CN208622719U - 一种共阳极半桥封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种共阳极半桥封装结构，属于半导体元器件封装领域，包括引线框架，其特征在于，引线框架上阵列布置有多个框架单元及第一引脚，每个框架单元分别对应两个第一引脚，每个框架单元上设置有两个基岛及由框架单元引出的第二引脚，每个基岛上对应设置一个二极管芯片，二极管芯片的P面朝向基岛，二极管芯片P面通过铜粒与基岛相连接，二极管芯片N面通过跳片与第一引脚相连接，框架单元上的两二极管芯片与两第一引脚呈一一对应关系，黑胶体包裹基岛、铜粒、二极管芯片、跳片形成塑封体；不改变框架结构即可实现共阳极封装，并能与常规两颗二极管芯片组成的共阴极半桥封装组成一个完整的整流桥，以实现代替直插式大桥封装的目的。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体元器件的封装技术领域，具体为一种共阳极半桥封装结构。
背景技术
进入21世纪以来，中国电子信息产品制造业每年都以20%以上的速度高速增长，规模从2004年起居世界第二位，2012年产业收入跃居世界第一位。在中国电子信息产业快速发展的推动下，半导体整流器件也得到了迅猛的发展。随着科技的进步，电子产品也不断的发展，电子产品向着轻、小、薄发展。虽说电子元器件表面贴装技术成为国内外发展趋势，但由于受某些技术的限制，3安倍以上的功率元器件，基本上都是插件式的封装，如：TO220，KBJ，KBP，GBU和GBJ等。如何使用表面贴装封装产品代替插件式封装成为研究的重点，但目前的产品普遍都是共阴极，缺少共阳极封装，无法满足替代的要求。现有技术中，申请号为201610006518.5的发明专利“共阳极肖特基半导体的封装工艺”中公开了一种共阳极封装结构，即在双载体部分和散热片部分加陶瓷绝缘，实现散热片与阴极绝缘，双基岛式载体区实现阴极分离，阳极共用；该种结构通过改变框架结构实现共阳极封装，这就导致框架不可通用的问题，改变结构后的框架并不适用于其他如共阴极封装的形式，无形中增加了框架成本。
发明内容
为了解决上述问题，本实用新型提供了一种不改变框架结构即可实现共阳极封装的共阳极半桥封装结构，并能与常规两颗二极管芯片组成的共阴极半桥封装组成一个完整的整流桥，以实现代替直插式大桥封装的目的。
本实用新型为解决其技术问题所采用的技术方案是：一种共阳极半桥封装结构，包括引线框架、第一引脚、第二引脚、二极管芯片、铜粒、跳片、黑胶体、塑封体，其特征在于，引线框架上阵列布置有多个框架单元及第一引脚，每个框架单元分别对应两个第一引脚，每个框架单元上设置有两个基岛及由框架单元引出的第二引脚，每个基岛上对应设置一个二极管芯片，二极管芯片的P面朝向基岛，二极管芯片的P面通过铜粒与基岛相连接，二极管芯片的N面通过跳片与第一引脚相连接，所述框架单元上的两二极管芯片与两第一引脚呈一一对应关系，所述黑胶体包裹基岛、铜粒、二极管芯片、跳片形成塑封体。
进一步的，所述框架单元上的第二引脚设置在两第一引脚之间。
进一步的，所述铜粒与基岛及二极管芯片的P面之间均以面与面接触的形式相连接。
进一步的，所述铜粒与基岛及二极管芯片的P面之间均通过锡膏焊接相连。
进一步的，所述二极管芯片的N面与跳片之间通过锡膏焊接相连。
进一步的，所述铜粒设置为圆柱体或长方体。
进一步的，所述框架单元中的两基岛呈对称式设置。
进一步的，所述黑胶体设置为环氧树脂胶体。
进一步的，所述引线框架采用铜，引线框架的底部裸露在黑胶体之外。
本实用新型的有益效果是，设置的二极管芯片的P面通过铜粒与基岛相连接，并由第二引脚引出作为阳极引脚，二极管芯片的N面则通过跳片与第一引脚相连接，形成阴极引脚，形成的结构能够在不更改现有TO252共阴极框架的基础上完成TO252共阳极的封装，使两个半桥可以组合成全桥，达到替代大功率直插式整流桥的目的，相比直插式整流器件，占据空间小，节约了插件的成本，提高了生产效率；同时本结构的共阳极封装与共阴极封装能够共用同种引线框架，有利于降低成本。整个结构采用全铜框架，引线框架底部裸露在黑胶体之外，产品的导电性和导热性更好，同时裸露在外面的铜框架更利于产品内热量的散发，产品壳温降低，热阻减小，产品可靠性提高。
附图说明
图1是本实用新型的主视结构示意图；
图2是本实用新型的侧视结构示意图；
图3是本实用新型引线框架的结构示意图。
图中：1.引线框架，2.框架单元，3.第一引脚，4.第二引脚，5.基岛，6.二极管芯片，7.铜粒，8.跳片，9.塑封体。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
如图1-图3所示，本实用新型提供了一种共阳极半桥封装结构，包括引线框架1、第一引脚3、第二引脚4、二极管芯片6、铜粒7、跳片8、黑胶体、塑封体9，引线框架1上阵列布置有多个框架单元2及第一引脚3，每个框架单元2分别对应两个第一引脚3，每个框架单元2上设置有两个基岛5及由框架单元2引出的第二引脚4，第二引脚4设置在两第一引脚3之间，两基岛5呈对称式设置，每个基岛5上对应设置一个二极管芯片6，二极管芯片6的P面朝向基岛5，二极管芯片6的P面通过铜粒7与基岛5相连接，并由第二引脚4引出作为阳极引脚，每个框架单元2上还对应有两个跳片8，二极管芯片6的N面则通过跳片8与第一引脚3相连接，形成阴极引脚，所述框架单元2上的两二极管芯片6与两第一引脚3呈一一对应关系，所述黑胶体包裹基岛5、铜粒7、二极管芯片6、跳片8形成塑封体9，第一引脚3和第二引脚4均由塑封体9的分型面引出并且端部向下弯折与基岛5共平面。
本实用新型所述的铜粒7与基岛5及二极管芯片6的P面之间均以面与面接触的形式相连接，且铜粒7与基岛5及二极管芯片6的P面之间均通过锡膏焊接相连，二极管芯片6的N面与跳片8之间也通过锡膏焊接相连。
本实用新型所述的铜粒7设置为较为扁平的圆柱体或长方体。
本实用新型所述的黑胶体设置为环氧树脂胶体，引线框架1材质优选为铜材，且引线框架1的底部裸露在黑胶体之外。
本实用新型中可通过框架及跳片结构不变，仅改变二极管芯片的位置关系，即将二极管芯片的P面与跳片相连，二极管的N面则与框架单元相连，即可形成共阴极半桥。因此，本实用新型的共阳极半桥封装结构能够在不更改现有TO252共阴极框架的基础上完成TO252共阳极的封装，使两个半桥可以组合成全桥，达到替代大功率直插式整流桥的目的，相比直插式整流器件，占据空间小，节约了插件的成本，提高了生产效率；同时本结构的共阳极封装与共阴极封装能够共用同种引线框架，有利于降低成本。整个结构采用全铜框架，引线框架底部裸露在黑胶体之外，产品的导电性和导热性更好，同时裸露在外面的铜框架更利于产品内热量的散发，产品壳温降低，热阻减小，产品可靠性提高。
Claims (9)
1.一种共阳极半桥封装结构，包括引线框架（1）、第一引脚（3）、第二引脚（4）、二极管芯片（6）、铜粒（7）、跳片（8）、黑胶体、塑封体（9），其特征在于，引线框架（1）上阵列布置有多个框架单元（2）及第一引脚（3），每个框架单元（2）分别对应两个第一引脚（3），每个框架单元（2）上设置有两个基岛（5）及由框架单元（2）引出的第二引脚（4），每个基岛（5）上对应设置一个二极管芯片（6），二极管芯片（6）的P面朝向基岛（5），二极管芯片（6）的P面通过铜粒（7）与基岛（5）相连接，二极管芯片（6）的N面通过跳片（8）与第一引脚（3）相连接，所述框架单元（2）上的两二极管芯片（6）与两第一引脚（3）呈一一对应关系，所述黑胶体包裹基岛（5）、铜粒（7）、二极管芯片（6）、跳片（8）形成塑封体（9）。
2.根据权利要求1所述的共阳极半桥封装结构，其特征在于，所述框架单元（2）上的第二引脚（4）设置在两第一引脚（3）之间。
3.根据权利要求1所述的共阳极半桥封装结构，其特征在于，所述铜粒（7）与基岛（5）及二极管芯片（6）的P面之间均以面与面接触的形式相连接。
4.根据权利要求1或3所述的共阳极半桥封装结构，其特征在于，所述铜粒（7）与基岛（5）及二极管芯片（6）的P面之间均通过锡膏焊接相连。
5.根据权利要求1所述的共阳极半桥封装结构，其特征在于，所述二极管芯片（6）的N面与跳片（8）之间通过锡膏焊接相连。
6.根据权利要求1所述的共阳极半桥封装结构，其特征在于，所述铜粒（7）设置为圆柱体或长方体。
7.根据权利要求1所述的共阳极半桥封装结构，其特征在于，所述框架单元（2）中的两基岛（5）呈对称式设置。
8.根据权利要求1所述的共阳极半桥封装结构，其特征在于，所述黑胶体设置为环氧树脂胶体。
9.根据权利要求1所述的共阳极半桥封装结构，其特征在于，所述引线框架（1）采用铜，引线框架（1）的底部裸露在黑胶体之外。
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| CN201821912059.8U CN208622719U (zh) | 2018-11-20 | 2018-11-20 | 一种共阳极半桥封装结构 |
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|---|---|---|---|---|
| CN109962051A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-07-02 | 无锡麟力科技有限公司 | 基岛沉降型封装结构 |
| CN110034087A (zh) * | 2019-05-06 | 2019-07-19 | 上海金克半导体设备有限公司 | 一种多芯片封装晶体管 |
| CN113257797A (zh) * | 2021-06-25 | 2021-08-13 | 瑞能半导体科技股份有限公司 | 一种共阳极二极管器件及其制备方法 |
| CN116844980A (zh) * | 2023-06-16 | 2023-10-03 | 江苏希尔半导体有限公司 | 一种整流桥的封装工艺 |
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