CN213590825U - 真空镀膜装置 - Google Patents
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Abstract
一种真空镀膜装置,用于在通过真空泵抽真空的条件下,利用化学单体气体的聚合在待镀膜工件的表面形成聚合物膜层。该真空镀膜装置包括一反应腔室和一管路组件。该反应腔室内设有用于放置该待镀膜工件的支架,并且该反应腔室具有至少一进料口和一或多个抽气口,其中该反应腔室的该进料口用于将该化学单体气体添加至该反应腔室内。该管路组件包括一抽真空管路,其中该抽真空管路适于将该反应腔室的该抽气口与该真空泵连通,以经由该抽气口对该反应腔室进行抽真空。
Description
技术领域
本实用新型涉及真空镀膜技术领域,特别是涉及一种真空镀膜装置。
背景技术
等离子镀膜作为提升材料表面性能的有效方法,被广泛应用于航空航天、汽车制造、机械重工和五金工具制造等领域。在等离子镀膜过程中,需要将镀膜设备腔室内空气抽出维持低压力状态,同时需要通入工艺气体和化学单体气体用于反应以在被镀膜工件表面生成聚合物膜层。
现有的镀膜装置在整个等离子镀膜过程中需要持续抽气,并且该现有的镀膜装置上的抽气口、进气口以及加料口的位置都是固定的,使得从该加料口加入的化学单体气体存在向抽气口方向扩散的趋势,导致该化学单体气体在该加料口区域和扩散方向区域的密度相对较大。这就出现了在这些区域放置的被镀膜工件表面上的聚合物涂层厚度较厚,而其他区域涂层厚度较薄的现象,造成批量生产的质量不一致。
实用新型内容
本实用新型的一优势在于提供一真空镀膜装置,其能够使腔室内的化学单体密度更加均匀,以便保证在所述腔室内的工件获得均匀的膜层。
本实用新型的另一优势在于提供一真空镀膜装置,其中,在本实用新型的一实施例中,所述真空镀膜装置能够使进入腔室的化学单体气体从加料口位置开始同时在二维方向上进行扩散,使得所述腔室内的工件在水平方向和竖直方向上均能够接触密度均匀的化学单体气体,有助于使每一工件在不同方向上均能够获得均匀的膜层。
本实用新型的另一优势在于提供一真空镀膜装置,其中,在本实用新型的一实施例中,所述真空镀膜装置能够使在所述腔室的不同层的工件获得厚度一致的膜层,有助于保证批量生产的质量一致性。
本实用新型的另一优势在于提供一真空镀膜装置,其中,为了达到上述目的,在本实用新型中不需要采用昂贵的材料或复杂的结构。因此,本实用新型成功和有效地提供一解决方案,不只提供简单的真空镀膜装置,同时还增加了所述真空镀膜装置的实用性和可靠性。
为了实现上述至少一优势或其他优势和目的,本实用新型提供了一真空镀膜装置,用于在通过真空泵抽真空的条件下,利用化学单体气体的聚合在待镀膜工件的表面形成聚合物膜层,其中所述真空镀膜装置包括:
一反应腔室,其中所述反应腔室内设有用于放置该待镀膜工件的支架,并且所述反应腔室具有至少一进料口和一或多个抽气口,其中所述反应腔室的所述进料口用于将该化学单体气体添加至所述反应腔室内;和
一管路组件,其中所述管路组件包括一抽真空管路,其中所述抽真空管路适于将所述反应腔室的所述抽气口与该真空泵连通,以经由所述抽气口对所述反应腔室进行抽真空。
根据本实用新型的一实施例,所述支架被可旋转地设置于所述反应腔室内,以形成绕着一旋转轴转动的旋转支架,并且所述抽气口对应于所述反应腔室上远离所述旋转轴的位置。
根据本实用新型的一实施例,所述反应腔室的所述一或多个抽气口被等间隔地且均匀地分布于所述旋转轴的周围。
根据本实用新型的一实施例,所述反应腔室上不同的所述抽气口与所述旋转轴的中心间距均相等。
根据本实用新型的一实施例,所述支架包括绕着所述旋转轴公转的一或多个行星置物架,其中每所述行星置物架包括一自转轴和一或多层置物台,其中所述置物台被间隔地叠置于所述自转轴,用于在带动被放置于所述置物台的该待镀膜工件绕着所述旋转轴公转的同时,并绕着所述自转轴进行自转。
根据本实用新型的一实施例,所述反应腔室的所述抽气口和所述旋转轴之间的中心间距等于所述行星置物架的所述自转轴和所述旋转轴之间的轴心间距。
根据本实用新型的一实施例,所述支架进一步包括一公自互转机构,其中所述公自互转机构被设置于所述行星置物架,用于将所述行星置物架的公转与所述行星置物架的自转进行互相转换。
根据本实用新型的一实施例,所述公自互转机构包括相互啮合的一母轮和至少一子轮,其中所述母轮被同轴地且异步转动地设置于所述支架的所述旋转轴,并且所述子轮被同轴地且同步转动地设置于所述行星置物架的所述自转轴。
根据本实用新型的一实施例,所述抽真空管路包括相互连通的一或多个第一接口管和一抽真空接口管,其中所述第一接口管分别对应地连接于所述反应腔室的所述抽气口,其中所述抽真空接口管适于连接于该真空泵。
根据本实用新型的一实施例,所述抽真空管路的所述第一接口管分别自所述抽真空接口管的一端弯曲地横向延伸,以使所述抽真空管路的多个所述第一接口管的接口处于同一平面上。
根据本实用新型的一实施例,所述抽真空管路包括一个五通、四个弯头以及四个法兰管件,其中四个所述弯头分别通过所述法兰管件连接于所述五通的四个接口,以形成所述抽真空管路的四个所述第一接口管,其中所述五通中剩下的一个接口被作为所述抽真空管路的所述抽真空接口管。
根据本实用新型的一实施例,所述反应腔室进一步具有一中间口,并且所述中间口对应于所述旋转轴。
根据本实用新型的一实施例,所述管路组件进一步包括一中空管,其中所述中空管具有多个通孔,并且所述中空管沿着所述旋转轴被设置于所述反应腔室内,以使所述中空管的一端对应于所述反应腔室的所述中间口。
根据本实用新型的一实施例,所述抽真空管路包括相互连通的一或多个第一接口管、一第二接口管以及一抽真空接口管,其中所述第二接口管经由所述反应腔室的所述中间口连通于所述中空管,其中所述第一接口管分别对应地连接于所述反应腔室的所述抽气口,其中所述抽真空接口管适于连接于该真空泵。
根据本实用新型的一实施例,所述抽真空管路包括一个六通、四个弯头以及四个法兰管件,其中四个所述弯头分别通过所述法兰管件连接于所述六通的四个接口,以形成所述抽真空管路的四个所述第一接口管,其中所述六通中剩下的两个接口分别被作为所述抽真空管路的所述第二接口管和所述抽真空接口管。
根据本实用新型的一实施例,所述管路组件进一步包括一进料管路,其中所述进料管路适于将所述反应腔室的所述进料口与一化学单体气源连通,用于将经由该化学单体气源提供的该化学单体气体输送至所述反应腔室的所述进料口。
根据本实用新型的一实施例,所述反应腔室进一步具有至少一进气口,并且所述管路组件进一步包括一进气管路,其中所述管路组件适于将所述反应腔室的所述进气口与一工艺气体气源连通,用于将经由该工艺气体气源提供的工艺气体输送至所述反应腔室的所述进气口。
根据本实用新型的一实施例,所述的真空镀膜装置,进一步包括一电极元件,其中所述电极元件被设置于所述反应腔室,用于向所述反应腔室内的该化学单体气体放电,以引发该化学单体气体发生聚合并沉积在该待镀膜工件的表面。
通过对随后的描述和附图的理解,本实用新型进一步的目的和优势将得以充分体现。
本实用新型的这些和其它目的、特点和优势,通过下述的详细说明,附图和权利要求得以充分体现。
附图说明
图1是根据本实用新型的一实施例的一真空镀膜装置的结构示意图。
图2示出了根据本实用新型的上述实施例的所述真空镀膜装置的气体流动示意图。
图3示出了根据本实用新型的上述第二实施例的所述真空镀膜装置的第一示例。
图4示出了根据本实用新型的上述第一示例的所述真空镀膜装置的剖视示意图。
图5示出了根据本实用新型的上述第一示例的所述真空镀膜装置的俯视示意图。
图6是根据本实用新型的上述实施例的所述真空镀膜装置的第二示例。
图7示出了根据本实用新型的上述第二示例的所述真空镀膜装置的剖视示意图。
具体实施方式
以下描述用于揭露本实用新型以使本领域技术人员能够实现本实用新型。以下描述中的优选实施例只作为举例,本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本实用新型的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本实用新型的精神和范围的其他技术方案。
本领域技术人员应理解的是,在本实用新型的揭露中,术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系,其仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此上述术语不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型中,权利要求和说明书中术语“一”应理解为“一个或多个”,即在一个实施例,一个元件的数量可以为一个,而在另外的实施例中,该元件的数量可以为多个。除非在本实用新型的揭露中明确示意该元件的数量只有一个,否则术语“一”并不能理解为唯一或单一,术语“一”不能理解为对数量的限制。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,属于“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或者暗示相对重要性。本实用新型的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,属于“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接或者一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接连接,也可以是通过媒介间接连结。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
为了克服因化学单体气体的密度分布不均而导致被镀膜工件的表面镀膜膜层的厚度出现薄厚不一致的问题,本申请人在先前的案件中创造性地提出在支架的旋转轴位置处设置带有多个通孔的中空管,并且将该中空管与反应腔室的抽气口连通,这样在通过真空泵经由所述抽气口对所述反应腔室抽真空时,所述反应腔室内的化学单体气体将从进料口的位置向多个所述通孔扩散,也就是说,进入所述反应腔室的化学单体气体将形成沿着每层置物台的径向方向往所述通孔的位置扩散,使得从所述反应腔室的腔壁到所述中空管区域的化学单体气体的密度的均匀度得以提升。
然而,虽然上述技术方案能够在一定程度上提升化学单体气体在所述反应腔室内分布的均匀性,但由于带有多个通孔的所述中空管沿着所述支架的旋转轴被竖直地设置,而所述进料口的位置往往有设置在所述反应腔室的侧壁上,因此从所述进料口进入所述反应腔室的所述化学单体气体只能沿着所述支架的径向方向(即垂直于所述支架的旋转轴的方向)扩散至多个所述通孔,而在所述支架的轴向方向(即平行于所述支架的旋转轴的方向)上的扩散趋势较弱,并且在距离所述支架的旋转轴越远的区域处,所述化学单体气体在所述支架的轴向方向上的扩散越弱。这样,所述所述化学单体气体虽然在所述支架的径向方向上的密度均匀度较高,但在所述支架的轴向方向上的密度均匀度较差,使得位于不同层的置物台上的待镀膜工件的表面镀膜厚度一致性较差(也就是说,与所述进料口距离越近的所述置物台上的待镀膜工件的表面镀膜厚度越厚,而与所述进料口距离越远的所述置物台上的待镀膜工件的表面镀膜厚度越薄),仍然存在批量生产的质量不一致。因此,为了进一步提高所述反应腔室内的所述化学单体气体的密度均匀度,参考说明书附图之图1至图5所示,根据本实用新型的一实施例的真空镀膜装置被阐明。
具体地,如图1和图2所示,所述真空镀膜装置可以包括一反应腔室10和一管路组件20,用于在通过同一个真空泵900抽真空的条件下,利用化学单体气体的聚合在待镀膜工件800的表面形成聚合物膜层。所述反应腔室10内设有用于放置该待镀膜工件800的支架11,并且所述反应腔室10具有至少一进料口12和一或多个抽气口14,其中所述反应腔室10的所述进料口12用于将该化学单体气体添加至所述反应腔室10内。换言之,所述反应腔室10的所述进料口12适于与一化学单体气源700连通,用于通过该化学单体气源700向所述反应腔室10添加该化学单体气体。
根据本实用新型的所述真空镀膜装置的第一示例,如图3所示,所述管路组件20包括一抽真空管路22,其中所述抽真空管路22适于将所述反应腔室10的所述抽气口14与该真空泵900连通,以经由所述抽气口14对所述反应腔室10进行抽真空。可以理解的是,本实用新型提及的抽真空指的是所述反应腔室10的内部压力小于所述反应腔室10的外部压力;当然,所述反应腔室10的外部压力可以是大气压,也可以是低于或高于大气压的气体压力,本实用新型对此不做限制。
更具体地,所述支架11被可旋转地设置于所述反应腔室10内,以形成绕着一旋转轴110转动的旋转支架,其中所述抽气口14对应于所述反应腔室10上远离所述旋转轴110的位置。对应地,所述抽真空管路22包括相互连通的一或多个第一接口管222和一抽真空接口管223,其中所述抽真空管路22的所述第一接口管222分别对应地连接于所述反应腔室10的所述抽气口14,以通过所述反应腔室10的所述抽气口14将所述抽真空管路22的所述第一接口管222与所述反应腔室10连通,其中所述抽真空管路22的所述抽真空接口管223适于连接于该真空泵900,用于将所述反应腔室10与该真空泵900可抽真空地连通。
值得一提的是,根据本实用新型的上述第一示例,所述反应腔室10进一步具有一中间口13,其中所述中间口13对应于所述支架11的旋转轴110。对应地,所述抽真空管路22进一步包括与所述抽真空接口管223连通的一第二接口管221,其中所述抽真空管路22的所述第二接口管221的接口对应于所述反应腔室10的所述中间口13,以经由所述反应腔室10的所述中间口13将所述抽真空管路22的所述第二接口管221与所述反应腔室10连通。可以理解的是,所述反应腔室10中的所述抽气口14位于所述中间口13的周围,以在所述反应腔室10上形成边缘抽气口;对应地,所述反应腔室10中的所述中间口13则可以在所述反应腔室10上形成中间抽气口。
优选地,如图1所示,所述管路组件20进一步包括具有多个径向通孔211的一中空管21,其中所述中空管21沿着所述支架11的所述旋转轴110被设置于所述反应腔室10内,并且所述中空管21的一端对应于所述反应腔室10的所述中间口13。所述抽真空管路22适于将对应于所述反应腔室10的所述中间口13的所述中空管21和所述反应腔室10的所述抽气口14同时与所述真空泵900连通,以通过所述真空泵900经由所述反应腔室10的所述抽气口14和所述反应腔室10内的所述中空管21对所述反应腔室10进行抽真空,以降低所述反应腔室10内的压力。
示例性地,如图2和图3所示,所述抽真空管路22包括相互连通的一个所述第二接口管221、一或多个所述第一接口管222以及一个所述抽真空接口管223,其中所述抽真空管路22的所述第二接口管221的接口对应于所述反应腔室10的所述中间口13,以经由所述反应腔室10的所述中间口13将所述抽真空管路22的所述第二接口管221与所述中空管21的一端连通,其中所述抽真空管路22的所述第一接口管222分别对应地连接于所述反应腔室10的所述抽气口14,以通过所述反应腔室10的所述抽气口14将所述抽真空管路22的所述第一接口管222与所述反应腔室10连通,其中所述抽真空管路22的所述抽真空接口管223适于连接于该真空泵900,用于将所述反应腔室10与该真空泵900可抽真空地连通。
这样,如图2所示,当通过所述真空泵900经由所述反应腔室10的所述中间口13和所述抽气口14对所述反应腔室10抽真空时,经由所述反应腔室10的所述进料口12进入所述反应腔室10的所述化学单体气体在所述抽真空管路22的所述第二接口管221的抽真空作用下,径向扩散至所述中空管21的多个所述径向通孔211,以使所述化学单体气体在所述支架11的径向方向上分布均匀的同时,还能够在所述抽真空管路22的所述第一接口管222的抽真空作用下,轴向扩散至所述反应腔室10的所述抽气口14,使得所述化学单体气体在所述支架11的轴向方向上也分布均匀。换言之,本实用新型的所述真空镀膜装置能够使进入所述反应腔室10的所述化学单体气体在所述反应腔室10内进行二维扩散(即同时沿着所述支架11的径向方向和轴向方向进行扩散),以便进一步提升所述化学单体气体在所述反应腔室10内的密度均匀性,有助于进一步提高批量生产的质量一致性。
优选地,在本实用新型的上述实施例中,如图3所示,所述反应腔室10的上述一或多个抽气口14可以被实施为四个所述抽气口14,对应地,所述抽真空管路22的所述第一接口管222的数量也被实施为四个,以使进入所述反应腔室10内的所述化学单体气体在四个所述第一接口管222的共同抽真空的作用下,沿着所述支架11的轴向方向加速扩散,以便保证所述化学单体气体在所述反应腔室10内沿着所述支架11的轴向方向的密度具有较高的一致性。
更优选地,如图4和图5所示,四个所述抽气口14被等间隔地且均匀地分布于所述中间口13的周围,也就是说,四个所述抽气口14被对称地布置于所述中间口13的四周,使得四个所述抽气口14等距地位于所述中间口13的前后左右四个方向,有助于确保所述化学单体气体在所述反应腔室10内的前后左右四个区域处的轴向扩散速度具有较高的一致性。
最优选地,四个所述抽气口14的中心与所述中间口13的中心的距离保持一致。
值得注意的是,如图4所示,所述抽真空管路22的所述第二接口管221优选地从所述抽真空接口管223的一端笔直地纵向延伸(如沿着所述抽真空接口管223的轴向延伸或竖直延伸),对应地,所述抽真空管路22的四个所述第一接口管222分别从所述抽真空接口管223的所述一端弯曲地横向延伸(如先沿着所述抽空接口管223的径向延伸或水平延伸,再弯曲以沿着所述抽空接口管223的轴向或竖直延伸),使得所述抽真空管路22的所述第二接口管221和四个所述第一接口管222的接口处于同一平面,以便将所述抽真空管路22的五个接口分别与位于所述反应腔室10的顶部的五个抽气口可导通地连接。
示例性地,如图3和图5所示,所述抽真空管路22可以但不限于包括一个六通2201、四个弯头2202以及四个法兰管件2203,其中四个所述弯头2202分别通过所述法兰管件2203连接于所述六通2201的四个接口,以形成所述抽真空管路22的四个所述第一接口管222;并且所述六通2201中剩下的两个接口分别被作为所述抽真空管路22的所述第二接口管221和所述抽真空接口管223。
值得一提的是,尽管在附图1至图5以及接下来的描述中以所述反应腔室10具有四个所述抽气口14为例,阐述本实用新型的所述真空镀膜装置的特征和优势,本领域技术人员可以理解的是,附图1至图5以及接下来的描述中揭露的所述抽气口14的具体数量仅为举例,其并不构成对本实用新型的内容和范围的限制,例如,在所述真空镀膜装置的其他示例中,所述抽气口14的数量也可以是一个、三个、五个,甚至更多。
更具体地,根据本实用新型的上述实施例,如图1和图3所示,所述真空镀膜装置的所述支架11通常包括绕着所述旋转轴110公转的一或多个行星置物架111,其中每所述行星置物架111包括一自转轴1111和一或多层置物台1112,其中所述置物台1112被间隔地叠置于所述自转轴1111,用于在绕着所述旋转轴110进行公转的同时,绕着所述自转轴1111进行自转。可以理解的是,每层所述置物台1112上均适于放置一个或多个所述待镀膜工件800,使得所述置物台1112带动所述待镀膜工件800在所述反应腔室10内进行自转和公转,以便批量地实现镀膜工序。
优选地,如图3所示,所述行星置物架111的所述自转轴1111也可以被实施为具有多个通孔的中空管,也就是说,所述自转轴1111的外周表面上也设有多个通孔,这样当所述真空泵900经由所述抽真空管路22的所述第一接口管222对所述反应腔室10抽真空时,所述反应腔室10内的所述化学单体气体将朝向所述自转轴1111上的通孔扩散,以便进一步提高所述化学单体气体在所述反应腔室10内的分布均匀度。
根据本实用新型的上述实施例,如图3和图4所示,所述支架11可以进一步包括一公自互转机构112,其中所述公自互转机构112被设置于所述行星置物架111,用于将所述行星置物架111的公转(即所述置物台1112绕着所述旋转轴110的转动)与所述行星置物架111的自转(即所述置物台1112绕着所述自转轴1111的转动)进行互相转换。换言之,当所述置物台1112被驱动以绕着所述自转轴1111旋转时,所述公自互转机构112能够将所述置物台1112的自转动力转换成所述所述置物台1112的公转动力,以使所述置物台1112绕着所述旋转轴110进行公转;同样地,当所述置物台1112被驱动以绕着旋转轴110旋转时,所述公自互转机构112也可以将所述置物台1112的公转动力转换成所述置物台1112的自转动力,以使所述置物台1112绕着所述自转轴1111进行自转。这样,本实用新型的所述支架11就能够只利用一台电机就能够驱动所述置物台1112在自转(或公转)的同时也能够公转(或自转)。
示例性地,如图3和图4所示,本实用新型的所述支架11的所述公自互转机构112优选地包括相互啮合的一母轮1121和至少一子轮1122,其中所述母轮1121与所述旋转轴110同轴地设置,并且所述母轮1121相对于所述旋转轴110异步地转动(如所述母轮1121能够相对于所述旋转轴110处于旋转状态),其中所述子轮1122被同轴地设置于所述行星置物架111的所述自转轴1111,并且所述子轮1122相对于所述自转轴1111与同步地转动(即所述子伦1122相对于所述自转轴1111处于静止状态)。这样,由于所述母轮1121与所述子轮1122相互啮合,并且所述子轮1122能够沿着所述母轮1121的外周缘进行啮合地滚动;因此,当所述行星置物架111被驱动以带动所述置物台1112进行公转时,所述子轮1122将沿着所述母轮1121的外周缘进行啮合地滚动,以带动所述自转轴1111进行同步地转动,使得所述置物台1112进行自转。
优选地,所述母轮1121的直径大于所述子轮1122的直径,以使所述置物台1112的自转角速度大于所述置物台1112的公转角速度,有助于加快所述置物台1112的自转速度,有助于提高镀膜厚度的均匀度。当然,在本实用新型的其他示例中,所述母轮1121的直径也可以小于所述子轮1122的直径,以使所述置物台1112的自转角速度小于所述置物台1112的公转角速度,有助于增强所述支架11对所述化学单体气体施加的扰动。
值得注意的是,在本实用新型的其他示例中,所述母轮1121和所述子轮1122之间也可以不直接啮合地连接,而是通过诸如传动皮带、传动链条或传动齿轮组等等传动机构进行间接地连接,只要能够确保所述子轮1122在自转的同时,也能够绕着所述母轮1121的中心轴进行公转即可,本实用新型对此不再赘述。可以理解的是,所述置物台1112的自转或公转可以但不限于通过诸如电机、汽轮机或水力马达等装置进行驱动
值得一提的是,根据本实用新型的上述实施例,如图2和图4所示,所述反应腔室10的所述抽气口14和所述中间口13之间的中心间距优选地等于所述行星置物架111的所述自转轴1111与所述支架11的所述旋转轴110之间的轴心间距,以使所述抽气口14恰好对应于所述行星置物架111的所述自转轴1111所在的公转路径,从而使得所述化学单体气体在所述行星置物架111的所述自转轴1111所在的公转路径处的轴向扩散速度最快,有助于确保所述化学单体气体在此处的密度具有较高的一致性,进而更大限度地提高被放置于所述行星置物架111的所述置物台1112处的待镀膜工件800的镀膜质量。
此外,在本实用新型的上述实施例中,如图1和图2所示,所述管路组件20还可以进一步包括一进料管路23,其中所述进料管路23用于将所述反应腔室10的所述进料口12与所述化学单体气源700连通,以便将经由所述化学单体气源700提供的所述化学单体气体输送至所述反应腔室10的所述进料口12,进而经由所述进料口12将所述化学单体气体添加至所述反应腔室10内。
值得注意的是,由于在对所述真空镀膜装置的所述反应腔室10抽真空之前,所述反应腔室10内将充满空气,而所需的化学单体气体通常会与空气发生反应,因此在经由所述进料口12添加所述化学单体气体时,需要将所述反应腔室10内的空气排出干净,以避免所述化学单体气体与所述空气直接接触。
为了解决上述问题,根据本实用新型的上述实施例,如图1和图2所示,所述真空镀膜装置的所述反应腔室10可以进一步具有至少一进气口15,其中所述反应腔室10的所述进气口15适于与一工艺气体气源600连通,用于通过该工艺气体气源600向所述反应腔室10添加工艺气体,以通过所述工艺气体置换所述反应腔室10内的空气,防止后续添加的所述化学单体气体与所述空气直接接触而发生反应。可以理解的是,本实用新型的所述工艺气体可以但不限于被实施为诸如氮气、氦气、氖气或氩气等不与所述化学单体气体发生反应的气体。
具体地,如图1和图2所示,所述真空镀膜装置的所述管路组件20相应地进一步包括一进气管路24,其中所述进气管路24用于将所述反应腔室10的所述进气口15与所述工艺气体气源600连通,以便将所述工艺气体气源600提供的所述工艺气体输送至所述反应腔室10的所述进气口15,进而经由所述进气口15将所述工艺气体添加至所述反应腔室10内,以置换位于所述反应腔室10内的空气。
可以理解的是,所述管路组件20还可以但不限于包括被设置于所述抽真空管路22上的抽真空阀、被设置于所述进料管路23上的进料阀以及被设置于所述进气管路24上的进气阀,以便控制相应的抽真空工序、进料工序以及进气工序。
值得一提的是,当利用所述真空镀膜装置对所述待镀膜工件800进行镀膜时,还需要在所述真空镀膜装置的所述反应腔室10内提供射频电压,以引发所述化学单体气体发生聚合并沉积在所述待镀膜工件800的表面而形成聚合物镀层。因此,在本实用新型的上述实施例中,如图1和图2所示,所述真空镀膜装置可以进一步包括一电极元件30,其中所述电极元件30被设置于所述反应腔室10,用于向所述反应腔室10内的所述化学单体气体放电,以引发所述化学单体气体发生聚合并沉积在所述待镀膜工件800的表面。
示例性地,通过本实用新型的所述真空镀膜装置对所述待镀膜工件800进行镀膜的过程如下:首先,将所述待镀膜工件800放置于所述反应腔室10内的所述置物台1112上;接着,通过所述真空泵900经由所述抽真空管路22将所述反应腔室10内的空气抽出以使所述反应腔室10内的压力降低;然后,通过所述工艺气体气源600经由所述进气管路24从所述进气口15向所述反应腔室10添加工艺气体,以置换所述反应腔室10内残留的空气;之后,再通过所述化学单体气源700经由所述进料管路23从所述进料口12向所述反应腔室10添加化学单体气体;最后,驱动所述置物台1112同时绕着所述旋转轴110进行公转和绕着所述自转轴1111进行自转,并且通过所述电极元件30在所述反应腔室10内放电,以引发所述化学单体气体发生聚合并沉积在所述待镀膜工件800的表面而形成聚合物膜层,从而完成对所述待镀膜工件800的镀膜。
值得注意的是,如图6和图7所示,根据本实用新型的上述实施例的所述真空镀膜装置的第二示例被阐明。具体地,相比于根据本实用新型的上述第一示例,根据本实用新型的所述第二示例的不同之处在于:所述反应腔室10可以不设置所述中间口13;对应地,所述抽真空管路22也可以不包括所述第二接口管221,使得所述真空镀膜装置经通过所述抽气口14对所述反应腔室10进行抽真空。
更具体地,如图6和图7所示,所述抽真空管路22包括相互连通的一或多个所述第一接口管222和一个所述抽真空接口管223,其中所述抽真空管路22的所述第一接口管222分别对应地连接于所述反应腔室10的所述抽气口14,以通过所述反应腔室10的所述抽气口14将所述抽真空管路22的所述第一接口管222与所述反应腔室10连通,其中所述抽真空管路22的所述抽真空接口管223适于连接于该真空泵900,用于将所述反应腔室10与该真空泵900可抽真空地连通。
这样,如图7所示,当通过所述真空泵900经由所述反应腔室10的所述抽气口14对所述反应腔室10抽真空时,经由所述反应腔室10的所述进料口12进入所述反应腔室10的所述化学单体气体能够在所述抽真空管路22的所述第一接口管222的抽真空作用下,轴向扩散至所述反应腔室10的所述抽气口14,使得所述化学单体气体在所述支架11的轴向方向上也分布均匀。
示例性地,如图6和图7所示,所述抽真空管路22可以但不限于包括一个五通2201’、四个弯头2202以及四个法兰管件2203,其中四个所述弯头2202分别通过所述法兰管件2203连接于所述五通2201’的四个接口,以形成所述抽真空管路22的四个所述第一接口管222;并且所述五通2201’中剩下的一个接口被作为所述抽真空管路22的所述抽真空接口管223。
本领域的技术人员应理解,上述描述及附图中所示的本实用新型的实施例只作为举例而并不限制本实用新型。本实用新型的目的已经完整并有效地实现。本实用新型的功能及结构原理已在实施例中展示和说明,在没有背离所述原理下,本实用新型的实施方式可以有任何变形或修改。
Claims (18)
1.一种真空镀膜装置,用于在通过一真空泵抽真空的条件下,利用化学单体气体的聚合在待镀膜工件的表面形成聚合物膜层,其特征在于,其中所述真空镀膜装置包括:
一反应腔室,其中所述反应腔室内设有用于放置该待镀膜工件的支架,并且所述反应腔室具有至少一进料口和一或多个抽气口,其中所述反应腔室的所述进料口用于将该化学单体气体添加至所述反应腔室内;和
一管路组件,其中所述管路组件包括一抽真空管路,其中所述抽真空管路适于将所述反应腔室的所述抽气口与该真空泵连通,以经由所述抽气口对所述反应腔室进行抽真空。
2.如权利要求1所述的真空镀膜装置,其中,所述支架被可旋转地设置于所述反应腔室内,以形成绕着一旋转轴转动的旋转支架,并且所述抽气口对应于所述反应腔室上远离所述旋转轴的位置。
3.如权利要求2所述的真空镀膜装置,其中,所述反应腔室的所述抽气口被等间隔地且均匀地分布于所述旋转轴的周围。
4.如权利要求3所述的真空镀膜装置,其中,所述反应腔室上不同的所述抽气口与所述旋转轴的中心间距均相等。
5.如权利要求4所述的真空镀膜装置,其中,所述支架包括绕着所述旋转轴公转的一或多个行星置物架,其中每所述行星置物架包括一自转轴和一或多层置物台,其中所述置物台被间隔地叠置于所述自转轴,用于在带动被放置于所述置物台的该待镀膜工件绕着所述旋转轴公转的同时,并绕着所述自转轴进行自转。
6.如权利要求5所述的真空镀膜装置,其中,所述反应腔室的所述抽气口和所述旋转轴之间的中心间距等于所述行星置物架的所述自转轴和所述旋转轴之间的轴心间距。
7.如权利要求6所述的真空镀膜装置,其中,所述支架进一步包括一公自互转机构,其中所述公自互转机构被设置于所述行星置物架,用于将所述行星置物架的公转与所述行星置物架的自转进行互相转换。
8.如权利要求7所述的真空镀膜装置,其中,所述公自互转机构包括相互啮合的一母轮和至少一子轮,其中所述母轮被同轴地且异步转动地设置于所述支架的所述旋转轴,并且所述子轮被同轴地且同步转动地设置于所述行星置物架的所述自转轴。
9.如权利要求2至8中任一所述的真空镀膜装置,其中,所述抽真空管路包括相互连通的一或多个第一接口管和一抽真空接口管,其中所述第一接口管分别对应地连接于所述反应腔室的所述抽气口,其中所述抽真空接口管适于连接于该真空泵。
10.如权利要求9所述的真空镀膜装置,其中,所述抽真空管路的所述第一接口管分别自所述抽真空接口管的一端弯曲地横向延伸,以使所述抽真空管路的多个所述第一接口管的接口处于同一平面上。
11.如权利要求9所述的真空镀膜装置,其中,所述抽真空管路包括一个五通、四个弯头以及四个法兰管件,其中四个所述弯头分别通过所述法兰管件连接于所述五通的四个接口,以形成所述抽真空管路的四个所述第一接口管,其中所述五通中剩下的一个接口被作为所述抽真空管路的所述抽真空接口管。
12.如权利要求2至8中任一所述的真空镀膜装置,其中,所述反应腔室进一步具有一中间口,并且所述中间口对应于所述旋转轴。
13.如权利要求12所述的真空镀膜装置,其中,所述管路组件进一步包括一中空管,其中所述中空管具有多个通孔,并且所述中空管沿着所述旋转轴被设置于所述反应腔室内,以使所述中空管的一端对应于所述反应腔室的所述中间口。
14.如权利要求13所述的真空镀膜装置,其中,所述抽真空管路包括相互连通的一或多个第一接口管、一第二接口管以及一抽真空接口管,其中所述第二接口管经由所述反应腔室的所述中间口连通于所述中空管,其中所述第一接口管分别对应地连接于所述反应腔室的所述抽气口,其中所述抽真空接口管适于连接于该真空泵。
15.如权利要求14所述的真空镀膜装置,其中,所述抽真空管路包括一个六通、四个弯头以及四个法兰管件,其中四个所述弯头分别通过所述法兰管件连接于所述六通的四个接口,以形成所述抽真空管路的四个所述第一接口管,其中所述六通中剩下的两个接口分别被作为所述抽真空管路的所述第二接口管和所述抽真空接口管。
16.如权利要求1至8中任一所述的真空镀膜装置,其中,所述管路组件进一步包括一进料管路,其中所述进料管路适于将所述反应腔室的所述进料口与一化学单体气源连通,用于将经由该化学单体气源提供的该化学单体气体输送至所述反应腔室的所述进料口。
17.如权利要求1至8中任一所述的真空镀膜装置,其中,所述反应腔室进一步具有至少一进气口,并且所述管路组件进一步包括一进气管路,其中所述管路组件适于将所述反应腔室的所述进气口与一工艺气体气源连通,用于将经由该工艺气体气源提供的工艺气体输送至所述反应腔室的所述进气口。
18.如权利要求1至8中任一所述的真空镀膜装置,其中,进一步包括一电极元件,所述电极元件被设置于所述反应腔室,用于向所述反应腔室内的该化学单体气体放电,以引发该化学单体气体发生聚合并沉积在该待镀膜工件的表面。
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WO2023116159A1 (zh) * | 2021-12-22 | 2023-06-29 | 拓荆科技股份有限公司 | 真空吸附系统及方法 |
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- 2020-07-16 CN CN202021412068.8U patent/CN213590825U/zh active Active
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