CN216250719U - 半导体器件的跳线连接结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种半导体器件的跳线连接结构，包括框架本体和跳线单元，所述跳线单元设置为多个，且阵列排布于所述框架本体上，所述跳线单元上沿竖直方向平行设置有用于焊接的第一凸台和第二凸台。本实用新型可在半导体器件封装时实现双面散热，增大散热面积，增强散热效果，还可以降低导通损耗，使得电流能力得到巨大提高。

Description

半导体器件的跳线连接结构

技术领域

本实用新型属于半导体器件技术领域，特别是涉及一种半导体器件的跳线连接结构。

背景技术

随着半导体行业的发展，以及电子封装技术的不断进步，传统封装工艺所采用的技术手段已不满足当前社会所需要达到的高散热，低能耗，低电阻的标准。电子半导体的不断进步，也在不断促进封装工艺的发展，因此各个工艺阶段也将随之做出不同程度的优化，以期达到更高的标准。

传统封装工艺在wire bonding(引线键合)阶段大多采用Cu wire(铜线)、Al wire(铝线)或者Au wire(金属丝)，使用以上材料首先会导致导通电阻增大，因为在使用过程中为了满足产品需求将不可避免的增加焊线数量或者使用线径更大的材料，从而导致内部电阻增大；其次，在产品使用时会导致产热较多，且散热效果较差，从而影响产品可靠性，减少产品的使用寿命；最后，在封装集成度越来越高，且封装体积越来越小的趋势下，会在焊接时存在焊线弧高的影响，从而影响封装体积。

基于此，需设计Copper Clip(铜跳线)工艺，采用铜跳线结构连接MOSFET器件的Source(源极)与框架，可获得更好的导通电阻以及更好的散热效果。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种半导体器件的跳线连接结构，用于解决现有技术中半导体器件在封装键合时采用引线键合散热性能差、导通电阻高的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种半导体器件的跳线连接结构，包括：

框架本体；

跳线单元，设置为多个，且阵列排布于所述框架本体上，所述跳线单元上沿竖直方向平行设置有用于焊接的第一凸台和第二凸台。

可选地，所述框架本体的边缘处沿长度方向设置有多个用于框架本体定位的定位孔，沿框架本体宽度方向每两个定位孔对应于一列跳线单元；沿框架本体长度方向的相邻跳线单元之间设置有用于在框架本体进料时定位和带动框架本体的折弯孔，每个所述跳线单元通过连接筋连接于框架本体上。

可选地，所述跳线单元呈扁平长方体状，且所述跳线单元在各处的厚度相等。

可选地，所述第一凸台和第二凸台的结构和尺寸相同，所述第一凸台和第二凸台之间具有间隙。

可选地，所述第一凸台和第二凸台的侧壁与顶壁倾斜设置，且从所述顶壁向底壁的面积逐渐增大。

可选地，所述第一凸台和第二凸台的边缘圆滑过渡。

可选地，所述第一凸台和第二凸台之间开设有排气孔，所述排气孔为条形孔，且四周边缘圆滑过渡。

可选地，所述跳线单元远离第一凸台和第二凸台的一端沿横向设置有用于防止溢料的防溢槽，所述防溢槽的槽壁相对于槽底倾斜设置。

可选地，所述跳线单元远离第一凸台和第二凸台的一端还设置有锁胶孔，且所述防溢槽位于第二凸台和锁胶孔之间。

可选地，所述锁胶孔呈半圆形，且所述锁胶孔沿跳线单元的横向均布为两个。

如上所述，本实用新型具有以下有益效果：

通过所述半导体器件的跳线连接结构，可在半导体器件封装时，实现双面散热，增大散热面积，增强散热效果；还可以降低导通损耗，使得电流能力得到巨大提高。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的整体结构示意图；

图2为单个跳线单元的结构示意图；

图3为图2的A-A剖视图。

零件标号说明

1-框架本体；11-定位孔；12-折弯孔；

2-跳线单元；21-第一凸台；22-第二凸台；23-排气孔；24-防溢槽；25-锁胶孔；26-连接筋。

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。

须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。

请结合图1至图3所示，本实用新型提供一种半导体器件的跳线连接结构，包括：框架本体1和跳线单元2，所述跳线单元2设置为多个，且阵列排布于所述框架本体1上，所述跳线单元2上沿竖直方向平行设置有用于焊接的第一凸台21和第二凸台22。

通过跳线连接结构，用于半导体器件(例如MOSFET)的源极与半导体框架的键合封装，可利用跳线连接结构的双面散热功能和更低导通损耗，从而获得更佳的导通电阻以及更好的散热效果，并且采用该跳线连接结构进行压焊封装，可以有效降低内阻，使得电流能力大幅提高，相比较于在压焊阶段采用wire bond(引线键合)，Copper Clip(铜跳线)工艺还可以增加散热面积，增强散热效果。

具体的，跳线单元2呈阵列式排布于框架本体1上，如图1所示，本实施例中，跳线单元2沿框架本体1的宽度方向排布有4行，每行沿框架本体1的长度方向可排布多个。框架本体1的厚度为0.25mm，沿其长度方向上相邻跳线单元2的步距为6.35mm，沿其宽度方向上相邻跳线单元2的步距为8.00mm。

在一些实施方式中，所述框架本体1的边缘处沿长度方向设置有多个用于框架本体1定位的定位孔11，沿框架本体1宽度方向每两个定位孔11对应于一列跳线单元2。具体的，所述定位孔11沿框架本体1的长度方向均布，且每个定位孔11对应于一列跳线单元2，定位孔11间距为6.35mm，定位孔11为圆形孔，用于框架本体1在使用中定位。

并且，沿框架本体1长度方向的相邻跳线单元2之间设置有用于在框架本体1进料时定位和带动框架本体1的折弯孔12。具体的，所述折弯孔12位于长度方向上相邻跳线单元2的中间，且折弯孔12的长度为1.6mm，宽度为1.00mm，折起后长度为0.58mm，折弯孔12用于在框架本体1进料时定位和带动框架本体1。

每个所述跳线单元2通过连接筋26连接于框架本体1上。具体的，每个跳线单元2的左右两侧通过连接筋26与框架本体1连接，使用时，切筋后，即可使用各个跳线单元2。

并且，所述框架本体1和跳线单元2均采用裸铜材质。

在一些实施方式中，所述跳线单元2呈扁平长方体状，且所述跳线单元2在各处的厚度相等。具体的，所述跳线单元2长度为4.05mm，宽度为1.95mm，厚度为0.25mm，且各处厚度相等。

跳线单元2上冲压有第一凸台21和第二凸台22，在一些实施方式中，所述第一凸台21和第二凸台22的结构和尺寸相同，所述第一凸台21和第二凸台22之间具有间隙。具体的，本实施例中，第一凸台21和第二凸台22的长度为1.37mm，宽度为0.67mm，高度为0.15mm，第一凸台21和第二凸台22作为压焊连接时的焊接点，用于与芯片和框架进行焊接。

在一些实施方式中，所述第一凸台21和第二凸台22的侧壁与顶壁倾斜设置，且从所述顶壁向底壁的面积逐渐增大。具体的，所述第一凸台21和第二凸台22的侧壁具有斜度，本实施例中，其侧壁与框架本体1所在平面之间的斜度α为60°，在其他实施例中，该斜度可根据实际需求设定。

在一些实施方式中，所述第一凸台21和第二凸台22的边缘圆滑过渡。即对第一凸台21和第二凸台22的边缘做圆角处理，提高其可靠性。

在一些实施方式中，所述第一凸台21和第二凸台22之间开设有排气孔23，所述排气孔23为条形孔，且四周边缘圆滑过渡。具体的，所述排气孔23为贯通的条形孔，长度为0.74mm，宽度为0.40mm，条形孔的四角为圆角，并且排气孔23的长度方向与跳线单元2的长度方向一致。通过设置排气孔23，主要起到排气的作用，其次也可增强封装时跳线单元2与塑封料的结合强度，改善分层，提高可靠性。

在一些实施方式中，所述跳线单元2远离第一凸台21和第二凸台22的一端沿横向设置有用于防止溢料的防溢槽24，所述防溢槽24的槽壁相对于槽底倾斜设置。具体的，本实施例中，在跳线单元2下部冲压有防溢槽24，防溢槽24的槽壁相对于槽底具有的斜度β为62°，在其他实施例中，其斜度可根据需求设定，如此，通过设置防溢槽24可起到防止焊料溢料的作用。

在一些实施方式中，所述跳线单元2远离第一凸台21和第二凸台22的一端还设置有锁胶孔25，且所述防溢槽24位于第二凸台22和锁胶孔25之间。具体的，通过设置所述锁胶孔25，同样可增强封装时跳线单元2与塑封料的结合强度，改善分层，提高可靠性；并且有利于跳线单元2与半导体引线框架的焊接，提高焊接强度。

在一些实施方式中，所述锁胶孔25呈半圆形，且所述锁胶孔25沿跳线单元2的横向均布为两个。本实施例中，所述锁胶孔25的半径为0.1mm。

采用该跳线单元2用于半导体器件的封装时，可增大散热面积，增强散热效果，还可以降低导通损耗，使得电流能力得到巨大提高。

综上，在本实用新型实施例提供的半导体器件的跳线连接结构中，可用于半导体器件封装时，实现双面散热，增大散热面积，增强散热效果；还可以降低导通损耗，使得电流能力得到巨大提高。

上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种半导体器件的跳线连接结构，其特征在于，包括：框架本体和跳线单元，所述跳线单元设置为多个，且阵列排布于所述框架本体上，所述跳线单元上沿竖直方向平行设置有用于焊接的第一凸台和第二凸台。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的跳线连接结构，其特征在于：所述框架本体的边缘处沿长度方向设置有多个用于框架本体定位的定位孔，沿框架本体宽度方向每两个定位孔对应于一列跳线单元；沿框架本体长度方向的相邻跳线单元之间设置有用于在框架本体进料时定位和带动框架本体的折弯孔，每个所述跳线单元通过连接筋连接于框架本体上。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的跳线连接结构，其特征在于：所述跳线单元呈扁平长方体状，且所述跳线单元在各处的厚度相等。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的跳线连接结构，其特征在于：所述第一凸台和第二凸台的结构和尺寸相同，所述第一凸台和第二凸台之间具有间隙。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的跳线连接结构，其特征在于：所述第一凸台和第二凸台的侧壁与顶壁倾斜设置，且从所述顶壁向底壁的面积逐渐增大。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的跳线连接结构，其特征在于：所述第一凸台和第二凸台的边缘圆滑过渡。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的跳线连接结构，其特征在于：所述第一凸台和第二凸台之间开设有排气孔，所述排气孔为条形孔，且四周边缘圆滑过渡。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的跳线连接结构，其特征在于：所述跳线单元远离第一凸台和第二凸台的一端沿横向设置有用于防止溢料的防溢槽，所述防溢槽的槽壁相对于槽底倾斜设置。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的跳线连接结构，其特征在于：所述跳线单元远离第一凸台和第二凸台的一端还设置有锁胶孔，且所述防溢槽位于第二凸台和锁胶孔之间。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的跳线连接结构，其特征在于：所述锁胶孔呈半圆形，且所述锁胶孔沿跳线单元的横向均布为两个。

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