CN215008209U - 一种散热的大功率二极管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种散热的大功率二极管，包括二极管，所述二极管包括封装体、芯片、第一导电片、第二导电片、第一引脚、第二引脚，所述芯片、第一导电片、第二导电片均位于所述封装体内侧，所述芯片包括P区和N区，所述第一导电片包括第一导电接触部、第一弯折部，所述P区与所述第一导电接触部之间连接有第一焊锡层，所述第一弯折部与所述第一引脚之间连接有第二焊锡层，所述第二导电片包括第二导电接触部、第二弯折部，所述N区与所述第二导电接触部之间连接有第三焊锡层，所述第二弯折部与所述第二引脚之间连接有第四焊锡层。本实用新型的大功率二极管，正向时能够通过较大的电流，并且具有优异的散热性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及二极管技术领域，具体涉及一种散热的大功率二极管。
背景技术
二极管又称晶体二极管，简称二极管。电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过称为顺向偏压，反向时阻断称为逆向偏压。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。在半导体硅或锗中一部分区域掺入微量的三价元素硼使之成为P型，另一部分区域掺入微量的五价元素磷使之成为N型半导体。在P型和N型半导体的交界处就形成一个 PN结。PN结两端可划分为P区、N区，P区的引线称为阳极，N区的引线称为阴极。为了适应于部分线路的大功率要求，因此需要应用大功率二极管。大功率二极管PN结面积较大，能够过较大的电流。而常规的二极管结构，通常是利用金线连接芯片与引脚，由于引线的直径小，无法输出较大的电流，因此难以适应于大功率二极管的电流输送条件。另外，大功率二极管的功率大，工作时产生大量的热，容易导致二极管温度过高，存在较大的缺陷。
实用新型内容
针对以上问题，本实用新型提供一种散热的大功率二极管，正向时能够通过较大的电流，并且具有优异的散热性能。
为实现上述目的，本实用新型通过以下技术方案来解决：
一种散热的大功率二极管，包括二极管，所述二极管包括封装体、芯片、第一导电片、第二导电片、第一引脚、第二引脚，所述芯片、第一导电片、第二导电片均位于所述封装体内侧，所述芯片包括P区和N区，所述第一导电片包括第一导电接触部、连接在所述第一导电接触部一端的第一弯折部，所述第一弯折部经过弯折成型后形成的角度为a，a≥90°，所述P区与所述第一导电接触部之间连接有第一焊锡层，所述第一弯折部与所述第一引脚之间连接有第二焊锡层，所述第二导电片包括第二导电接触部、连接在所述第二导电接触部一端的第二弯折部，所述第一弯折部经过弯折成型后形成的角度为b，b≥90°，所述第一弯折部与所述芯片之间、所述第二弯折部与所述芯片之间均存在间隙，所述N区与所述第二导电接触部之间连接有第三焊锡层，所述第二弯折部与所述第二引脚之间连接有第四焊锡层。
具体的，所述第一导电接触部与所述第一弯折部所形成的角度为90°，所述第二导电接触部与所述第二弯折部所形成的角度为90°。
具体的，所述封装体下端设有散热槽，所述散热槽位于所述芯片下侧。
具体的，所述封装体上端设有镂空槽，所述镂空槽内设有陶瓷散热层，所述陶瓷散热层上端设有镀银反光层。
具体的，所述封装体外侧面还涂覆有一层防水膜。
本实用新型的有益效果是：
1.本实用新型的大功率二极管，在芯片两端分别焊接有第一导电片、第二导电片，第一导电片、第二导电片分别与第一引脚、第二引脚连接，正向时能够通过较大的电流，并且第一导电片与第二导电片的结构相同，第一引脚与第二引脚的结构相同，使用两个冲压模具即可完成冲压成型，方便了生产，降低了设备成本；
2.封装体下端增加了散热槽，封装体上端设有镂空槽，镂空槽内设有陶瓷散热层，提升了大功率二极管上下两端的散热性能，另外，在陶瓷散热层上端设有镀银反光层，镀银反光层能够反光反红外辐射，进一步提升了大功率二极管的散热能力。
附图说明
图1为本实用新型的一种散热的大功率二极管的结构示意图。
附图标记为：封装体1、散热槽11、陶瓷散热层12、镀银反光层13、防水膜14、芯片2、P区21、N区22、第一导电片3、第一导电接触部31、第一弯折部32、第二导电片4、第二导电接触部41、第二弯折部42、第一引脚5、第二引脚6、第一焊锡层71、第二焊锡层72、第三焊锡层73、第四焊锡层74。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本实用新型作进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。
如图1所示：
一种散热的大功率二极管，包括二极管，二极管包括封装体1、芯片2、第一导电片3、第二导电片4、第一引脚5、第二引脚6，芯片2、第一导电片3、第二导电片4均位于封装体 1内侧，芯片2包括P区21和N区22，第一导电片3包括第一导电接触部31、连接在第一导电接触部31一端的第一弯折部32，第一弯折部32经过弯折成型后形成的角度为90°，P区 21与第一导电接触部31之间连接有第一焊锡层71，第一导电接触部31以全覆盖的形式焊接在P区21上端，相比传统的金线连接，增大了与P区21的接触面积，能够适应大电流的输入，第一弯折部32与第一引脚5之间连接有第二焊锡层72，第二导电片4包括第二导电接触部41、连接在第二导电接触部41一端的第二弯折部42，第一弯折部32经过弯折成型后形成的角度为90°，第二导电接触部41以全覆盖的形式焊接在N区22下端，相比传统的金线连接，增大了与N区22的接触面积，能够适应大电流的输出，第一弯折部32与芯片2之间、第二弯折部42与芯片2之间均存在间隙，N区22与第二导电接触部41之间连接有第三焊锡层73，第二弯折部42与第二引脚6之间连接有第四焊锡层74。
优选的，为了提升大功率二极管的散热性能，封装体1下端设有散热槽11，散热槽11 位于芯片2下侧。
优选的，为了提升大功率二极管的散热性能，封装体1上端设有镂空槽，镂空槽内设有陶瓷散热层12，陶瓷散热层12上端设有镀银反光层13。
优选的，为了提升大功率二极管的防水能力，封装体1外侧面还涂覆有一层防水膜14。
以上实施例仅表达了本实用新型的1种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (5)
1.一种散热的大功率二极管，其特征在于，包括二极管，所述二极管包括封装体(1)、芯片(2)、第一导电片(3)、第二导电片(4)、第一引脚(5)、第二引脚(6)，所述芯片(2)、第一导电片(3)、第二导电片(4)均位于所述封装体(1)内侧，所述芯片(2)包括P区(21)和N区(22)，所述第一导电片(3)包括第一导电接触部(31)、连接在所述第一导电接触部(31)一端的第一弯折部(32)，所述第一弯折部(32)经过弯折成型后形成的角度为a，a≥90°，所述P区(21)与所述第一导电接触部(31)之间连接有第一焊锡层(71)，所述第一弯折部(32)与所述第一引脚(5)之间连接有第二焊锡层(72)，所述第二导电片(4)包括第二导电接触部(41)、连接在所述第二导电接触部(41)一端的第二弯折部(42)，所述第一弯折部(32)经过弯折成型后形成的角度为b，b≥90°，所述第一弯折部(32)与所述芯片(2)之间、所述第二弯折部(42)与所述芯片(2)之间均存在间隙，所述N区(22)与所述第二导电接触部(41)之间连接有第三焊锡层(73)，所述第二弯折部(42)与所述第二引脚(6)之间连接有第四焊锡层(74)。
2.根据权利要求1所述的一种散热的大功率二极管，其特征在于，所述第一导电接触部(31)与所述第一弯折部(32)所形成的角度为90°，所述第二导电接触部(41)与所述第二弯折部(42)所形成的角度为90°。
3.根据权利要求1所述的一种散热的大功率二极管，其特征在于，所述封装体(1)下端设有散热槽(11)，所述散热槽(11)位于所述芯片(2)下侧。
4.根据权利要求1所述的一种散热的大功率二极管，其特征在于，所述封装体(1)上端设有镂空槽，所述镂空槽内设有陶瓷散热层(12)，所述陶瓷散热层(12)上端设有镀银反光层(13)。
5.根据权利要求1所述的一种散热的大功率二极管，其特征在于，所述封装体(1)外侧面还涂覆有一层防水膜(14)。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023226552A1 (zh) * | 2022-05-27 | 2023-11-30 | 华为技术有限公司 | 芯片、制备方法、芯片封装组件、封装方法、电子设备 |
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2021
- 2021-03-12 CN CN202120524903.5U patent/CN215008209U/zh active Active
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