CN207517674U - 一种具有内凹结构的引线框架 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及引线框架技术领域，尤其涉及一种具有内凹结构的引线框架，由若干个并排设置的框架体组成，所述框架体包括PAD区和LEAD TIP区，所述PAD区所处的平面与所述LEAD TIP区所处的平面平行，且存在高度差，令所述PAD区形成内凹结构。本实用新型的发明目的在于提供一种具有内凹结构的引线框架，采用本实用新型提供的技术方案解决了现有引线框架存在封装体容易开裂、存在弧高问题以及存在冲丝和焊丝外露的技术问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及引线框架技术领域，尤其涉及一种具有内凹结构的引线框架。
背景技术
引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。
图1所示为现有引线框架，其中PAD为基岛、载体；LEAD TIP为脚仔顶端；TRIMMING为封装后的切筋工艺；BENT LEAD为封装后折弯工艺；MOLDING为塑封、封装；W/B为压焊。其PAD区与LEAD TIP区处于同一平面上，在TRIMMING&BENT LEAD过程中，封装体容易造成开裂；W/B弧度控制范围小，需跨越压焊的特殊产品W/B存在弧高问题；在MOLDING过程中存在冲丝问题，以及焊丝外露问题。
实用新型内容
本实用新型的发明目的在于提供一种具有内凹结构的引线框架，采用本实用新型提供的技术方案解决了现有引线框架存在封装体容易开裂、存在弧高问题以及存在冲丝和焊丝外露的技术问题。
为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种具有内凹结构的引线框架，由若干个并排设置的框架体组成，所述框架体包括PAD区和LEAD TIP区，所述PAD区所处的平面与所述LEAD TIP区所处的平面平行，且存在高度差，令所述PAD区形成内凹结构。
优选的，所述PAD区与所述LEAD TIP区之间的高度差为0.165±0.025mm。
优选的，在所述PAD区与所述LEAD TIP区之间存在过渡斜坡。
优选的，所述过渡斜坡与所述PAD区所处的平面之间的夹角为60°。
优选的，所述PAD区的宽度为4.4±0.102mm。
本实用新型将PAD区与LEAD TIP区分为高度不同的平面，令PAD区形成内凹结构，改善封装应力集中PAD与LEAD TIP的同一平面上，防止TRIMMING&BENT LEAD时封装体开裂；封装芯片可正常减薄，芯片强度得到保障；增大了W/B弧度控制范围，解决需跨越压焊的特殊产品W/B时弧高问题；减少了MOLDING时冲丝问题，避免了由于跨越压焊的特殊产品W/B时，焊丝位置，高MOLDING后焊丝外露问题。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有引线框架结构示意图；
图2为本实用新型实施例结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
现有引线框架，其PAD区与LEAD TIP区处于同一平面上，在TRIMMING&BENT LEAD过程中，封装体容易造成开裂；W/B弧度控制范围小，需跨越压焊的特殊产品W/B存在弧高问题；在MOLDING过程中存在冲丝问题，以及焊丝外露问题。
如图2所示，本实施例公开了一种具有内凹结构的引线框架，由若干个并排设置的框架体组成，其中框架体包括PAD区10和LEAD TIP区20。
为了解决上述技术问题，PAD区10所处的平面与LEAD TIP区20所处的平面平行，且存在高度差，令PAD区10形成内凹结构。在PAD区10与LEADTIP区20之间存在过渡斜坡30。
具体的，PAD区10和LEAD TIP区20组成的区域的厚度均为0.203±0.008mm；PAD区10与LEAD TIP区20之间的高度差为0.165±0.025mm。
另外，过渡斜坡30与PAD区10所处的平面之间的夹角为60°；PAD区10的宽度为4.4±0.102mm。
本实施例提供的具有内凹结构的引线框架，其将PAD区10与LEAD TIP区20分为高度不同的平面，令PAD区10形成内凹结构，改善封装应力集中PAD与LEAD TIP的同一平面上，防止TRIMMING&BENT LEAD时封装体开裂；封装芯片可正常减薄，芯片强度得到保障；增大了W/B弧度控制范围，解决需跨越压焊的特殊产品W/B时弧高问题；减少了MOLDING时冲丝问题，避免了由于跨越压焊的特殊产品W/B时，焊丝位置，高MOLDING后焊丝外露问题。
以上所述的实施方式，并不构成对该技术方案保护范围的限定。任何在上述实施方式的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在该技术方案的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种具有内凹结构的引线框架，由若干个并排设置的框架体组成，所述框架体包括PAD区和LEAD TIP区，其特征在于：所述PAD区所处的平面与所述LEAD TIP区所处的平面平行，且存在高度差，令所述PAD区形成内凹结构。
2.根据权利要求1所述的一种具有内凹结构的引线框架，其特征在于：所述PAD区与所述LEAD TIP区之间的高度差为0.165±0.025mm。
3.根据权利要求2所述的一种具有内凹结构的引线框架，其特征在于：在所述PAD区与所述LEAD TIP区之间存在过渡斜坡。
4.根据权利要求3所述的一种具有内凹结构的引线框架，其特征在于：所述过渡斜坡与所述PAD区所处的平面之间的夹角为60°。
5.根据权利要求4所述的一种具有内凹结构的引线框架，其特征在于：所述PAD区的宽度为4.4±0.102mm。
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