CN208093553U - 封装基板及包含该封装基板的集成电路封装体 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及封装基板及包含该封装基板的集成电路封装体。本实用新型提供的封装基板包括第一线路层、第二线路层、介电层和电容介质层，第一线路层具有相对的第一表面与第二表面，第二线路层具有相对的第三表面与第四表面，介电层靠近第二线路层且与第二线路层的第四表面直接接触，电容介质层设于第一线路层的第二表面与第二线路层的第三表面之间，且电容介质层包括至少一第一区域以及至少一第二区域，至少一第一区域仅与第一线路层的第二表面以及第二线路层的第三表面中的一者直接接触，至少一第二区域与第一线路层的第二表面以及第二线路层的第三表面同时直接接触构成内埋电容。该封装基板实现了封装基板内部元件的精细布局。

Description

封装基板及包含该封装基板的集成电路封装体

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及封装基板及包含该封装基板的集成电路封装体。

背景技术

在目前的半导体封装技术中，将电容设置于封装基板内部是实现电子系统小型化的一种解决方案。通过这种方式，不仅可以提高产品的稳定性和可靠性，而且缩小了产品的物理尺寸。传统技术通常采用在封装基板内部挖孔洞的方式，将电容元件放置在预留的孔洞中，从而实现将电容埋入封装基板。

但是，随着技术的不断发展，在具有埋入式电容的封装基板的表面上，对线路布局的精细化程度要求越来越高，传统技术的做法难以满足线路进一步密集化的要求。

因此，业内亟需对现有的封装基板进行改进，以解决现有技术所存在的上述问题。

实用新型内容

本实用新型实施例的目的之一在于提供封装基板及包含该封装基板的集成电路封装体，其将埋入式电容与埋入式线路相结合，满足了线路进一步密集化的要求。

本实用新型的一实施例提供一种封装基板，该封装基板包括第一线路层、第二线路层、介电层和电容介质层。其中，该第一线路层具有相对的第一表面与第二表面，该第二线路层具有相对的第三表面与第四表面，该介电层靠近第二线路层且与第二线路层的第四表面直接接触，该电容介质层设于第一线路层的第二表面与第二线路层的第三表面之间，且该电容介质层包括至少一第一区域和至少一第二区域，其中，至少一第一区域仅与第一线路层的第二表面以及第二线路层的第三表面中的一者直接接触，而至少一第二区域与第一线路层的第二表面以及第二线路层的第三表面同时直接接触构成内埋电容。

根据本实用新型的另一实施例，该电容介质层可进一步包括第三区域，该第三区域与第一线路层的第二表面以及第二线路层的第三表面均不接触。

根据本实用新型的一实施例，该封装基板进一步包括第三线路层，该第三线路层内埋于介电层中，并且该第三线路层的底面与介电层的底面平齐。该封装基板还可进一步包括导通柱，该导通柱嵌埋于介电层与电容介质层中，并导通第一线路层、第二线路层以及第三线路层中的至少两者。

根据本实用新型的另一实施例，该封装基板进一步包括第四线路层、设于第一线路层与第四线路层之间的第二介电层以及嵌埋于第二介电层中并导通第一线路层及第四线路层的第二导通柱。

根据本实用新型的另一实施例，该封装基板进一步包括防焊层。该封装基板是无核心层基板。

根据本实用新型的另一实施例，该封装基板的电容介质层的厚度大于0微米而小于等于20微米。

本实用新型的一实施例还提供一种集成电路封装体，该集成电路封装体包括本实用新型实施例提供的封装基板，以及承载于该封装基板上的集成电路元件。

本实用新型实施例提供的封装基板不同于传统设计，其兼具埋入式电容与微细线路的布局特征，实现了封装基板内部元件的精细布局。

附图说明

图1所示是根据本实用新型一实施例的封装基板的剖面结构示意图

图2-10所示是根据本实用新型一实施例的封装基板的制造流程的剖面结构示意图

具体实施方式

为更好的理解本实用新型的精神，以下结合本实用新型的部分优选实施例对其作进一步说明。

图1是根据本实用新型一个实施例的封装基板10的示意图。简单起见，图1中仅示出对应一个封装单元的封装基板10，如本领域技术人员所熟知的，在实际生产过程中对应多个封装单元的若干封装基板10将成阵列排列于每条封装基板条(未示出)上。

如图1所示，根据本实用新型一实施例的封装基板10可包括第一线路层11、第二线路层12、介电层13和电容介质层14。该封装基板10可进一步包含第三线路层15。

具体地，第一线路层11具有相对的第一表面111和与第一表面111相对的第二表面112。第二线路层12具有相对的第三表面121和与第三表面121相对的第四表面122。介电层13靠近第二线路层12，并且与第二线路层12的第四表面122直接接触。电容介质层14可设于第一线路层11的第二表面112与第二线路层12的第三表面121之间，厚度大于0微米而小于等于20微米。其中，电容介质层14具有仅与第一线路层11的第二表面112和第二线路层12的第三表面121中的一者直接接触的至少一第一区域，例如本实施例中的第一区域141仅与第一线路层11的第二表面112直接接触，另一第一区域142仅与第二线路层12的第三表面121直接接触。此外，电容介质层14还具有与第一线路层11的第二表面112和第二线路层12的第三表面121同时直接接触的至少一第二区域而构成内埋电容，例如本实施例中的第二区域143与第一线路层11的第二表面112和第二线路层12的第三表面121同时直接接触而构成内埋电容。除第一区域和第二区域外，电容介质层14还可具有与第一线路层11的第二表面112和第二线路层12的第三表面121均不接触的第三区域，例如本实施例中的第三区域144与第一线路层11的第二表面112和第二线路层12的第三表面121均不接触。电容介质层14的第一区域和第三区域均没有构成内埋电容，仅第二区域构成内埋电容。

封装基板10还可包括导通柱16，该导通柱16嵌埋于介电层13与电容介质层14中，可导通第一线路层11、第二线路层12以及第三线路层13中的至少两者。

类似的，如本领域技术人员可理解的，根据本实用新型的其它实施例，以图1所示的基本结构，即第一线路层11、第二线路层12、介电层13、电容介质层14以及第三线路层15为基础，可在其第一线路层11上方或第三线路层15的下方形成具有更多电路层的封装基板。例如，在本申请另一实施例中，封装基板10还可包括位于第一线路层11上方的第四线路层(未示出)、设于第一线路层11与该第四线路层之间的第二介电层(未示出)以及嵌埋于第二介电层中并导通第一线路层11及第四线路层的第二导通柱(未示出)。

此外，为保护线路结构不受环境因素侵蚀或破坏，根据本实用新型实施例的封装基板10可进一步包括防焊层17。防焊层17不仅覆盖第一线路层11的第一表面111的部分区域，还覆盖了第三线路层15的部分裸露表面，在后续的封装处理过程中可以有效保护封装基板10的内部结构。

本实用新型的另一实施例还可提供一种集成电路封装体(未图示)，该集成电路封装体包括图1所示的封装基板10，以及承载于封装基板10上的集成电路元件。

图2-10所示是根据本实用新型一实施例的封装基板的制造流程的剖面结构示意图，其可用于形成图1所示的封装基板10。

首先，参考图2，提供载板20和电容结构板30。其中，该载板20包括牺牲层21、分别设于牺牲层21两表面的第一金属层22、以及设于第一金属层22上的第二金属层23，其中第一金属层22位于牺牲层21与第二金属层23之间。该电容结构板30包括一电容介质层14和分别设于电容介质层14两表面的第三金属层31，其中，电容介质层的厚度大于0微米而小于等于20微米。

接着，参考图3，在第二金属层23上形成第三线路层15，并蚀刻电容结构板30任一侧的第三金属层31，例如图中的下侧的部分区域，从而形成第二线路层12，该第二线路层12具有相对的第三表面121和第四表面122。

接着，如图4所示，在第三线路层15上压合介电层13和经蚀刻的电容结构板30。该介电层13靠近第二线路层12，并且与第二线路层12的第四表面122直接接触。在本实施例中，介电层13压合于该经蚀刻的电容结构板30上，使得第二线路层12内埋于介电层13中，即介电层13的顶面与第二线路层12的第三表面121平齐。同时压合在一起的介电层13和电容结构板30叠放于第三线路层15上，使得第三线路层15内埋于介电层13中，即介电层13的底面与第三线路层15的底面平齐。

接着，参见图5，使用激光打孔等本领域常用的打孔方式在第三金属层31、电容介质层14、第二线路层12和介电层13中形成导通孔并进一步用金属填充形成导通柱16。随后，参见图6，蚀刻电容结构板30的另一侧的第三金属层31的部分区域，直至暴露出该区域对应的电容介质层14，从而在电容介质层14上形成了第一线路层11，该第一线路层11具有相对的第一表面111和第二表面112。

随后，参见图7和图8，将用于保护第一线路层11和电容介质层14的保护膜50压在第一线路层11上，并移除牺牲层21和第一金属层22，得到两份相同的基板结构。接着，如图9和图10所示，以其中任一份基板结构为例，可将第二金属层23完全蚀刻掉，露出第三线路层15，并进一步将保护膜50剥除。

最后，在第一线路层11和第三线路层15的裸露表面的部分区域上形成防焊层17，最终形成如图1所示的封装基板10。

相较于传统具有埋入式电容的封装基板，本实用新型实施例提供的封装基板具有以下优势：一方面本实用新型实施例中埋入电容的物理尺寸较小，满足了线路精细化的要求；另一方面，本实用新型实施例中埋入式电容可以根据需求通过蚀刻的方式设置在封装基板的不同区域，设计方式较于传统技术更具有灵活性。

本实用新型的技术内容及技术特点已揭示如上，然而熟悉本领域的技术人员仍可能基于本实用新型的教示及揭示而作种种不背离本实用新型精神的替换及修饰。因此，本实用新型的保护范围应不限于实施例所揭示的内容，而应包括各种不背离本实用新型的替换及修饰，并为本专利申请权利要求书所涵盖。

Claims (9)

1.一种封装基板，其特征在于，其包括：

第一线路层，其具有相对的第一表面与第二表面；

第二线路层，其具有相对的第三表面与第四表面；

介电层，其靠近所述第二线路层，且与所述第二线路层的所述第四表面直接接触；以及

电容介质层，其设于所述第一线路层的所述第二表面与所述第二线路层的所述第三表面之间，且所述电容介质层包括：

至少一第一区域，所述至少一第一区域仅与所述第一线路层的所述第二表面以及所述第二线路层的所述第三表面中的一者直接接触；以及

至少一第二区域，所述至少一第二区域与所述第一线路层的所述第二表面以及所述第二线路层的所述第三表面同时直接接触构成内埋电容。

2.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述电容介质层进一步包括第三区域，所述第三区域与所述第一线路层的所述第二表面以及所述第二线路层的所述第三表面均不接触。

3.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述封装基板进一步包括第三线路层，所述第三线路层内埋于所述介电层中，且所述第三线路层的底面与所述介电层的底面平齐。

4.根据权利要求3所述的封装基板，其特征在于，所述封装基板进一步包括导通柱，所述导通柱嵌埋于所述介电层与所述电容介质层中，并导通所述第一线路层、所述第二线路层以及所述第三线路层中的至少两者。

5.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述封装基板进一步包括第四线路层、设于所述第一线路层与所述第四线路层之间的第二介电层以及嵌埋于所述第二介电层中并导通所述第一线路层及所述第四线路层的第二导通柱。

6.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述封装基板进一步包括防焊层。

7.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述封装基板是无核心层基板。

8.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述电容介质层的厚度大于0微米而小于等于20微米。

9.一种集成电路封装体，其包含：

根据权利要求1-8中任一项所述的封装基板；以及

承载于所述封装基板上的集成电路元件。