CN216775121U - 一种大功率可控硅pcb贴装结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型提出一种大功率可控硅PCB贴装结构，包括PCB板和大功率可控硅，其特征在于：该PCB板上设置有用于嵌装大功率可控硅的嵌槽，该嵌槽贯穿板体且于槽的边缘位置设有焊盘，该大功率可控硅包括封装体、散热底板和若干引脚，该若干引脚与封装体内的电路连接，且其封装体外的部分向封装体背面弯折后延伸以形成引出段、弯折段和连接段，该散热底板由封装体上不具备引脚的一面伸出，该连接段的顶面与散热底板的顶面持平；大功率可控硅倒扣以令其封装体嵌入至嵌槽中，其引脚的连接段的顶面和散热底板的顶面分别与PCB板上的焊盘连接。通过弯折设计使引脚靠向与封装体背面一侧，将封装体嵌入至嵌槽中不仅最大限度地减少可控硅安装区域的厚度。

Description

一种大功率可控硅PCB贴装结构

技术领域

本实用新型涉一种大功率可控硅PCB贴装结构。

背景技术

传统的可控硅器件包括封装体及外露于封装体的多个直立引脚，一般通过与插接座对接或直接焊接的方式安装于PCB板之上，此安装方式显然占据较多的空间，且可控硅的主体部分仅依靠引脚支撑，容易产生晃动甚至被折断。

实用新型内容

本实用新型提出一种适用贴片方式的大功率可控硅PCB贴装结构，最大限度地减少可控硅安装区域的厚度，其具体是通过下以技术手段实现：

大功率可控硅PCB贴装结构包括PCB板和大功率可控硅，该PCB板上设置有用于嵌装大功率可控硅的嵌槽，该嵌槽贯穿板体且于槽的边缘位置设有焊盘，该大功率可控硅包括封装体、散热底板和若干引脚，该若干引脚与封装体内的电路连接，且其封装体外的部分向封装体背面弯折后延伸以形成引出段、弯折段和连接段，该散热底板由封装体上不具备引脚的一面伸出，该连接段的顶面与散热底板的顶面持平；大功率可控硅倒扣以令其封装体嵌入至嵌槽中，其引脚的连接段的顶面和散热底板的顶面分别与PCB板上的焊盘连接。

本实用新型的有益效果是：改变传统的器件的引脚结构，通过弯折设计使引脚靠向与封装体背面一侧，在PCB板上开设有嵌槽，将大功率可控硅倒扣以令其封装体嵌入至嵌槽中，其引脚的连接段的顶面和散热底板的顶面分别与PCB板上的焊盘连接，从而可以实现将器件贴放于PCB板上，整体上控制了可控硅所占空间，不仅最大限度地减少可控硅安装区域的厚度，而且让器件的安装更为稳固、PCB板设置更为灵活，还可以通过散热底板与PCB板接触解决散热问题。

附图说明

图1为本实用新型实施例1的PCB板局部立体结构示意图。

图2为本实用新型实施例1的嵌槽剖视结构示意图。

图3为本实用新型实施例1的大功率可控硅立体结构示意图(顶面)。

图4为本实用新型实施例1的大功率可控硅立体结构示意图(背面)。

图5为本实用新型实施例1的大功率可控硅剖视结构示意图。

图6为本实用新型实施例2的PCB板局部立体结构示意图。

图7为本实用新型实施例3的大功率可控硅立体结构示意图。

图8为本实用新型实施例3的大功率可控硅剖视结构示意图。

图9为本实用新型嵌槽又一实施方式的PCB板局部立体结构示意图。

具体实施方式

如下结合附图对本申请方案作进一步描述：

实施例1

参见附图1至5，大功率可控硅PCB贴装结构包括PCB板1和大功率可控硅2，该PCB板1上设置有用于嵌装大功率可控硅2的嵌槽10，该嵌槽10贯穿板体且于槽的边缘位置设有焊盘11，该大功率可控硅2包括封装体21、散热底板22和若干引脚23，该若干引脚23与封装体21内的电路24连接，且其封装体外的部分向封装体21背面弯折后延伸以形成引出段231、弯折段232和连接段233，该散热底板22由封装体21上不具备引脚的一面伸出，该连接段233的顶面233a与散热底板22的顶面22a持平；大功率可控硅2倒扣以令其封装体21嵌入至嵌槽10中，其引脚的连接段232的顶面232a和散热底板22的顶面22a分别与PCB板1上的焊盘连接。该连接段232的背面232b、散热底板22的背面22b以及封装体21的背面相持平。该封装体21内的电路24包括设于基板241上的可控硅芯片242，该基板241与散热底板22连接，该可控硅芯片242的阳极与栅极分别连接对应的引脚，该可控硅芯片242的阴极连接散热底板；该PCB板1上设有与引脚23连接的阳极焊盘11a、栅极焊盘11b，以及设有与散热底板22连接的阴极焊盘11c，这里省掉了一个引脚，同时让阳极引脚与栅极引脚的间距增大。该散热底板22包括由封装体21端面伸出的第一部分221，以及外露于封装体21的背面且与背面持平的第二部分222，散热底板22通过散热底板22与PCB板1接触解决散热问题，且于封装体21的背面增大外露面积更有利于散热；该PCB板1的焊盘11周围布局有散热区域12，该散热区域12设置散热片、散热器或基于板体金属层散热。该弯折段232倾斜地连接该引出段231和连接段232，该弯折段232与连接段233之间的夹角为20-90度。由于器件的尺寸是很小的，弯折段232与连接段233之间的距离也是很小，故需避免大角度弯折并通过弯折段232延伸连接，否则不仅弯折难度大，而且引脚易折断。因此，弯折段232与连接段233之间的夹角优选为20-30度之间，当然，根据器件的实际尺寸差异，也可以增大夹角以减少弯折段延伸长度，一般不超过45度；但不排除有45-90度之间的实施方案。

由于基板241与散热底板22的抬升，故传统可控硅器件的引脚是由封装体端面的中部伸出，此结构显然不适合贴放，所述本专利通过弯折设计使引脚23与封装体21背面持平，从而可以实现将器件贴放于PCB板1上，且充分利用于器件引脚弯折的优势，令封装体21最大限度地收纳于嵌槽10，也就是说，该处的PCB板厚度就不再是“板体厚度+可控硅封装体厚度”，而只是“可控硅封装体厚度”，此方式可直接使用贴片机实现操作，在器件水平贴放后，不仅占用空间大为减少，有利于PCB板做薄，适配更多产品结构需求。

实施例2

参见附图6，该封装体21内的电路24包括设于基板241上的可控硅芯片242，该基板241与散热底板22连接，该可控硅芯片42的阳极、阴极与栅极分别连接对应的引脚，该PCB板1上设有与引脚连接的阳极焊盘11a、阴极焊盘11c和栅极焊盘11b。本实施例保留了三引脚结构，兼容适配对应三引脚的PCB板；其余器件结构与实施例1相同。

实施例3

参见附图7至8，在上述实施1或2的基础上，考虑到如若在器件成型后再对引脚23进行弯折操作有较大难度且容易损坏器件，以及对弯折部分的保护，可以先生产出弯折好的引脚23，然后将引脚23与电路24连接后再进行塑封成型，使该引出段231与弯折段232被该封装体21包覆。

在任一实施例当中，该嵌槽10的实现方式可以是开设于PCB板1上且四面封闭，参见附图1；也可以是开设于PCB板1边缘以令其至少一面开放，参见附图9。

上述优选实施方式应视为本申请方案实施方式的举例说明，凡与本申请方案雷同、近似或以此为基础作出的技术推演、替换、改进等，均应视为本专利的保护范围。

Claims (10)

1.一种大功率可控硅PCB贴装结构，包括PCB板和大功率可控硅，其特征在于，该PCB板上设置有用于嵌装大功率可控硅的嵌槽，该嵌槽贯穿板体且于槽的边缘位置设有焊盘，该大功率可控硅包括封装体、散热底板和若干引脚，该若干引脚与封装体内的电路连接，且其封装体外的部分向封装体背面弯折后延伸以形成引出段、弯折段和连接段，该散热底板由封装体上不具备引脚的一面伸出，该连接段的顶面与散热底板的顶面持平；大功率可控硅倒扣以令其封装体嵌入至嵌槽中，其引脚的连接段的顶面和散热底板的顶面分别与PCB板上的焊盘连接。

2.根据权利要求1所述的大功率可控硅PCB贴装结构，其特征在于，该嵌槽开设于PCB板上且四面封闭。

3.根据权利要求1所述的大功率可控硅PCB贴装结构，其特征在于，该嵌槽开设于PCB板边缘以令其至少一面开放。

4.根据权利要求1所述的大功率可控硅PCB贴装结构，其特征在于，该连接段的背面、散热底板的背面以及封装体的背面相持平。

5.根据权利要求1-4任一项所述的大功率可控硅PCB贴装结构，其特征在于，该封装体内的电路包括设于基板上的可控硅芯片，该基板与散热底板连接，该可控硅芯片的阳极与栅极分别连接对应的引脚，该可控硅芯片的阴极连接散热底板；该PCB板上设有与引脚连接的阳极焊盘、栅极焊盘，以及设有与散热底板连接的阴极焊盘。

6.根据权利要求1-4任一项所述的大功率可控硅PCB贴装结构，其特征在于，该封装体内的电路包括设于基板上的可控硅芯片，该基板与散热底板连接，该可控硅芯片的阳极、阴极与栅极分别连接对应的引脚；该PCB板上设有与引脚连接的阳极焊盘、阴极焊盘和栅极焊盘。

7.根据权利要求1-4任一项所述的大功率可控硅PCB贴装结构，其特征在于，该散热底板包括由封装体端面伸出的第一部分，以及外露于封装体的背面且与背面持平的第二部分，该PCB板的焊盘周围布局有散热区域。

8.根据权利要求7所述的大功率可控硅PCB贴装结构，其特征在于，该散热区域设置散热片、散热器或基于板体金属层散热。

9.根据权利要求1-4任一项所述的大功率可控硅PCB贴装结构，其特征在于，该弯折段倾斜地连接该引出段和连接段，该弯折段与连接段之间的夹角为20-90度。

10.根据权利要求1-4任一项所述的大功率可控硅PCB贴装结构，其特征在于，该引出段与弯折段被该封装体包覆。

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