CN216378367U - 一种半导体光电用磁控溅射镀膜装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及半导体技术领域，且公开了一种半导体光电用磁控溅射镀膜装置，包括腔体，所述腔体的内底壁螺栓连接有两个靶枪，所述腔体的顶部螺栓连接有旋转机构，所述旋转机构包括固定板，所述固定板的底部螺栓连接有步进电机，所述步进电机的顶部转动连接有第一转动轮，所述固定板的顶部转动连接有第二转动轮，所述第二转动轮的底部螺栓连接有转动盘，所述转动盘的底部固定连接有六个环形排列的置片架。通过将基片放入置片架中，步进电机通过第一转动轮和皮带带动第二转动轮转动，第二转动轮通过转动盘带动置片架和基片匀速转动，保证了基片均匀从靶枪上方经过，从而达到了靶枪溅射时均匀在基片上镀膜的效果。

Description

一种半导体光电用磁控溅射镀膜装置

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体为一种半导体光电用磁控溅射镀膜装置。

背景技术

磁控溅射是物理气相沉积的一种，可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，上世纪70年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤，因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率，磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。

现有的磁控溅射装置在使用时，靶枪和基片处于相对静止状态，容易导致镀膜厚度不均匀，为了减小影响只能对单个基片进行镀膜，而且基片的尺寸不能过大，使用局限性大，由此我们提出了一种半导体光电用磁控溅射镀膜装置。

发明内容

为了克服上述现有技术的不足，本实用新型提供一种半导体光电用磁控溅射镀膜装置，具有同时对多个基片进行镀膜且能保持镀膜均匀性的优点。

本实用新型为实现技术目的采用如下技术方案：一种半导体光电用磁控溅射镀膜装置，包括腔体，所述腔体的内底壁螺栓连接有两个靶枪，所述腔体的正面转动连接有仓门，所述腔体的顶部螺栓连接有旋转机构，所述腔体的背面螺栓连接有抽气机构。

作为优化，所述腔体的左右两侧均开设有预留孔，预留孔分别与膜厚仪和惰性气体进气管通过法兰连接，膜厚仪能够实时监测基片的镀膜厚度，惰性气体通过预留孔进入腔体内部。

作为优化，所述仓门的正面开设有观察孔，所述仓门的正面插接有手拧，所述手拧的背面套接有遮挡板。

作为优化，所述观察孔的内部固定有透明玻璃，溅射时，工作人员可以通过观察孔观看腔体内的情况，所述遮挡板位于透明玻璃的后方，通过转动手拧，能够带动遮挡板转动挡住观察孔内的透明玻璃，避免靶材溅射到透明玻璃上。

作为优化，所述旋转机构包括固定板，所述固定板的底部螺栓连接有步进电机，所述步进电机的顶部转动连接有第一转动轮，所述固定板的顶部转动连接有第二转动轮，所述第二转动轮的底部螺栓连接有转动盘，所述转动盘的底部固定连接有六个环形排列的置片架。

作为优化，所述第一转动轮和第二转动轮之间通过皮带连接，所述置片架位于腔体的内部，且关于腔体的轴心中心对称。

作为优化，所述抽气机构包括真空管，所述真空管的顶部螺栓连接有挡板阀，所述真空管的底部螺栓连接有分子泵。

作为优化，所述真空管的正面与腔体的背面连通，所述腔体的左侧的后方开设有抽气孔，抽气孔通过波纹管与机械泵连接，起到对腔体抽气的作用，机械泵的一端与分子泵连接，分子泵对腔体抽气时，抽出的气体通过机械泵排出。

与现有技术相比，本实用新型提供了一种半导体光电用磁控溅射镀膜装置，具备以下有益效果：

1、该半导体光电用磁控溅射镀膜装置，通过机械泵将腔体内的气体从波纹管和抽气孔中抽出，腔体内的气体抽到一定程度，使用分子泵对腔体进行进一步抽气，直到腔体内的杂质气体都被抽出，从而达到了避免杂质空气与膜材料发生反应，影响后续镀膜的效果。

2、该半导体光电用磁控溅射镀膜装置，通过将基片放入置片架中，步进电机通过第一转动轮和皮带带动第二转动轮转动，第二转动轮通过转动盘带动置片架和基片匀速转动，保证了基片均匀从靶枪上方经过，从而达到了靶枪溅射时均匀在基片上镀膜的效果，通过设置有六个置片架，每次能够对六片基片镀膜，提高了镀膜效率。

3、该半导体光电用磁控溅射镀膜装置，通过设置有两个靶枪，两个靶枪上有不同的靶材，每次可以使用单个靶材进行镀膜，也可以使用两种靶材同时镀膜，使设备适用于多种工艺。

4、该半导体光电用磁控溅射镀膜装置，通过在腔体侧面开设的预留孔上装上膜厚仪，膜厚仪能够实时监测基片成膜厚度，从而达到了便于工作人员及时发现并解决镀膜过程中出现的问题的效果，保证了镀膜的良品率。

附图说明

图1为本实用新型整体结构正面示意图；

图2为本实用新型图1中整体结构背面示意图；

图3为本实用新型图1中转动机构放大示意图；

图4为本实用新型图3中转动盘结构放大示意图。

图中：1、腔体；11、靶枪；2、仓门；21、观察孔；22、手拧；23、遮挡板；3、旋转机构；31、固定板；32、步进电机；33、第一转动轮；34、第二转动轮；35、转动盘；36、置片架；4、抽气机构；41、真空管；42、挡板阀；43、分子泵。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例一：

请参阅图1-2，一种半导体光电用磁控溅射镀膜装置，包括腔体1，腔体1的内底壁螺栓连接有两个靶枪11，腔体1的正面转动连接有仓门2，腔体1的顶部螺栓连接有旋转机构3，腔体1的背面螺栓连接有抽气机构4。

抽气机构4包括真空管41，真空管41的顶部螺栓连接有挡板阀42，真空管41的底部螺栓连接有分子泵43，真空管41的正面与腔体1的背面连通，腔体1的左侧的后方开设有抽气孔，抽气孔通过波纹管与机械泵连接，起到对腔体1抽气的作用，机械泵的一端与分子泵43连接，分子泵43对腔体1抽气时，抽出的气体通过机械泵排出。

通过机械泵将腔体1内的气体从波纹管和抽气孔中抽出，腔体1内的气体抽到一定程度，使用分子泵43对腔体1进行进一步抽气，直到腔体1内的杂质气体都被抽出，从而达到了避免杂质空气与膜材料发生反应，影响后续镀膜的效果。

实施例二：

请参阅图1和3-4，一种半导体光电用磁控溅射镀膜装置，包括腔体1，腔体1的内底壁螺栓连接有两个靶枪11，腔体1的正面转动连接有仓门2，腔体1的顶部螺栓连接有旋转机构3，腔体1的背面螺栓连接有抽气机构4。

旋转机构3包括固定板31，固定板31的底部螺栓连接有步进电机32，步进电机32的顶部转动连接有第一转动轮33，固定板31的顶部转动连接有第二转动轮34，第二转动轮34的底部螺栓连接有转动盘35，转动盘35的底部固定连接有六个环形排列的置片架36，第一转动轮33和第二转动轮34之间通过皮带连接，置片架36位于腔体1的内部，且关于腔体1的轴心中心对称。

通过将基片放入置片架36中，步进电机32通过第一转动轮33和皮带带动第二转动轮 34转动，第二转动轮34通过转动盘35带动置片架36和基片匀速转动，保证了基片均匀从靶枪11上方经过，从而达到了靶枪11溅射时均匀在基片上镀膜的效果，通过设置有六个置片架36，每次能够对六片基片镀膜，提高了镀膜效率。

实施例三：

请参阅图1-2，一种半导体光电用磁控溅射镀膜装置，包括腔体1，腔体1的内底壁螺栓连接有两个靶枪11，腔体1的正面转动连接有仓门2，腔体1的顶部螺栓连接有旋转机构3，腔体1的背面螺栓连接有抽气机构4。

通过设置有两个靶枪11，两个靶枪11上有不同的靶材，每次可以使用单个靶材进行镀膜，也可以使用两种靶材同时镀膜，使设备适用于多种工艺。

实施例四：

请参阅图1-2，一种半导体光电用磁控溅射镀膜装置，包括腔体1，腔体1的内底壁螺栓连接有两个靶枪11，腔体1的正面转动连接有仓门2，腔体1的顶部螺栓连接有旋转机构3，腔体1的背面螺栓连接有抽气机构4。

腔体1的左右两侧均开设有预留孔，预留孔分别与膜厚仪和惰性气体进气管通过法兰连接，膜厚仪能够实时监测基片的镀膜厚度，惰性气体通过预留孔进入腔体1内部。

通过在腔体1侧面开设的预留孔上装上膜厚仪，膜厚仪能够实时监测基片成膜厚度，从而达到了便于工作人员及时发现并解决镀膜过程中出现的问题的效果，保证了镀膜的良品率。

实施例五：

请参阅图1-4，一种半导体光电用磁控溅射镀膜装置，包括腔体1，腔体1的内底壁螺栓连接有两个靶枪11，腔体1的正面转动连接有仓门2，腔体1的顶部螺栓连接有旋转机构3，腔体1的背面螺栓连接有抽气机构4。

腔体1的左右两侧均开设有预留孔，预留孔分别与膜厚仪和惰性气体进气管通过法兰连接，膜厚仪能够实时监测基片的镀膜厚度，惰性气体通过预留孔进入腔体1内部。

仓门2的正面开设有观察孔21，仓门2的正面插接有手拧22，手拧22的背面套接有遮挡板23，观察孔21的内部固定有透明玻璃，溅射时，工作人员可以通过观察孔21观看腔体1内的情况，遮挡板23位于玻璃的后方，通过转动手拧22，能够带动遮挡板23转动挡住观察孔21内的透明玻璃，避免靶材溅射到透明玻璃上。

旋转机构3包括固定板31，固定板31的底部螺栓连接有步进电机32，步进电机32的顶部转动连接有第一转动轮33，固定板31的顶部转动连接有第二转动轮34，第二转动轮34的底部螺栓连接有转动盘35，转动盘35的底部固定连接有六个环形排列的置片架36，第一转动轮33和第二转动轮34之间通过皮带连接，置片架36位于腔体1的内部，且关于腔体1的轴心中心对称。

抽气机构4包括真空管41，真空管41的顶部螺栓连接有挡板阀42，真空管41的底部螺栓连接有分子泵43，真空管41的正面与腔体1的背面连通，腔体1的左侧的后方开设有抽气孔，抽气孔通过波纹管与机械泵连接，起到对腔体1抽气的作用，机械泵的一端与分子泵43连接，分子泵43对腔体1抽气时，抽出的气体通过机械泵排出。

工作原理：使用时，通过机械泵将腔体1内的气体从波纹管和抽气孔中抽出，腔体1内的气体抽到一定程度，使用分子泵43对腔体1进行进一步抽气，直到腔体1内的杂质气体都被抽出，从而达到了避免杂质空气与膜材料发生反应，影响后续镀膜的效果；然后将基片放入置片架36中，步进电机32通过第一转动轮33和皮带带动第二转动轮34转动，第二转动轮34通过转动盘35带动置片架36和基片匀速转动，保证了基片均匀从靶枪11上方经过，从而达到了靶枪11溅射时均匀在基片上镀膜的效果，通过设置有六个置片架36，每次能够对六片基片镀膜，提高了镀膜效率。

通过设置有两个靶枪11，两个靶枪11上有不同的靶材，每次可以使用单个靶材进行镀膜，也可以使用两种靶材同时镀膜，使设备适用于多种工艺；通过在腔体1侧面开设的预留孔上装上膜厚仪，膜厚仪能够实时监测基片成膜厚度，从而达到了便于工作人员及时发现并解决镀膜过程中出现的问题的效果，保证了镀膜的良品率。

已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (8)

1.一种半导体光电用磁控溅射镀膜装置，其特征在于，包括腔体(1)，所述腔体(1)的内底壁螺栓连接有两个靶枪(11)，所述腔体(1)的正面转动连接有仓门(2)，所述腔体(1)的顶部螺栓连接有旋转机构(3)，所述腔体(1)的背面螺栓连接有抽气机构(4)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体光电用磁控溅射镀膜装置，其特征在于：所述腔体(1)的左右两侧均开设有预留孔。

3.根据权利要求1所述的一种半导体光电用磁控溅射镀膜装置，其特征在于：所述仓门(2)的正面开设有观察孔(21)，所述仓门(2)的正面插接有手拧(22)，所述手拧(22)的背面套接有遮挡板(23)。

4.根据权利要求3所述的一种半导体光电用磁控溅射镀膜装置，其特征在于：所述观察孔(21)的内部固定有透明玻璃，所述遮挡板(23)位于玻璃的后方。

5.根据权利要求1所述的一种半导体光电用磁控溅射镀膜装置，其特征在于：所述旋转机构(3)包括固定板(31)，所述固定板(31)的底部螺栓连接有步进电机(32)，所述步进电机(32)的顶部转动连接有第一转动轮(33)，所述固定板(31)的顶部转动连接有第二转动轮(34)，所述第二转动轮(34)的底部螺栓连接有转动盘(35)，所述转动盘(35)的底部固定连接有六个环形排列的置片架(36)。

6.根据权利要求5所述的一种半导体光电用磁控溅射镀膜装置，其特征在于：所述第一转动轮(33)和第二转动轮(34)之间通过皮带连接，所述置片架(36)位于腔体(1)的内部，且关于腔体(1)的轴心中心对称。

7.根据权利要求1所述的一种半导体光电用磁控溅射镀膜装置，其特征在于：所述抽气机构(4)包括真空管(41)，所述真空管(41)的顶部螺栓连接有挡板阀(42)，所述真空管(41)的底部螺栓连接有分子泵(43)。

8.根据权利要求7所述的一种半导体光电用磁控溅射镀膜装置，其特征在于：所述真空管(41)的正面与腔体(1)的背面连通，所述腔体(1)的左侧的后方开设有抽气孔，抽气孔通过波纹管与机械泵连接，机械泵的一端与分子泵(43)连接。

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