CN212857762U - 一种宏量提纯金属基纳米线的装置 - Google Patents

一种宏量提纯金属基纳米线的装置 Download PDF

Info

Publication number
CN212857762U
CN212857762U CN202020873855.6U CN202020873855U CN212857762U CN 212857762 U CN212857762 U CN 212857762U CN 202020873855 U CN202020873855 U CN 202020873855U CN 212857762 U CN212857762 U CN 212857762U
Authority
CN
China
Prior art keywords
filtering
filtering area
metal
area
stirring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202020873855.6U
Other languages
English (en)
Inventor
唐宏浩
叶怀宇
张国旗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Southwest University of Science and Technology
Original Assignee
Shenzhen Third Generation Semiconductor Research Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Third Generation Semiconductor Research Institute filed Critical Shenzhen Third Generation Semiconductor Research Institute
Priority to CN202020873855.6U priority Critical patent/CN212857762U/zh
Priority to PCT/CN2020/117146 priority patent/WO2021232648A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN212857762U publication Critical patent/CN212857762U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B04—CENTRIFUGAL APPARATUS OR MACHINES FOR CARRYING-OUT PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES
    • B04B—CENTRIFUGES
    • B04B5/00—Other centrifuges
    • B04B5/12—Centrifuges in which rotors other than bowls generate centrifugal effects in stationary containers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B04—CENTRIFUGAL APPARATUS OR MACHINES FOR CARRYING-OUT PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES
    • B04B—CENTRIFUGES
    • B04B7/00—Elements of centrifuges
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes

Abstract

本实用新型提供了一种宏量提纯金属基纳米线的装置，所述动态搅拌离心过滤装置包括：溶液注入系统、过滤缸、滤液流出系统；所述过滤缸包括过滤骨架、搅拌装置和过滤膜；所述过滤膜在垂直方向上依次包括第一过滤区、第二过滤区和第三过滤区，所述第一过滤区、所述第二过滤区和所述第三过滤区任意两个之间向内夹角小于180度，所述第一过滤区、所述第二过滤区和所述第三过滤区上分布有多个过滤孔。该装置，基本解决了目前金属纳米线工业化制备和纯化后处理所面临的步骤繁琐、工艺复杂、成本高昂等核心难题。

Description

一种宏量提纯金属基纳米线的装置
技术领域
本实用新型涉及纳米材料制备领域，尤其涉及一种宏量提纯金属基纳米线的装置。
背景技术
近年来，柔性透明电极在可穿戴、柔性、半透明电子产品和器件中的应用越来越受关注，其应用范围涵盖传感器、触摸屏、人造皮肤、晶体管和光学显示器等器件。这种受重视的原因部分归因于新技术新材料的发展，因而促使其在多领域的应用。具体到柔性透明电极上，目前市售的氧化铟锡(ITO)导电透明膜在应用于柔性透明电极时存在其内在的局限性，如制备成本高、导电面粗糙度高、材料脆性差、柔韧性差等缺点。基于这些问题，为制备低成本、机械性能好和柔韧性好的柔性透明电极，几种可替代的导电材料如碳纳米管、石墨烯、导电聚合物、金属网格和金属纳米线受到研究者的重视。其中碳基和聚合物基材料由于固有电导率低因而其光电性能受到限制；金属网格导电性好，但存在莫瑞干涉效应，尽管莫瑞效应可以通过降低金属网格线宽来消除，如采用黄光制程工艺实现，相应的制备成本也极大的增加。和前面的材料相比，金属纳米线导电网络在光电性能和清晰度方面具有优势，其纳米尺度的导电网络宽度，完全消除了莫瑞干涉效应，因而有着最好的应用前景。
然而，在金属纳米线的制备环节，目前还存在一些工艺上的问题需要解决。比如，为了获得高质量的、完整的并且具有优异光电性能的金属纳米线，往往需要花费大量的人力以及金钱对制备的金属纳米线进行后处理纯化，这不利于控制生产成本。基于金属纳米线的透明电极的性能取决于三个过程：(1)合成的金属纳米线的长径比及其尺寸大小的单分散性；(2)纳米线纯化的纯度，后处理除去纳米短棒、颗粒以及作为表面活性剂的聚合物；(3)纳米线涂布成膜时导电网络的均匀性。关于第一个过程，目前最常采用多元醇法制备(利用PVP 作为封端剂以及高沸点乙二醇作为溶剂和还原剂)，以得到尺寸和长径比合适的金属纳米线。根据渗流理论，长径比更高的金属纳米线具有更优异的机械和光电性能。因而基于这一理论，很多研究工作致力于改进合成方法以制备超长径比的金属纳米线。但是，目前报道的制备超长径比的金属纳米线方法存在固有的缺点，如工艺复杂、步骤繁琐等，不利于在实际生产中大规模和可重复性的制备。此外，通过提高长径比改善透明电极的光电性能也存在副作用，比如金属纳米线的直径降低透明电极中实际的导电覆盖面积，这在光电子器件中对电荷收集是不利的。另外一个方法就是从源头上在不改变金属纳米线长径比的情况下提升金属纳米线光电性能。通过纯化除去包裹金属纳米线的不导电聚合物PVP、金属纳米颗粒、纳米短棒等杂质。常规的离心洗涤是最常用的方法，然而这个方法效率低下、耗费时间长，过多的离心还会造成金属纳米线团聚。新的方法包括用滤布过滤、正压过滤、以及倾析等得到报道。尽管这些新方法提高了净化效率，但后处理步骤仍然被分解为小规模、多步骤、耗时的过程。此外，交叉流动过滤可以实现同尺寸金属纳米线与金属纳米粒子分离，但该方法产量较低。因此，为进一步提高金属纳米线质量，降低生产成本以实现用于商业应用，有必要进行开发一种工业上可扩展的，高性能的，成本可控的方法，用于大规模提纯金属纳米线。
发明内容
针对上述现有技术中所存在的技术问题，本实用新型提供了一种宏量提纯金属基纳米线的装置，所述动态搅拌离心过滤装置包括：
所述动态搅拌离心过滤装置包括：过滤底座、溶液注入系统、过滤缸、滤液流出系统；
所述过滤缸包括过滤骨架、搅拌装置和过滤膜；所述过滤膜在垂直方向上依次包括第一过滤区、第二过滤区和第三过滤区，所述第一过滤区、所述第二过滤区和所述第三过滤区任意两个之间向内夹角小于180度，所述第一过滤区、所述第二过滤区和所述第三过滤区上分布有多个过滤孔。
第一过滤区、第二过滤区、第三过滤区互成角度，会增加滤膜的过滤面积，提高过滤效率。所述朝向搅拌桨方向为向内方向。
优选地，所述第一过滤区、所述第二过滤区和所述第三过滤区上过滤孔的孔径大小不同。
优选地，所述第一过滤区的孔径为100nm-1μm，和/或，所述第二过滤区的孔径为1μm-5μm，和/或，所述第三过滤区的孔径为5μm-20μm。
不同孔径滤膜的使用会提高过滤效率，而且也会延长使用寿命。
优选地，所述搅拌装置包括电动马达和与所述电动马达相连的搅拌桨。
优选地，所述过滤装置包括搅拌桨，所述搅拌桨选自单螺旋搅拌桨、双螺旋搅拌桨、单孔搅拌桨、多孔搅拌桨中的一种。
所述搅拌装置包括电动马达和与所述电动马达相连的搅拌桨。
所述溶液注入系统在搅拌过滤时注入置换溶剂，以保证过滤过程中搅拌离心过滤缸内金属基纳米线浓度相对稳定，所述滤液流出收集系统收集滤出的副产物。
一种使用上述宏量提纯金属基纳米线装置的提纯金属基纳米线的方法，包括以下步骤：
S1：使用稀释剂稀释金属基纳米线母液，并通过溶液注入系统注入过滤缸中；
S2:以固定搅拌速度开启搅拌；搅拌时淋洗溶剂经溶液注入系统持续流入以补偿流走的滤液损失；使得处于搅拌状态的金属纳米线的浓度维持相对稳定，并起到置换溶剂的作用；
S3:搅拌20-50min停止加入淋洗溶剂，继续搅拌浓缩溶液；
S4:当浓缩溶液浓度达到1mg mL-1-15mg mL-1后，在过滤缸的底部收集纯化的浓缩液。
优选地，所述金属基纳米线为：金、银、铜、铁、铝、镍、锡以及上述金属氧化物。
优选地，所述稀释液选自乙醇、异丙醇、酒精、蒸馏水、丙酮、正己烷、乙酸乙酯中的一种或几种。
优选地，S1中金属基纳米线母液稀释浓度为0.2mg/mL-1.2mg/mL。
优选地，所述搅拌速度为300-1200转/min。
本实用新型的有益效果至少包括:
一、基于搅拌精确调控过滤的压力，过滤的压力来源于液体搅拌时产生的离心力，这可通过搅拌转速控制；
二、具有更大的过滤面积，允许更多的液体同时过滤，三种滤膜通过过滤缸上的骨架固定在过滤缸上，与传统的过滤相比有更大的过滤面积，提高过滤效率；
三、搅拌产生的剪切力可对滤膜表面清洗，防止纳米线聚集和堵塞滤膜滤孔，降低后续过滤效率和持续过滤能力，此外，通过不同孔径的滤膜设置，有利于延长滤膜的使用寿命，同时也实现了滤膜的反复利用，降低了成本；
四、可通过溶液注入系统将金属纳米线浓缩后溶剂置换为多种目标溶剂；
五、纳米线的提纯、浓缩和溶剂换相可在搅拌中一步实现，简化了后处理工艺。该装置基本解决了目前金属纳米线工业化制备和纯化后处理所面临的步骤繁琐、工艺复杂、成本高昂等核心难题。
附图说明
图1为宏量提纯金属基纳米线的装置示意图。
图1中：1-溶液注入系统；2-骨架；3-过滤缸；4-搅拌装置；5-第一过滤区；6-第二过滤区；7-第三过滤区；8-滤液流出系统。
具体实施方式
下面结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护范围。
实施例1
本实施例提供一种宏量提纯金属基纳米线的方法，实验装置如图1所示。
1.母液稀释处理以及搅拌过滤离心装置的预设置。
将铜纳米线母液用乙醇稀释至浓度0.5mg/mL，在搅拌过滤杠上装上滤膜，第一过滤区5滤孔尺寸为0.1μm，第二过滤区6滤孔尺寸为1μm,第三过滤区7滤孔尺寸为10μm，搅拌速度设置在500转/分钟，采用双螺旋搅拌桨，淋洗溶剂设置为乙醇。
2.搅拌过滤浓缩。
将300毫升稀释液倒入装有过滤膜的搅拌离心过滤缸3中，开启搅拌，淋洗溶剂从过滤装置的上方经溶液注入系统1持续流入以补偿流走的滤液损失，使得处于搅拌状态的铜纳米线的浓度维持相对稳定，并起到置换溶剂的作用。经过30min时间的搅拌过滤后，停止加入淋洗溶剂，同时继续搅拌使溶液浓缩成所需的浓度(5mg mL-1)，所需浓缩时间为40min。最后在搅拌离心过滤缸3 的底部收集纯化的纳米线浓缩液。
实施例2
本实施例提供一种宏量提纯金属基纳米线的方法，实验装置如图1所示。
1.母液稀释处理以及搅拌过滤离心装置的预设置。
将银纳米线母液用异丙醇稀释至浓度0.5mg/mL，在搅拌过滤杠上装上滤膜，第一过滤区5滤孔尺寸为0.2μm，第二过滤区6滤孔尺寸为2μm,第三过滤区7滤孔尺寸为15μm，搅拌速度设置在800转/分钟，采用多孔螺旋搅拌桨，淋洗溶剂设置为异丙醇。
2.搅拌过滤浓缩。
将300毫升稀释液倒入装有过滤膜的搅拌离心过滤缸3中，开启搅拌，淋洗溶剂从过滤装置的上方经溶液注入系统1持续流入以补偿流走的滤液损失，使得处于搅拌状态的银纳米线的浓度维持相对稳定，并起到置换溶剂的作用。经过30min时间的搅拌过滤后，停止加入淋洗溶剂，同时继续搅拌使溶液浓缩成所需的浓度(8mg mL-1)所需浓缩时间为30min。最后在搅拌离心过滤缸3 的底部收集纯化的纳米线浓缩液。
实施例3
本实施例提供一种宏量提纯金属基纳米线的方法，实验装置如图1所示。
1.母液稀释处理以及搅拌过滤离心装置的预设置。
将金纳米线母液用蒸馏水稀释至浓度0.2mg/mL，在搅拌过滤杠上装上滤膜，第一过滤区5滤孔尺寸为0.5μm，第二过滤区6滤孔尺寸为5μm,第三过滤区7滤孔尺寸为20μm，搅拌速度设置在500转/分钟，采用单孔搅拌桨，淋洗溶剂设置为蒸馏水。
2.搅拌过滤浓缩。
将300毫升稀释液倒入装有过滤膜的搅拌离心过滤缸3中，开启搅拌，淋洗溶剂从过滤装置的上方经溶液注入系统1持续流入以补偿流走的滤液损失，使得处于搅拌状态的金纳米线的浓度维持相对稳定，并起到置换溶剂的作用。经过10min时间的搅拌过滤后，停止加入淋洗溶剂，同时继续搅拌使溶液浓缩成所需的浓度(5mg mL-1)所需浓缩时间为25min。最后在搅拌离心过滤缸3 的底部收集纯化的纳米线浓缩液。
对比例1
该对比例所使用的工艺条件及原料与实施例1相同，不同之处为搅拌过滤杠上装上滤膜为垂直方向的滤膜。
Figure DEST_PATH_GDA0002947456630000061
Figure DEST_PATH_GDA0002947456630000071
最后说明的是，以上优选实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制，尽管通过上述优选实施例已经对本实用新型进行了详细的描述，但本领域技术人员应当理解，可以在形式上和细节上对其作出各种各样的改变，而不偏离本实用新型权利要求书所限定的范围。

Claims (5)

1.一种宏量提纯金属基纳米线的装置，包括动态搅拌离心过滤装置，其特征在于，所述动态搅拌离心过滤装置包括：溶液注入系统、过滤缸、滤液流出系统；
所述过滤缸包括过滤骨架、搅拌装置和过滤膜；所述过滤膜在垂直方向上依次包括第一过滤区、第二过滤区和第三过滤区，所述第一过滤区、所述第二过滤区和所述第三过滤区任意两个之间向内夹角小于180度，所述第一过滤区、所述第二过滤区和所述第三过滤区上分布有多个过滤孔；所述搅拌装置包括电动马达和与所述电动马达相连的搅拌桨。
2.如权利要求1所述的一种宏量提纯金属基纳米线的装置，其特征在于，所述第一过滤区、所述第二过滤区和所述第三过滤区上过滤孔的孔径大小不同。
3.如权利要求1所述的一种宏量提纯金属基纳米线的装置，其特征在于，所述第一过滤区的孔径为100nm-1μm，和/或，所述第二过滤区的孔径为1μm-5μm，和/或，所述第三过滤区的孔径为5μm-20μm。
4.如权利要求1所述的一种宏量提纯金属基纳米线的装置，其特征在于，所述过滤装置包括搅拌桨，所述搅拌桨选自单螺旋搅拌桨、双螺旋搅拌桨、单孔搅拌桨、多孔搅拌桨中的一种。
5.如权利要求1所述的一种宏量提纯金属基纳米线的装置，其特征在于，所述溶液注入系统在搅拌过滤时注入置换溶剂，以保证过滤过程中搅拌离心过滤缸内金属基纳米线浓度相对稳定，所述滤液流出收集系统收集滤出的副产物。
CN202020873855.6U 2020-05-22 2020-05-22 一种宏量提纯金属基纳米线的装置 Active CN212857762U (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202020873855.6U CN212857762U (zh) 2020-05-22 2020-05-22 一种宏量提纯金属基纳米线的装置
PCT/CN2020/117146 WO2021232648A1 (zh) 2020-05-22 2020-09-23 一种宏量提纯金属基纳米线的装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202020873855.6U CN212857762U (zh) 2020-05-22 2020-05-22 一种宏量提纯金属基纳米线的装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN212857762U true CN212857762U (zh) 2021-04-02

Family

ID=75205728

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202020873855.6U Active CN212857762U (zh) 2020-05-22 2020-05-22 一种宏量提纯金属基纳米线的装置

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN212857762U (zh)
WO (1) WO2021232648A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111408176A (zh) * 2020-03-06 2020-07-14 深圳第三代半导体研究院 一种提纯多维纳米材料的方法及其装置
CN115415518A (zh) * 2022-08-31 2022-12-02 深圳市华科创智技术有限公司 一种金属纳米线的纯化系统及纯化方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115740434A (zh) * 2022-10-10 2023-03-07 东莞理工学院 一种银纳米线及其分离纯化方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016035856A1 (ja) * 2014-09-05 2016-03-10 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 長さ分布の均一性が改善された金属ナノワイヤの製造方法
CN104591305B (zh) * 2014-12-29 2016-01-20 河南大学 一种纳米线的纯化装置及纯化方法
CN204447498U (zh) * 2015-01-29 2015-07-08 重庆川仪自动化股份有限公司环保工程分公司 一种高效过滤的格栅装置
US10376898B2 (en) * 2015-06-12 2019-08-13 Dow Global Technologies Llc Method for manufacturing high aspect ratio silver nanowires
CN206064173U (zh) * 2016-08-26 2017-04-05 中国农业科学院农产品加工研究所 一种食品纳米乳液分离过滤装置
CN108404676A (zh) * 2018-03-13 2018-08-17 深圳市善柔科技有限公司 一种一维纳米材料分离提纯装置及方法
CN110918554A (zh) * 2019-12-04 2020-03-27 郑州工程技术学院 一种金属纳米线清洗用分散设备
CN111014719A (zh) * 2019-12-26 2020-04-17 海泰纳鑫科技(成都)有限公司 一种高纯度银纳米线及其制备方法和银纳米线导电薄膜

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111408176A (zh) * 2020-03-06 2020-07-14 深圳第三代半导体研究院 一种提纯多维纳米材料的方法及其装置
CN115415518A (zh) * 2022-08-31 2022-12-02 深圳市华科创智技术有限公司 一种金属纳米线的纯化系统及纯化方法
CN115415518B (zh) * 2022-08-31 2023-10-24 深圳市华科创智技术有限公司 一种金属纳米线的纯化系统及纯化方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021232648A1 (zh) 2021-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN212857762U (zh) 一种宏量提纯金属基纳米线的装置
CN111774187B (zh) 一种宏量提纯金属基纳米线的装置及方法
CN104099687B (zh) 一种石墨烯纤维及其制备方法
CN103170645B (zh) 银纳米线的制备方法
CN108367346B (zh) 纯化纳米结构的方法
CN111408176B (zh) 一种提纯多维纳米材料的方法及其装置
CN102658108A (zh) 电纺法制备基于石墨烯/半导体光催化滤膜的方法
CN104878590A (zh) 一种石墨烯导电纳米纤维膜的制备
CN112808005A (zh) 一种搅拌诱发离心力-垂直过滤纯化银纳米线母液的方法及专用装置
CN104028112A (zh) 一种规模化制备碳纳米管中空纤维膜的方法
CN104959622B (zh) 一种不同长径比的铜纳米线的合成方法
CN110576193B (zh) 一种以柠檬酸盐为还原剂制备超细银纳米线的方法
CN105133293A (zh) 一种导电纳米复合材料的制备方法
CN104591305B (zh) 一种纳米线的纯化装置及纯化方法
CN111014719A (zh) 一种高纯度银纳米线及其制备方法和银纳米线导电薄膜
CN103031578B (zh) 一种生产镍箔的电解方法
CN104261392A (zh) 一种硼酸根离子交联的导电石墨烯纸的制备方法
CN105014091A (zh) 一种超长铜镍合金纳米线及其制备方法
An et al. Facile processes for producing robust, transparent, conductive platinum nanofiber mats
CN105498552B (zh) 一种半导体氧化物改性的导电滤膜及其制备方法和应用
CN110681857B (zh) 一种银纳米线的纯化方法
CN113714500B (zh) 超细银纳米线的提纯方法
CN108976914B (zh) 一种高分散的铜纳米线导电墨水、导电薄膜及其制备方法
CN1184141C (zh) 中空纳米碳球的制造方法
CN113953526B (zh) 一种超细钯粉的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230412

Address after: No. 1088, Xueyuan Avenue, Taoyuan Street, Nanshan District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee after: SOUTH University OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA

Address before: Taizhou building, No. 1088, Xueyuan Avenue, Xili University Town, Nanshan District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee before: SHENZHEN THIRD GENERATION SEMICONDUCTOR Research Institute

TR01 Transfer of patent right