CN219689835U - 一种真空磁控溅射双面镀膜系统 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种真空磁控溅射双面镀膜系统，包括抽真空机构、入口室、加热室、中转室和镀膜室，入口室、中转室和镀膜室依次连接，加热室和中转室连接，镀膜室上设有磁控溅射系统和可转动的水平布置的转盘，转盘位于镀膜室内，转盘上环形阵列布置有多个用于安装基片的基片安装位，磁控溅射系统包括至少一组上阴极磁控溅射组件和至少一组下阴极磁控溅组件，上阴极磁控溅射组件和下阴极磁控溅组件分别位于转盘的上方和下方。本实用新型基片两面可实现同步镀膜，制备的膜层附着力强，膜层致密、均匀性好、成膜稳定、效率高，适应导电膜、半导体、超硬AR膜、截止滤光片、车载激光雷达等膜层的镀制。

Description

一种真空磁控溅射双面镀膜系统

技术领域

本实用新型属于磁控溅射镀膜技术领域，具体为一种真空磁控溅射双面镀膜系统。

背景技术

磁控溅射镀膜是将涂层材料做为靶阴极，利用氩离子轰击靶材，产生阴极溅射，把靶材原子溅射到工件上形成沉积层的一种镀膜技术。随着现代工业的不断发展、对产品质量要求的不断提高，对镀膜技术的要求也不断提高。对于需要双面镀膜的产品，现有技术还存在很多很多缺陷，例如，有的需要镀完一面后再镀另一面，这显然降低了镀膜效率，另外要对基片进行翻面或转向操作，以对另一面进行镀膜，这降低了基片两面镀膜的一致性。再如，需对塑料基材镀覆导电膜时，现有镀膜工艺难以一次性实现，且存在工序不连贯、一体化成型效果差、生产效率低下、污染环境等问题。再有，现有许多双面镀膜设备体积大、占地面积大，大大提高了生产成本。因此，需要提供一种具有均匀性好、成膜稳定、效率高等特点的镀膜设备。

实用新型内容

针对现有技术存在的上述问题，本实用新型的目的是提供了一种真空磁控溅射双面镀膜系统，基片两面可实现同步镀膜，同一基片的两面镀制的膜层更均匀一致、不同基片上镀制的膜层误差更小，镀膜室多级抽真空，实现大范围和高精度的真空度调节，四个腔室布置紧凑、功能完善、运行平稳可靠；下阴极磁控溅组件通过下阴极驱动，以便于对下阴极磁控溅组件的安装、拆卸和维护，所述镀膜系统结合机械、电气、控制、真空、加热、传动、离子清洗、蒸发、磁控溅射、材料、化工等技术，制备的膜层附着力强，膜层致密、均匀性好、成膜稳定、效率高、智能化、故障率低、易维护；适应导电膜、半导体、超硬AR膜、截止滤光片、车载激光雷达等膜层的镀制。

为了实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：

一种真空磁控溅射双面镀膜系统，包括抽真空机构、入口室、加热室、中转室和镀膜室，入口室、中转室和镀膜室依次连接，加热室和中转室连接，镀膜室上设有磁控溅射系统和可转动的水平布置的转盘，转盘位于镀膜室内，转盘上环形阵列布置有多个用于安装基片的基片安装位，磁控溅射系统包括至少一组上阴极磁控溅射组件和至少一组下阴极磁控溅组件，上阴极磁控溅射组件和下阴极磁控溅组件分别位于转盘的上方和下方。

作为上述技术方案的进一步改进：

优选的，入口室、中转室和镀膜室依次布置在一条直线上，加热室布置在中转室的一侧。

优选的，中转室内设有真空机械手，真空机械手将基片在入口室、加热室和镀膜室之间转移。

优选的，入口室内设有用于支撑待镀膜的基片或者已经完成镀膜的基片的第一载具提篮，加热室内设有用于支撑基片的第二载具提篮，第一载具提篮可升降地设置在入口室内，第二载具提篮可升降地设置在加热室内。

优选的，加热室内还设有用于加热基片的加热组件，加热组件布置在第二载具提篮上。

优选的，镀膜室包括腔体侧壁、顶盖和下底，腔体侧壁、顶盖和下底围合成镀膜室的内部容腔，顶盖可拆卸地盖合在腔体侧壁的顶面、下底位于侧壁的底面。

优选的，所述双面镀膜系统还包括门升降组件，门升降组件连接并驱动顶盖下降至盖合在腔体侧壁的顶面或者驱动顶盖上升至脱离腔体侧壁。

优选的，设有多组上阴极磁控溅射组件，多组上阴极磁控溅射组件间隔布置在镀膜室的顶盖上，设有多组下阴极磁控溅组件，多组下阴极磁控溅组件间隔布置在镀膜室的下底上。

优选的，所述双面镀膜系统还包括至少一组下阴极驱动组件，下阴极驱动组件位于镀膜室的下底的下方，下阴极驱动组件支撑并驱动下阴极磁控溅组件上升或下降或移出下底的正下方或移入下底的正下方。

转盘的上方和下方还各自安装有至少一组AF蒸发系统。

优选的，设有两组低真空泵组，入口室、加热室、中转室共用一组低真空泵组，镀膜室连接另一组低真空泵组。

本实用新型的有益效果是：

1)转盘的双面均可配置多对旋转阴极及ICP离子源系统、AF蒸发系统、可以适用于多种产品单/双面镀膜工艺需求，双面镀膜时，基片两面可实现同步镀膜；ICP等离子源气体裂解率高，可达90％左右，集成匹配器射频转换效率高，离子能量密度高，利于长期工艺的稳定。

2)转盘上的多个基片安装位呈环形阵列的均匀间隔布置，转盘转动时，基片安装位上的基片围绕同一中心轴公转，使同一基片的两面镀制的膜层更均匀一致、不同基片上镀制的膜层误差更小；

3)转盘可适应多种规格尺寸晶圆及产品，转盘也可带水冷，满足定制需求。

4)镀膜室通过低真空泵组、高真空泵组和深冷泵组实现多级抽真空，实现大范围和高精度的真空度调节；

5)四个腔室布置紧凑、功能完善、运行平稳可靠；

6)下阴极磁控溅组件通过下阴极驱动组件实现上升或下降或移出下底的正下方或移入下底的正下方，以便于对下阴极磁控溅组件的安装、拆卸和维护，顶盖可拆卸的盖合在镀膜室的顶部，可通过顶盖的可拆卸的布置方便的安装和拆卸镀膜室内的部件；

7)中转室内的真空机械手可在入口室、加热室和镀膜室之间搬运基片，所述镀膜系统结合机械、电气、控制、真空、加热、传动、离子清洗、蒸发、磁控溅射、材料、化工等技术，适应于现代工业镀膜产业的要求，制备的膜层附着力强，膜层致密、均匀性好、成膜稳定、效率高、智能化、故障率低、易维护等特点；

8)适应导电膜、半导体、超硬AR膜、截止滤光片、车载激光雷达等膜层的镀制。

9)采用真空洁净机械臂进行清洁输送，镀膜室长期处于稳定的真空环境，不破空，工艺状态稳定，可满足一次双面成膜，低温成膜，成膜重复性好，膜质稳定。

附图说明

图1是本实用新型一个实施例的结构示意图。

图2是本实用新型一个实施例的另一视角结构示意图。

图3是本实用新型的工作原理结构示意图。

图4是本实用新型一个实施例的镀膜室结构示意图。

图5是本实用新型一个实施例的转盘的结构示意图。

图6是本实用新型一个实施例的转盘和旋转机构的结构示意图。

图7是本实用新型一个实施例的带水冷管的转盘的结构示意图。

图8是本实用新型一个实施例的加热组件示意图。

图9是本实用新型一个实施例的下阴极驱动组件示意图。

图10是本实用新型一个实施例的第二载具提篮和加热组件示意图。

图11是图10的另一视角示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限制本实用新型。

为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。

一种真空磁控溅射双面镀膜系统，如图1～11所示，包括控制系统、抽真空机构、门升降组件、至少一组下阴极驱动组件7和四个腔室，四个腔室分别为入口室1、加热室2、中转室3和镀膜室4。入口室1、中转室3和镀膜室4依次连接，加热室2和中转室3连接。

本实施例中，布置时，入口室1、中转室3和镀膜室4依次布置在一条直线上。加热室2布置在中转室3的一侧，使入口室1、中转室3和加热室2形成一L形。入口室1、加热室2、中转室3和镀膜室4位于同一水平面上，即形成卧式模块结构。

中转室3和镀膜室4之间、中转室3和加热室2之间各设有一个插板阀，中转室3和入口室1之间可以设置或者不设置插板阀，通过插板阀的开关实现相邻两个腔室的连通和隔断。插板阀和所述控制系统电连接，通过控制系统控制插板阀的开关。

本实施例中，中转室3和入口室1是连通的，即中转室3和入口室1之间不设有插板阀。

本实施例中，插板阀为气动矩形插板阀。

本实施例中，入口室1、加热室2和中转室3为长方体腔体，入口室1和中转室3设有两个出入口，入口室1的两个出入口可设在相邻或相对的两个侧面上。中转室3的两个出入口设在相对的两个侧面上。

入口室1内设有第一载具提篮，第一载具提篮用于支撑待镀膜的基片或者已经完成镀膜的基片。基片在第一载具提篮上形成多层间隔布置，如此充分利用了入口室1内的空间。第一载具提篮可升降地设置在入口室1内，第一载具提篮通过升降驱动组件驱动实现上升或下降，所述升降驱动组件可采用现有技术中的动力部件。

加热室2内设有加热组件21和第二载具提篮22，如图10和11所示，第二载具提篮22用于支撑基片，和第一载具提篮相同，第二载具提篮22可升降地设置在加热室2内。加热组件21用于对加热室2内第二载具提篮22上的基片进行加热，实现预热和烘烤处理。较佳的，加热组件21布置在第二载具提篮22上。

本实施例中，加热组件21为铠装加热器，加热范围为常温～150℃。铠装加热器由PID控制。如图8所述，为铠装加热器的加热组件21嵌在一铝盘中，在第二载具提篮22上每个基片的两侧都放置有铝盘，实现对基片的加热。

中转室3内设有真空机械手31，真空机械手31和控制系统电连接。真空机械手31负责基片输送及周转。真空机械手31可以将基片在入口室1、加热室2和镀膜室4之间转移，即真空机械手31可将入口室1内第一载具提篮上的基片转移到加热室2中的第二载具提篮22上，或者将加热室2中的第二载具提篮22上的基片转移到镀膜室4中的转盘41(详见后续描述)上，或者将镀膜室4中的基片转移到入口室1内的第一载具提篮上。

本实施例中，真空机械手31为适用真空环境的三轴单臂洁净机械手，其手臂关节部采用磁流体密封。重复定位精度0.1mm以内。真空机械手31可采用现有市面上的三轴单臂洁净机械手。

第一载具提篮和第二载具提篮22可采用现有技术中的产品。本实施例中，第一载具提篮和第二载具提篮22结构相同，都来自深圳市东虹鑫器材有限公司。

镀膜室4包括腔体侧壁41’、顶盖42’和下底。腔体侧壁41’、顶盖42’和下底围合成镀膜室4的内部容腔。顶盖42’盖合在腔体侧壁41’的顶面、下底位于侧壁41’的底面。顶盖42’可拆卸地盖合在腔体侧壁41’的顶面，以实现对镀膜室4内部件的安装和拆卸。腔体侧壁41’上设有和中转室3连通的通孔。镀膜室4内表面抛光处理。镀膜室4的靶位周边配有观察窗，便于观察镀膜室4内的工作状况。观察窗可设在侧壁41’或顶盖42’上。

另外，镀膜室4内还布置有防护挡板，用于防止靶材粒子溅射在镀膜室4内壁上，但不阻挡靶材粒子溅射在转盘41上的基片上。

镀膜室4通过支撑架支撑在地面或工作台上，使镀膜室4的下底抬离地面或工作台，即镀膜室4的下底与地面或工作台之间有一定距离。

门升降组件连接并驱动顶盖42’下降至盖合在腔体侧壁41’的顶面或者驱动顶盖42’上升至脱离腔体侧壁41’。顶盖42’盖合在腔体侧壁41’的顶面时能通过密封件实现密封。

本实施例中，门升降组件包括多组气缸或液压缸，多组气缸或液压缸间隔布置在镀膜室4的周围，气缸或液压缸的一端连接在地面或工作台、另一端连接顶盖42’的顶部。另外，镀膜室4周围布置有拖链45，以束缚和梳理顶盖42’上电气部件的电线。

镀膜室4上设有转盘41、旋转机构42、ICP离子源43和磁控溅射系统。

转盘41可拆卸地安装在镀膜室4内。转盘41如图5～7所示，转盘41为圆盘结构，转盘41上环形阵列布置有多个基片安装位411，基片安装位411为贯通转盘41的圆形通孔。基片安装位411的圆周设有一圈台阶，基片安装在基片安装位411上时，基片支撑在基片安装位411的台阶上，如此除基片边缘和台阶的接触部分外，基片的其它部分不受到阻挡。

本实施例中，转盘41材质为铝，转盘41上设置有水冷管412，水冷管412通过气液滑环连接外部供水系统，使转盘41转动时不影响对水冷管412的供水。转盘41上的水冷管412为一根，即只有一个水入口和一个水出口，水冷管412依次绕过每个基片安装位411，即水冷管412沿基片的周向包围在基片外。

本实施例中，转盘41尺寸为Φ1900x35mm。

转盘41可适应多种规格尺寸晶圆及产品，本实施例中，适应4英寸～12英寸的产品。

当基片的规格发生改变时，可以更换不同的转盘41，使新的转盘41上的基片安装位411的规格适用于新的基片规格，还可以在原有转盘41的基片安装位411上安装环形的配合件，使配合件适用新的基片。

旋转机构42连接并驱动转盘41在水平面内自转，转盘41转动时，转盘41上的基片围绕一中心轴公转，此中心轴即为转盘41自转的中心轴。转盘41位于镀膜室4内的中部，转盘41的上方和下方均留有空间。转盘41水平布置。旋转机构42和所述控制系统电连接。

本实施例中，旋转机构42为DD马达，即DD直驱电机。转盘41的转速为1～80r/min，速度无级可调。转盘41可拆卸地和DD马达连接，DD马达和转盘41之间通过磁流体密封形式实现密封以把旋转运动传递到密封腔室内。

抽真空机构用于对入口室1、加热室2、中转室3和镀膜室4进行抽真空。抽真空机构包括至少一组低真空泵组51、至少一组高真空泵组52和至少一组深冷泵组。

入口室1、加热室2和中转室3通过低真空泵组51进行抽真空，镀膜室4通过低真空泵组51、高真空泵组52抽真空，或者还通过深冷泵组抽真空，低真空泵组51、高真空泵组52和深冷泵组对腔室实现不同程度的抽真空，低真空泵组51、高真空泵组52和深冷泵组的最大抽真空度依次增大。

本实施例中，设有两组低真空泵组51、三个粗抽阀，入口室1、加热室2和中转室3共用一台低真空泵组51，镀膜室4单独用一台低真空泵组51。

本实施例中，低真空泵组51包括干式螺杆真空泵、低真空管道、前置阀和管道充气阀，干式螺杆真空泵通过低真空管道连通要抽气的腔室，低真空管道上配有充气阀、真空计以及检漏仪。

粗抽阀设在对应的腔室和低真空管道的连接处。三个粗抽阀分别设在镀膜室4的顶盖42’上、加热室2的顶部和入口室1的顶部，即加热室2和入口室1分别通过低真空管道和同一台干式螺杆真空泵连接，由于入口室1和中转室3是连通的，入口室1和中转室3连通的大空间设置一个粗抽阀即可。镀膜室4通过低真空管道和另一台干式螺杆真空泵连接。

高真空泵组5安装在镀膜室4上，高真空泵组52包括多台分子泵521、一台低温捕集器和对应的高真空阀。较佳的，分子泵521安装在镀膜室4的顶盖42’、下底和侧壁41’上。

本实施例中，设有六台分子泵521，镀膜室4内转盘41上方和下方的空间各对应三台。

ICP离子源43设有两组，分别布置在镀膜室4内转盘41的上方和下方。两组ICP离子源43分别安装在镀膜室4的顶盖42’和下底上。

磁控溅射系统包括至少一组上阴极磁控溅射组件441、至少一组下阴极磁控溅组件442和至少两组AF蒸发系统443。

上阴极磁控溅射组件441包括阴极结构和电源，本实施例中，所述阴极结构为双靶中频旋转阴极，电源为10KW中频电源。每对旋转阴极由单独一台电源控制。每对旋转阴极配有布气管道为镀膜室4内进行供气，布气管道上安装有流量计。

本实施例中，通过旋转阴极配配备的布气管道提供的气体为Ar。

下阴极磁控溅组件442的结构和上阴极磁控溅射组件441的结构相同。

上阴极磁控溅射组件441和下阴极磁控溅组件442分别安装在转盘41的上方和下方。转盘41的上方和下方还各自安装有至少一组AF蒸发系统443。

上阴极磁控溅射组件441和至少一组AF蒸发系统443安装在镀膜室4的顶盖42’上，下阴极磁控溅组件442和至少一组AF蒸发系统443安装在镀膜室4的下底上。

下阴极驱动组件7如图9所示，下阴极驱动组件7位于镀膜室4的下底的下方。下阴极驱动组件7包括抽屉导轨71、升降平台72和驱动部件。升降平台72可滑动地设置在抽屉导轨71上，升降平台72在抽屉导轨71上沿着直线滑动至任一位置后通过螺栓锁紧。升降平台72为剪叉式升降结构，升降平台72包括下支撑座721、上支撑座723和两组剪叉式组件，两组剪叉式组件平行间隔布置，剪叉式组件的上端连接上支撑座723、下端连接下支撑座721。下支撑座721上设有多个螺栓孔，下支撑座721可滑动地设置在抽屉导轨71上，滑动至任一位置后通过穿过螺栓孔的螺栓锁紧。剪叉式组件包括两个彼此铰接于中部的连接杆722。两个连接杆722的下端连接在下支撑座721上、上端连接在上支撑座723上，其中一个连接杆722的下端铰接在下支撑座721上、上端沿着上支撑座723的底部可滑动，另一个连接杆722的上端铰接在上支撑座723上、下端在下支撑座721上可滑动。上支撑座723上支撑有阴极门总装73，阴极门总装73由下阴极磁控溅组件442和对应的密封门组成，镀膜室4的下底上设有为通孔的安装位，当阴极门总装73插入安装位后，下阴极磁控溅组件442进入镀膜室4内，所述密封门和下底对合实现密封连接。驱动部件连接并驱动至少一个连接杆722转动，使所述剪叉式组件带动阴极门总装73上升或下降。通过手动或电动驱动升降平台72，使其沿着抽屉导轨71滑动。

下阴极驱动组件7的组数和下阴极磁控溅组件442的组数相同，设有多组下阴极驱动组件7时，多组下阴极驱动组件7的多个抽屉导轨71所在直线相交于一点。

AF蒸发系统443是采用真空蒸发镀膜法镀制AF膜的设备。AF蒸发系统443采用现有技术中的蒸发镀膜设备。

本实施例中，设有三组上阴极磁控溅射组件441、三组下阴极磁控溅组件442和两组AF蒸发系统443。一组ICP离子源43、一组AF蒸发系统443和三组上阴极磁控溅射组件441间隔布置镀膜室4的顶盖42’上，另一组ICP离子源43、另一组AF蒸发系统443和三组下阴极磁控溅组件442间隔布置镀膜室4的下底上。三组下阴极磁控溅组件442分别支撑在三组下阴极驱动组件7上，下阴极磁控溅组件442通过下阴极驱动组件7实现上升或下降或移出下底的正下方或移入下底的正下方，以便于对下阴极磁控溅组件442的安装、拆卸和维护。

控制系统和各电气部件电连接，通过设置控制程序实现对各电气部件的全自动或半自动控制，具体程序可以依据应用场合灵活设置，在此不再赘述。

所述镀膜室还有配套的操作台8和电控柜9。

基于上述结构，本实用新型的镀膜方法包括如下步骤：

步骤S1：上料：将待镀膜的基片放进入口室1中的第一载具提篮上。

此步骤中，入口室1和外部连通，即，入口室1不是真空状态，中转室3和加热室2之间的插板阀、中转室3和镀膜室4之间的插板阀都关闭。当上料完成后，入口室1和外界连通的门关闭。

步骤S2：对入口室1抽真空。

本步骤中，入口室1和外界连通的门关闭，入口室1顶部的粗抽阀打开，低真空泵组51对入口室1进行抽真空。

当入口室1内的真空度达到设定值时，停止低真空泵组51对入口室1的抽真空动作。

步骤S3：中转室3中的真空机械手31将入口室1内第一载具提篮上的基片搬运到加热室2内的第二载具提篮22上，基片在加热室2内被加热。

本步骤中，打开加热室2和中转室3之间的插板阀，镀膜室4和中转室3之间的插板阀为关闭状态。将入口室1中的基片搬运到加热室2内后，关闭加热室2和中转室3之间的插板阀，基片在加热室2内被加热。

将基片从入口室1搬运到加热室2的过程中，第一载具提篮和第二载具提篮22按照设定的程序上升或下降，以配合真空机械手31的重复的运行路径和动作。

步骤S4：中转室3中的真空机械手31将加热室2内第二载具提篮22上的基片搬运到镀膜室4内的转盘41上。

本步骤中，基片在加热室2内加热完成后，打开镀膜室4和中转室3之间的插板阀、打开加热室2和中转室3之间的插板阀，真空机械手31将加热室2内的基片搬运到镀膜室4内。搬运时，旋转机构42驱动转盘41转动，第二载具提篮22配合升降，真空机械手31将加热室2内第二载具提篮22上的多个基片依次搬运到转盘41上的多个基片安装位411上，最后关闭镀膜室4和中转室3之间的插板阀。

步骤S5：基片在镀膜室4内进行双面镀膜。

本步骤中，旋转机构42驱动转盘41转动，上阴极磁控溅射组件441和下阴极磁控溅组件442分别从转盘41的上方和下方对基片的两面进行镀膜。

镀膜前，通过镀膜室4上的低真空泵组51、高真空泵组52和深冷泵组对镀膜室4进行抽真空并准确控制真空度。

步骤S6：中转室3中的真空机械手31将镀膜室4内完成镀膜的基片搬送至入口室1内的第一载具提篮上。

本步骤中，镀膜完成后，打开镀膜室4和中转室3之间的插板阀，旋转机构42驱动转盘41转动，真空机械手31将镀膜室4内转盘41上的多个基片安装位411的多个基片依次搬运到入口室1内的第一载具提篮上。

步骤S7：下料：入口室1放气并开门、取出第一载具提篮上完成镀膜的基片。

本步骤中，将镀膜室4内完成镀膜的基片都搬运到入口室1内后，先关闭镀膜室4和中转室3之间的插板阀、加热室2和中转室3之间的插板阀，再对入口室1放气并开门。

显然，上述过程中第一载具提篮和第二载具提篮22可升降地设置便于真空机械手31按照设定路线依次将第一载具提篮或第二载具提篮22上的多个基片转移到目标位置。

最后有必要在此说明的是：以上实施例只用于对本实用新型的技术方案作进一步详细地说明，不能理解为对本实用新型保护范围的限制，本领域的技术人员根据本实用新型的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种真空磁控溅射双面镀膜系统，其特征在于，包括抽真空机构、入口室(1)、加热室(2)、中转室(3)和镀膜室(4)，入口室(1)、中转室(3)和镀膜室(4)依次连接，加热室(2)和中转室(3)连接，镀膜室(4)上设有磁控溅射系统和可转动的水平布置的转盘(41)，转盘(41)位于镀膜室(4)内，转盘(41)上环形阵列布置有多个用于安装基片的基片安装位(411)，磁控溅射系统包括至少一组上阴极磁控溅射组件(441)和至少一组下阴极磁控溅组件(442)，上阴极磁控溅射组件(441)和下阴极磁控溅组件(442)分别位于转盘(41)的上方和下方。

2.根据权利要求1所述的双面镀膜系统，其特征在于：入口室(1)、中转室(3)和镀膜室(4)依次布置在一条直线上，加热室(2)布置在中转室(3)的一侧。

3.根据权利要求1所述的双面镀膜系统，其特征在于：中转室(3)内设有真空机械手(31)，真空机械手(31)将基片在入口室(1)、加热室(2)和镀膜室(4)之间转移。

4.根据权利要求3所述的双面镀膜系统，其特征在于：入口室(1)内设有用于支撑待镀膜的基片或者已经完成镀膜的基片的第一载具提篮，加热室(2)内设有用于支撑基片的第二载具提篮(22)，第一载具提篮可升降地设置在入口室(1)内，第二载具提篮(22)可升降地设置在加热室(2)内。

5.根据权利要求4所述的双面镀膜系统，其特征在于：加热室(2)内还设有用于加热基片的加热组件(21)，加热组件(21)布置在第二载具提篮(22)上。

6.根据权利要求1～5任一所述的双面镀膜系统，其特征在于：镀膜室(4)包括腔体侧壁(41’)、顶盖(42’)和下底，腔体侧壁(41’)、顶盖(42’)和下底围合成镀膜室(4)的内部容腔，顶盖(42’)可拆卸地盖合在腔体侧壁(41’)的顶面、下底位于侧壁(41’)的底面。

7.根据权利要求6所述的双面镀膜系统，其特征在于：所述双面镀膜系统还包括门升降组件，门升降组件连接并驱动顶盖(42’)下降至盖合在腔体侧壁(41’)的顶面或者驱动顶盖(42’)上升至脱离腔体侧壁(41’)。

8.根据权利要求6所述的双面镀膜系统，其特征在于：设有多组上阴极磁控溅射组件(441)，多组上阴极磁控溅射组件(441)间隔布置在镀膜室(4)的顶盖(42’)上，设有多组下阴极磁控溅组件(442)，多组下阴极磁控溅组件(442)间隔布置在镀膜室(4)的下底上。

9.根据权利要求8所述的双面镀膜系统，其特征在于：所述双面镀膜系统还包括至少一组下阴极驱动组件(7)，下阴极驱动组件(7)位于镀膜室(4)的下底的下方，下阴极驱动组件(7)支撑并驱动下阴极磁控溅组件(442)上升或下降或移出下底的正下方或移入下底的正下方。

10.根据权利要求1所述的双面镀膜系统，其特征在于：转盘(41)的上方和下方还各自安装有至少一组AF蒸发系统(443)。