CN207883669U - 基板输送装置 - Google Patents

基板输送装置 Download PDF

Info

Publication number
CN207883669U
CN207883669U CN201820264171.9U CN201820264171U CN207883669U CN 207883669 U CN207883669 U CN 207883669U CN 201820264171 U CN201820264171 U CN 201820264171U CN 207883669 U CN207883669 U CN 207883669U
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
module
wafer
skewer
delivery device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201820264171.9U
Other languages
English (en)
Inventor
林德太郎
原田浩树
寺本聪宽
时松徹
安倍昌洋
石丸和俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN207883669U publication Critical patent/CN207883669U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67715—Changing the direction of the conveying path
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G43/00—Control devices, e.g. for safety, warning or fault-correcting
    • B65G43/08—Control devices operated by article or material being fed, conveyed or discharged
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)

Abstract

本实用新型提供一种能够精度较高地向模块的预定的位置输送基板的基板输送装置。构成一种装置，该装置具备：基板保持部(25)，其保持基板，为了从一个模块向另一个模块输送该基板而沿着横向移动自由；第1检测部(3)，其用于在基板保持部(25)从一个模块接收了基板之后对在向另一个模块输送之前该基板在该基板保持部(25)中的位置进行检测；第2检测部(55、56)，其用于检测以要位于为了向另一个模块交接基板而设定好的暂定位置的方式进行了移动的基板保持部(25)的实际位置与该暂定位置之间的错位；位置决定部(10)，其用于基于基板在基板保持部(25)中的位置和错位来决定用于向另一个模块交接基板的交接位置。

Description

基板输送装置
技术领域
本实用新型涉及由基板保持部保持并输送基板的基板输送装置。
背景技术
在作为半导体的制造工序之一的光刻工序中，具有使用涂敷、显影装置来进行处理的情况，该涂敷、显影装置对作为基板的半导体晶圆(以下称为晶圆。)执行由抗蚀剂等化学溶液进行的涂敷膜的形成、由曝光装置进行的曝光后的显影、化学溶液的涂敷后、曝光后、显影前的加热处理。在涂敷、显影装置设置有：多个模块，其进行上述的各处理；输送机构，其在模块间输送晶圆。该输送机构具备：沿着水平轴线、垂直轴线分别移动的部位；绕旋转轴线旋转的部位；保持晶圆的基板保持部，通过各部位的协作，基板保持部在模块间移动，进行晶圆的输送。
不过，在上述的模块的抗蚀剂膜形成模块中，在抗蚀剂膜形成于晶圆的整个表面之后，向载置于旋转卡盘而旋转的晶圆的周缘部供给抗蚀剂的溶剂，晶圆的周缘部处的不需要的抗蚀剂膜被呈环状去除。为了抑制该抗蚀剂被去除的环状区域的宽度而使从晶圆生产的作为半导体产品的芯片的数量提高，要求以旋转卡盘的旋转中心和晶圆中心精度较高地一致的方式向抗蚀剂膜形成模块输送该晶圆。此外，针对除了抗蚀剂膜形成模块以外的其他模块，为了进行精度较高的处理，也要求将晶圆精度较高地向各处理模块的预定的位置输送。
为了应对这样的要求，想到提高每次晶圆向模块交接、使基板保持部的位置与设定位置一致的位置再现性的做法。不过，构成输送机构的上述的各部位以高速动作，具有稍微偏离设定位置的情况，各部位的位置的偏离叠加而成的结果呈现为基板保持部的位置的偏离，因此，难以使上述的位置再现性比一定的水平高。另外，具有由于加热模块的热的影响而产生构成各处理模块的框架伸长、或构成使输送机构的各部位移动的驱动机构的同步带伸长的异常的情况。在出现了这样的异常的情况下，也有可能无法获得所要求的位置再现性。
在专利文献1中记载有如下技术：为了向模块的预定的位置精度较高地输送晶圆，设置有用于对保持于基板保持部的晶圆的位置进行检测的检测部，基于该检测结果进行晶圆的输送。不过，由于上述的要求，还寻求精度更高地输送晶圆的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-64918号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
本实用新型是在这样的状况下做成的，其课题在于提供一种能够向模块的预定的位置精度较高地输送基板的技术。
用于解决问题的方案
本实用新型的基板输送装置的特征在于，
该基板输送装置具备：
基板保持部，其保持基板，为了从一个模块向另一个模块输送该基板，沿着横向移动自由；
第1检测部，其用于在所述基板保持部从所述一个模块接收所述基板之后、对在向所述另一个模块输送之前所述基板在该基板保持部中的位置进行检测；
第2检测部，其用于检测以要位于为了向另一个模块交接所述基板而设定好的暂定位置的方式进行了移动的所述基板保持部的实际位置与该暂定位置之间的错位；
位置决定部，其用于基于基板在所述基板保持部中的位置和所述错位来决定用于向所述另一个模块交接所述基板的交接位置。
优选的是，所述暂定位置由所述位置决定部基于所述基板在所述基板保持部中的位置设定，
该位置决定部基于所述错位将偏离了所述暂定位置的位置决定为所述交接位置。
优选的是，所述第2检测部是为了对基板保持部在彼此正交的两个水平轴线上的位置进行检测而设置的。
优选的是，所述第2检测部为了对所述基板保持部的位置进行检测而设置于所述另一个模块。
优选的是，所述第2检测部设置于在所述另一个模块开口的所述基板的输入口。
优选的是，所述第2检测部设置于所述基板保持部。
优选的是，所述第1检测部由多个传感器构成，该多个传感器分别用于在不同的位置对所述基板保持部所保持着的所述基板的周缘部的位置进行检测。
优选的是，所述另一个模块具备：
载置部，其保持所述基板的背面的中心部，并且使该基板旋转；
处理液供给喷嘴，其向旋转的所述基板的周缘部供给处理液而进行处理。
本实用新型的基板输送方法的特征在于，该基板输送方法具备如下工序：
为了从一个模块向另一个模块输送基板而使保持着该基板的基板保持部沿着横向移动的工序；
在所述基板保持部从所述一个模块接收了所述基板之后、利用第1检测部对在向所述另一个模块输送之前所述基板在该基板保持部中的位置进行检测的工序；
利用第2检测部检测以要位于为了向另一个模块交接所述基板而设定好的暂定位置的方式进行了移动的所述基板保持部的实际位置与该暂定位置之间的错位的工序；
利用位置决定部基于基板在所述基板保持部中的位置和所述错位来决定用于向所述另一个模块交接所述基板的交接位置的工序。
本实用新型的存储介质是存储有由基板保持部保持并输送基板的基板输送装置所使用的计算机程序的存储介质，其特征在于，
所述计算机程序编入有步骤组，以执行本实用新型的基板输送方法。
实用新型的效果
在本实用新型中，设置有：第1检测部，其用于对被基板保持部接收了的基板的位置进行检测；第2检测部，其用于检测以要位于为了向模块交接基板而设定好的暂定位置的方式进行了移动的基板保持部的实际位置与该暂定位置之间的错位，基于检测到的基板的位置和上述的错位来决定向模块交接基板的交接位置。因而，能够精度较高地向模块的预定的位置输送基板。
附图说明
图1是本实用新型的实施方式的涂敷、显影装置的单位模块的立体图。
图2是设置于所述单位模块的输送机构的俯视图。
图3是构成所述输送机构的保持部的俯视图。
图4是构成所述输送机构的晶圆检测部的立体图。
图5是设置于所述输送机构所移动的输送路径的传感器的俯视图。
图6是所述保持部和传感器的侧视图。
图7是所述保持部和传感器的侧视图。
图8是表示由所述保持部输送晶圆的情形的俯视图。
图9是表示由所述保持部输送晶圆的情形的俯视图。
图10是表示由所述保持部输送晶圆的情形的俯视图。
图11是所述涂敷、显影装置的俯视图。
图12是所述涂敷、显影装置的侧视图。
附图标记说明
F3、输送机构；W、晶圆；1、涂敷、显影装置；10、控制部；24、基座；25、叉状物；3、晶圆检测单元；30、晶圆检测用传感器；4、抗蚀剂膜形成模块；41、旋转卡盘；55、56、叉状物检测用传感器。
具体实施方式
使用图1的立体图来对构成作为基板处理装置的涂敷、显影装置1的单位模块E3进行说明，该涂敷、显影装置1装入有本实用新型的基板输送装置作为输送机构。单位模块E3具备作为圆形的基板的晶圆W的输送区域11，该输送区域11沿着横向呈直线状延伸。在该输送区域11的长度方向的一端侧设置有供晶圆W载置的交接模块TRS3，以便将该晶圆W向单位模块E3输入。将输送区域11的长度方向设为前后方向，将交接模块TRS3所设置的一端侧设为前方侧。出于方便，具有将前后的水平方向记载为Y方向的情况。另外，在以下的说明中，右侧、左侧设为从前方侧朝向后方侧观察时的右侧、左侧，出于方便，针对左右的水平方向，具有记载为X方向的情况。X方向、Y方向彼此正交。
在输送区域11的左侧，沿着前后方向配置有许多加热模块12，各加热模块12呈两层层叠。加热模块12具备热板，对载置到该热板的晶圆W进行加热处理。在输送区域11的右侧，沿着前后方向设置有两个抗蚀剂膜形成模块4。输送区域11的后方侧与相对于单位模块E3划分开的转接模块D3连接，在该转接模块D3设置有供晶圆W载置的交接模块TRS31，以便从单位模块E3输出该晶圆W。
在单位模块E3设置有晶圆W的输送机构F3。输送到交接模块TRS3的晶圆W被输送机构F3向抗蚀剂膜形成模块4输送而进行了液处理之后，输送到加热模块12而接受加热处理，进一步被向交接模块TRS31输送。图2是单位模块E3的俯视图，也一边参照该图2，一边进一步详细地说明输送机构F3。
输送机构F3具备前后驱动单元21、框架22、升降台23、基座24、两个叉状物25和晶圆检测单元3。前后驱动单元21设置于加热模块12的下方，使框架22沿着前后水平移动。框架22以包围升降台23的方式立起地设置，使该升降台23沿着铅垂方向升降。基座24设置于升降台23上，被升降台23绕铅垂轴线旋转。两个叉状物25以彼此上下重叠的方式设置于基座24上，基座24使这些叉状物25在基座24上的后退位置与前进位置之间各自独立地进退移动。以如此能够使各部移动的方式前后驱动单元21、框架22、升降台23以及基座24具备由马达、同步带和带轮构成的驱动机构。马达以随后论述的控制部10能够检测各部的位置的方式具备编码器。
图3是构成基板保持部的叉状物25的俯视图。两个叉状物25中的一个是为了从模块接收晶圆W而使用的，另一个是为了向模块交接晶圆W而使用的。叉状物25具备扁平的主体部，该主体部的顶端部从基部分成两叉而朝向该叉状物25的前进方向伸出，该主体部以包围晶圆W的侧周的方式构成为大致马蹄形状。支承晶圆W的背面的爪部26从该主体部突出有4个，在各爪部26形成有在支承着晶圆W的期间内吸引并保持该晶圆W的背面的吸引孔27。在为了将晶圆W向模块交接而基座24下降时，该吸引停止。另外，在叉状物25的基端侧，沿着与进退方向正交的方向隔开间隔地设置有两个贯通孔。前方侧的贯通孔、后方侧的贯通孔分别设为28A、28B。
也参照图4的立体图对晶圆检测单元3进行说明。该晶圆检测单元3具备：4个投光部31，其设置于各叉状物25的下方；4个受光部32，其设置于各叉状物25的上方；支承部33，其用于将投光部31和受光部32支承于基座24。1个投光部31和1个受光部32彼此成组，构成为1个透过型的光电传感器。将该投光部31和受光部32的组设为晶圆检测用传感器30，晶圆检测用传感器构成第1检测部。构成相同的组的投光部31和受光部32以从上下夹着被保持于位于后退位置的叉状物25的晶圆W的周缘部的方式设置，各组沿着晶圆W的周向隔开间隔地设置。
投光部31构成为，向上方照射光，图中的箭头表示其光路。受光部32由以从晶圆W的中心侧朝向外周侧的方式呈直线状配置的许多受光元件构成。针对从投光部31照射来的光，一部分被保持于上述的后退位置的叉状物25的晶圆W的周缘部遮挡，另一部分在晶圆W的侧方通过而向受光部32照射。因而，根据投光部31的正上方的晶圆W的周端的位置，受光部32中的光所照射的区域的大小、即接受光的受光元件的数量变化。受光部32将与光的照射区域的大小相应的检测信号向随后论述的控制部10发送。控制部10基于该检测信号对各受光部32的正上方的晶圆W的周端的各位置进行检测，根据检测到的各位置算出被保持到叉状物25的晶圆W的中心位置。
返回图2，对抗蚀剂膜形成模块4进行说明。图中附图标记41是旋转卡盘，通过对晶圆W的背面的中心部进行吸附，将该晶圆W水平地保持，并且，利用未图示的旋转机构旋转，使所保持着的晶圆W绕铅垂轴线旋转。旋转卡盘41沿着左右方向设置有两个。图中附图标记42是杯，以包围被保持于各旋转卡盘41的晶圆W的下方和侧方的方式设置有两个，抑制化学溶液的飞散。图中附图标记43是设置于各杯42内的、升降自由的3根升降销，在位于杯42上的叉状物25与旋转卡盘41之间交接晶圆W。
图中附图标记44是向铅垂下方喷出抗蚀剂的抗蚀剂喷出喷嘴，利用移动机构45使被保持到旋转卡盘41的晶圆W的中心部上和俯视观察的杯42的外侧区域之间移动，被两个杯42共用。图中附图标记46是向铅垂下方喷出作为抗蚀剂的溶剂的稀释剂的稀释剂喷出喷嘴，利用移动机构47在保持到旋转卡盘41的晶圆W的周缘部上与俯视观察的杯42的外侧区域之间移动。在该抗蚀剂膜形成模块4中，由抗蚀剂喷出喷嘴44向利用旋转卡盘41旋转的晶圆W的中心部喷出抗蚀剂，利用旋转涂敷在晶圆W的整个表面形成抗蚀剂膜，之后，从作为处理液供给喷嘴的稀释剂喷出喷嘴46向旋转的晶圆W的周缘部喷出稀释剂，不需要的抗蚀剂膜被呈环状去除。
抗蚀剂膜形成模块4具备从输送区域11将该抗蚀剂膜形成模块划分开的垂直的壁部48，防止在该抗蚀剂膜形成模块4中进行的上述的处理受到输送区域11中的气流的影响的情况。在壁部48，在各旋转卡盘41的上方开口有晶圆W的输送口49。在各输送口49的靠输送区域11侧的口缘部设置有投光部51、受光部52、投光部53以及受光部54。也参照作为表示这些投光部51、53和受光部52、54的俯视图的图5来进行说明。该图5也表示为了向旋转卡盘41交接晶圆W、经由输送口49进入到抗蚀剂膜形成模块4内的叉状物25。
投光部51和投光部53设置于输送口49的下方，受光部52和受光部54设置于输送口49的上方，投光部51和受光部52彼此成组，投光部53和受光部54彼此成组。对于这样成组的投光部、受光部，沿着上下方向配置，与上述的投光部31和受光部32的组同样地构成为1个透过型的光电传感器。将投光部51和受光部52设为叉状物检测用传感器55，将投光部53和受光部54设为叉状物检测用传感器56。这些叉状物检测用传感器55、56构成第2检测部。投光部51、53与投光部31同样地构成，向上方照射光。受光部52除了受光元件沿着Y方向排列之外，与受光部32同样地构成，受光部54除了受光元件沿着X方向排列之外，与受光部32同样地构成。
图6表示针对图5的叉状物25的A-A′向视截面，在图中以箭头示意性地表示由投光部51形成的光路。如该图6所示，投光部51配置为，向为了交接晶圆W而位于旋转卡盘41上的叉状物25的贯通孔28A和该贯通孔28A的前方侧(Y方向侧)的缘部照射光。根据贯通孔28A的前方侧的缘部的位置，受光部52的受光区域的大小不同，受光部52将与该受光区域的大小相应的信号向控制部10输出。控制部10能够基于该输出信号对上述的贯通孔28A的前方侧的缘部(以下简记为贯通孔28A的缘部)的Y方向上的位置进行检测。
图7表示针对图5的叉状物25的B-B′向视截面，在图中以箭头示意性地表示由投光部53形成的光路。如该图7所示，投光部53配置为，向为了交接晶圆W而位于旋转卡盘41上的叉状物25的贯通孔28B和该贯通孔28B的右侧(叉状物25的行进方向侧)的缘部照射光。根据贯通孔28B的右侧的缘部的位置，受光部54的受光区域的大小不同，受光部54将与该受光区域的大小相应的信号向控制部10输出。控制部10能够基于该输出信号对上述的贯通孔28B的右侧的缘部(以下简记为贯通孔28B的缘部)的X方向上的位置进行检测。如此叉状物检测用传感器55、56以能够对叉状物25在彼此正交的两个水平轴线上的位置进行检测的方式设置。
如图2所示，在涂敷、显影装置1设置有由计算机构成的控制部10。构成位置决定部的控制部10具有程序储存部。在该程序储存部储存有程序，该程序编入有命令，以便如随后论述那样能够进行晶圆W的输送，能够进行该晶圆W的处理。利用该程序，控制信号向构成涂敷、显影装置1的各部发送，实施那样的晶圆W的输送和处理。该程序由例如光盘、硬盘、MO(光磁盘)、存储卡等存储介质储存而被安装于控制部10。本领域技术人员应理解如何通过硬件(例如分立硬件元件、集成电路、基于门器件的数字电路、模拟电路元器件、可编程硬件器件(例如单片机、FPGA等)以及以上的任意组合构成的电路系统等)来实现上述位置决定部。
接下来，对晶圆W向抗蚀剂膜形成模块4的旋转卡盘41的输送的概要进行说明。用于向旋转卡盘41交接晶圆W的叉状物25的位置被预先设定，将该设定位置设为交接初始位置。更详细而言，作为交接初始位置，针对基座24上的叉状物25的前进位置和叉状物25的朝向进行预先设定。换言之，针对从设置于使叉状物25进退的基座24、使叉状物25和基座24旋转的升降台23分别含有的马达的编码器分别输出的脉冲数(编码器值)进行预先设定。针对如此预先设定好的基座24上的叉状物25的位置、叉状物25的朝向，分别设为前进设定位置、设定朝向。
在叉状物25中，在晶圆W被保持于预定的基准保持位置、且叉状物25位于该交接初始位置时，在旋转卡盘41上晶圆W的中心位于该旋转卡盘41的旋转轴线上。上述的图5表示叉状物25、晶圆W分别如此位于交接初始位置、基准位置的状态。在各图中，将保持于基准保持位置的情况的晶圆W的中心点表示为P0，将实际上保持的晶圆W的中心点表示为P1，将旋转卡盘41的旋转轴线表示为P2。此外，上述的叉状物25的朝向是从叉状物25的旋转中心观察的中心点P0的朝向。
在偏离基准保持位置而晶圆W保持于叉状物25的情况下，在将晶圆W向旋转卡盘41交接时，为了对该偏离进行补偿，以相对于上述的前进设定位置、设定朝向分别偏离的方式叉状物25移动。也就是说，以输出相对于预先设定好的编码器值偏离了与晶圆W的偏离相对应的量的编码器值的方式叉状物25移动。将该叉状物25移动后的位置设为交接的暂定位置。并且，贯通孔28A、28B的缘部的位置分别被叉状物检测用传感器55、56检测。检测该检测到的各缘部的位置、与考虑到使叉状物25从交接初始位置挪动到交接的暂定位置的针对各缘部应该检测的位置之间的偏离。也就是说，检测设定好的交接的暂定位置与实际的叉状物25的位置之间的错位。
并且，以该错位被消除的方式叉状物25的朝向从设定朝向进一步偏离，并且，基座24上的叉状物25的位置从前进设定位置进一步偏离。也就是说，以从上述的各编码器输出的编码器值从预先设定好的编码器值进一步偏离叉状物25的错位量的方式使叉状物25移动，在晶圆W的中心点P1位于旋转轴线P2上的状态下，进行晶圆W的交接。
作为上述的叉状物25的错位的原因，可列举出：由于对晶圆W进行处理的制程的变更，加热模块12的热板的温度变化而构成抗蚀剂膜形成模块4的框架由于热而伸缩；由于该温度变化而构成驱动输送机构F3的各部位的驱动机构的同步带伸缩；在输送机构F3的基座24水平移动期间内该基座24回转，从而由于惯性，该水平移动受到影响等。如上述那样错位被校正，从而能够防止由这样的各种原因导致的晶圆W的交接的异常的产生。
接下来，一边参照具体地表示叉状物25的动作的图8～图10、一边详细地说明晶圆W向抗蚀剂膜形成模块4的交接。在图8中，出于方便说明，在虚线的箭头的前头放大地表示包括晶圆W的中心点P0、P1的区域。另外，将在叉状物25的交接初始位置所检测的贯通孔28A的缘部的位置、贯通孔28B的缘部的位置分别设为缘部的基准位置。
首先，在基座24位于交接模块TRS3的跟前、叉状物25位于前进位置的状态下，基座24上升，晶圆W从交接模块TRS3向叉状物25交接而被保持于叉状物25。然后，叉状物25向后退位置移动，基于来自各晶圆检测用传感器30的检测信号算出晶圆W的中心点P1的位置，检测该中心点P1与保持于上述的基准保持位置的晶圆W的中心点P0之间的偏移量。作为该偏移量，具体而言，分别算出沿着将叉状物25的旋转中心和中心点P1连结的第1直线L1的水平方向的偏移量ΔX1、沿着与该第1直线正交的第2直线L2的水平方向的偏移量ΔY1(图8)。也就是说，检测晶圆W在叉状物25上的位置。
接下来，利用输送机构F3的前后驱动单元21，框架22向预定的位置移动。也就是说，以预定的编码器值从前后驱动单元21的马达输出的方式框架22移动。与该框架22的移动并行地叉状物25被设为设定朝向。然后，为了向旋转卡盘41上交接晶圆W，叉状物25的前进和叉状物25的旋转例如并行地进行。叉状物25的前进以该叉状物25位于从前进设定位置偏离了与偏移量ΔX1相对应的量的位置的方式进行，叉状物25的旋转以叉状物25朝向相对于设定朝向偏离了与偏移量ΔY1相对应的量而成的的朝向的方式进行。也就是说，以偏移量ΔX1、ΔY1被补偿而晶圆W的中心点P1与旋转卡盘41的旋转轴线P2一致的方式叉状物25移动到上述的交接的暂定位置而静止(图9)。
接下来，由叉状物检测用传感器55对叉状物25的贯通孔28A的缘部的位置进行检测，由叉状物检测用传感器56对叉状物25的贯通孔28B的缘部的位置进行检测。另一方面，针对贯通孔28A的缘部的基准位置，与从设定朝向变更了叉状物25的朝向的量、即与偏移量ΔY1相对应的量被校正，针对贯通孔28A的缘部取得为应该检测的位置。同样地，针对贯通孔28B的缘部的基准位置，与偏移量ΔX1相对应的量被校正，取得为针对贯通孔28B的缘部应该检测的位置。并且，针对贯通孔28A，算出应该检测的位置与检测到的位置之间的偏移量(设为ΔY2)，并且，针对贯通孔28B，算出应该检测的位置与检测到的位置之间的偏移量(设为ΔX2)。
然后，与ΔX2相对应的量的叉状物25的进退、与ΔY2相对应的量的叉状物25的旋转例如并行地进行，由此，叉状物25移动，以使晶圆W的中心点P1位于旋转卡盘41的旋转轴线P2上。也就是说，叉状物25从上述的交接的暂定位置向基于该暂定位置和偏移量ΔX2、ΔY2重新设定好的晶圆W的交接位置移动(图10)。以后，抗蚀剂膜形成模块4的升降销43上升，而晶圆W从叉状物25向该升降销43交接，然后依次进行叉状物25的后退、升降销43的下降，而晶圆W向旋转卡盘41交接。
此外，在上述的说明中进行了省略，但在叉状物25保持晶圆W而框架22移动到预先设定好的位置之后，在保持着晶圆W的叉状物25进行旋转和前进而向交接的暂定位置移动之前，利用没有保持晶圆W的状态的叉状物25的进退和升降销43的升降的协作，保持于旋转卡盘41的晶圆W向该叉状物25交接。另外，交接初始位置、基准保持位置、贯通孔28A、28B的缘部的基准位置、叉状物25相对于ΔX1、ΔX2的各大小的进退量、叉状物25相对于ΔY1、ΔY2的各大小的旋转量等为了进行上述的叉状物25的位置的校正所需要的数据预先储存于控制部10，基于该数据进行已述的叉状物25的动作的控制。
根据设置于该涂敷、显影装置1的输送机构F3，叉状物25上的保持有晶圆W的位置被晶圆检测单元3检测，基于其检测结果，该叉状物25以要位于为了向抗蚀剂膜形成模块4的旋转卡盘41交接晶圆W而从预先设定好的交接初始位置偏离了的交接的暂定位置的方式移动。并且，该叉状物25以基于由叉状物检测用传感器55、56检测的贯通孔28A、28B的缘部的位置而从交接的暂定位置进一步移动的方式被控制，而进行晶圆W的交接。因而，能够以晶圆W的中心点P1精度较高地与旋转卡盘41的旋转轴线P2一致的方式输送该晶圆W。作为结果，能够防止抗蚀剂膜形成模块4中抗蚀剂膜被稀释剂去除的宽度偏离设定值，因此，能够谋求晶圆W的成品率的提高。
在上述的例子中，使用叉状物检测用传感器55、56对叉状物25在水平面上彼此正交的两个方向上的错位分别进行检测，以对各方向的错位进行补偿的方式使叉状物25移动。不过，在使用例如叉状物检测用传感器55、56中的1个来对叉状物25在1方向上的错位进行检测、以该1方向的错位被消除的方式进行叉状物25的移动的情况下，也能够抑制上述的晶圆W的中心点P1与旋转轴线P2之间的偏离，因此，包含于本实用新型的保护范围。另外，对于叉状物检测用传感器55、56，并不限于设置于抗蚀剂膜形成模块4，也可以在输送区域11中设置于与抗蚀剂膜形成模块4分开的位置。也就是说，对于叉状物检测用传感器55、56，只要对叉状物25在用于向抗蚀剂膜形成模块4交接该晶圆W的移动路径上的位置进行检测即可，并不限于设置于抗蚀剂膜形成模块4，但优选的是，为了防止与输送机构F3之间的接触，如上述那样设置于抗蚀剂膜形成模块4。
不过，在上述的例子中，在输送口49的口缘部设置有叉状物检测用传感器55、56，但也可以设置于与口缘部稍微分开的位置、或设置于输送口49内。第2检测部设置于在模块开口的所述基板的输入口的情况并不限于在输送口49(输入口)内设置传感器55、56，包括如上述那样在口缘部及其附近设置传感器55、56。也就是说，包括以能够对位于输送口49内的叉状物25进行检测的方式在输送口49的附近设置叉状物检测用传感器55、56。
在上述的例子中，作为检测叉状物25的第2检测部，使用了由投光部和受光部构成的光电传感器，但既可以使用CCD(电荷耦合器件Charge Coupled Device)照相机来替代光电传感器，也可以利用该CCD照相机对叉状物25的贯通孔28A、28B进行检测，来对叉状物25的位置进行检测。在如此使用CCD照相机的情况下，也可以是，替代在叉状物25设置贯通孔28A、28B，而标注点、星号等标记，基于所拍摄的该标记的位置对叉状物25的位置进行检测。也就是说，该标记是用于对叉状物25的位置进行检测的记号。因而，并不限于在叉状物25形成贯通孔28A、28B。对于CCD照相机，也与叉状物检测用传感器55、56同样地，并不限于设置于抗蚀剂膜形成模块4，也可以是，在输送区域11中配置于与该抗蚀剂膜形成模块4分开的位置，以对在该输送区域11中移动的叉状物25进行拍摄的方式设置。而且，也可以是，将该CCD照相机设置于基座24来替代晶圆检测用传感器30，通过对被叉状物25保持着的晶圆W进行拍摄，对晶圆W在叉状物25中的位置进行检测。
不过，对于叉状物检测用传感器55、56，在叉状物25设置有受光部和投光部中的一个，在抗蚀剂膜形成模块4设置有投光部和受光部中的另一个。并且，也可以是，在如上述那样叉状物25移动到交接的暂定位置时从投光部向受光部进行光照射，能够基于受光部的受光量对叉状物25的错位进行检测。而且，将上述的CCD照相机设置于例如叉状物25的下表面，在抗蚀剂膜形成模块4的预定的位置标注有上述的标记。也可以是，在叉状物25移动到交接的暂定位置时，进行该标记的拍摄，基于所取得的图像中的标记的位置对叉状物25的错位进行检测。如此，作为第2检测部，也可以设置于叉状物25。另外，作为上述的标记，也可以不是标注于模块而是标注于输送区域11。
此外，作为叉状物25，设为通过绕铅垂轴线旋转来交接晶圆W的结构，也可以是，以位于基于晶圆W在叉状物25中的位置的暂定位置的方式叉状物25旋转而改变朝向，基于朝向变更了时的该位置与暂定位置之间的偏离而使叉状物25的朝向挪动，来进行晶圆W的交接。也就是说，旋转移动包含于叉状物的沿着横向的移动。
另外，对于晶圆检测用传感器30，也并不限于设置于基座24，也可以是，固定地设置于输送区域11的预定的位置，在保持着晶圆W的叉状物25向抗蚀剂膜形成模块4移动之前，向输送区域11的预定的位置移动，从而晶圆W在该叉状物25中的位置被检测。而且，在上述的输送例中，通过使叉状物25旋转来进行晶圆W的中心点P1相对于旋转卡盘41的旋转轴线P2的Y方向上的偏离的修正，但也可以使输送机构F3的框架22沿着Y方向移动而使叉状物25的Y方向的位置挪动来进行。
列举晶圆W相对于抗蚀剂膜形成模块4的交接为例来进行了说明，但作为输送目标的模块并不限于抗蚀剂膜形成模块4。也可以针对例如加热模块12进行上述的交接，在该情况下，在与加热模块12相对应的位置设置叉状物检测用传感器55、56，来进行叉状物25的检测。另外，优选的是，针对向旋转的晶圆W的周缘部供给处理液而进行处理的模块进行上述那样的输送控制，但作为该处理液，并不限于稀释剂。既可以是例如用于在晶圆W的周缘部局部地成膜的抗蚀剂，也可以是用于对晶圆W的周缘部局部地进行清洗的清洗液。
表示与在图8～图10中进行了说明的输送方法不同的输送方法。首先，叉状物25从交接模块TRS3接收晶圆W，若在图8中进行了说明的晶圆W的中心点P0、P1的偏移量ΔX1、ΔY1被检测，则与该偏移量ΔX1、ΔY1无关，使晶圆W移动，以使其位于交接初始位置。该移动后的位置成为交接的暂定位置。之后，利用叉状物检测用传感器55、56对贯通孔28A的缘部、贯通孔28B的缘部的位置进行检测，分别取得贯通孔28A的缘部的基准位置与实际上检测到的缘部的位置之差(设为ΔY3)、贯通孔28B的缘部的基准位置与实际上检测到的缘部的位置之差(设为ΔX3)。
并且，也可以是，以ΔX1和ΔX3的合计被补偿的方式使基座24上的叉状物25进退，并且以ΔY1和ΔY3的合计被补偿的方式使叉状物25旋转，从而对叉状物25的位置进行校正，来使晶圆W的中心点P1与旋转卡盘41的旋转轴线P2一致。不过，在如在图8～图10中说明那样进行输送的情况下，在叉状物25不错位的情况下，交接的暂定位置成为交接位置。即不使叉状物25从交接的暂定位置运动就能够在该位置将晶圆W向抗蚀剂膜形成模块4交接，因此，能够防止生产率的降低，因此优选。另外，对于在图8～图10中说明的方法，对晶圆W位于实际上交接的位置的跟前的状态的叉状物25的错位进行检测，因此，能够更准确地对叉状物25的位置进行修正，以使晶圆W的中心点P1与旋转卡盘41的旋转轴线P2一致。
接下来，一边参照图11的俯视图和图12的纵剖侧视图一边对涂敷、显影装置1的整体的结构进行说明。涂敷、显影装置1是将承载模块D1、处理模块D2、转接模块D3沿着前后方向呈直线状连接而构成的。在转接模块D3连接有曝光装置D4。承载模块D1将承载件C相对于涂敷、显影装置1内输入输出，具备：承载件C的载置台61；开闭部62；输送机构63，其用于经由开闭部62从承载件C输送晶圆W。
处理模块D2是对晶圆W进行液处理的单位模块E1～E6从下方依次层叠而构成的，在这些单位模块E1～E6中彼此并行地进行晶圆W的输送和处理。单位模块E1、E2彼此同样地构成，单位模块E3、E4彼此同样地构成，单位模块E5、E6彼此同样地构成。
单位模块E1、E2、E5、E6除了向晶圆W供给的化学溶液不同之外，与单位模块E3、E4同样地构成。单位模块E1、E2具备向晶圆W供给防反射膜形成用的化学溶液的防反射膜形成模块来替代抗蚀剂膜形成模块4。单位模块E5、E6具备向晶圆W供给显影液作为化学溶液而对抗蚀剂膜进行显影的显影模块来替代抗蚀剂膜形成模块4。在图12中，将各单位模块E1～E6的输送机构表示为F1～F6。
在处理模块D2的承载模块D1侧设置有：塔T1，其跨各单位模块E1～E6地上下延伸；升降自由的输送机构64，其用于针对塔T1进行晶圆W的交接。塔T1由彼此层叠起来的多个模块构成，具备供晶圆W载置的交接模块TRS。
转接模块D3具备跨单位模块E1～E6而上下延伸的塔T2、T3、T4，设置有：升降自由的输送机构65，其用于针对塔T2和塔T3进行晶圆W的交接；升降自由的输送机构66，其用于针对塔T2和塔T4进行晶圆W的交接；输送机构67，其用于在塔T2与曝光装置D4之间进行晶圆W的交接。
塔T2是交接模块TRS、使曝光处理前的多张晶圆W储存而滞留的缓冲模块、储存曝光处理后的多张晶圆W的缓冲模块、以及进行晶圆W的温度调整的温度调整模块SCPL等彼此层叠而构成的，其中，省略缓冲模块和温度调整模块的图示。在塔T1、T2分别设置有在图1中所示的交接模块TRS3、TRS31。此外，在塔T3、T4也分别设置有模块，但在此省略说明。
对由该涂敷、显影装置1和曝光装置D4构成的系统中的晶圆W的输送路径进行说明。晶圆W从承载件C被输送机构63向处理模块D2中的塔T1的交接模块TRS0输送。晶圆W被从该交接模块TRS0向单位模块E1、E2分配而被输送。在例如将晶圆W向单位模块E1交接的情况下，晶圆W从上述的交接模块TRS0向塔T1的交接模块TRS中的、与单位模块E1相对应的交接模块TRS1(由输送机构F1可进行晶圆W的交接的交接模块)交接。另外，在将晶圆W向单位模块E2交接的情况下，晶圆W从所述交接模块TRS0向塔T1的交接模块TRS中的、与单位模块E2相对应的交接模块TRS2交接。这些晶圆W的交接可由输送机构64进行。
如此分配后的晶圆W按照交接模块TRS1(TRS2)→防反射膜形成模块→加热模块12→交接模块TRS1(TRS2)的顺序被输送，接下来，被输送机构64向与单位模块E3相对应的交接模块TRS3和与单位模块E4相对应的交接模块TRS4分配。
如此分配到交接模块TRS3、TRS4的晶圆W从交接模块TRS3(TRS4)如已述那样在单位模块E3(E4)内输送而接受处理，被向塔T2的交接模块TRS31(TRS41)输送。之后，该晶圆W被输送机构65、67经由塔T3向曝光装置D4输入，抗蚀剂膜被曝光。
曝光后的晶圆W被输送机构66、67在塔T2、T4之间输送，向与单位模块E5、E6相对应的塔T2的交接模块TRS51、TRS61分别输送。然后，晶圆W被向加热模块12输送而被加热。进行所谓的曝光后烘烤(PEB)。接下来，晶圆W被向显影模块输送而被供给显影液，形成抗蚀剂图案。之后，在晶圆W被向塔T1的交接模块TRS5、TRS6输送了之后，借助输送机构63被返回承载件C。
本实用新型并不限于被适用于上述的单位模块E3的输送机构F3，也能够适用于设置于涂敷、显影装置1的其他输送机构。而且，本实用新型并不限于被适用于设置于涂敷、显影装置内的基板输送装置(基板输送机构)，也可以适用于基板处理装置所包含的晶圆W的输送装置，该基板处理装置具备：清洗模块，其用于清洗晶圆W；涂敷模块，其在晶圆W涂敷化学溶液，以便形成绝缘膜；处理模块，其将用于粘接晶圆W的粘接剂涂敷于晶圆W等。作为所输送的基板，也不限于晶圆W，也可以是例如平板显示器的制造所使用的玻璃基板。如此，本实用新型并不限于上述的实施方式，可进行适当变更、组合。

Claims (16)

1.一种基板输送装置，其特征在于，
该基板输送装置具备：
基板保持部，其保持基板，为了从一个模块向另一个模块输送该基板而沿着横向移动自由；
第1检测部，其用于在所述基板保持部从所述一个模块接收了所述基板之后、对在向所述另一个模块输送之前所述基板在该基板保持部中的位置进行检测；
第2检测部，其用于检测以要位于为了向另一个模块交接所述基板而设定好的暂定位置的方式进行了移动的所述基板保持部的实际位置与该暂定位置之间的错位；
位置决定部，其用于基于基板在所述基板保持部中的位置和所述错位来决定用于向所述另一个模块交接所述基板的交接位置。
2.根据权利要求1所述的基板输送装置，其特征在于，
所述暂定位置由所述位置决定部基于所述基板在所述基板保持部中的位置设定，
该位置决定部基于所述错位将偏离了所述暂定位置的位置决定为所述交接位置。
3.根据权利要求1或2所述的基板输送装置，其特征在于，
所述第2检测部是为了对基板保持部在彼此正交的两个水平轴线上的位置进行检测而设置的。
4.根据权利要求1或2所述的基板输送装置，其特征在于，
所述第2检测部为了对所述基板保持部的位置进行检测而设置于所述另一个模块。
5.根据权利要求4所述的基板输送装置，其特征在于，
所述第2检测部设置于在所述另一个模块开口的所述基板的输入口。
6.根据权利要求1或2所述的基板输送装置，其特征在于，
所述第2检测部设置于所述基板保持部。
7.根据权利要求1或2所述的基板输送装置，其特征在于，
所述第1检测部由多个传感器构成，该多个传感器分别用于在不同的位置对所述基板保持部所保持着的所述基板的周缘部的位置进行检测。
8.根据权利要求1或2所述的基板输送装置，其特征在于，
所述另一个模块具备：
载置部，其保持所述基板的背面的中心部，并且使该基板旋转；
处理液供给喷嘴，其向旋转的所述基板的周缘部供给处理液而进行处理。
9.根据权利要求1或2所述的基板输送装置，其特征在于，
所述第1检测部为由投光部和受光部构成的光电传感器，基于所述受光部的受光区域的大小检测位置。
10.根据权利要求1或2所述的基板输送装置，其特征在于，
所述第2检测部为由投光部和受光部构成的光电传感器，基于所述受光部的受光区域的大小检测位置。
11.根据权利要求1或2所述的基板输送装置，其特征在于，
在所述基板保持部设置有贯通孔，
所述第2检测部对所述贯通孔的位置进行检测。
12.根据权利要求11所述的基板输送装置，其特征在于，
所述贯通孔设置于所述基板保持部的基端侧。
13.根据权利要求11所述的基板输送装置，其特征在于，
所述贯通孔设有两个。
14.根据权利要求1或2所述的基板输送装置，其特征在于，
所述基板保持部为叉状物。
15.根据权利要求14所述的基板输送装置，其特征在于，
所述叉状物具备扁平的主体部，该主体部的顶端部从基部分成两叉而朝向该叉状物的前进方向伸出，该主体部以包围所述基板的侧周的方式构成为大致马蹄形状。
16.根据权利要求15所述的基板输送装置，其特征在于，
从所述主体部突出有多个支承所述基板的爪部，在各爪部形成有在支承着所述基板的期间内吸引并保持所述基板的吸引孔。
CN201820264171.9U 2017-02-23 2018-02-23 基板输送装置 Active CN207883669U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-031948 2017-02-23
JP2017031948A JP6862903B2 (ja) 2017-02-23 2017-02-23 基板搬送装置、基板搬送方法及び記憶媒体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN207883669U true CN207883669U (zh) 2018-09-18

Family

ID=63167369

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810155440.2A Pending CN108511379A (zh) 2017-02-23 2018-02-23 基板输送装置、基板输送方法以及存储介质
CN201820264171.9U Active CN207883669U (zh) 2017-02-23 2018-02-23 基板输送装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810155440.2A Pending CN108511379A (zh) 2017-02-23 2018-02-23 基板输送装置、基板输送方法以及存储介质

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10879100B2 (zh)
JP (2) JP6862903B2 (zh)
KR (1) KR102438590B1 (zh)
CN (2) CN108511379A (zh)
TW (1) TWI765961B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108511379A (zh) * 2017-02-23 2018-09-07 东京毅力科创株式会社 基板输送装置、基板输送方法以及存储介质

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110463374B (zh) * 2017-03-30 2021-03-05 株式会社富士 对基板作业机
CN111066380B (zh) * 2017-09-08 2021-04-23 株式会社富士 对基板作业机
JP7105629B2 (ja) * 2018-06-20 2022-07-25 東京エレクトロン株式会社 自動教示方法及び制御装置
CN109192681B (zh) * 2018-09-01 2022-05-31 佛山市美特智能科技有限公司 芯片的快速柔性制造系统
JP7008609B2 (ja) * 2018-10-18 2022-01-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び搬送位置補正方法
JP7303648B2 (ja) * 2019-03-20 2023-07-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理装置における対象物の搬送方法
KR102240925B1 (ko) * 2019-07-17 2021-04-15 세메스 주식회사 기판 처리 설비 및 기판 반송 장치
US11295975B2 (en) * 2019-09-13 2022-04-05 Brooks Automation Us, Llc Method and apparatus for substrate alignment
WO2021181924A1 (ja) * 2020-03-13 2021-09-16 村田機械株式会社 グリッパ装置、搬送車、及び搬送方法
JP7482689B2 (ja) 2020-06-03 2024-05-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR102617398B1 (ko) 2020-08-13 2023-12-26 세메스 주식회사 기판 반송 장치, 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
TWI825613B (zh) * 2022-03-08 2023-12-11 權亞石材股份有限公司 花崗岩牙叉

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0714908A (ja) * 1993-06-23 1995-01-17 Nec Corp 基板搬送装置
US5742393A (en) * 1995-06-07 1998-04-21 Varian Associates, Inc. Optical position calibration system
JPH11254359A (ja) * 1998-03-12 1999-09-21 Toyota Autom Loom Works Ltd 部材搬送システム
JP4696373B2 (ja) * 2001-02-20 2011-06-08 東京エレクトロン株式会社 処理システム及び被処理体の搬送方法
US7008802B2 (en) * 2001-05-29 2006-03-07 Asm America, Inc. Method and apparatus to correct water drift
JP2009218622A (ja) * 2009-06-29 2009-09-24 Canon Anelva Corp 基板処理装置及び基板処理装置における基板位置ずれ補正方法
JP5614326B2 (ja) 2010-08-20 2014-10-29 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5516482B2 (ja) * 2011-04-11 2014-06-11 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法、基板搬送装置、及び塗布現像装置
CN106965554B (zh) * 2012-01-02 2018-12-21 穆特拉茨国际有限公司 喷墨系统
JP6076884B2 (ja) * 2013-11-19 2017-02-08 東京エレクトロン株式会社 剥離システム
WO2017011581A1 (en) * 2015-07-13 2017-01-19 Brooks Automation, Inc. On the fly automatic wafer centering method and apparatus
JP6862903B2 (ja) * 2017-02-23 2021-04-21 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法及び記憶媒体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108511379A (zh) * 2017-02-23 2018-09-07 东京毅力科创株式会社 基板输送装置、基板输送方法以及存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
TWI765961B (zh) 2022-06-01
JP2018137383A (ja) 2018-08-30
KR20180097459A (ko) 2018-08-31
US20180240695A1 (en) 2018-08-23
US10879100B2 (en) 2020-12-29
CN108511379A (zh) 2018-09-07
TW201842616A (zh) 2018-12-01
JP2021103790A (ja) 2021-07-15
JP7136254B2 (ja) 2022-09-13
JP6862903B2 (ja) 2021-04-21
KR102438590B1 (ko) 2022-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN207883669U (zh) 基板输送装置
CN103247560B (zh) 基板处理装置和基板处理方法
KR101790447B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN105489537B (zh) 基板搬送装置的位置调整方法以及基板处理装置
KR101139180B1 (ko) 기판 반송 방법 및 기판 반송 장치
JP5516482B2 (ja) 基板搬送方法、基板搬送装置、及び塗布現像装置
KR101485216B1 (ko) 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
US8403601B2 (en) Substrate transfer apparatus and substrate treatment system
JP6285275B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6184102B2 (ja) 位置合わせ装置および基板処理装置
JP2005011853A (ja) 基板処理装置及び基板搬送手段の位置合わせ方法
JP2006351751A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP4665037B2 (ja) 基板処理システム
TW201921116A (zh) 基板位置調整方法、記憶媒體及基板處理系統
CN111009460A (zh) 基板处理装置和检查方法
KR20100090643A (ko) 기판 처리 시스템
JP2010192685A (ja) 基板搬送装置及び基板処理システム
JP2003031640A (ja) 基板処理装置
CN207388587U (zh) 一种替代光刻工艺的印刷设备
JP2010192688A (ja) 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2010109102A (ja) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP2005191303A (ja) 現像処理方法及び現像処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant