CN205992953U - 图像传感器和图像传感器系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种图像传感器和图像传感器系统。本实用新型提供一种图像传感器，所述图像传感器包括衬底，所述衬底具有前表面和后表面；在所述衬底的所述前表面中形成的第一电荷存储区域；在所述衬底的所述前表面中形成的第二电荷存储区域；以及在所述衬底的所述后表面中形成的沟槽隔离结构。本实用新型用于图像传感器领域。本实用新型的一个技术效果是避免不期望的像素串扰和信号衰减，从而保持传感器信号的完整性。
Description
技术领域
本实用新型整体涉及图像传感器，更具体地讲，涉及背照式(BSI)图像传感器。
背景技术
电子设备(例如移动电话、相机、计算机)中通常使用图像传感器来捕捉图像。本领域采用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术或电荷耦合器件(CCD)技术，在半导体衬底上制出常规的图像传感器。图像传感器可包括在衬底前表面中形成的光电二极管和其他操作电路(例如晶体管)。介电叠层在衬底前表面上直接形成在光电二极管顶部上。介电叠层包括形成于介电材料内的金属路由线和金属通路。介电叠层中通常形成光导，用于引导入射光的轨迹。
介电叠层上方形成滤色镜阵列，赋予每个像素对一定范围内波长的灵敏度。滤色镜阵列上可形成微透镜。光从图像传感器的正面射入(即，光先射入微透镜，再穿过滤色镜行进到介电叠层中)。以这种方式使用的图像传感器称为前照式(FSI)图像传感器。
这种图像传感器使用光导朝光电二极管引导入射光。然而入射光在穿过介电叠层时，有时被金属路由线和金属通路反射和吸收。这导致不期望的像素串扰和信号衰减。
为解决这些问题，本领域已开发出背照式图像传感器。但是，由于以指定光电二极管为目标的杂散光仍可能无意间渗漏到衬底的区域中，这种图像传感器也受到串扰，继而可能损坏传感器的信号完整性。在此背景下，本文提出了多个实施例。
实用新型内容
本实用新型的一个目的是提供一种改进的具有图像传感器像素阵列的背照式图像传感器。
在本实用新型的一个实施例中，提供一种图像传感器，所述图像传感器包括衬底，所述衬底具有前表面和后表面；在所述衬底的所述前表面中形成的第一电荷存储区域；在所述衬底的所述前表面中形成的第二电荷存储区域；以及在所述衬底的所述后表面中形成的沟槽隔离结构。
优选地，所述沟槽隔离结构与所述第一电荷存储区域和所述第二电荷存储区域中的仅仅一个区域重叠。
优选地，所述沟槽隔离结构由呈现了与所述衬底相同的折射率的材料形成。
优选地，所述沟槽隔离结构由选自包括下列材料的组中的一种材料形成：多晶硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、二氧化钛、硅化铝、硅化钨、硅化钽、硅化钛、硅化钒、硅化铬、硅化钴。
优选地，所述沟槽隔离结构是导电的。
优选地，所述沟槽隔离结构被配置成能够接收所选择的地电压和负电压中的一个。
优选地，所述图像传感器还包括光屏蔽层，所述光屏蔽层在所述衬底的所述后表面处，在所述沟槽隔离结构之上形成，并具有用于所述第一电荷存储区域的开口。
在本实用新型的另一个实施例中，提供一种图像传感器系统，所述图像传感器系统包括透镜以及成像设备，所述透镜将图像聚焦到成像设备上，其中所述成像设备包括：衬底；在所述衬底中形成的光电二极管；在所述衬底中形成的存储二极管；以及在所述衬底中形成、并且与所述存储二极管重叠的沟槽隔离结构。
优选地，所述衬底具有第一表面和相对的第二表面，其中所述光电二极管和所述存储二极管在所述衬底的所述第一表面中形成，并且其中所述沟槽隔离结构在所述衬底的所述第二表面中，在所述存储二极管正上方形成。
优选地，所述成像设备还包括微透镜结构，所述微透镜结构在所述衬底的所述第二表面上方形成。
优选地，所述衬底具有第一折射率，所述第一折射率具有实部和虚部，并且其中所述沟槽隔离结构被填充了呈现第二折射率的材料，所述第二折射率的实部与所述第一折射率的所述实部相等，所述第二折射率的虚部比所述第一折射率的所述虚部大。
优选地，所述成像设备还包括光屏蔽结构，所述光屏蔽结构在所述衬底的所述第二表面上，在所述沟槽隔离结构上方形成。
本实用新型的一个技术效果是避免不期望的像素串扰和信号衰减，从而保持传感器信号的完整性。
附图说明
图1为根据一个实施例的示例性电子设备的示意图。
图2为根据一个实施例的可用于支持全局快门操作的示例性图像传感器像素的示意图。
图3是常规的背照式(BSI)图像传感器的横截面侧视图。
图4是根据一个实施例的具有背面沟槽隔离结构的示例性背照式(BSI)图像传感器的横截面侧视图。
图5是根据一个实施例的顶视图，示出了以具有用于相应光电二极管的多个开口的格栅状图案形成背面沟槽隔离结构的方式。
图6是根据一个实施例的流程图，示出了用于形成图4和图5所示类型的背面沟槽隔离结构的示例性步骤。
图7是根据本实用新型的一个实施例的处理器系统的框图，该处理器系统可应用图4至图6所示的一些实施例。
具体实施方式
本实用新型的实施例涉及图像传感器，更具体地讲，涉及具有像素内隔离结构的图像传感器。本领域的技术人员应当理解，在实际实施本实用新型的示例性实施例时，可以不实施本文明确示出的一部分或全部细节。另一方面，本文未详细讲述本领域众所周知的多项操作，以免不必要地使本实用新型实施例模糊。
电子设备(例如数码相机、计算机、移动电话和其他电子设备)包括图像传感器，用于收集入射光以捕捉图像。图像传感器可包括成像像素的阵列。图像传感器中的像素可包括光敏元件(例如光电二极管)，用于将入射光转变为图像信号。图像传感器可具有任意数量的像素(例如，成千上万个或更多)。典型的图像传感器可(例如)具有数十万个或数百万个像素(例如，兆像素)。图像传感器可包括控制电路和读出电路，其中控制电路例如用于操作成像像素的电路，读出电路用于读出与光敏元件生成的电荷对应的图像信号。
图1为使用图像传感器来捕捉图像的示例性电子设备的示意图。图1所示电子设备10可以是便携式电子设备，例如相机、移动电话、摄像机，或用于捕捉数字图像数据的其他成像设备。相机模块12可用于将入射光转变为数字图像数据。相机模块12可包括一个或多个透镜14，和对应的一个或多个图像传感器16。图像传感器16可以是图像传感器片上系统(SOC)，该系统具有附加的处理与控制电路，例如模拟控制电路31和数字控制电路32，这种附加的处理与控制电路位于共同的具有图像像素阵列20的图像传感器集成电路裸片上，或位于单独的配套裸片/芯片上。
在捕捉图像操作期间，来自某一场景的光可被透镜14会聚到图像像素阵列(例如图像像素22的阵列20)上。图像传感器16将对应的数字图像数据提供给模拟电路31。模拟电路31可将处理后的图像数据提供给数字电路32，以便进一步处理。电路31和/或32也可用于控制图像传感器16的操作。图像传感器16可以(例如)是背照式图像传感器。如果需要，相机模块12可设置有透镜14的阵列和对应图像传感器16的阵列。
设备10可包括附加的控制电路，例如存储与处理电路18。电路18可包括一个或多个集成电路(例如，图像处理电路、微处理器、存储装置(如随机存取存储器、非易失性存储器)等等)，而且可采用多个部件实施，这些部件与相机模块12分离并且/或者构成相机模块12的一部分(例如，这些部件为电路，这种电路构成包括图像传感器16的集成电路的一部分，或者构成相机模块12内与图像传感器16相关的集成电路的一部分)。可用处理电路18进一步处理并/或存储已被相机模块12捕获的图像数据。如果需要，可利用与处理电路18连接的有线和/或无线通信路径，将 处理后的图像数据提供给外部设备(例如，计算机或其他设备)。处理电路18可用于控制图像传感器16的操作。
图像传感器16可包括图像像素22的一个或多个阵列20。可采用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术、电荷耦合器件(CCD)技术或其他任何适宜的光敏设备，在半导体衬底中形成图像像素22。
本实用新型的实施例涉及被配置成能够支持全局快门操作的图像传感器像素。举例来说，图像像素各自可包括光电二极管、浮动扩散区域和本地存储区域。首先利用全局快门方案，将图像传感器中的所有像素同时重置。然后利用转移操作，同时将每个图像像素的光电二极管中收集的电荷转移至相关联的存储区域。接着可从每个存储区域逐行读出数据。
图2为可在全局快门模式下操作的示例性图像传感器像素22的电路图。如图2所示，像素22可包括光敏元件，如光电二极管100。可在正电源端子120处提供第一(正)电源电压Vaa。可在第二电源端子106处提供第二电源电压Vab。可由光电二极管100收集入射光。然后，光电二极管100可响应于接收入射光子而生成电荷(如电子)。光电二极管100收集的电荷量可取决于入射光的强度和曝光时间(或积分时间)。
可先施加重置控制信号RST，再获取图像。施加信号RST使重置晶体管118导通，并将电荷存储节点116(也称浮动扩散区域FD)重置为Vaa。然后可解除重置控制信号RST，使重置晶体管118截止。类似地，在对电荷积分之前，可使全局重置信号GR脉冲到高电平，以将光电二极管100重置为电源电压Vab(例如，通过经由全局重置晶体管104将Vab传递到光电二极管100)。
像素22还可包括存储晶体管108，存储晶体管108可操作用于将来自光电二极管100的电荷转移到存储节点(有时称为存储区域或电荷存储区域)112。电荷存储区域112可以是掺杂半导体区域(例如，通过离子注入、杂质扩散或其他掺杂技术在硅衬底中形成的掺杂硅区域)，该掺杂半导体区域能够暂时存储从光电二极管100转移来的电荷。能够暂时存储转移来的电荷的区域112有时被称为“存储二极管”(SD)。
像素22可包括转移栅极(晶体管)114。转移栅极114可具有受转移控制信号TX控制的栅极端子。可使转移信号TX脉冲到高电平，以将电荷从存储二极管区域112转移到电荷存储区域116(有时称为“浮动扩散”区 域)。浮动扩散(FD)区域116可以是掺杂半导体区域(例如，通过离子注入、杂质扩散或其他掺杂工艺在硅衬底中掺杂的区域)。浮动扩散区域116可充当另一存储区域，在图像数据采集操作期间用于存储电荷。
像素22还可包括读出电路，例如电荷读出电路102。电荷读出电路102可包括行选择晶体管124和源极跟随器晶体管122。晶体管124可具有受行选择信号RS控制的栅极。施加信号RS时，晶体管124导通，相应的信号Vout(例如，大小与浮动扩散节点116处的电荷量成比例的输出信号)被传递到输出路径128上。
图像像素阵列20可包括呈行列式排列的多个像素22。列读出路径(如输出线128)可与每个像素列相关联(例如，一列中的每个图像像素22都可通过相应的行选择晶体管124耦合到输出线128)。可施加信号RS，将来自所选图像像素的信号Vout读出到列读出路径124上。可将图像数据Vout馈送给电路18，以便进一步处理。图2所示电路仅用于举例说明。如果需要，像素22可包括其他像素电路。
图3示出了常规的背照式(BSI)图像传感器的横截面侧视图。如图3所示，可在p型衬底210的第一(前)表面中形成与给定图像传感器像素相关联的光电二极管PD、与给定图像传感器像素相关联的存储二极管区域SD，以及与相邻图像传感器像素相关联的附加存储二极管区域SD。衬底210的前表面上形成有存储晶体管的栅极导体，如栅极导体216。
衬底210的前表面上形成有介电叠层212。介电叠层212由介电材料(如氧化硅)形成。介电叠层212中形成有互连的路由结构。因此，介电叠层212有时被称为互连叠层。
衬底210的第二(后)表面上形成有滤色镜阵列202。滤色镜阵列202的顶部上通常形成有微透镜阵列200。微透镜阵列200包括各单独微透镜结构的阵列，这些微透镜结构用于将光朝着衬底210中的对应光电二极管会聚。
入射光可从后表面射入衬底210。以这种方式工作的图像传感器像素因而被称为背照式(BSI)图像传感器像素。然而在某些情况下，以光电二极管PD为目标的光可能无意间渗漏到衬底210中的存储二极管区域SD或其他不期望的“暗区域”(即，不应受入射光影响的区域)中。这种类型的 光渗漏可能导致全局快门效率降低，甚至可能导致图像出现幻影和模糊效果。
为使存储二极管区域SD免受杂散光影响，常规的BSI图像传感器有时包括金属屏蔽层，这些金属屏蔽层在衬底212的后表面上形成。然而，该技术对于有时被用来提供更高像素灵敏度的硅衬底210较厚的图像传感器来说不是特别有效。因此，提供用来屏蔽BSI图像传感器中的暗区域的改进方式可能是有利的。
根据本实用新型的一个实施例，图像传感器像素可设置有背面沟槽隔离结构，以帮助进一步屏蔽暗区域。图4为具有背面沟槽隔离结构(如沟槽隔离结构350)的示例性背照式(BSI)图像传感器的横截面侧视图。如图4所示，图像传感器像素可包括在半导体衬底310(如p型衬底)的正面中形成的光电二极管PD和存储二极管SD。可在衬底310的正面上形成存储栅极导体，如栅极导体316。
可在衬底310的正面上形成介电叠层312。介电叠层312可包括交替的金属互连路由层和金属通路层，因而有时被称为互连层。采用背照式配置时，可在衬底310的背面上方形成滤色镜阵列(CFA)302(例如，被配置成使不同波长的光通过的滤色镜元件的阵列)。可在衬底310背面上方的滤色镜阵列302上形成微透镜结构300(例如，用于将光朝着衬底中的对应光电二极管会聚的微透镜的阵列)。
特别地，可在衬底310的背面(即后表面)中形成沟槽隔离结构350。背面沟槽隔离结构350可被形成为正好与应当位于图像传感器像素的暗区域中的存储二极管区域SD或其他像素结构重叠。形成背面沟槽隔离结构350的方式可以为：在衬底310的后表面中挖出沟槽或腔体，然后用吸光材料填充该腔体。
就用于填充腔体以形成背面沟槽隔离结构350的吸光材料的折射率来说，该折射率可具有与硅(或形成半导体衬底310的任何材料)相等的实部n，和比硅(或形成半导体衬底310的任何材料)大的虚部k。例如，填充材料可由下列材料形成：非晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、二氧化钛、金属硅化物(例如硅化铝、硅化钨、硅化钽、硅化钛、硅化钒、硅化铬、硅化钴)，这些材料的某种组合，或具有合适折射率的其他材料。采用这种方式配置时，照到结构350上的入射光可被有 效吸收，而不会朝着暗区域反射或散射(如路径390指示的那样)。因此，背面沟槽隔离结构350有时被称为吸收性抗反射/抗散射结构。
仍参见图4，可在衬底310后表面处，在背面沟槽隔离结构的上方形成附加层，如屏蔽层352。屏蔽层352可由金属(如钨或铝)形成，或也可由反射性材料或不透明材料形成。如果需要，还可由吸光材料形成屏蔽层352。采用这种方式配置时，照到屏蔽层352上的入射光可被有效地反射或吸收(如路径392指示的那样)。
在某些实施例中，可将背面沟槽隔离结构350和/或光屏蔽层352偏置于某一所需的电压水平，以便进一步增强暗区域附近的电绝缘特性。例如，背面沟槽隔离结构350和/或光屏蔽层352可接收地电压(如零伏)或负电压，以便引起位垒，用于防止杂散电荷在光电二极管PD和电荷存储二极管SD之间渗漏。可从背面形成导电通路(未示出)，用于与沟槽隔离结构350或光屏蔽层352(如果存在)形成电接触，从而将电压输送到这些结构。以这种方式形成的背面隔离结构350和屏蔽结构352可能有助于提供改善的灵敏度和全局快门效率，即便是用于硅衬底厚的图像传感器亦如此(因为背面沟槽隔离结构350的深度能够轻易与衬底层310的厚度一同缩放)。
图5是一顶视图，示出了以具有用于衬底中的相应光电二极管PD的多个开口的格栅状图案形成背面沟槽隔离结构的方式。如图5所示，背面沟槽隔离结构350可以在衬底后表面上方不与光电二极管重叠的区域中形成。可以在光电二极管阵列周边处形成触点(如导电通路400)，以帮助偏置背面沟槽隔离结构350。靠近像素阵列边缘布置触点400这一方式仅用于举例说明。如果需要，可将用于向背面沟槽隔离结构350输送所需偏置电压的触点400插入相邻的两个光电二极管之间，设置在像素阵列的拐角或图像传感器上的其他合适位置。
图5所示实例不包括图4中的光屏蔽层352。如果包括光屏蔽层352，则从上方观察时，光屏蔽层352呈现的覆盖区与背面沟槽隔离结构350相同(如图5所示)。本文描述的背面隔离结构350和光屏蔽层352被偏置到地电压或负电压水平的实施例仅用于举例说明，不用于限制本实用新型的范围。如果需要，可使用正电压、固定的电源电压或可调节的控制电压来偏置背面沟槽隔离结构350和/或光屏蔽层352。
图6是一流程图，示出了用于形成图4和图5所示类型的背面沟槽隔离结构的示例性步骤。在步骤600中，可以在衬底310的正面形成像素结构，例如光电二极管PD和存储二极管SD(参见图4)。在步骤602中，可执行研磨和/或抛光操作，将衬底310的背面打薄到所需的厚度。
在步骤604中，可执行选择性刻蚀操作以形成腔体，该腔体将光电二极管围住，并且从衬底310背面观察，该腔体正好与存储二极管重叠。在步骤606中，可用吸收性材料填充在步骤604期间所形成的腔体，以形成背面沟槽隔离结构350。例如，吸收性材料可具有这样的折射率：实部(n)近似等于3.4，虚部(k)大于0.02。吸收性材料还可以是导电的。
在步骤608中，可任选地在吸收性材料上方形成光屏蔽层352。因此，从上方观察时，光屏蔽层352呈现的覆盖区可与已被填充吸收性材料的腔体相同。所以，可将光屏蔽层352形成为具有多个孔的格栅状图案，这些孔与每个对应的光电二极管对准。光屏蔽层352可由具有反射性、吸收性和/或导电性的材料形成。
在步骤610中，可形成导电通路如触点400(参见图5)，以便与背面沟槽隔离结构350(或与光屏蔽层352(如果有))接触。可使用触点400向背面隔离结构和屏蔽结构提供地电压或负电压。
在步骤612中，可以在衬底310的背面上方形成滤色镜阵列、微透镜结构和其他钝化层，制出完整的BSI图像传感器。
到此为止描述过的实施例都涉及在全局快门模式下操作的图像传感器。如果需要，本实用新型的实施例还可应用于在滚动快门模式下操作的图像传感器，以帮助减少渗漏到浮动扩散区域中的光学像素。
图7为包括成像设备1008(如图1所示相机模块)的示例性处理器系统1000(如数码相机)的简化图，其中成像设备1008采用的成像器件具有如上所述包括光隔离结构的像素。在不进行限制的前提下，这种系统可包括计算机系统、静物摄像机或视频摄像机系统、扫描仪、机器视觉系统、车辆导航系统、视频电话、监控系统、自动对焦系统、星体跟踪系统、运动检测系统、图像稳定系统，以及其他采用成像设备的系统。
处理器系统1000(例如数码静物摄像机或视频摄像机系统)通常包括：透镜1114，其用于在快门释放按钮1116被按下时，将图像会聚到成像设备1008中的一个或多个像素阵列上；中央处理单元(CPU)1002，例如微 处理器，其用于控制相机以及一种或多种图像流功能。处理单元1102可经由系统总线1006与一个或多个输入-输出(I/O)设备1110通信。成像设备1008还可经由总线1006与CPU 1002通信。系统1000还可包括随机存取存储器(RAM)1004，并且可任选地包括可移动存储器1112(如闪存存储器)，这两种存储器也都可经由总线1006与CPU 1002通信。成像设备1008可在单个集成电路上或不同芯片上与CPU组合，带或不带存储器皆可。尽管总线1006被示为单总线，但总线也可以是一根或多根总线、一个或多个桥接器，或者其他用于将系统1000的多个部件互相连接的通信路径。
上文已描述了各种实施例，用于举例说明具有导电偏置隔离结构的成像系统。系统可包括图像传感器模块以及一个或多个透镜，其中图像传感器模块具有图像传感器像素的阵列，一个或多个透镜将光会聚到图像传感器像素的阵列(例如呈行列式排列的图像像素)上。
根据一个实施例，图像传感器可包括衬底，该衬底具有前表面和后表面；在衬底的前表面中形成的第一电荷存储区域(如光电二极管)；在衬底的前表面中形成的第二电荷储存区域(如存储二极管)；以及在衬底的后表面中形成的沟槽隔离结构。沟槽隔离结构可与第一电荷存储区域和第二电荷存储区域中的唯一一个区域重叠。
沟槽隔离结构可由呈现了与衬底相同的折射率的材料形成。特别地，衬底可呈现第一折射率(含实部和虚部)，沟槽隔离结构中填充的材料呈现第二折射率，该第二折射率的实部与第一折射率的实部相等，该第二折射率的虚部比第一折射率的虚部大。例如，沟槽隔离结构可由选自下列的材料形成：多晶硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、二氧化钛、硅化铝、硅化钨、硅化钽、硅化钛、硅化钒、硅化铬、硅化钴。
如果需要，沟槽隔离结构还可以是导电的。可从后表面形成导电通路，用于与沟槽隔离结构形成电接触，以使得沟槽隔离结构接收所选择的地电压和负电压中的一个。根据另一个实施例，还可在衬底后表面处，在沟槽隔离结构之上形成光屏蔽层。光屏蔽层可只与背面沟槽隔离结构重叠。
所述衬底具有第一折射率，所述第一折射率具有实部和虚部，并且其中所述沟槽隔离结构被填充了呈现第二折射率的材料，所述第二折射率的 实部与所述第一折射率的所述实部相等，所述第二折射率的虚部比所述第一折射率的所述虚部大。
所述成像设备还包括光屏蔽结构，所述光屏蔽结构在所述衬底的所述第二表面上，在所述沟槽隔离结构上方形成。
前述内容只是举例说明了本实用新型的原理，在不脱离本实用新型的范围和实质的前提下，本领域技术人员可做出各种修改。前述实施例既可单独实施，也可任意组合实施。
Claims (10)
1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：
衬底，所述衬底具有前表面和后表面；
在所述衬底的所述前表面中形成的第一电荷存储区域；
在所述衬底的所述前表面中形成的第二电荷存储区域；以及
在所述衬底的所述后表面中形成的沟槽隔离结构。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述沟槽隔离结构与所述第一电荷存储区域和所述第二电荷存储区域中的仅仅一个区域重叠。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述沟槽隔离结构由呈现了与所述衬底相同的折射率的材料形成。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述沟槽隔离结构由选自包括下列材料的组中的一种材料形成：多晶硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、二氧化钛、硅化铝、硅化钨、硅化钽、硅化钛、硅化钒、硅化铬、硅化钴。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述沟槽隔离结构是导电的。
6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述沟槽隔离结构被配置成能够接收所选择的地电压和负电压中的一个。
7.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括：
光屏蔽层，所述光屏蔽层在所述衬底的所述后表面处，在所述沟槽隔离结构之上形成，并具有用于所述第一电荷存储区域的开口。
8.一种图像传感器系统，其特征在于，所述图像传感器系统包括：
透镜；以及
成像设备，所述透镜将图像聚焦到成像设备上，其中所述成像设备包括：
衬底；
在所述衬底中形成的光电二极管；
在所述衬底中形成的存储二极管；以及
在所述衬底中形成、并且与所述存储二极管重叠的沟槽隔离结构。
9.根据权利要求8所述的图像传感器系统，其特征在于，所述衬底具有第一表面和相对的第二表面，其中所述光电二极管和所述存储二极管在所述衬底的所述第一表面中形成，并且其中所述沟槽隔离结构在所述衬底的所述第二表面中，在所述存储二极管正上方形成。
10.根据权利要求9所述的图像传感器系统，其特征在于，所述成像设备还包括：
微透镜结构，所述微透镜结构在所述衬底的所述第二表面上方形成。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant |