CN214378426U - 一种智能功率级模块 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种智能功率级模块,包括引线框架、第一金氧半晶体管芯片、第二金氧半晶体管芯片及导电夹。第一金氧半晶体管芯片及第二金氧半晶体管芯片并排设置于引线框架上。导电夹具有平坦部,平坦部通过焊料层分别电性连接第一金氧半晶体管芯片及第二金氧半晶体管芯片,平坦部具有多个边缘,导电夹至少在相邻的两个边缘上设有齿状边缘,齿状边缘与焊料层接触。本技术方案通过齿状边缘提高导电夹与焊锡的结合力,强化导电夹的接合能力,提高了智能功率级模块成品可靠度。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体封装领域,尤其是一种智能功率级模块。
背景技术
现有的芯片智能功率级模块其导电夹与芯片在通过SMT制程接合时,容易因导电夹吃锡不全,与焊锡层接合不紧固而脱落,导致芯片产品可靠度下降。此外,芯片封装在包覆封装胶体之后亦存在散热不佳的问题,易导致芯片寿命缩短和工作效率降低。如申请号为201510583464.4、申请公开号为CN106373896A的中国发明专利申请公开了一种芯片封装制程及芯片封装体,该芯片封装体承载体为胶膜或由板体与形成板体上的粘胶层所组成,承载体的尺寸大于或等于可挠性线路载板的尺寸,存在上述可靠度不高和散热不佳的问题。因此,导电夹吃锡不全以及散热不佳成为半导体封装领域亟待解决的问题。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种智能功率级模块,该智能功率级模块的封装成品可靠性强,具备良好的散热效率。
为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是:一种智能功率级模块,包括有:引线框架;第一金氧半晶体管芯片及第二金氧半晶体管芯片,并排设置于引线框架上;以及导电夹,具有平坦部,平坦部通过焊料层分别电性连接第一金氧半晶体管芯片及第二金氧半晶体管芯片,平坦部具有多个边缘,导电夹至少在相邻的两个边缘上设有齿状边缘,齿状边缘与焊料层接触。实用新型的技术方案通过齿状边缘提高导电夹与焊锡的结合力,强化导电夹的接合能力,提高了产品可靠度。在导电夹至少在相邻的两边设有齿状边缘,使得导电夹与焊锡接合后能够形成一个更为稳固的结合状态。
作为改进,齿状边缘为凸齿状、尖齿状或圆齿状其中之一或其组合。
作为改进,齿状边缘为大小不一的凸齿状。本技术方案设置大小不一凸齿状的齿状边缘,能够进一步提高导电夹的接合能力;同时齿状边缘能够增加导电夹的散热面积,进而提高散热效率。
作为改进,导电夹面向金氧半晶体管芯片的一面上设有粗糙表面。本技术方案在导电夹面向芯片的一面上设置一排的粗糙表面,提高了导电夹接合芯片一面的接合能力,提高了产品可靠度。
进一步的,智能功率级模块还包含封装胶体,封装胶体包覆第一金氧半晶体管芯片及第二金氧半晶体管芯片、部分引线框架和部分导电夹。
作为改进,封装胶体暴露部分的平坦部。导电夹接合芯片区域的平坦部裸露在封装胶体外,裸露区域的四周依然包覆有封装胶体,既可以达到封装芯片的目的,亦可以提高散热效率。
作为改进,导电夹还包括接脚部,封装胶体暴露部分的接脚部。裸露的接脚部四周依然包覆有封装胶体,既可以达到封装芯片的目的,亦可以提高散热效率。
本实用新型与现有技术相比所带来的有益效果是:本技术方案通过齿状边缘提高导电夹与焊锡的结合力,强化导电夹的接合能力,提高了产品可靠度。在导电夹至少在相邻的两边设有齿状边缘,使得导电夹与焊锡接合后能够形成一个更为稳固的结合状态。导电夹接合芯片区域的平坦部。裸露在封装胶体外,裸露区域的四周依然包覆有封装胶体,既可以达到封装芯片的目的,亦可以提高散热效率,进而保障芯片的使用寿命和工作效率。
附图说明
图1为导电夹的俯视图。
图2为导电夹的主视图。
图3为智能功率级模块的主视图。
图4为智能功率级模块的俯视图。
具体实施方式
下面结合说明书附图对本实用新型作进一步说明。
如图1至4所示,本实施例涉及一种智能功率级模块,包括引线框架3、第一金氧半晶体管芯片21、第二金氧半晶体管芯片22及导电夹1。第一金氧半晶体管芯片21及第二金氧半晶体管芯片22并排设置于所述引线框架3上。导电夹1具有平坦部11,平坦部11通过焊料层6分别电性连接第一金氧半晶体管芯片21及第二金氧半晶体管芯片22,平坦部11具有五个边缘,导电夹1在相邻的四边上设有齿状边缘12,齿状边缘12与焊料层6接触。如图3和图4所示,智能功率级模块还包含封装胶体4,封装胶体4包覆第一金氧半晶体管芯片21及第二金氧半晶体管芯片22、部分引线框架3和部分导电夹1,并暴露部分的平坦部11。既可以达到封装金氧半晶体管芯片2的目的,平坦部11暴露的区域亦可以提高散热效率。导电夹1还包括接脚部13,封装胶体4暴露部分的接脚部13。在工作时,由于在导电夹1四边上设有齿状边缘12,在导电夹1面向金氧半晶体管芯片2的一面上设有一排的粗糙表面14,齿状边缘12和粗糙表面14提高导电夹1与焊锡的结合力,强化导电夹1的接合能力,提高了产品可靠度。在相邻的四边设有的齿状边缘12,使得导电夹1与焊锡接合后能够形成一个更为稳固的结合状态。同时齿状边缘12能够增加导电夹1的散热面积,进而提高散热效率。
以上所述,仅为本实用新型的较佳实施例而已,当不能以此限定本发明的保护范围,即凡依本发明所作的简单的等效变化与修改,皆仍属本实用新型所涵盖的范围。另外本实用新型的任一实施例或权利要求范围不须达到本实用新型所揭示的全部目的或优点或特点。
Claims (7)
1.一种智能功率级模块,其特征在于,包括有:
引线框架;
第一金氧半晶体管芯片及第二金氧半晶体管芯片,并排设置于所述引线框架上;以及
导电夹,具有平坦部,所述平坦部通过焊料层分别电性连接所述第一金氧半晶体管芯片及所述第二金氧半晶体管芯片,
其中,所述平坦部具有多个边缘,所述导电夹至少在相邻的两个所述边缘上设有齿状边缘,所述齿状边缘与所述焊料层接触。
2.根据权利要求1所述的智能功率级模块,其特征在于:所述齿状边缘为凸齿状、尖齿状或圆齿状其中之一或其组合。
3.根据权利要求1所述的智能功率级模块,其特征在于:所述齿状边缘为大小不一的凸齿状。
4.根据权利要求1所述的智能功率级模块,其特征在于:所述导电夹面向所述金氧半晶体管芯片的一面上设有粗糙表面。
5.根据权利要求1所述的智能功率级模块,其特征在于:所述智能功率级模块还包含封装胶体,所述封装胶体包覆所述第一金氧半晶体管芯片及所述第二金氧半晶体管芯片、部分所述引线框架和部分所述导电夹。
6.根据权利要求5所述的智能功率级模块,其特征在于:所述封装胶体暴露部分的所述平坦部。
7.根据权利要求5所述的智能功率级模块,其特征在于:所述导电夹还包括接脚部,所述封装胶体暴露部分的所述接脚部。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202120519644.7U CN214378426U (zh) | 2021-03-11 | 2021-03-11 | 一种智能功率级模块 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202120519644.7U CN214378426U (zh) | 2021-03-11 | 2021-03-11 | 一种智能功率级模块 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN214378426U true CN214378426U (zh) | 2021-10-08 |
Family
ID=77970995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202120519644.7U Active CN214378426U (zh) | 2021-03-11 | 2021-03-11 | 一种智能功率级模块 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN214378426U (zh) |
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2021
- 2021-03-11 CN CN202120519644.7U patent/CN214378426U/zh active Active
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