CN207891416U - 一种带有中心承片圈的蒸镀装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种带有中心承片圈的蒸镀装置，包括电机、支架、支撑臂、行星锅及坩埚；电机带动支架旋转，支撑臂的一端与支架固定，支撑臂的另外一端与行星锅的转轴轴接；行星锅在轨道上自转；电子束轰击坩埚内的源，源内物质均匀蒸发到即公转又自转的行星锅内，从而均匀蒸发到固定在行星锅内侧的硅晶圆上；行星锅上设置多个通孔，所述通孔内设置承片圈，硅晶圆设置在所述承片圈内的凸台上，硅晶圆的外侧设置盖板，所述盖板外侧与锅盖抵接；所述锅盖固定在行星锅转轴上。本实用新型的优点是：保证了一次蒸镀能加工更多数量的硅晶圆。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子技术领域，具体说是一种蒸镀装置。
背景技术
现有的蒸镀设备结构形式很多，典型的是硅晶圆紧贴行星锅体，该结构在蒸发过程中造成硅晶圆与行星锅粘连，造成硅晶圆在取出时碎裂；另外，现有的结构采用两个螺丝之间的角度为110°，由于角度过大，蒸镀过程中，温度变化较大，而由于温度造成的热缩力及膨胀力在两个螺丝之间直接压迫硅晶圆，容易造成硅晶圆碎裂。
此外，现有的蒸镀锅每次对硅晶圆的蒸镀数量较少。
实用新型内容
为解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种行星锅，可有效解决上述技术问题，具体技术方案如下：
一种带有中心承片圈的蒸镀装置，包括电机、支架、支撑臂、行星锅及坩埚；电机带动支架旋转，支撑臂的一端与支架固定，支撑臂的另外一端与行星锅的转轴轴接；行星锅在轨道上自转；电子束轰击坩埚内的源，源内物质均匀蒸发到即公转又自转的行星锅内，从而均匀蒸发到固定在行星锅内侧的硅晶圆上；行星锅上设置多个通孔，所述通孔内设置承片圈，硅晶圆设置在所述承片圈内的凸台上，硅晶圆的外侧设置盖板，所述盖板外侧与锅盖抵接；所述锅盖固定在行星锅转轴上。
所述行星锅的材料为工业纯钛。
所述锅盖内侧设置弹片，所述弹片的位置与盖板的位置对应。
本实用新型的优点是：采用钛为原料的行星锅，保证了一次蒸镀能加工更多数量的硅晶圆。
材料更改的优点是：行星锅材料由316L不锈钢修改为工业纯钛，其优点是：
A.由于工业纯钛的密度仅为4.51g/cm3,而316L不锈钢的密度为7.98g/cm3，在相同体积下，钛金属行星锅比316L不锈钢行星锅轻45％。这样就减轻了操作工人的体力劳动，提高生产效率。
B.由于工业纯钛在20～700℃时，热膨胀系数为10.2x10-6/℃，而316L不锈钢在20～800℃时的热膨胀系数19.0×10-6/℃左右。这样就减小行星锅在300℃高温工作下的热变形，减少由于行星锅变形导致的硅晶圆碎裂报废。
C.由于工业纯钛的导热系数为19.3W/(m*K)，而316L不锈钢的导热系数为15.1W/(m*K)。这样就加快了腔体升温和降温速度，减少行星锅运转的前期升温时间和后期降温时间，提高生产效率。
D.众所周知，金属钛在常温下有优良的耐腐蚀性能，能耐大部分的无机酸、有机酸、碱溶液、盐溶液等。这样就增加了行星锅的使用寿命，减少成本。
E.由于设置了承片圈，因此，固定螺丝不直接与硅晶圆接触，由固定螺丝传导来的力被承片圈所分散，保证硅晶圆不会损坏。
附图说明
图1为行星锅蒸镀原理示意图；
图2为本实用新型的结构示意图；
图3为硅晶圆固定结构图；
图4为图3的局部放大图；
图5为行星锅的俯视图；
图6为承片圈背面结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图具体说明本实用新型，如图1-图5所示，本实用新型包括电机1、支架2、支撑臂3、行星锅4及坩埚6；电机1带动支架2旋转，支撑臂3的一端与支架2固定，支撑臂3的另外一端与行星锅4的转轴轴接；行星锅4在轨道8上自转；电子束轰击坩埚6内的源7，源内物质均匀蒸发到即公转又自转的行星锅4内，从而均匀蒸发到固定在行星锅内侧的硅晶圆5上；行星锅上设置多个通孔，所述通孔内通过螺丝12固定承片圈14，硅晶圆5设置在所述承片圈14内的凸台上，硅晶圆5的外侧设置盖板13，所述盖板13外侧与锅盖11抵接；所述锅盖11固定在行星锅转轴9上。
所述行星锅的材料为工业纯钛。
所述锅盖内侧设置弹片15，所述弹片15的位置与盖板13的位置对应。
由于工业纯钛在20～700℃时，热膨胀系数为10.2x10-6/℃，而316L不锈钢在20～800℃时的热膨胀系数19.0×10-6/℃左右。这样就减小行星锅在300℃高温工作下的热变形，并且，两个固定螺丝间的夹角减小，有利于减小硅晶圆所受到的两个固定螺丝的压力，进而减少由于行星锅变形导致的硅晶圆碎裂报废。
另外一种实施例的结构是：所述承片圈14为圆盘型，所述承片圈的背部设置拉簧53，所述拉簧53一端固定在承片圈的圆心，另外一端固定有挂钩52，所述挂钩嵌入承片圈径向端部的沟槽54内并将硅晶圆固定在承片圈的另外一层。
所述承片圈为多个，沿行星锅圆周方向均布。
行星锅的中心位置设置一个中心承片圈51。这样设置的好处是尽量多地设置硅晶圆，提高生产效率。
Claims (3)
1.一种带有中心承片圈的蒸镀装置，其特征在于：包括电机、支架、支撑臂、行星锅及坩埚；电机带动支架旋转，支撑臂的一端与支架固定，支撑臂的另外一端与行星锅的转轴轴接；行星锅在轨道上自转；电子束轰击坩埚内的源，源内物质均匀蒸发到即公转又自转的行星锅内，从而均匀蒸发到固定在行星锅内侧的硅晶圆上；行星锅上设置多个通孔，所述通孔内设置承片圈，锅盖固定在行星锅转轴上；所述锅盖内侧设置弹片，所述弹片的位置与盖板的位置对应；所述承片圈为圆盘型，所述承片圈的背部设置拉簧，所述拉簧一端固定在承片圈的圆心，另外一端固定有挂钩，所述挂钩嵌入承片圈径向端部的沟槽内并将硅晶圆固定在承片圈的另外一层。
2.根据权利要求1所述的带有中心承片圈的蒸镀装置，其特征在于：所述承片圈为多个，沿行星锅圆周方向均布。
3.根据权利要求1所述的带有中心承片圈的蒸镀装置，其特征在于：行星锅的中心位置设置一个中心承片圈。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201820292349.0U CN207891416U (zh) | 2018-03-02 | 2018-03-02 | 一种带有中心承片圈的蒸镀装置 |
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| CN201820292349.0U CN207891416U (zh) | 2018-03-02 | 2018-03-02 | 一种带有中心承片圈的蒸镀装置 |
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|---|---|---|---|
| CN201820292349.0U Active CN207891416U (zh) | 2018-03-02 | 2018-03-02 | 一种带有中心承片圈的蒸镀装置 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110629169A (zh) * | 2019-10-29 | 2019-12-31 | 苏州华楷微电子有限公司 | 一种公转式半导体蒸发台 |
| CN112420578A (zh) * | 2021-01-22 | 2021-02-26 | 山东元旭光电股份有限公司 | 一种晶圆自动下片用取放装置 |
| CN115074675A (zh) * | 2022-06-13 | 2022-09-20 | 无锡芯谱半导体科技有限公司 | 用于电子束蒸发台的高效行星镀锅装置 |
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2018
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| CN110629169B (zh) * | 2019-10-29 | 2024-02-27 | 苏州华楷微电子有限公司 | 一种公转式半导体蒸发台 |
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