合。因此，能够抑制发送信号不经由发送用滤波器12B地侵入到接收系统电路，因此能够确保发送系统电路与接收系统电路之间的隔离度，能够抑制发送信号与接收信号的干扰。特别是，能够抑制以下情况：大功率的发送信号侵入到接收路径从而接收灵敏度下降。
另外，在上述结构中，期望的是，第一电感器安装于主面30a，第五电感器安装于主面30b。根据该结构，第一电感器与第五电感器以将安装基板30夹在中间的方式配置，因此能够抑制第一电感器与第五电感器发生磁场耦合。因此，能够抑制发送信号不经由发送用滤波器12A及12B地侵入到接收系统电路，因此能够确保发送系统电路与接收系统电路之间的隔离度，能够抑制发送信号与接收信号的干扰。特别是，能够抑制以下情况：大功率的发送信号侵入到接收路径从而接收灵敏度下降。
另外，在上述结构中，期望的是，第三电感器安装于主面30a，第二电感器安装于主面30b。根据该结构，第三电感器与第二电感器以将安装基板30夹在中间的方式配置，因此能够抑制第三电感器与第二电感器发生磁场耦合。因此，能够抑制发送信号不经由接收用滤波器22A地侵入到接收系统电路，因此能够确保发送系统电路与接收系统电路之间的隔离度，能够抑制发送信号与接收信号的干扰。特别是，能够抑制以下情况：大功率的发送信号侵入到接收路径从而接收灵敏度下降。
另外，在上述结构中，期望的是，第四电感器安装于主面30a，第二电感器安装于主面30b。根据该结构，第四电感器与第二电感器以将安装基板30夹在中间的方式配置，因此能够抑制第四电感器与第二电感器发生磁场耦合。因此，能够抑制发送信号不经由接收用滤波器22B地侵入到接收系统电路，因此能够确保发送系统电路与接收系统电路之间的隔离度，能够抑制发送信号与接收信号的干扰。特别是，能够抑制以下情况：大功率的发送信号侵入到接收路径从而接收灵敏度下降。
另外，在上述结构中，期望的是，第五电感器安装于主面30a，第二电感器安装于主面30b。根据该结构，第五电感器与第二电感器以将安装基板30夹在中间的方式配置，因此能够抑制第五电感器与第二电感器发生磁场耦合。因此，能够抑制发送信号不经由接收用滤波器22A及22B地侵入到接收系统电路，因此能够确保发送系统电路与接收系统电路之间的隔离度，能够抑制发送信号与接收信号的干扰。特别是，能够抑制以下情况：大功率的发送信号侵入到接收路径从而接收灵敏度下降。
另外，在本实施例中，也可以是，如图2B和图2C所示，PA 14配置于主面30a，开关61配置于主面30b。
据此，PA 14和开关61分别分开地配置于安装基板30的一个安装面和另一个安装面，因此与使用将PA 14和开关61仅配置于单面的安装基板的高频模块相比，能够高密度化和小型化。另外，能够抑制针对PA 14输入输出的发送信号与经由开关61在接收路径中传输的接收信号的干扰，因此能够提高发送接收之间的隔离特性。
另外，期望的是，如图2B和图2C所示，在俯视安装基板30的情况下，PA14与开关61不重叠。
据此，能够使PA 14与开关61的距离更大，因此能够进一步确保两者之间的隔离度，能够抑制发送信号与接收信号的干扰。
另外，在本实施例中，也可以是，如图2B和图2C所示，匹配电路13配置于主面30a，开关61配置于主面30b。
据此，匹配电路13和开关61分别分开地配置于安装基板30的一个安装面和另一个安装面，因此与使用将匹配电路13和开关61仅配置于单面的安装基板的高频模块相比，能够高密度化和小型化。另外，能够抑制针对匹配电路13输入输出的发送信号与经由开关61在接收路径中传输的接收信号的干扰，因此能够提高发送接收之间的隔离特性。
另外，期望的是，如图2B和图2C所示，在俯视安装基板30的情况下，匹配电路13与开关61不重叠。
据此，能够使匹配电路13与开关61的距离更大，因此能够进一步确保两者之间的隔离度，能够抑制发送信号与接收信号的干扰。
另外，在本实施例中，也可以是，如图2B和图2C所示，匹配电路13配置于主面30a，开关63配置于主面30b。
据此，匹配电路13和开关63分别分开地配置于安装基板30的一个安装面和另一个安装面，因此与使用将匹配电路13和开关63仅配置于单面的安装基板的高频模块相比，能够高密度化和小型化。另外，能够抑制针对匹配电路13输入输出的发送信号与经由开关63在接收路径中传输的接收信号的干扰，因此能够提高发送接收之间的隔离特性。
另外，期望的是，如图2B和图2C所示，在俯视安装基板30的情况下，匹配电路13与开关63不重叠。
据此，能够使匹配电路13与开关63的距离更大，因此能够进一步确保两者之间的隔离度，能够抑制发送信号与接收信号的干扰。
[3.变形例1所涉及的高频模块2的构造]
图4A是变形例1所涉及的高频模块2的第一截面结构图。另外，图4B是变形例1所涉及的高频模块2的第二截面结构图。另外，图4C是变形例1所涉及的高频模块2的第三截面结构图。更具体地说，图4A是沿Y轴正方向观察图4B和图4C的IVA-IVA截面所得到的截面图。另外，图4B是沿Z轴负方向观察图4A的IVB-IVB截面所得到的截面图。另外，图4C是沿Z轴负方向观察图4A的IVC-IVC截面所得到的截面图。
如图4A所示，高频模块2具备安装基板30、功率放大电路11、低噪声放大电路21、发送用滤波器12、接收用滤波器22、树脂构件40A及40B、贯通电极51、52、53及54、地端子411、412及422、地电极层30G、以及屏蔽电极层40G。与实施方式所涉及的高频模块1相比，就结构而言，本变形例所涉及的高频模块2在以下方面不同：配置有地电极层30G和屏蔽电极层40G。下面，关于本变形例所涉及的高频模块2，省略其与实施方式所涉及的高频模块1相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。
地电极层30G是由安装基板30内的平面布线图案形成、且被设定为地电位的电极层。
屏蔽电极层40G是形成为覆盖树脂构件40A的顶面和侧面、且在安装基板30的侧面处与地电极层30G连接的第一屏蔽电极层。
由此，能够抑制功率放大电路11的发送信号从高频模块2直接辐射到外部，另外，能够抑制外来噪声侵入到主面30a上的电路部件。并且，能够借助屏蔽电极层40G来对功率放大电路11的发热进行散热，因此散热性提高。
[4.变形例2所涉及的高频模块3的构造]
图5A是变形例2所涉及的高频模块3的第一截面结构图。另外，图5B是变形例2所涉及的高频模块3的第二截面结构图。另外，图5C是变形例2所涉及的高频模块3的第三截面结构图。更具体地说，图5A是沿Y轴正方向观察图5B和图5C的VA-VA截面所得到的截面图。另外，图5B是沿Z轴负方向观察图5A的VB-VB截面所得到的截面图。另外，图5C是沿Z轴负方向观察图5A的VC-VC截面所得到的截面图。
如图5A所示，高频模块3具备安装基板30、功率放大电路11、低噪声放大电路21、发送用滤波器12、接收用滤波器22、树脂构件40A及40B、贯通电极51、52、53及54、地端子411、412及422、地电极层30G、屏蔽电极层40G、以及屏蔽柱状电极41G。与变形例1所涉及的高频模块2相比，就结构而言，本变形例所涉及的高频模块3在以下方面不同：配置有屏蔽柱状电极41G。下面，关于本变形例所涉及的高频模块3，省略其与变形例1所涉及的高频模块2相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。
屏蔽柱状电极41G是形成于树脂构件40B的侧面、且在安装基板30的侧面处与地电极层30G连接的第二屏蔽电极。如图5C所示，屏蔽柱状电极41G是沿Z轴方向切断沿Z轴方向贯通安装基板30和树脂构件40B的圆柱状的通路电极所得到的半圆柱状的柱状电极，在树脂构件40B的侧面配置有多个。
据此，与屏蔽电极层40G一起形成有屏蔽柱状电极41G，因此高频模块3整体被屏蔽。因此，能够进一步抑制功率放大电路11的发送信号从高频模块3直接辐射到外部，另外，能够抑制外来噪声侵入到主面30a及30b上的电路部件。并且，能够借助屏蔽柱状电极41G来对功率放大电路11的发热进行散热，因此散热性进一步提高。
此外，也可以是，屏蔽柱状电极41G是如屏蔽电极层40G那样以覆盖树脂构件40B的侧面的方式形成的层状的电极。
[5.变形例3所涉及的高频模块4A的构造]
图6是变形例3所涉及的高频模块4A的第一截面结构图。如该图所示，高频模块4A具备安装基板30、功率放大电路11、低噪声放大电路21、发送用滤波器12、接收用滤波器22、树脂构件40A及40B、贯通电极51A、52A、53及54、以及地端子411A、412A及422。本变形例所涉及的高频模块4A与实施方式所涉及的高频模块1相比，贯通电极51A及52A的形状不同。下面，关于本变形例所涉及的高频模块4A，省略其与实施方式所涉及的高频模块1相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。
贯通电极51A是如下的电极：将发射极端子111与地端子411A电连接，从主面30a朝向主面30b贯通安装基板30。贯通电极52A是如下的电极：将发射极端子112与地端子412A电连接，从主面30a朝向主面30b贯通安装基板30。
在此，在安装基板30内，贯通电极51A不是由从主面30a到主面30b的一根圆筒状通路电极构成，而是具有多个圆筒状通路电极串联连接而成的构造。此外，在串联连接的多个圆筒状通路电极之间形成有沿着各层的平面布线图案，在从主面30a俯视主面30b的情况下，在Z轴方向上相邻的圆筒状通路电极之间至少有一部分重叠。也就是说，作为贯通电极51A，不存在仅经由平面布线图案的XY平面方向的路径，一定存在Z轴方向的路径。此外，贯通电极52A也具有与贯通电极51A同样的构造。
根据该结构，通过贯通电极51A，不限定于使发射极端子111与地端子411A在上述俯视下重叠，能够提高地端子411A的配置的自由度。另外，通过贯通电极52A，不限定于使发射极端子112与地端子412A在上述俯视下重叠，能够提高地端子412A的配置的自由度。另外，能够对上述多个圆筒状通路电极的大小(直径)进行变更以及在同一层内设置多个圆筒状通路电极等，能够进一步降低散热路径的热阻。
[6.变形例4所涉及的高频模块4B的构造]
图7是变形例4所涉及的高频模块4B的第一截面结构图。如该图所示，高频模块4B具备安装基板30、功率放大电路11、低噪声放大电路21、发送用滤波器12、接收用滤波器22、树脂构件40A及40B、贯通电极51B、52B、53及54、以及地端子411B、412B及422。本变形例所涉及的高频模块4B与实施方式所涉及的高频模块1相比，贯通电极51B及52B的形状不同。下面，关于本变形例所涉及的高频模块4B，省略其与实施方式所涉及的高频模块1相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。
贯通电极51B是如下的电极：将发射极端子111与地端子411B电连接，从主面30a朝向主面30b贯通安装基板30。贯通电极52B是如下的电极：将发射极端子112与地端子412B电连接，从主面30a朝向主面30b贯通安装基板30。
在此，在安装基板30内，贯通电极51B不是由从主面30a到主面30b的一根圆筒状通路电极构成，而是具有多个圆筒状通路电极串联连接而成的构造。另外，在树脂构件40B内，贯通电极51B具有多个圆筒状通路电极串联连接而成的构造。此外，在安装基板30内的多个圆筒状通路电极之间形成有沿着各层的平面布线图案。
在从主面30a俯视主面30b的情况下，在安装基板30内和树脂构件40B内这两方，在Z轴方向上相邻的圆筒状通路电极之间至少有一部分重叠。也就是说，作为贯通电极51B，不存在仅经由平面布线图案的XY平面方向的路径，一定存在Z轴方向的路径。此外，贯通电极52B也具有与贯通电极51B同样的构造。
根据上述结构，通过贯通电极51B，不限定于使发射极端子111与地端子411B在上述俯视下重叠，能够提高地端子411B的配置的自由度。另外，通过贯通电极52B，不限定于使发射极端子112与地端子412B在上述俯视下重叠，能够提高地端子412B的配置的自由度。另外，能够对上述多个圆筒状通路电极的大小(直径)进行变更以及在同一层内设置多个圆筒状通路电极等，能够进一步降低散热路径的热阻。
(其它实施方式等)
以上，关于本实用新型的实施方式所涉及的高频模块和通信装置，列举实施方式来进行了说明，但是本实用新型所涉及的高频模块和通信装置不限定于上述实施方式。将上述实施方式中的任意的结构要素进行组合来实现的其它实施方式、对上述实施方式实施本领域技术人员在不脱离本实用新型的宗旨的范围内想到的各种变形来得到的变形例、内置有上述高频模块和通信装置的各种设备也包括在本实用新型中。
例如，在上述实施方式所涉及的高频模块和通信装置中，也可以在附图中公开的连接各电路元件以及信号路径的路径之间插入其它的电路元件和布线等。
产业上的可利用性
本实用新型作为配置于支持多频段的前端部的高频模块，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。
附图标记说明
1、1A、2、3、4A、4B：高频模块；5：天线元件；6：RF信号处理电路(RFIC)；7：基带信号处理电路(BBIC)；8：通信装置；11：功率放大电路；12、12A、12B：发送用滤波器；13、23：匹配电路；14：PA(功率放大器)；21：低噪声放大电路；22、22A、22B：接收用滤波器；24：LNA(低噪声放大器)；30：安装基板；30a、30b、40b：主面；30G：地电极层；32C：发送接收用滤波器；40A、40B：树脂构件；40G：屏蔽电极层；41G：屏蔽柱状电极；51、51A、51B、52、52A、52B、53、54：贯通电极；61、62、63、64：开关；90：外部基板；100：公共输入输出端子；110：发送输入端子；111、112：发射极端子；120：接收输出端子；121、122、211、212、221、222：连接端子；140：晶体管；141、142：电容器；143：偏置电路；144：集电极端子；145：输入端子；146：输出端子；411、411A、411B、412、412A、412B、422：地端子；911、912、922：地电极。

Claims (11)

1.一种高频模块，其特征在于，具备：
公共输入输出端子；
发送输入端子；
接收输出端子；
安装基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；
发送功率放大器，其安装于所述第一主面，连接于所述发送输入端子与所述公共输入输出端子之间；
接收用滤波器，其安装于所述第一主面，连接于所述公共输入输出端子与所述接收输出端子之间；以及
低噪声接收放大器，其安装于所述第二主面，与所述接收用滤波器连接，
其中，在从与所述第一主面垂直的方向俯视所述高频模块的情况下，所述低噪声接收放大器与所述接收用滤波器至少有一部分重叠，
在从与所述第一主面垂直的方向俯视所述高频模块的情况下，所述发送功率放大器与所述低噪声接收放大器不重叠。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
还具备第一树脂构件，所述第一树脂构件形成于所述第二主面，覆盖所述低噪声接收放大器的至少侧面。
3.根据权利要求2所述的高频模块，其特征在于，所述高频模块还具备：
贯通电极，其贯通所述安装基板和所述第一树脂构件，与所述发送功率放大器连接；以及
外部连接端子，其与所述贯通电极连接，
其中，所述外部连接端子是地端子。
4.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，
所述发送功率放大器具有放大晶体管元件，
所述放大晶体管元件具有基极端子、集电极端子以及发射极端子，
所述贯通电极与所述发射极端子连接。
5.根据权利要求4所述的高频模块，其特征在于，
在从与所述第一主面垂直的方向俯视所述高频模块的情况下，所述贯通电极与所述地端子至少有一部分重叠。
6.根据权利要求5所述的高频模块，其特征在于，
还具备发送用滤波器，所述发送用滤波器安装于所述第一主面，与所述发送功率放大器连接。
7.根据权利要求6所述的高频模块，其特征在于，
在从与所述第一主面垂直的方向俯视所述高频模块的情况下，所述发送用滤波器配置于所述发送功率放大器与所述接收用滤波器之间。
8.根据权利要求7所述的高频模块，其特征在于，
还具备第二树脂构件，所述第二树脂构件形成于所述第一主面，覆盖所述发送功率放大器和所述接收用滤波器。
9.根据权利要求8所述的高频模块，其特征在于，
还具备形成在所述第二树脂构件上的屏蔽电极层。
10.根据权利要求9所述的高频模块，其特征在于，
还具备形成于所述第一树脂构件的侧面的屏蔽柱状电极。
11.一种通信装置，其特征在于，具备：
外部基板；以及
与所述外部基板连接的、根据权利要求1～10中的任一项所述的高频模块。
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