CN213638418U - 高频模块 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及高频模块,在密封树脂层形成有屏蔽用的槽的高频模块中,不会给形成于布线基板的布线电极、安装部件带来损伤而实现小型化。高频模块(1a)具备:布线基板(2);部件(3a、3b),形成在所述布线基板的一个主面;密封树脂层(4),将所述部件密封;槽(5a),形成在所述密封树脂层;以及屏蔽膜(6),至少覆盖所述密封树脂层的表面,在从与所述布线基板的所述一个主面垂直的方向观察时,所述槽(5a)的至少一部分与所述部件(3a、3b)重叠,在该重叠的位置,所述部件(3a、3b)的一部分从所述槽(5a)的底露出。
Description
技术领域
本实用新型涉及在密封树脂层形成有屏蔽用的槽的高频模块。
背景技术
存在对搭载于移动终端装置等的高频模块设置有用于屏蔽电磁波的屏蔽层的情况。在这种高频模块中,安装在布线基板上的部件被树脂层覆盖,并设置有屏蔽层以便覆盖该树脂层的表面。
这样的屏蔽层是为了屏蔽来自外部的噪声而设置的,但在布线基板安装有多个部件的情况下,有时从这些部件产生的噪声与其他的部件干扰。因此,以往也存在不仅是为了屏蔽来自外部的噪声还为了抑制安装部件间的噪声的干扰而设置屏蔽壁的情况。例如,如图9所示,专利文献1中记载的高频模块100在布线基板101的上表面101a安装有多个部件102a、 102b,部件102a、102b被密封树脂层103密封。另外,在密封树脂层103 且在两部件102a、102b之间形成沟槽104。而且,在用导电性材料覆盖密封树脂层103的表面时,也在该沟槽104中填充有导电性材料,由此形成作为部件整体的屏蔽件发挥功能的外部屏蔽部105和作为部件间的屏蔽件发挥功能的内部屏蔽部106。
此外,在该高频模块100中,通过对密封树脂层103进行激光加工而形成沟槽104,在该沟槽104中填充导电性树脂而形成内部屏蔽部106。而且,与接地电位连接的表层导体107与屏蔽件抵接。
专利文献1:日本专利第5576542号公报(参照段落0022~0060、图 4等)。
在专利文献1中,在相当于沟槽104的布线基板101的上表面101a 形成有表层导体107。由于表层导体107反射激光,因此通过存在该表层导体,能够减少形成沟槽104时激光对布线基板101上的损伤。然而,虽说是减轻,但在以往的高频模块100中,由于并非没有激光加工时激光对表层导体107的损伤,因此不能将表层导体107作为信号用的布线电极使用。因此,信号用的布线电极需要形成在与沟槽104相当的部分以外的布线基板101的上表面101a的区域、或者布线基板101的内层等,在该情况下,导致高频模块100的尺寸变大。另外,在信号用的布线电极上形成沟槽104时,也能够使沟槽104成为不到达该布线电极的深度,但在该情况下,由于密封树脂层的一部分残留,因此妨碍高频模块100的低高度化。另外,在部件102a与部件102b之间形成沟槽104的情况下,也需要将沟槽104和部件102a、102b分离到不受激光的影响的程度,因此妨碍高频模块100的小型化。另外,例如,也在部件102a、102b上形成沟槽104 时,部件102a、102b可能损伤,因此需要从部件102a、102b浮起而形成沟槽104,密封树脂层的一部分残留,因此妨碍高频模块100的低高度化。
实用新型内容
本实用新型是鉴于上述的课题而完成的,目的在于,在密封树脂层形成有屏蔽用的槽的高频模块中,不对形成于布线基板的布线电极、安装部件带来损伤,而实现小型化。
为了实现上述的目的,本实用新型的高频模块的制造方法是在具备密封树脂层的高频模块的制造方法中,其特征在于,具备:安装工序,在布线基板的主面安装部件;牺牲层形成工序,在上述布线基板的上述主面,且在上述密封树脂层形成用于形成槽的牺牲层;密封树脂层形成工序,形成将上述牺牲层与上述部件一同密封的上述密封树脂层;除去工序,除去上述牺牲层;以及屏蔽膜形成工序,形成覆盖上述密封树脂层的表面的屏蔽膜,上述牺牲层由与上述密封树脂层的树脂不同的树脂形成,在上述除去工序中,通过将上述牺牲层的树脂溶解并除去而形成上述槽。
另外,可以在上述牺牲层形成工序中,在从与上述布线基板的上述主面垂直的方向观察时,使至少一部分与形成在上述布线基板的上述主面的信号用的布线电极重叠地形成上述牺牲层,由此在上述信号用的布线电极上形成上述槽。
另外,可以在上述牺牲层形成工序之前,还具备如下的工序:形成至少覆盖上述信号用的布线电极的覆盖绝缘层。
另外,可以在上述牺牲层形成工序中,在从与上述布线基板的上述主面垂直的方向观察时,使至少一部分与上述部件重叠地形成上述牺牲层,由此在上述部件上形成上述槽。
另外,可以在上述牺牲层形成工序中,使上述牺牲层的与上述布线基板的上述主面平行的方向的剖面积随着远离上述布线基板的上述主面而变大地形成上述牺牲层。
另外,可以在上述牺牲层形成工序中,使上述牺牲层的与上述布线基板的上述主面平行的方向的剖面积随着远离上述布线基板的上述主面而变小地形成上述牺牲层。
另外,本实用新型的高频模块的特征在于,具备:布线基板;部件,形成在上述布线基板的一个主面;密封树脂层,将上述部件密封;槽,形成在上述密封树脂层;以及屏蔽膜,至少覆盖上述密封树脂层的表面,在从与上述布线基板的上述一个主面垂直的方向观察时,上述槽的至少一部分与上述部件重叠,在该重叠的位置,上述部件的一部分从上述槽的底露出。
另外,可以在从上述槽的底露出的部分形成有该部件的接地电极,上述屏蔽膜与上述接地电极电连接。
另外,上述槽可以具有一个内壁面、以及与该一个内壁面对置的另一个内壁面,在从与上述布线基板的上述一个主面垂直的方向观察时,至少上述一个内壁面倾斜成下端缘相比于上端缘位于与上述槽的内方向相反侧的方向,上述一个内壁面不被上述屏蔽膜覆盖。
另外,本实用新型的他的高频模块的特征在于,具备:布线基板;部件,形成在上述布线基板的一个主面;密封树脂层,将上述部件密封;槽,形成在上述密封树脂层;以及屏蔽膜,至少覆盖上述密封树脂层的表面,在从与上述布线基板的上述一个主面垂直的方向观察时,上述槽形成为将上述密封树脂层分割为多个区域,并且形成为与形成在上述布线基板的上述一个主面的信号用的布线电极的至少一部分重叠,通过上述信号用的布线电极被覆盖绝缘层覆盖,从而在与上述信号用的布线电极的上述槽重叠的位置,上述覆盖绝缘层从上述槽的底露出,上述槽的壁面不被上述屏蔽膜覆盖。
另外,可以在上述布线基板的另一个主面安装有与上述部件不同的其他部件。
根据本实用新型,通过将牺牲层溶解并除去而形成屏蔽用的槽,因此不需要像以往的高频模块那样,将槽与部件的距离分离。另外,例如即使在部件上形成槽的情况下,也不会由于激光等而给部件带来损伤。并且,即使在布线基板的一个主面的布线电极上形成槽的情况下,该布线电极也不可能受到损伤。因此,在密封树脂层形成屏蔽用的槽的高频模块中,不给部件、布线电极带来损伤而能够实现小型化。
附图说明
图1是本实用新型的第一实施方式的高频模块的去除了屏蔽膜的状态的俯视图。
图2A是A-A箭头方向的剖视图,图2B是B-B箭头方向的剖视图。
图3A~图3E是用于对图1的高频模块的制造方法进行说明的图。
图4A~图4F是示出图1的屏蔽结构的变形例的图。
图5A~图5D是示出图1的屏蔽结构的其他变形例的图。
图6是本实用新型的第二实施方式的高频模块的去除了屏蔽膜的状态的俯视图。
图7是本实用新型的第三实施方式的高频模块的剖视图。
图8是用于对各实施方式的槽的形状进行说明的图。
图9是以往的高频模块的剖视图。
具体实施方式
<第一实施方式>
参照图1和图2A、图2B对本实用新型的第一实施方式的高频模块 1a进行说明。此外,图1是高频模块1a的去除了屏蔽膜6的状态的俯视图,,图2A是图1的A-A箭头方向的剖视图,图2B是图1的B-B箭头方向的剖视图。
如图1和图2A、图2B所示,本实施方式的高频模块1a具备:布线基板2、安装在该布线基板2的上表面2a的多个部件3a、3b、层叠于布线基板2的上表面2a的密封树脂层4、覆盖密封树脂层4的表面的屏蔽膜 6、以及设置在密封树脂层4内的槽5a,该高频模块1a例如搭载在使用高频信号的电子设备的母基板等。
布线基板2例如由低温同时烧制陶瓷、玻璃环氧树脂等形成。而且,在布线基板2的上表面2a(相当于本实用新型的“布线基板的主面”)形成有各部件3a、3b的安装用的安装电极7、信号传送用的表层布线电极8 等。另外,在布线基板2的下表面2b形成有外部连接用的多个外部电极 9。另外,在本实施方式中,布线基板2具有层叠多个绝缘层而成的多层结构,在相邻的绝缘层间分别形成各种内部布线电极10。另外,在布线基板2的内部形成有多个导通孔导体(省略图示),所述多个导通孔导体用于将形成在不同的绝缘层的内部布线电极10彼此连接。另外,内部布线电极10中的作为接地电极发挥功能的一部分电极的端部从布线基板2 的侧面2c露出,在该露出的位置与屏蔽膜6连接。由此,屏蔽膜6接地。
另外,布线基板2的上表面2a的除了各安装电极7的形成区域以外的规定区域被覆盖绝缘层11(参照图2B)覆盖。该规定区域包含信号传送用的表层布线电极8的形成区域。即,表层布线电极8被覆盖绝缘层11 覆盖,在从与布线基板2的上表面2a垂直的方向观察时,在与槽5a重叠的位置,覆盖绝缘层11从槽5a的底露出。此外,覆盖绝缘层11例如能够由环氧树脂、阻焊剂、液晶聚合物(LCP)等绝缘材料形成。另外,具有与槽5a重叠的部分的表层布线电极8在为接地用的布线电极的情况下,也可以不被覆盖绝缘层11覆盖。在该情况下,也可以使槽5a的内壁面5a1、 5a2、该布线电极被屏蔽膜6覆盖,以便屏蔽膜6与该布线电极电连接。
安装电极7、表层布线电极8、外部电极9以及内部布线电极10都由 Cu、Ag、Al等通常被用作布线电极的金属形成。另外,导通孔导体由Ag、 Cu等金属形成。此外,也可以对各安装电极7、表层布线电极8、各外部电极9分别实施Ni或Au电镀。
各部件3a、3b由半导体元件等有源元件(部件3a)、芯片电感器、芯片电容器、芯片电阻等无源元件(部件3b)构成。例如,半导体元件形成为立方体,在有源面上将作为外部端子的焊锡凸块排列成阵列状,通过倒装安装而安装于布线基板2。另外,芯片部件(无源元件:部件3b)例如形成为立方体,长边方向的两端部各自的表面被金属覆盖,形成外部连接用的侧面电极3b1。这些侧面电极3b1、规定的安装电极7使用焊锡等连接。此外,部件3b的侧面电极3b1例如能够由最下层的Cu层、中间层的Ni层和最表层的Sn层的多层结构形成。
密封树脂层4覆盖布线基板2的上表面2a和各部件3a、3b地层叠在布线基板2的上表面2a上。密封树脂层4能够由环氧树脂等通常被用作密封树脂的树脂形成。
在密封树脂层4的上表面4a形成有屏蔽用的槽5a。如图1所示,在从与密封树脂层4的上表面4a垂直的方向(与布线基板2的上表面2a垂直的方向)观察时,该槽5a以包围密封树脂层4的上表面4a的规定区域的形状形成。因此,密封树脂层4的上表面4a被划分为被槽5a围起的内侧区域和除此之外的外侧区域。
另外,在从与布线基板2的上表面2a垂直的方向观察时,槽5a形成在与一部分的部件3b和表层布线电极8重叠的位置。另外,与槽5a重叠的部件3b在该重叠的位置,一部分从槽5a的底露出。另外,关于表层布线电极8,在与槽5a重叠的位置,覆盖表层布线电极8的覆盖绝缘层11 从槽5a的底露出(参照图2B)。
另外,在与槽5a重叠的部件3b中存在侧面电极3b1从槽5a的底露出的部分、和部件3b的上表面的成对的侧面电极3b1之间的区域从槽5a 的底露出的部分(参照图2A)。在侧面电极3b1露出的位置,不仅部件3b 的侧面电极3b1露出,该侧面电极3b1焊锡连接的安装电极7(侧面电极 3b1与安装电极7的连接部)也露出。另外,在本实施方式中,槽5a的形状由在该槽5a的深度方向上槽宽度不变化的直线形状形成,并且槽5a的内壁面5a1、5a2未被屏蔽膜6覆盖。因此,屏蔽膜6成为以槽5a为边界而在槽5a的内侧区域和外侧区域被电分离的状态。
根据实用新型的发明人们的实验,确认了即使在槽5a的内壁面5a1、 5a2未被屏蔽膜6覆盖的情况下,也在槽5a的内侧区域和外侧区域确保了部件间的屏蔽功能这一情况。其原因被认为如下:通过槽5a而在上述内侧区域与上述外侧区域之间能够形成没有密封树脂层4的树脂的空间、以及通过屏蔽膜6被分离而防止了从上述内侧区域和上述外侧区域中的一者向另一者的噪声在屏蔽膜6中传递。
屏蔽膜6用于屏蔽来自外部的对布线基板2内的各种内部布线电极 10、各部件3a、3b的噪声,覆盖密封树脂层4的上表面4a和侧面4c以及布线基板2的侧面2c。另外,屏蔽膜6能够由具有层叠于密封树脂层4 的表面的紧贴膜、层叠于紧贴膜的导电膜、层叠于导电膜的保护膜的多层结构形成。
紧贴膜是为了提高导电膜与密封树脂层4的紧贴强度而设置的,例如能够由SUS等金属形成。导电膜是承担屏蔽膜6的实质屏蔽功能的层,例如能够由Cu、Ag、Al中的任意的金属形成。保护膜是为了防止导电膜腐蚀或者受到损伤而设置的,例如能够由SUS形成。
(高频模块1a的制造方法)
接下来,参照图3A~图3E对高频模块1a的制造方法进行说明。
首先,如图3A所示,准备形成有各安装电极7、表层布线电极8、外部电极9、内部布线电极10等的布线基板2,在布线基板2的上表面 2a安装各部件3a、3b。部件3a、3b利用使用了回流方式等的焊锡接合等一般的表面安装技术来安装。
接下来,如图3B所示,在密封树脂层4形成用于形成槽5a的牺牲层 12。牺牲层12能够使用光刻技术来形成。在该情况下,牺牲层12能够使用抗蚀剂树脂。作为其他的形成方法,例如在形成槽5a的位置,通过喷墨来涂覆墨并使其固化。并且,在固化的墨上进一步通过喷墨来层叠墨并使其固化。这样,通过反复进行墨的涂覆及固化并层叠墨,从而形成包围之后形成的槽5a的内侧区域的牺牲层12。喷墨所使用的墨例如能够使用水溶性的树脂等。此外,在槽5a与部件3b、表层布线电极8重叠的位置,在覆盖部件3b或者表层布线电极8的覆盖绝缘层11上形成牺牲层12。
接下来,如图3C所示,在布线基板2的上表面2a形成覆盖各部件 3a、3b和牺牲层12的密封树脂层4。密封树脂层4例如能够由环氧树脂等通常的密封树脂形成。密封树脂层4的形成方法例如能够采用分配方式、打印方式、压缩模塑方式等。
此外,在如本实施方式那样,牺牲层12包围槽5a的内侧区域的情况下,成为密封树脂层4的树脂不容易流入该内侧区域的结构。因此,例如也可以使牺牲层12的高度(与布线基板2的上表面2a相距的高度)形成为比安装在内侧区域的部件3a、3b低,密封树脂层4的树脂容易流入内侧区域。在该情况下,在形成密封树脂层4之后,例如只要利用激光加工使牺牲层12的上端部露出即可。另外,也可以通过将牺牲层12的一部分进行切口等,而在牺牲层12形成流入口。在该情况下,能够适当地选择流入口的形状、形成位置,只要是密封树脂层4的树脂能够流入的形状、位置即可,可以是任意形状。
此外,当在形成密封树脂层4时,牺牲层12的上端部未从该密封树脂层4的上表面4a露出的情况下,使其露出。在该情况下,例如,也可以对密封树脂层4的上表面4a进行研磨或者研削来使牺牲层12的上端部露出,也可以通过激光加工来除去牺牲层12上的树脂,使牺牲层12的上端部露出。
接下来,如图3D所示,通过利用溶解等来除去牺牲层12,从而形成槽5a。例如,在利用光刻形成牺牲层12的情况下,密封树脂层4的树脂不溶解,但形成牺牲层12的抗蚀剂树脂浸于溶解的溶解液,并除去牺牲层12。另外,在牺牲层12为水溶性树脂的情况下,浸于纯水等而除去牺牲层12。此外,如图8所示,在利用喷墨层叠墨而形成牺牲层12的情况下,也能够将内壁面5a1、5a2的、槽5a的宽度方向的剖面(与布线基板 2的上表面2a垂直的方向的剖面)形成为波状。
最后,如图3E所述,形成将密封树脂层4的上表面4a和侧面4c以及布线基板2的侧面2c覆盖的屏蔽膜6,完成高频模块1a。屏蔽膜6能够通过溅射法、蒸镀法来形成。此时,屏蔽膜6不覆盖槽5a的内壁面5a1、 5a2。这样,屏蔽膜6的覆盖槽5a的内侧区域的部分与覆盖外侧区域的部分电分离,槽5a的屏蔽特性提高。此外,若使槽5a的宽度变窄,则槽5a 的内壁面5a1、5a2不容易被屏蔽膜6覆盖,因此调整槽5a的宽度来使内壁面5a1、5a2不被屏蔽膜6覆盖。
因此,根据上述的实施方式,通过将牺牲层12溶解并除去来形成屏蔽用的槽5a,因此不需要如进行激光加工、切割来形成槽的以往的高频模块那样使槽5a与部件3b的距离隔开。即,即便使槽5a与部件3b接近到部件3b从槽5a的底露出,也不会对部件3b带来损伤,因此能够实现高频模块1a的小型化和低高度化。
另外,即使在布线基板2的表层布线电极8的正上方形成槽5a,也不会对表层布线电极8带来损伤,因此不需要如以往那样为了使表层布线电极8不经过槽5a的正下方而牵拉表层布线电极8。在该情况下,能够减小布线基板2的主面(上表面2a、下表面2b)的面积,能够实现高频模块 1a的小型化。并且,不用为了形成槽5a而进行激光加工、切割,因此不会对布线基板2、内部布线电极10带来损伤,高频模块1a的可靠性提高。
(基于槽5a的屏蔽结构的变形例)
基于槽5a的屏蔽结构能够适当地变更。例如,也可以如图4A所示,在如部件3b的侧面电极3b1和与该侧面电极3b1焊锡连接的安装电极7 的一部分从槽5a的底露出那样的情况下,通过利用导电性膏(例如,Cu 膏或Ag膏)填充该槽5a,来配置导电部件13,并将该导电部件13和屏蔽膜6连接。在该情况下,由于部件3b的侧面电极3b1与屏蔽膜6导通,因此从槽5a的底露出的侧面电极3b1为部件3b的接地电极。另外,由于能够从部件3b的侧面电极3b1进行屏蔽膜6的接地,因此不一定需要使屏蔽膜6与从布线基板2的侧面2c露出的内部布线电极10(接地电极) 连接。
另外,也可以如图4B所示,在如部件3b的上表面中的被侧面电极 3b1覆盖的部分的一部分和未被覆盖的部分的一部分从槽5a的底露出那样的情况下,换言之,在部件3b的上表面中的特定区域从槽5a的底露出的情况下,可以利用由导电性膏(例如,Cu膏、Ag膏)构成的导电部件 13填充该槽5a,其中所述特定区域包含被一个侧面电极3b1覆盖的部分与未被覆盖的部分的边界。在该情况下,由于部件3b的侧面电极3b1与屏蔽膜6导通,因此从槽5a的底露出的侧面电极3b1为部件3b的接地电极。另外,由于能够从部件3b的侧面电极3b1进行屏蔽膜6的接地,因此不一定需要使屏蔽膜6与从布线基板2的侧面2c露出的内部布线电极 10(接地电极)连接。
另外,如图4C所示,也可以在如部件3b的侧面电极3b1和与该侧面电极3b1焊锡连接的安装电极7的一部分从槽5a的底露出那样的情况下,槽5a的内壁面5a1、5a2和从槽5a的底露出的区域(部件3b的侧面电极 3b1、该侧面电极3b1与安装电极7的连接部)被屏蔽膜6覆盖。在该情况下也由于部件3b的侧面电极3b1与屏蔽膜6导通,因此从槽5a的底露出的侧面电极3b1为部件3b的接地电极。另外,由于能够从部件3b的侧面电极3b1进行屏蔽膜6的接地,因此不一定需要使屏蔽膜6与从布线基板2的侧面2c露出的内部布线电极10(接地电极)连接。
此外,在利用屏蔽膜6覆盖槽5a的内壁面5a1、5a2的情况下,槽5a 的剖面形状优选为随着远离布线基板2的上表面2a而扩开的锥形状。这样,在形成屏蔽膜6时,除了密封树脂层4的表面(上表面4a,侧面4c) 之外,能够利用屏蔽膜6覆盖槽5a的内壁面5a1、5a2和从槽5a的底露出的区域。此外,为了成为这样的槽5a的形状,牺牲层12形成为与布线基板2的上表面2a平行的方向的剖面积随着远离布线基板2的上表面2a 而变大。
另外,也可以如图4D所示,与图4B同样地,在如部件3b的上表面中的被侧面电极3b1覆盖的部分的一部分和未被覆盖的部分的一部分从槽5a的底露出那样的情况下,槽5a的内壁面5a1、5a2和从部件3b的槽 5a的底露出的区域被屏蔽膜6覆盖。在该情况下也由于部件3b的侧面电极3b1与屏蔽膜6导通,因此从槽5a的底露出的侧面电极3b1为部件3b 的接地电极。另外,由于能够从部件3b的侧面电极3b1进行屏蔽膜6的接地,因此不一定需要使屏蔽膜6与从布线基板2的侧面2c露出的内部布线电极10(接地电极)连接。
此外,在利用屏蔽膜6覆盖槽5a的内壁面5a1、5a2的情况下,槽5a 的剖面形状优选为随着远离布线基板2的上表面2a而扩开的锥形状。为了成为这样的槽5a的形状,牺牲层12形成为与布线基板2的上表面2a 平行的方向的剖面积随着远离布线基板2的上表面2a而变大。
另外,也可以如图4E所示,在如部件3b的上表面中的形成在两端部的侧面电极3b1之间的区域从槽5a的底露出那样的情况下,利用由导电性膏(例如,Cu膏、Ag膏)构成的导电部件13填充该槽5a,将该导电部件13与屏蔽膜6连接。在该情况下,由于屏蔽膜6与布线基板2的接地电极(内部布线电极10)连接,因此与之连接的导电部件13接地。
另外,也可以如图4F所示,在如部件3b的上表面中的形成在两端部的侧面电极3b1之间的区域从槽5a的底露出那样的情况下,槽5a的内壁面5a1、5a2和从部件3b的槽5a的底露出的部分被屏蔽膜6覆盖。这样,在利用屏蔽膜6覆盖槽5a的内壁面5a1、5a2的情况下,槽5a的剖面形状优选为随着远离布线基板2的上表面2a而扩开的锥形状。为了成为这样的槽5a的形状,牺牲层12形成为与布线基板2的上表面2a平行的方向的剖面积随着远离布线基板2的上表面2a而变大。
此外,在如图4A、图4B、图4E那样在槽5a中填充导电性膏的结构中,屏蔽膜6也能够由导电性膏形成。在该情况下,能够同时地进行导电性膏对槽5a的填充和屏蔽膜6的形成。另外,在这些情况下,通过预先利用导电性膏形成牺牲层12,不用之后除去牺牲层12而形成屏蔽膜6,也能够制造高频模块1a。
另外,如图5A所示,在部件3b的侧面电极3b1和与该侧面电极3b1 焊锡连接安装电极7的一部分(侧面电极3b1与安装电极7的连接部)从槽5a的底露出的情况下,将槽5a的剖面形状形成为随着接近布线基板2 的上表面2a而扩开的锥形状。而且,槽5a的内壁面5a1、5a2和从部件 3b的槽5a的底露出的部分也可以不被屏蔽膜6覆盖。
当在从与布线基板2的上表面2a垂直的方向观察时槽5a的对置的2 个内壁面5a1、5a2各自倾斜成使下端缘相比于上端缘位于与槽5a的内方向相反侧的方向的情况下,即,在从与布线基板2的上表面2a垂直的方向观察时倾斜成无法从槽5a的开口视觉确认内壁面5a1、5a2的情况下,内壁面5a1、5a2不容易被屏蔽膜6覆盖。因此,在槽5a的两内壁面5a1、5a2未被屏蔽膜6覆盖的情况下,可以使槽5a的剖面形状形成为随着接近布线基板2的上表面2a而扩开的锥形状。此外,为了成为这样的槽5a的形状,牺牲层12形成为与布线基板2的上表面2a平行的方向的剖面积随着远离布线基板2的上表面2a而变小。
另外,如图5B所示,在如部件3b的上表面中的被侧面电极3b1覆盖的部分的一部分和未被覆盖的部分的一部分从槽5a的底露出那样的情况下,使槽5a的剖面形状形成为随着接近布线基板2的上表面2a而扩开的锥形状。而且,槽5a的内壁面5a1、5a2和从部件3b的槽5a的底露出的部分也可以不被屏蔽膜6覆盖。
另外,如图5C所示,在如部件3b的侧面电极3b1和与该侧面电极 3b1焊锡连接的安装电极7的一部分从槽5a的底露出那样的情况下,使槽 5a的对置的2个内壁面5a1、5a2中的一个(内壁面5a1)倾斜成下端缘相比于上端缘位于与槽5a的内方向相反侧的方向,使另一个(内壁面5a2) 倾斜成下端缘相比于上端缘位于槽5a的内方向。而且,槽5a的另一个内壁面5a2和部件3b的从槽5a的底露出的部分被屏蔽膜6覆盖,但也可以使一个内壁面5a1不被屏蔽膜6覆盖。这样,在对置的2个内壁面5a1、 5a2中的一个没有被屏蔽膜6覆盖、另一个被屏蔽膜6覆盖的情况下,在从与布线基板2的上表面2a垂直的方向观察时,使一个内壁面5a1倾斜成无法从槽5a的开口视觉确认,使另一个内壁面5a2倾斜成能够从槽的开口视觉确认。
在该情况下,由于部件3b的侧面电极3b1与屏蔽膜6导通,因此从槽5a的底露出的侧面电极3b1为部件3b的接地电极。另外,由于能够从部件3b的侧面电极3b1进行屏蔽膜6的接地,因此不一定需要使屏蔽膜 6与从布线基板2的侧面2c露出的内部布线电极10(接地电极)连接。另外,由于一个内壁面5a1未被屏蔽膜6覆盖,因此在屏蔽膜6,能够使覆盖槽5a的内侧区域的部分与覆盖槽5a的外侧区域的部分电分离。因此,槽5a的屏蔽特性提高。此外,这样的槽5a的剖面形状能够通过控制牺牲层12的形状而实现。
另外,如图5D所示,在如部件3b的上表面中的被侧面电极3b1覆盖的部分的一部分和未被覆盖的部分的一部分从槽5a的底露出那样的情况下,使槽5a的对置的2个内壁面5a1、5a2中的一个(内壁面5a1)倾斜成下端缘相比于上端缘位于与槽5a的内方向相反侧的方向,使另一个(内壁面5a2)倾斜成下端缘相比于上端缘位于槽5a的内方向。而且,槽 5a的另一个内壁面5a2和从部件5的槽5a的底露出的部分被屏蔽膜6覆盖,但也可以使一个内壁面5a1未被屏蔽膜6覆盖。
在该情况下,由于部件3b的侧面电极3b1与屏蔽膜6导通,因此从槽5a的底露出的侧面电极3b1为部件3b的接地电极。另外,由于能够从部件3b的侧面电极3b1进行屏蔽膜6的接地,因此不一定需要使屏蔽膜 6与从布线基板2的侧面2c露出的内部布线电极10(接地电极)连接。另外,由于一个内壁面5a1未被屏蔽膜6覆盖,因此在屏蔽膜6,能够使覆盖槽5a的内侧区域的部分与覆盖槽5a的外侧区域的部分电分离。因此,槽5a的屏蔽特性提高。
<第二实施方式>
参照图6对本实用新型的第二实施方式的高频模块1b进行说明。其中,图6是高频模块1b的去除了屏蔽膜6的状态的俯视图,是与图1对应的图。
本实施方式的高频模块1b与参照图1和图2A、图2B说明的第一实施方式的高频模块1a的不同点在于,如图6所示,屏蔽用的槽的结构不同。由于其他的结构与第一实施方式的高频模块1a相同,因此通过标注相同的附图标记而省略说明。
在该情况下,槽5b形成为将密封树脂层4分成多个区域(参照图6)。具体而言,在从与布线基板2的上表面2a垂直的方向观察时,槽5b包含:一端部到达横长矩形状的密封树脂层4的一个长边、另一端部到达与该一个长边对置的另一个长边的大致直线状的第一槽5b1、从第一槽5b1的中途分支且在中途弯折而端部到达密封树脂层4的一个短边的第二槽5b2、以及从第一槽5b1的中途分支而朝向与上述一个短边对置的另一个短边延伸的直线状的第三槽5b3。并且,槽5b的宽度根据形成位置而任意地变更。
本实施方式的高频模块1b也通过与第一实施方式相同的方法形成。即,根据上述的第一实施方式的高频模块1a的制造方法,通过任意地变更牺牲层12的形状,能够任意地变更槽5b的形状(槽宽度、形成位置等)。另外,由于槽5b的形成不使用激光加工、切割,因此无论槽5b为任何的形状,都不会给部件3a、3b带来损伤。因此,与第一实施方式同样,能够通过高频模块1b的低高度化而实现小型化,通过减小布线基板2的主面而实现小型化。并且,不用为了形成槽5b而进行激光加工、切割,因此不会对布线基板2、内部布线电极10带来损伤,高频模块1b的可靠性提高。此外,在本实施方式中,在从与布线基板2的上表面2a垂直的方向观察时,槽宽度也可以恒定。
<第三实施方式>
参照图7对本实用新型的第三实施方式的高频模块1c进行说明。此外,图7是高频模块1c的剖视图,是与图2A对应的图。
本实施方式的高频模块1c与参照图1和图2A、图2B说明的第一实施方式的高频模块1a的不同点在于,如图7所示那样布线基板2的下表面2b侧的结构。由于其他结构与第一实施方式的高频模块1a相同,因此通过标注相同的附图标记而省略说明。
在该情况下,在布线基板2的下表面2b形成多个安装电极70,来取代第一实施方式的外部电极9。另外,在各安装电极70安装部件3c、外部端子14,它们被第二密封树脂层40密封。外部端子14的下端部从第二密封树脂层40的下表面40b露出,作为外部连接用的端子发挥功能。另外,屏蔽膜6除了覆盖密封树脂层4的上表面4a、侧面4c、布线基板2 的侧面2c之外,还覆盖第二密封树脂层40的侧面40c。此外,外部端子 14能够由导通孔导体、通过电镀处理等形成的柱形电极、金属销等形成。
根据该结构,除了第一实施方式的高频模块1a的效果之外,还能够实现部件的高密度安装。
此外,本实用新型不限于上述的各实施方式,只要不脱离其主旨,除了上述内容以外还能够进行各种变更。例如,也可以使上述的各实施方式和变形例的结构组合。
另外,槽5a、5b的形状也可以是槽宽度在深度方向的中途位置发生变化的阶梯状的槽,也可以将槽5a的内壁面5a1、5a2形成为曲面状。
另外,也可以在布线基板2的上表面2a安装由Cu等形成的金属块,在与该金属块重叠的位置形成槽。在该情况下,例如,也可以如图4A、图4B那样,在槽中填充导电性膏等来配置导电部件,并与屏蔽膜连接。
另外,在上述的实施方式中,对覆盖部件3b和表层布线电极8的覆盖绝缘层11的一部分从槽5a、5b的底露出的情况进行了说明,但也可以是它们不一定需要露出。
产业上的可利用性
另外,本实用新型能够应用于在将部件密封的密封树脂层形成有屏蔽用的槽的各种高频模块及其制造方法。
附图标记的说明
1a~1c…高频模块;2…布线基板;3a~3c…部件;4…密封树脂层; 5a、5b…槽;6…屏蔽膜;8…表层布线电极(布线电极);11…覆盖绝缘层;12…牺牲层。
Claims (7)
1.一种高频模块,其特征在于,具备:
布线基板;
部件,形成在所述布线基板的一个主面;
密封树脂层,密封所述部件;
槽,形成于所述密封树脂层;以及
屏蔽膜,至少覆盖所述密封树脂层的表面,
在从与所述布线基板的所述一个主面垂直的方向观察时,所述槽的至少一部分与所述部件重叠,在该重叠的位置,所述部件的一部分从所述槽的底露出。
2.根据权利要求1所述的高频模块,其特征在于,
在从所述槽的底露出的部分形成有该部件的接地电极,
所述屏蔽膜与所述接地电极电连接。
3.根据权利要求1所述的高频模块,其特征在于,
所述槽具有一个内壁面以及与该一个内壁面对置的另一个内壁面,
在从与所述布线基板的所述一个主面垂直的方向观察时,至少所述一个内壁面倾斜成下端缘相比于上端缘位于与所述槽的内方向相反侧的方向,
所述一个内壁面不被所述屏蔽膜覆盖。
4.根据权利要求2所述的高频模块,其特征在于,
所述槽具有一个内壁面以及与该一个内壁面对置的另一个内壁面,
在从与所述布线基板的所述一个主面垂直的方向观察时,至少所述一个内壁面倾斜成下端缘相比于上端缘位于与所述槽的内方向相反侧的方向,
所述一个内壁面不被所述屏蔽膜覆盖。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的高频模块,其特征在于,
在所述布线基板的另一个主面安装有与所述部件不同的其他的部件。
6.一种高频模块,其特征在于,具备:
布线基板;
部件,形成在所述布线基板的一个主面;
密封树脂层,密封所述部件;
槽,形成于所述密封树脂层;以及
屏蔽膜,至少覆盖所述密封树脂层的表面,
在从与所述布线基板的所述一个主面垂直的方向观察时,所述槽形成为将所述密封树脂层分割为多个区域,并且形成为与在所述布线基板的所述一个主面形成的信号用的布线电极的至少一部分重叠,
通过所述信号用的布线电极被覆盖绝缘层覆盖,从而在与所述信号用的布线电极的所述槽重叠的位置,所述覆盖绝缘层从所述槽的底露出,
所述槽的壁面不被所述屏蔽膜覆盖。
7.根据权利要求6所述的高频模块,其特征在于,
在所述布线基板的另一个主面安装有与所述部件不同的其他的部件。
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Families Citing this family (8)
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Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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GR01 | Patent grant | ||
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