CN205959979U - 一种sod323he高密度引线框架 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种半导体制造技术，具体涉及一种SOD323HE 高密度引线框架，包括用于承装芯片的矩形的框架，所述框架上设有多个芯片安装单元，在框架上布置有36排、42列芯片安装单元，所述芯片安装单元2列为一组布置，同一组内的2列芯片安装单元共用一个框架安装区域，所述芯片安装单元与SOD323HE的封装结构相适应。该框架将2列芯片安装单元为一组进行布置，且同一组内的2列芯片安装单元共用一个框架安装区域，节省框架的安装空间，进而提高材料的利用率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体封装技术，特别是一种SOD323HE高密度引线框架。
背景技术
通常，将多个半导体芯片合并到单个的半导体封装结构中来使用，而不是将其单独使用，为了制造包括有多个半导体的单个半导体封装结构，就需要使用引线框架。
引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑的载体，作为导电介质内外连接芯片电路而形成电信号通路，并与封装外壳一同向外散发芯片工作时产生的热量，构成散热通道，它是一种借助于键合金丝实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。芯片封装形式为SOD323HE（SOD是小型电子元器件的芯片封装单元型号，323表示封装后单个芯片的引脚为2个，且封装后的单个芯片封装部为立方体形结构，其中安装芯片的芯片安装部的尺寸为长1.9mm、宽1.25mm）时，SOD323HE的封装形式主要用于稳压二极管，其封装结构较为复杂，由于传统的芯片封装工艺技术限制，要在相同的引线框架尺寸布置更多的芯片，就显得较为困难，使得材料的利用率不高。
因此，有必要针对SOD323HE引线框架的结构特点进行改进，以提高其引线框架的利用率，节约生产成本。
实用新型内容
本实用新型的发明目的在于：针对现有SOD323HE的引线框架受传统封装工艺技术的限制，造成框架利用率不高的问题，提供一种SOD323HE 高密度引线框架，该框架将2列芯片安装单元为一组进行布置，且同一组内的2列芯片安装单元共用一个框架安装区域，节省框架的安装空间，进而提高材料的利用率。
为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：
一种SOD323HE 高密度引线框架，包括用于承装芯片的矩形的框架，所述框架上设有多个芯片安装单元，在框架上布置有36排、42列芯片安装单元，所述芯片安装单元2列为一组布置，同一组内的2列芯片安装单元共用一个框架安装区域，所述芯片安装单元与SOD323HE的封装结构相适应。
该SOD323HE 高密度引线框架在框架上设置多个与SOD323HE封装结构相适应的芯片安装单元，并将2列芯片安装单元为一组进行布置，且同一组内的2列芯片安装单元共用一个框架安装区域，可大大节省框架的安装空间，使得芯片安装单元的布置数量更多，进而提高材料的利用率。
作为本实用新型的优选方案，所述框架包括底框架和顶框架，所述底框架和顶框架上分别对应设置芯片承载部和芯片封盖部，将底框架和顶框架组合后，芯片承载部和芯片封盖部组成芯片安装单元。框架结构包括底框架和顶框架，底框架上设置芯片承载部、在顶框架上对应设置芯片封盖部，组成符合SOD323HE封装需求的芯片安装单元。
作为本实用新型的优选方案，所述芯片安装单元的长边与框架的长边平行布置。芯片安装单元的主体形状为矩形体，让芯片安装单元的长边与框架的长边平行布置，规则布置的芯片安装单元便于更好地利用框架面积，提高材料利用率。
作为本实用新型的优选方案，所述底框架为平板型结构，底框架上包括21列用于布置芯片承载部的芯片承载条，在芯片承载条上布置有2列芯片承载部，2列芯片承载部之间的距离为L。
作为本实用新型的优选方案，相邻的芯片承载条之间设有分隔槽，所述分隔槽与框架的短边平行布置。
作为本实用新型的优选方案，所述顶框架包括21列的与底框架上芯片承载条对应设置的芯片盖条，在每条芯片盖条两侧分别延伸出36个芯片盖板，所述芯片盖板与芯片承载部对应设置。
作为本实用新型的优选方案，所述芯片盖条与同列芯片承载条上的2列芯片承载部之间的距离L相适应。
将底框架设置为平板结构，在底框架上设21列芯片承载条，并将2列芯片承载部设置在同一芯片承载条上，在同一芯片承载条上的2列芯片承载部之间预留的距离与芯片盖条的尺寸相适应设置，而对应设置的顶框架上设21列芯片盖条，在一条芯片盖条上设置2列芯片盖板，使得顶框架与底框架组合后，芯片盖条对应地安装在芯片承载条上，且芯片盖板与芯片承载部组合后形成芯片安装单元，在整个框架上形成1512个芯片安装单元，大大提高框架上布置芯片安装单元的密度，提高框架材料的有效利用率。
作为本实用新型的优选方案，所述芯片盖板从芯片盖条板侧边延伸时折弯向上延伸，使得芯片盖板相对于芯片盖条板面形成间隙。使得芯片盖板和芯片承载部组合时，芯片盖板和芯片承载部之间的间隙与芯片安装的空间需求相适应。
作为本实用新型的优选方案，所述框架的长为252±0.05mm，宽为73±0.04mm。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：
1、该SOD323HE 高密度引线框架在框架上设置多个与SOD323HE封装结构相适应的芯片安装单元，并将2列芯片安装单元为一组进行布置，且同一组内的2列芯片安装单元共用一个框架安装区域，可大大节省框架的安装空间，使得芯片安装单元的布置数量更多，进而提高材料的利用率；
2、框架结构包括底框架和顶框架，底框架上设置芯片承载部、在顶框架上对应设置芯片封盖部，组成符合SOD323HE封装需求的芯片安装单元；
3、将底框架设置为平板结构，在底框架上设21列芯片承载条，并将2列芯片承载部设置在同一芯片承载条上，在同一芯片承载条上的2列芯片承载部之间预留的距离与芯片盖条的尺寸相适应设置，而对应设置的顶框架上设21列芯片盖条，在一条芯片盖条上设置2列芯片盖板，使得顶框架与底框架组合后，芯片盖条对应地安装在芯片承载条上，且芯片盖板与芯片承载部组合后形成芯片安装单元，在整个框架上形成1512个芯片安装单元，大大提高框架上布置芯片安装单元的密度，提高框架材料的有效利用率。
附图说明
图1是本实用新型SOD323HE高密度框架的结构示意图。
图2为图1的侧向视图。
图3为图1中A部放大图。
图4为图3的俯视图。
图5图1中底框架的结构示意图。
图6图5中D部放大图。
图7为图6中的F部放大图。
图8为图1中顶框架的结构示意图。
图9为图8的侧向视图。
图10为图中的B部放大图。
图11为图10中的C部放大图。
图12为图11的俯视图。
图中标记：1-框架，101-底框架，1011-芯片承载条，1012-分隔槽，1013-芯片承载部，102-顶框架，1021-芯片盖条，1022-封装定位孔，1023-横向凸起部，1024-芯片盖板，2-芯片安装单元。
具体实施方式
下面结合附图，对本实用新型作详细的说明。
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
实施例1
如图1至图12所示，本实施例的SOD323HE 高密度引线框架包括用于承装芯片的矩形的框架1，所述框架1上设有多个芯片安装单元2，在框架1上布置有36排、42列芯片安装单元，所述芯片安装单元2列为一组进行布置，同一组内的2列芯片安装单元共用一个框架安装区域，所述芯片安装单元2与SOD323HE的封装结构相适应。
该SOD323HE 高密度引线框架在框架上设置多个与SOD323HE封装结构相适应的芯片安装单元，并将2列芯片安装单元为一组进行布置，且同一组内的2列芯片安装单元共用一个框架安装区域，可大大节省框架的安装空间，使得芯片安装单元的布置数量更多，进而提高材料的利用率。
进一步地，所述芯片安装单元2的长边与框架1的长边平行布置。芯片安装单元的主体形状为矩形体，让芯片安装单元的长边与框架的长边平行布置，规则布置的芯片安装单元便于更好地利用框架面积，提高材料利用率。
本实施例具体是通过以下方案实现2列芯片安装单元共用一个框架安装区域的，本实施例中，所述框架1包括底框架101和顶框架102，所述底框架101和顶框架102上分别对应设置芯片承载部和芯片封盖部，将底框架和顶框架组合后，芯片承载部和芯片封盖部组成芯片安装单元2。框架结构包括底框架和顶框架，底框架上设置芯片承载部、在顶框架上对应设置芯片封盖部，组成符合SOD323HE封装需求的芯片安装单元。
进一步地，所述底框架101为平板型结构，底框架101上包括21列用于布置芯片承载部的芯片承载条1011，在芯片承载条1011上布置有2列芯片承载部1013，2列芯片承载部1013之间的距离为L。
进一步地，相邻的芯片承载条1011之间设有分隔槽1012，所述分隔槽1012与框架1的短边平行布置。
进一步地，所述顶框架102包括21列的与芯片承载条1011对应设置的芯片盖条1021，在每条芯片盖条1021两侧分别延伸出36个芯片盖板1024，所述芯片盖板1024与芯片承载部1013对应设置。
更进一步地，所述芯片盖条1021的宽度与同列芯片承载条1011上的2列芯片承载部1013之间的距离L相适应。本实施例中，平板结构的底框架101上为安装顶框架102预留的宽度为L的空间，刚好能将芯片盖条1021布置在芯片承载条1011上，且使得芯片盖板1024盖于芯片承载部1013上方，形成芯片安装单元的结构。
将底框架设置为平板结构，在底框架上设21列芯片承载条，并将2列芯片承载部设置在同一芯片承载条上，在同一芯片承载条上的2列芯片承载部之间预留的距离与芯片盖条的尺寸相适应设置，而对应设置的顶框架上设21列芯片盖条，在一条芯片盖条上设置2列芯片盖板，使得顶框架与底框架组合后，芯片盖条对应地安装在芯片承载条上，且芯片盖板与芯片承载部组合后形成芯片安装单元，在整个框架上形成1512个芯片安装单元，大大提高框架上布置芯片安装单元的密度，提高框架材料的有效利用率。
实施例2
根据实施例1所述的SOD323HE 高密度引线框架，本实施例的芯片盖板1024从芯片盖条1021板侧边折弯向上延伸，使得芯片盖板1024与芯片盖条1021板面平行，使其与芯片盖条1021之间形成间隙。这样的设置使得芯片盖板和芯片承载部组合时，芯片盖板和芯片承载部之间的间隙与芯片安装的空间需求相适应。
进一步地，所述框架1的长为252±0.05mm，宽为73±0.04mm。与现有主流框架尺寸相同的尺寸。
更进一步地，如图8-图10所示，本实施例中的顶框架102上还设有2条横向凸起部1023，将框架1均分为3个单元；同时，如图5和图6所示，在底框架101上，与顶框架的横向凸起部1023对应地留有两条横向的间隙部。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种SOD323HE 高密度引线框架，包括用于承装芯片的矩形的框架，所述框架上设有多个芯片安装单元，其特征在于，在框架上布置有36排、42列芯片安装单元，所述芯片安装单元2列为一组布置，同一组内的2列芯片安装单元共用一个框架安装区域，所述芯片安装单元与SOD323HE的封装结构相适应。
2. 根据权利要求1所述的SOD323HE 高密度引线框架，其特征在于，所述框架包括底框架和顶框架，所述底框架和顶框架上分别对应设置芯片承载部和芯片封盖部，将底框架和顶框架组合后，芯片承载部和芯片封盖部组成芯片安装单元。
3. 根据权利要求2所述的SOD323HE 高密度引线框架，其特征在于，所述芯片安装单元的长边与框架的长边平行布置。
4. 根据权利要求2所述的SOD323HE 高密度引线框架，其特征在于，所述底框架为平板型结构，底框架上包括21列用于布置芯片承载部的芯片承载条，在芯片承载条上布置有2列芯片承载部。
5. 根据权利要求4所述的SOD323HE 高密度引线框架，其特征在于，相邻的芯片承载条之间设有分隔槽，所述分隔槽与框架的短边平行布置。
6. 根据权利要求4所述的SOD323HE 高密度引线框架，其特征在于，所述顶框架包括21列的与芯片承载条对应设置的芯片盖条，在每条芯片盖条两侧分别延伸出36个芯片盖板，所述芯片盖板与芯片承载部对应设置。
7. 根据权利要求6所述的SOD323HE 高密度引线框架，其特征在于，所述芯片盖条与同列芯片承载条上的2列芯片承载部之间的距离L相适应。
8. 根据权利要求7所述的SOD323HE 高密度引线框架，其特征在于，所述芯片盖板从芯片盖条板侧边延伸时折弯向上延伸，使得芯片盖板相对于芯片盖条板面形成间隙。
9. 根据权利要求1-8之一所述的SOD323HE 高密度引线框架，其特征在于，所述框架的长为252±0.05mm，宽为73±0.04mm。
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