CN206179858U - 一种dfn0603 88排双芯高密度引线框架 - Google Patents
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- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 30
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种半导体制造技术，具体涉及一种DFN0603 88排双芯高密度引线框架，包括用于承装芯片的矩形的框架，所述框架上设有多个芯片安装单元，所述芯片安装单元与DFN0603的封装结构相适应，在该框架上设有与其短边平行的分区槽，将框架均分为两个芯片安装区域。该引线框架将分区槽由3条变为1条，即将框架均分为两个芯片安装区域，且在每个芯片安装区域中布置与DFN0603封装结构相适应的芯片安装单元，节约出更多用于布置芯片安装单元的框架面积，提高材料利用率、节约生产成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体制造技术，特别是一种DFN0603 88排双芯高密度引线框架。
背景技术
通常，将多个半导体芯片合并到单个的半导体封装结构中来使用，而不是将其单独使用，为了制造包括有多个半导体的单个半导体封装结构，就需要使用引线框架。
引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑的载体，作为导电介质内外连接芯片电路而形成电信号通路，并与封装外壳一同向外散发芯片工作时产生的热量，构成散热通道，它是一种借助于键合金丝实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。芯片封装形式为DFN0603（DFN是小型电子元器件的芯片封装单元型号,单芯引线框架表示其单个芯片封装单元内设置有一个放置晶体管的芯片槽，0603表示单个芯片安装单元的尺寸为长0.6mm、宽0.3mm）时，要在相同的引线框架尺寸布置更多的芯片，就需要对布置形式进行合理的设计，才能提高材料的利用率。
随着制造工艺的进步，现在已设计出DFN0603 84排引线框架，将框架均分成4个区域进行芯片安装单元的布置，在长度为250mm、宽度为70mm的框架上能布置45696个芯片安装单元，使得框架的利用率得到了一定的提高，但想要更进一步地提高材料利用率，节约生产成本，就需要对芯片安装单元的设计布置进行进一步的改进设计。
实用新型内容
本实用新型的发明目的在于：针对现有引线框架对于封装形式为DFN0603的芯片安装单元布置设计，对框架的利用率还不够高、不能节约成产成本的问题，提供一种DFN0603 88排双芯高密度引线框架，该引线框架将分区槽由3条变为1条，节约出更多用于布置芯片安装单元的框架面积，提高材料利用率、节约生产成本。
为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：
一种DFN0603 88排双芯高密度引线框架，包括用于承装芯片的矩形的框架，所述框架上设有多个芯片安装单元，所述芯片安装单元与DFN0603的封装结构相适应，在该框架上设有与其短边平行的分区槽，将框架均分为两个芯片安装区域。
该引线框架将分区槽由3条变为1条，即将框架均分为两个芯片安装区域，且在每个芯片安装区域中布置与DFN0603封装结构相适应的芯片安装单元，节约出更多用于布置芯片安装单元的框架面积，提高材料利用率、节约生产成本。
作为本实用新型的优选方案，所述框架长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm。
作为本实用新型的优选方案，在每个芯片安装区域内均布置有88排、300列芯片安装单元。这样的布置，在该框架上就能布置88*300*2=52800个芯片安装单元，相对于之前将框架均分为四个区域、布置45696个芯片安装单元的结构，在相同尺寸的框架上就能多布置7104个，使得框架的密度增加15.5%，增加框架的利用率，降低生产成本。
作为本实用新型的优选方案，所述芯片安装单元的短边与框架的长边平行布置。DFN0603封装结构的芯片安装单元的尺寸为0.6*0.3mm的尺寸，在每个芯片安装区与内布置88排、300列芯片安装单元时，芯片安装单元需要的框架尺寸为：长：300*0.3*2=180mm，宽：88*0.6=52.8mm，远远小于250*70mm的框架尺寸，给芯片安装单元之间的切割间隙以及框架的边框预留出了足够的尺寸，满足布置需求。
作为本实用新型的优选方案，相邻的芯片安装单元之间的间距为0.08mm±0.025。将芯片安装单元之间的间距设置为0.08mm，整个框架上需要的间隙尺寸为，长：299*0.08*2=47.84mm，宽：87*0.08=6.96，框架的尺寸满足布置需求。
作为本实用新型的优选方案，在框架的边框和芯片安装区域之间还设有多个切割定位槽，包括横向切割定位槽和竖向切割定位槽。
作为本实用新型的优选方案，所述切割定位槽为矩形，且切割定位槽与芯片安装单元平行布置，使得切割定位槽的边与芯片安装单元上的切割线相对应。
在框架的边框和芯片安装单元的安装区之间设置切割定位槽，便于芯片的定位切割，并且切割定位槽设置成矩形、与芯片安装单元平行布置，再让切割定位槽的边与芯片安装单元上的切割线相对应设置，在芯片封装完成后，利用切割定位槽的定位来进行芯片安装单元的切割分离，切割准确、方便快捷。
作为本实用新型的优选方案，所述切割定位槽的数量与靠近框架的芯片安装单元数量对应。
作为本实用新型的优选方案，所述框架的边框上还预留有型号打印区。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：
1、该引线框架将分区槽由3条变为1条，即将框架均分为两个芯片安装区域，且在每个芯片安装区域中布置与DFN0603封装结构相适应的芯片安装单元，节约出更多用于布置芯片安装单元的框架面积，提高材料利用率、节约生产成本；
2、在每个芯片安装区域内均布置有88排、300列芯片安装单元，该框架上就能布置88*300*2=52800个芯片安装单元，相对于之前将框架均分为四个区域、布置45696个芯片安装单元的结构，在相同尺寸的框架上就能多布置7104个，使得框架的密度增加15.5%，增加框架的利用率，降低生产成本；
3、DFN0603封装结构的芯片安装单元的尺寸为0.6*0.3mm的尺寸，在每个芯片安装区与内布置88排、300列芯片安装单元时，芯片安装单元需要的框架尺寸为：长：300*0.3*2=180mm，宽：88*0.6=52.8mm，远远小于250*70mm的框架尺寸，给芯片安装单元之间的切割间隙以及框架的边框预留出了足够的尺寸，满足布置需求；
4、在框架的边框和芯片安装单元的安装区之间设置切割定位槽，便于芯片的定位切割，并且切割定位槽设置成矩形、与芯片安装单元平行布置，再让切割定位槽的边与芯片安装单元上的切割线相对应设置，在芯片封装完成后，利用切割定位槽的定位来进行芯片安装单元的切割分离，切割准确、方便快捷。
附图说明
图1是本实用新型DFN0603 88排双芯高密度引线框架的结构示意图。
图2为图1中一个芯片布置区的结构示意图。
图3为图2中的A部放大图。
图4图3中的B部放大图。
图中标记：1-框架，101-分区槽，102-型号打印区，103-横向切割定位槽，104-竖向切割定位槽，2-芯片安装单元，201-第一芯片安装区，202-第二芯片安装区，3-边框。
具体实施方式
下面结合附图，对本实用新型作详细的说明。
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
实施例1
如图1至图4所示，本实施例的DFN0603 88排双芯高密度引线框架包括用于承装芯片的矩形的框架1，所述框架1上设有多个芯片安装单元2，所述芯片安装单元2与DFN0603的封装结构相适应，在该框架1上设有与其短边平行的分区槽101，将框架1均分为两个芯片安装区域。
该引线框架将分区槽由3列变为1列，即将框架均分为两个芯片安装区域，且在每个芯片安装区域中布置与DFN0603封装结构相适应的芯片安装单元，节约出更多用于布置芯片安装单元的框架面积，提高材料利用率、节约生产成本。
本实施例中，所述框架1长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm。
进一步地，在每个芯片安装区域内均布置有88排、300列芯片安装单元2。这样的布置，在该框架上就能布置88*300*2=52800个芯片安装单元，相对于之前将框架均分为四个区域、布置45696个芯片安装单元的结构，在相同尺寸的框架上就能多布置7104个，使得框架的密度增加15.5%，增加框架的利用率，降低生产成本。
更进一步地，所述芯片安装单元2的短边与框架1的长边平行布置DFN0603封装结构的芯片安装单元的尺寸为0.6*0.3mm的尺寸，在每个芯片安装区与内布置88排、300列芯片安装单元时，芯片安装单元需要的框架尺寸为：长：300*0.3*2=180mm，宽：88*0.6=52.8mm，远远小于250*70mm的框架尺寸，给芯片安装单元之间的切割间隙以及框架的边框预留出了足够的尺寸，满足布置需求。
本实施例中，相邻的芯片安装单元2之间的间距为0.08mm。将芯片安装单元之间的间距设置为0.08mm，整个框架上需要的间隙尺寸为，长：299*0.08*2=47.84mm，宽：87*0.08=6.96，框架的尺寸满足布置需求。
本实施例中，如图1和图2所示，在框架1上设置的分区结构为多个分区槽101沿框架1的竖向布置，单个分区槽101的尺寸为：长8.5mm、宽1mm，本实施例设置有6个分区槽101，在框架1上成列布置。
实施例2
如图1至图4所示，根据实施例1所述的引线框架，本实施例中，在框架1的边框3和芯片安装区域之间还设有多个切割定位槽，包括横向切割定位槽103和竖向切割定位槽104。
进一步地，所述切割定位槽为矩形，且切割定位槽与芯片安装单元2平行布置，使得切割定位槽的边与芯片安装单元2上的切割线相对应。
在框架的边框和芯片安装单元的安装区之间设置切割定位槽，便于芯片的定位切割，并且切割定位槽设置成矩形、与芯片安装单元平行布置，再让切割定位槽的边与芯片安装单元上的切割线相对应设置，在芯片封装完成后，利用切割定位槽的定位来进行芯片安装单元的切割分离，切割准确、方便快捷。
更进一步地，为了更好地实现后续芯片安装单元的分隔，所述切割定位槽的数量与靠近框架1的芯片安装单元2的数量对应。
如图1和图2所示，本实施例的框架1的边框上还预留有型号打印区102。
实施例3
如图3和图4所示，根据实施例1和实施例2所述的引线框架，本实施例的芯片安装单元2内设置有两个芯片安装区，分别为第一芯片安装区201和第二芯片安装区202。双芯布置的芯片安装单元，在框架上布置52800个芯片安装单元的基础上，可布置105600个芯片，大大提高材料利用率。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种DFN0603 88排双芯高密度引线框架，包括用于承装芯片的矩形的框架，所述框架上设有多个芯片安装单元，其特征在于，所述芯片安装单元与DFN0603的封装结构相适应，在该框架上设有与其短边平行的分区槽，将框架均分为两个芯片安装区域, 在框架的边框和芯片安装区域之间还设有多个切割定位槽，包括横向切割定位槽和竖向切割定位槽，所述框架的边框上还预留有型号打印区。
2.根据权利要求1所述的DFN0603 88排双芯高密度引线框架，其特征在于，所述框架长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm。
3.根据权利要求2所述的DFN0603 88排双芯高密度引线框架，其特征在于，在每个芯片安装区域内均布置有88排、300列芯片安装单元。
4.根据权利要求3所述的DFN0603 88排双芯高密度引线框架，其特征在于，所述芯片安装单元的短边与框架的长边平行布置。
5.根据权利要求3所述的DFN0603 88排双芯高密度引线框架，其特征在于，相邻的芯片安装单元之间的间距为0.08mm±0.025。
6.根据权利要求1-5之一所述的DFN0603 88排双芯高密度引线框架，其特征在于，所述切割定位槽为矩形，且切割定位槽与芯片安装单元平行布置，使得切割定位槽的边与芯片安装单元上的切割线相对应。
7.根据权利要求6所述的DFN0603 88排双芯高密度引线框架，其特征在于，所述切割定位槽的数量与靠近框架的芯片安装单元数量对应。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201621004025.XU CN206179858U (zh) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | 一种dfn0603 88排双芯高密度引线框架 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201621004025.XU CN206179858U (zh) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | 一种dfn0603 88排双芯高密度引线框架 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN206179858U true CN206179858U (zh) | 2017-05-17 |
Family
ID=60240140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201621004025.XU Expired - Fee Related CN206179858U (zh) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | 一种dfn0603 88排双芯高密度引线框架 |
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| CN (1) | CN206179858U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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