CN207474451U - 一种引线框架 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供引线框架，包括：引线框架本体，所述引线框架本体包括至少两个引线框架单元，相邻的引线框架单元之间相互连接；各所述引线框架单元包括至少三个间隔设置的芯片基岛，各所述芯片基岛沿所述引线框架本体的长度方向并排设置，每个所述芯片基岛用于设置芯片。采用该引线框架制造的封装结构工作时产生的热量可以较快地散发，可改善封装结构的散热效果。

Description

一种引线框架

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种引线框架。

背景技术

封装结构主要包括设置在绝缘壳体内的芯片、芯片基岛和引脚等，用于制造封装结构的引线框架包括多个用于设置芯片的芯片基岛和引脚。芯片设置在芯片基岛上，引脚用于将芯片的内部电路引出端引出，以通过引脚将芯片与外部线路或外部装置连接。

封装结构内的芯片工作时会发热，由于设置在引线框架的芯片基岛上的各芯片之间的连接方式相对固定，封装结构的尺寸也是固定的，采用现有引线框架的制造的封装结构的散热空间受到制约，因此，散热效果不佳。

实用新型内容

针对现有技术中的问题，本实用新型的提供一种引线框架，所述引线框架包括：

引线框架本体，所述引线框架本体包括至少两个引线框架单元，相邻的引线框架单元之间相互连接；

所述引线框架单元包括至少三个间隔设置的芯片基岛，各所述芯片基岛沿所述引线框架本体的长度方向并排设置，每个所述芯片基岛用于设置芯片。

可选的，所述芯片基岛其中一端延伸出第一引脚。

可选的，所述引线框架单元还包括沿所述引线框架本体的宽度方向分离设置且相互间隔的第一引脚和第二引脚。

可选的，所述分离设置的所述第一引脚和第二引脚分别设置在沿所述长度方向靠近所述引线框架单元一侧边缘的所述芯片基岛的两侧。

可选的，所述引线框架单元沿所述长度方向靠近所述引线框架单元另一侧边缘的所述芯片基岛的另一端还延伸出第二引脚。

可选的，所述引线框架单元还包括：分离设置的上连接片和下连接片；

所述分离设置的第一引脚和第二引脚分别由所述上连接片和下连接片的一端延伸形成。

可选的，所述上连接片和下连接片分别设置在沿所述长度方向靠近所述引线框架单元一侧边缘的所述芯片基岛的两侧。

可选的，各所述第一引脚均位于所述引线框架单元的第一侧且平行设置，各所述第二引脚均位于所述引线框架单元的与所述第一侧相对的第二侧且平行设置。

可选的，所述引线框架本体还包括多个第一连接筋，各所述第一连接筋均沿所述长度方向设置，相邻的所述第一引脚之间通过所述第一连接筋相连。

可选的，所述引线框架本体还包括多个第二连接筋，各所述第二连接筋均所述长度方向设置，相邻的所述第二引脚之间通过所述第二连接筋相连。

可选的，所述引线框架本体在相邻的引线框架单元之间沿所述长度方向延伸出第三连接筋，相邻的引线框架单元之间通过所述第三连接筋相互连接。

可选的，位于中间位置的所述芯片基岛的面积最大，沿所述长度方向靠近所述引线框架单元另一侧边缘的所述芯片基岛的面积最小，自中间位置分别向所述长度方向的两侧各所述芯片基岛的面积递减。

可选的，面积最小的所述芯片基岛的面积与所述绝缘壳体的横截面积的比值大于等于20％，面积最大的所述芯片基岛与面积最小的所述芯片基岛的面积比值小于等于1.8。

可选的，所述芯片基岛上设置有对穿孔。

可选的，所述芯片基岛上还设置有凹槽，所述凹槽围绕二极管的位置设置。

可选的，所述每个所述芯片基岛用于设置的芯片包括二极管、三极管、MOS管或者集成电路芯片中的一种或多种。

基于上述技术方案，该引线框架中每个引线框架单元中的各芯片基岛沿引线框架本体长度方向并排设置，且每个芯片基岛上均用于设置有芯片，与现有的引线框架中设置N+1个芯片基岛，而其中一个芯片基岛不用于设置芯片相比，可节省芯片基岛沿引线框架本体的长度方向所需要占用的空间，有效利用引线框架的长度方向的空间，增加各芯片基岛之间的间隔距离，增加各芯片基岛的面积，可以增大设置在各芯片基岛上的芯片之间的间隔距离。因此，采用该引线框架制造的封装结构工作时产生的热量可以较快地散发，改善封装结构的散热效果。

附图说明

图1为本实用新型一种实施方式中的引线框架的平面结构示意图；

图2为图1中局部放大图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。下面参考附图详细描述本实用新型的各实施方式。

相关技术中的引线框架，引线框架本体通常包括并排的N+1芯片基岛，其中，N个芯片基岛上用于设置有一芯片，一个芯片基岛作为连接片不安装芯片，由于产品规格的要求，芯片的封装结构的尺寸是固定，封装结构内各芯片之间的连接方式也相对固定，现有的用于制造封装结构的引线框架中，可安装芯片的芯片基岛设计不合理，可安装芯片的芯片基岛的面积相对较小，各芯片基岛之间的间隔距离小，因此，散热效果不佳。

为此，本实用新型实施例提供一种引线框架，包括：

引线框架本体，所述引线框架本体包括至少两个引线框架单元，相邻的引线框架单元之间相互连接；

所述引线框架单元包括至少三个间隔设置的芯片基岛，各芯片基岛沿引线框架本体的长度方向并排设置，每个芯片基岛用于设置芯片。

引线框架本体通常为导电金属材料制作，引线框架本体材料可根据产品需要的性能，例如，强度、导电性能和导热性能等进行选择。

引线框架本体可包括多个引线框架单元，每个引线框架单元通常具有相同的结构，并且，相邻的引线框架单元之间相互连接。

封装结构为一种集成电路元件，主要包括芯片、芯片基岛和引脚等，芯片设置在芯片基岛上，引脚用于将芯片的内部电路引出端引出，以通过引脚将芯片与外部线路或外部装置连接。

本实施例的引线框架可用于制造封装结构，每个引线框架单元中的各芯片基岛可作为一个封装结构中的各芯片基岛。

芯片为具有相关功率器件或电路的裸片(Die)，芯片基岛用于放置芯片，芯片基岛可以作为承接芯片的载体，芯片可以为各种类型的芯片，例如，二极管、三极管片、MOS管或者集成电路芯片。

各芯片基岛上可以分别设置一个芯片或者每个芯片基岛上设置多个芯片，并且，每个芯片基岛上也可设置两种或者多种不同类型的芯片，本实用新型对此并不限定。

本实施例中，该引线框架中每个引线框架单元中的各芯片基岛沿引线框架本体长度方向并排设置，且每个芯片基岛上均用于设置有芯片，与现有的引线框架中设置N+1个芯片基岛，而其中一个芯片基岛不用于设置芯片相比，可节省芯片基岛沿引线框架本体的长度方向所需要占用的空间，有效利用引线框架的长度方向的空间，增加各芯片基岛之间的间隔距离，增加各芯片基岛的面积，可以增大设置在各芯片基岛上的芯片之间的间隔距离。因此，采用该引线框架制造的封装结构工作时产生的热量可以较快地散发，改善封装结构的散热效果。

在一个可选的实施方式中，各芯片基岛其中一端延伸出各第一引脚。

本实施例中，芯片基岛直接延伸形成第一引脚，芯片基岛与第一引脚一体形成可节省所需占用的空间，因此，可进一步的增加各芯片基岛之间的间隔距离，提高散热速度，改善散热效果。

下面通过图1和图2对本实用新型又一实施例提供的引线框架进行描述：

图1所示为本实用新型实施例提供的一种引线框架的平面示意图，图2所示为图1中的局部结构放大图；如图1和图2所示，该引线框架包括：

引线框架本体1，引线框架本体1包括三个引线框架单元10(图1中虚线框内的部分)，相邻的引线框架单元10之间相互连接；

引线框架单元10包括三个间隔设置的芯片基岛11，各芯片基岛11沿引线框架本体1的长度方向(如图1中沿横向的双箭头线的方向)并排设置，每个芯片基岛11用于承载芯片(图中未示出)；

芯片基岛11其中一端延伸出第一引脚12；

引线框架单元10还包括沿引线框架本体1的宽度方向(如图1中沿纵向的双箭头线的方向)分离设置的第一引脚12和第二引脚13，分离设置的第一引脚12和第二引脚13分别设置在沿长度方向靠近引线框架单元一侧边缘的芯片基岛11的两侧。

如图1所示，分离设置的第一引脚12和第二引脚13分别设置在图中所示的最左侧的芯片基岛11的两侧，关于该第一引脚12和第二引脚13的设置位置，可以根据与该两个引脚相连接的外部线路或外部装置的连接位置进行调整，例如，也可以将第一引脚12和第二引脚13分别设置在图1中所示的其他芯片基岛11的两侧，或者第一引脚12设置在其中一个芯片基岛11一侧，第二引脚13设置在另一个芯片基岛11的另一侧，或者第一引脚12设置在其中一个芯片基岛11一侧，第二引脚13设置在另一个芯片基岛11的一侧。

图1中引线框架包括三个引线框架单元，由于每个引线框架单元的结构相同，因此，图1中仅标识了最左侧的引线框架单元中的各结构。当然，引线框架可以包括其他数量的引线框架单元，本实用新型对此并不限定。

需要注意的是，图1中最右侧的引线框架单元与其他两个引线框架单元的结构是相同的，但该引线框架单元中示出了在引线框架单元上设置有封装结构的绝缘壳体30的结构，由于设置在绝缘壳体内的部分被覆盖，所以该引线框架单元中的部分结构被遮挡。

本实施例中，分离设置的第一引脚和第二引脚沿引线框架本体的宽度方向设置，因此，不占用长度方向上的空间，这样在将各芯片基岛沿长度方向并排设置时，可以进一步增加各芯片基岛之间的间隔距离。同时，可以增大设置在各芯片基岛上的二极管芯片之间的间隔距离，由于上述间隔距离增加，可以较更的快地散发各二极管芯片工作时产生的热量，因此，进一步可以改善采用该引线框架制造的二极管芯片的封装结构的散热效果。

在一个可选的实施方式中，引线框架单元沿长度方向靠近引线框架单元另一侧边缘的芯片基岛的另一端还延伸出第二引脚。

参照图1所示，每个引线框架单元10在沿引线框架本体1的长度方向靠近该引线框架单元10另一侧边缘的芯片基岛11，例如，图中所示各引线框架单元10中最右侧的芯片基岛11，还延伸出一第二引脚13。

在实际应用中，由于各第一引脚和各第二引脚作为接口，用于与外部线路或者外部装置连接，需要根据与外部线路或者外部装置的连接位置设置各第一引脚和第二引脚的排列方式和间隔距离等。

本实施例提供的引线框架结构，各芯片基岛优选的用于放置二极管，当将二极管设置在芯片基岛上时，可将二极管的一面(例如，作为阴极的正面)与芯片基岛电连接，二极管的另一面(例如，作为阳极的正面)通过金属片与对应的引脚连接，这样，各第一引脚和各第二引脚可以直接作为二极管的阴极引脚和阳极引脚。

需要说明的是，上述各第一引脚和各第二引脚与芯片基岛上设置的芯片类型有关，各引脚的具体类型因芯片基岛上设置的芯片类型不同也会不同，例如，当芯片基岛上设置有三极管时，各第一引脚和各第二引脚具体可包括基极引脚、发射极引脚和集电极引脚三种类型的引脚；当芯片基岛上设置MOS管时，各第一引脚和各第二引脚具体可包括栅极引脚、源极引脚和漏极引脚。

在一些可选的实施方式中，如图1所示，每个引线框架单元10的各第一引脚12均位于引线框架单元10的第一侧且平行设置(如图1中引线框架单元10的上侧)且平行设置，各第二引脚13均位于引线框架单元10的与第一侧相对的第二侧(如图1中引线框架单元10的下侧)且平行设置。

上述的各第一引脚可作为汇流带焊接引脚，用于与外部线路接线端子或者外部装置的汇流带连接，各第二引脚可作为电缆线引脚用于与外部电缆线连接。

需要说明的是，上述实施例中的第一引脚和第二引脚是根据引脚所在的位置和作用进行划分的，也可以根据其他方式划分各引脚，例如，将引脚划分为阴极引脚和阳极引脚，本实施例对此并不限定。

在一个可选的实施方式中，如图1所示，各引线框架单元10还包括：分离设置的上连接片14和下连接片15；

上连接片14和下连接片15可分别设置在沿长度方向靠近引线框架单元10一侧边缘的芯片基岛11的两侧；

分离设置的第一引脚12和第二引脚13分别由上连接片14和下连接片15的一端延伸形成。

本实施例中，设置有上连接片和下连接片，将上连接片的一端延伸即可形成上述分离设置的第一引脚和第二引脚中的第一引脚，将下连接片的一端延伸即可形成上述分离设置的第一引脚和第二引脚中的第二引脚。

当采用该引线框架制造二极管芯片的封装体时，可能需要将第一引脚和第二引脚通过一金属条电连接，通过设置上连接片和下连接片可将金属条的两端分别与上连接片和下连接片电连接，这样金属条与上连接片和下连接片之间可以有较大的接触面积，因此，可以更加稳定可靠地将第一引脚和第二引脚电连接。

对于上连接片和下连接片的设置位置而言，不限于上述实施例中所示的方式，例如，也可以将上连接片14和下连接片15分别设置在图1中所示的其他芯片基岛11的两侧，或者上连接片14设置在其中一个芯片基岛11一侧，下连接片15设置在另一个芯片基岛11的另一侧，或者上连接片14设置在其中一个芯片基岛11一侧，下连接片15设置在另一个芯片基岛11的一侧。

在一些可选的实施方式中，如图1所示，引线框架本体1还包括多个第一连接筋16，各第一连接筋16均沿长度方向设置，相邻的第一引脚12之间通过第一连接筋16相连。

引线框架本体1还包括多个第二连接筋17，各第二连接筋17均沿长度方向设置，相邻的第二引脚13之间通过所述第二连接筋17相连。

本实施例中，每个引线框架单元中的相邻的第一引脚之间通过第一连接筋相连，并且，相邻的引线框架单元中的相邻的第一引脚之间也通过第一连接筋相连；每个引线框架单元中的相邻的第二引脚之间通过第二连接筋相连，并且，相邻的引线框架单元中的相邻的第二引脚之间也通过第二连接筋相连。这样不仅使引线框架整体的结构更加稳定性，同时，由于第一连接筋和第二连接筋沿引线框架本体的长度方向设置，与现有技术中通过设置在各引脚顶部的连接筋进行连接相比，也可以减小引线框架本体的宽度，节省引线框架本体使用的材料，降低引线框架的制造成本。

如图1所示，上述的各第一连接筋16和第二连接筋17上还可以进一步的设置定位孔18。在采用该引线框架制造二极管芯片的封装结构时，由于各第一引脚12和各第二引脚13之间需要分离，需要将各第一连接筋16和第二连接筋17切割掉。因此，在切割时，该定位孔18可起到定位作用，方便确定各切割位置。

在一些可选的实施方式中，如图1所示，引线框架本体1在相邻的引线框架单元10之间沿长度方向延伸出第三连接筋19，相邻的引线框架单元10之间通过第三连接筋19相互连接。

本实施例中，各相邻的引线框架单元10之间通过第三连接筋19相互连接，可进一步提高引线框架整体结构的稳定性。

并且，第三连接筋19上还可设置一个或者多个导向孔20，方便确定各切割位置。

在一些可选的实施方式中，位于中间位置的所述芯片基岛的面积最大，沿所述长度方向靠近所述引线框架单元另一侧边缘的所述芯片基岛的面积最小，自中间位置分别向所述长度方向的两侧各所述芯片基岛的面积递减。

进一步的，面积最小的所述芯片基岛的面积与所述绝缘壳体的横截面积的比值大于等于20％，面积最大的芯片基岛与面积最小的芯片基岛的面积比值小于等于1.8。

图1中所示的封装结构包括三个芯片基岛11，根据上述结构，则位于中间位置的芯片基岛11的面积最大，位于最左侧的芯片基岛11的面积次之，最右侧的芯片基岛11的面积最小。

各芯片基岛用于设置封装结构中的各芯片，各芯片工作时会发热，由于位于中间位置的芯片的两侧均有芯片工作，因此，中间位置的温度相对较高，而位于边缘的，即最外侧的芯片由于与外部环境距离近，该芯片产生的热量散发相对快，从中间位置向长度方向的两侧各芯片所在位置的热量散发速度依次增大。因此，本实施例中，进一步的通过设置各芯片基岛的面积大小，优化引线框架内部结构，减少各芯片基岛之间的散热差异，改善芯片的散热不均的问题，提高散热均匀性，减少各芯片所在位置的温度差，减小封装结构内部的温升梯度大，有效改善封装结构的散热效果。

各芯片基岛11上设置有对穿孔21，对穿孔的数量可以为一个也可以为多个。

封装结构在制造过程中，通过将热流体的绝缘材料覆盖各引线框架单元，使绝缘材料包覆各芯片基岛，然后冷却形成封装结构。通过设置对穿孔，可使流体绝缘材料不仅可从各芯片基岛之间的间隔流过，还可通过对穿孔流过，可提高绝缘材料的流动效果，进而使封装结构的绝缘壳体各处的厚度均匀。

在另外一些可选的实施方式中，如图1所示，各芯片基岛11上还设置有凹槽22，凹槽22围绕芯片的位置设置，芯片的位置设置为图1中凹槽内的矩形框23。

该凹槽可以起到两个作用，第一方面，可以对芯片设置在芯片基岛上的位置进行定位；第二方面，通过设置凹槽，在将芯片通过焊接材料设置在芯片基岛上时，若有多余的焊接材料时，会首先流到凹槽内，凹槽可容纳一定的量的焊接材料，避免焊接材料流动其他地方，因此，影响芯片与芯片基岛电连接的效果。

本领域技术人员可以理解附图只是一个优选实施例的示意图，附图中的模块或流程并不一定是实施本实用新型所必须的。以上所述仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (16)

1.一种引线框架，其特征在于，包括：

引线框架本体，所述引线框架本体包括至少两个引线框架单元，相邻的引线框架单元之间相互连接；

所述引线框架单元包括至少三个间隔设置的芯片基岛，各所述芯片基岛沿所述引线框架本体的长度方向并排设置，每个所述芯片基岛用于设置芯片。

2.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述芯片基岛其中一端延伸出第一引脚。

3.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，

所述引线框架单元还包括沿所述引线框架本体的宽度方向分离设置且相互间隔的第一引脚和第二引脚。

4.根据权利要求3所述的引线框架，其特征在于，所述分离设置的所述第一引脚和第二引脚分别设置在沿所述长度方向靠近所述引线框架单元一侧边缘的所述芯片基岛的两侧。

5.根据权利要求4所述的引线框架，其特征在于，

所述引线框架单元沿所述长度方向靠近所述引线框架单元另一侧边缘的所述芯片基岛的另一端还延伸出第二引脚。

6.根据权利要求3所述的引线框架，其特征在于，所述引线框架单元还包括：分离设置的上连接片和下连接片；

所述分离设置的第一引脚和第二引脚分别由所述上连接片和下连接片的一端延伸形成。

7.根据权利要求6所述的引线框架，其特征在于，

所述上连接片和下连接片分别设置在沿所述长度方向靠近所述引线框架单元一侧边缘的所述芯片基岛的两侧。

8.根据权利要求5所述的引线框架，其特征在于，

各所述第一引脚均位于所述引线框架单元的第一侧且平行设置，各所述第二引脚均位于所述引线框架单元的与所述第一侧相对的第二侧且平行设置。

9.根据权利要求8所述的引线框架，其特征在于，

所述引线框架本体还包括多个第一连接筋，各所述第一连接筋均沿所述长度方向设置，相邻的所述第一引脚之间通过所述第一连接筋相连。

10.根据权利要求8所述的引线框架，其特征在于，

所述引线框架本体还包括多个第二连接筋，各所述第二连接筋均沿所述长度方向设置，相邻的所述第二引脚之间通过所述第二连接筋相连。

11.根据权利要求1-10任一项所述的引线框架，其特征在于，

所述引线框架本体在相邻的引线框架单元之间沿所述长度方向延伸出第三连接筋，相邻的引线框架单元之间通过所述第三连接筋相互连接。

12.根据权利要求1-10任一项所述的引线框架，其特征在于，

位于中间位置的所述芯片基岛的面积最大，沿所述长度方向靠近所述引线框架单元另一侧边缘的所述芯片基岛的面积最小，自中间位置分别向所述长度方向的两侧各所述芯片基岛的面积递减。

13.根据权利要求12所述的引线框架，其特征在于，

面积最小的所述芯片基岛的面积与用于封装引线框架的绝缘壳体的横截面积的比值大于等于20％，面积最大的所述芯片基岛与面积最小的所述芯片基岛的面积比值小于等于1.8。

14.根据权利要求1-10任一项所述的引线框架，其特征在于，所述芯片基岛上设置有对穿孔。

15.根据权利要求1-10任一项所述的引线框架，其特征在于，

所述芯片基岛上还设置有凹槽，所述凹槽围绕芯片的位置设置。

16.根据权利要求1-10任一项所述的引线框架，其特征在于，每个所述芯片基岛用于设置的芯片包括二极管、三极管、MOS管或者集成电路芯片中的一种或多种。