CN206907754U - 一种ic封装用载板 - Google Patents

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CN206907754U CN201720412519.XU CN201720412519U CN206907754U CN 206907754 U CN206907754 U CN 206907754U CN 201720412519 U CN201720412519 U CN 201720412519U CN 206907754 U CN206907754 U CN 206907754U
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何忠亮
郭秋卫
丁华
朱争鸣
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Shenzhen Dinghua Xintai Technology Co.,Ltd.
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ACCELERATED PRINTED CIRCUIT INDUSTRIAL Co Ltd
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Abstract

本实用新型公开一种IC封装用载板,包括有一合金铝基片,所述合金铝基片上依次设计有种子铜层、底电极、电镀铜层、顶电极,所述电镀铜层修饰有有机金属转化膜。本实用新型可解决线宽设计,布线设计以及孤岛电极设计自由性的缺点,可显著增加集成电路封装I/0数,另外,通过顶电极和底电极之间的电镀铜表面黑色氧化或棕色氧化,大大增强了与封装树脂材料的结合,提升封装散热能力与封装电路可靠性。

Description

一种IC封装用载板
技术领域
本实用新型涉及封装用电路板领域技术,尤其是涉及一种IC封装用载板。
背景技术
集成电路产业是信息化社会的基础性和先导性产业,集成电路封装测试是整个产业链中的重要一环,表面贴装技术 (SMT)是目前广泛采用的中高端封装技术,也是许多先进封装技术的基础。
方形扁平无引脚封装(Quad Flat No-lead Package,QFN)技术是一种重要的集成电路封装工艺,具有表面贴装式封装,焊盘尺寸小、体积小、占有PCB区域小、元件厚度薄、非常低的阻抗、自感,可满足高速或者微波的应用等优点。由于底部中央的大面积裸露焊盘被焊接到PCB的散热焊盘上,使得QFN具有极佳的电和热性能。但缺点在于QFN中部向四周连续布线,线宽受限于铜厚、且难以设计孤岛电极,增加I/0数会带来的生产成本和可靠性问题,限制了芯片和PCB板的设计自由度。
发明内容
针对现有技术的不足,本实用新型提出了一种IC封装用载板,解决线宽设计,布线设计以及孤岛电极设计自由性的缺点,可显著增加集成电路封装I/0数,另外,通过顶电极和底电极之间的铜表面黑氧化或棕氧化,大大增强了与封装树脂材料的结合,提升封装散热能力与封装电路可靠性
为实现上述目的,本实用新型采用如下之技术方案:包括有一合金铝基片,所述合金铝基片上依次设置有种子铜层、底电极、电镀铜层、顶电极,所述电镀铜层修饰有有机金属转化膜。
作为一种优选方案,所述合金铝基片优选2系铝片、3系铝片、5系铝片、6系铝片、7系铝片。
作为一种优选方案,所述种子铜层,其厚度大于5纳米,可由真空镀铜层或真空镀铜层和电镀加厚层组成。
作为一种优选方案,所述底电极优选金、镍、银、钯或其合金。
作为一种优选方案,所述电镀铜层,其厚度大于25微米。
作为一种优选方案,所述顶电极优选金、银、钯或其合金。
作为一种优选方案,所述有机金属转化膜优选棕色氧化膜或黑色氧化膜。
方案可知:
本实用新型相比于目前的QFN封装工艺,保留了原有QFN的优势,同时解决线宽设计,布线设计以及孤岛电极设计自由性的缺点,可显著增加集成电路封装I/0数,另外,通过顶电极和底电极之间的电镀铜表面黑色氧化或棕色氧化,大大增强了与封装树脂材料的结合,提升封装散热能力与封装电路可靠性。
附图说明
图1是本实用新型金属镀层结构示意图。1-合金铝基片;2-种子铜层;3-底电极;4-电镀铜层;5-顶电极。
图2 是本实用新型工艺流程图。
具体实施方式
为使本实用新型采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚,下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型,而非对本实用新型的限定。另外还需说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部内容。
实施例1:
在3系合金铝基片1 上真空溅镀铜,得到其铜厚大于5纳米的种子铜层;在种子铜层2 上贴覆聚丙烯酸酯干膜,通过曝光图形转移,形成所需线路图形;在未覆盖聚丙烯酸酯干膜的种子铜层2 上镀3μm厚的银作为底电极3 ,在银底电极3 上继续电镀40μm的电镀铜层4 ;在电镀铜层上4 再镀3μm银作为顶电极5 ,金属层侧面结构如图1所示。去除聚丙烯酸酯干膜,将全部材料浸入硫酸-过氧化氢棕氧化溶液中使得种子铜层2 表面生成有机金属转化膜,按设计要求成型得到所需载板的外形。在芯片邦定在载板顶电极5 上后灌注环氧封装树脂材料,最后,将合金铝基片1 及种子铜层2 以氢氧化钠溶液+硫酸溶液完全腐蚀掉露出银底电极3 完成封装。工艺流程如图2所示。
实施例2:
在3系合金铝基片1 上真空溅镀铜,再通过硫酸铜镀铜得到其铜厚大于5微米的种子铜层2 ;在种子铜层2 上涂覆聚丙烯酸酯湿膜,通过曝光图形转移,形成所需线路图形;在未覆盖聚丙烯酸酯湿膜的种子铜层2 上镀0.1μm厚的金,金上丙电镀15um的镍,形成底电极3 ,在底电极3 上继续电镀40μm的电镀铜层4 ;在电镀铜层上4 再镀0.1μm金作为顶电极5 ,金属层侧面结构如图1所示。去除聚丙烯酸酯湿膜,将全部材料浸入硫酸-过氧化氢棕氧化溶液中使得种子铜层2 表面生成有机金属转化膜,按设计要求成型得到所需载板的外形。在芯片邦定在载板顶电极5 上后灌注环氧封装树脂材料,最后,将合金铝基片1 及种子铜层2 以氢氧化钠溶液+硫酸溶液完全腐蚀掉露出银底电极3 完成封装。工艺流程如图2所示。
实施例3:
在6系合金铝基片1 上真空溅镀铜,得到其铜厚大于5纳米的种子铜层;在种子铜层2 上贴覆聚丙烯酸酯干膜,通过曝光图形转移,形成所需线路图形;在未覆盖聚丙烯酸酯干膜的种子铜层2 上镀3μm厚的银作为底电极3 ,在银底电极3 上继续电镀40μm的电镀铜层4 ;在电镀铜层上4 再镀3μm银作为顶电极5 ,金属层侧面结构如图1所示。去除聚丙烯酸酯干膜,将全部材料浸入硫酸-过氧化氢棕氧化溶液中使得种子铜层2 表面生成有机金属转化膜,按设计要求成型得到所需载板的外形。在芯片邦定在载板顶电极5 上后灌注环氧封装树脂材料,最后,将合金铝基片1 及种子铜层2 以氢氧化钠溶液+硫酸溶液完全腐蚀掉露出银底电极3 完成封装。工艺流程如图2所示。
上述内容仅为本实用新型的较佳实施例。本领域技术人员会理解,本实用新型不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明,但是本实用新型不仅仅限于以上实施例,在不脱离本实用新型构思的情况下,还可以包括更多其它等效实施例,而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (7)

1.一种IC封装用载板,其特征在于:包括有一合金铝基片,所述合金铝基片上依次设置有种子铜层、底电极、电镀铜层、顶电极,所述电镀铜层侧面有有机金属转化膜。
2.根据权利要求1 所述的一种IC封装用载板,其特征在于,所述合金铝基片为2系铝片、3系铝片或5系铝片。
3.根据权利要求1 所述的一种IC封装用载板,其特征在于:所述种子铜层,其厚度大于5纳米,可由真空镀铜层或真空镀铜层和电镀加厚层组成。
4.根据权利要求1 所述的一种IC封装用载板,其特征在于,所述底电极为金、镍、银、钯或合金。
5.根据权利要求1 所述的一种IC封装用载板,其特征在于:所述电镀铜层厚度大于25微米。
6.根据权利要求1 所述的一种IC封装用载板,其特征在于,所述顶电极为金、银、钯或合金。
7.根据权利要求1 所述的一种IC封装用载板,其特征在于,所述有机金属转化膜为棕色氧化膜或黑色氧化膜。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107146774A (zh) * 2017-04-19 2017-09-08 深圳市环基实业有限公司 一种ic封装用载板及其封装工艺

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