CN205911301U - 晶圆级封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供的晶圆级封装结构电连接至微机电元件或积体电路中的至少一个，其包括：具有第一接触端及第二接触端的凸出件；与所述第一接触端电导通的电性连接垫；具有第三接触端及第四接触端，所述第三接触端与所述第二接触端电导通的延伸件；接触件；所述电性连接垫嵌入所述微机电元件或积体电路中，所述凸出件及所述延伸件被非导电层包裹，所述接触件设置在所述非导电层的表面并与所述第四接触端电导通。本实用新型的整片晶圆生产完成以后可以直接在该晶圆上进行封装测试，测试完成以后在进行切割，制成单颗微机电元件或积体电路，不在需要搭线或填胶的操作，可以大大减小材料以及人工成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体封装领域，尤其涉及一种可应用在扇出形态或扇入形态的晶圆级封装结构。
背景技术
晶圆级封装是微机电元件或积体电路的一种封装方式，传统的封装方式，在制作封装完成后，需要进行搭线或者填胶，增加了原料以及人工成本，且不利于进行封装测试；另外常见的封装方式并不能有效的减小IC产品的尺寸，不利于轻薄化。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是：提供一种便于进行封装测试，成本降低且利于轻薄化的晶圆封装结构。
为实现上述目的，本实用新型提供的所述晶圆级封装结构，电连接至微机电元件或积体电路中的至少一个，其包括：
凸出件，具有第一接触端及第二接触端；
电性连接垫，与所述第一接触端电导通；
延伸件，具有第三接触端及第四接触端，所述第三接触端与所述第二接触端电导通；
接触件，用于与外部传导电信号；
所述电性连接垫嵌入所述微机电元件或积体电路中，所述凸出件及所述延伸件被非导电层包裹，所述接触件设置在所述非导电层的表面并与所述第四接触端电导通。
进一步的，所述凸出件为球状体。
进一步的，所述延伸体为柱状体。
进一步的，所述延伸体为导电材质。
进一步的，所述接触件为球状体或扁平金手指；所述金手指状的接触件嵌入非导电层中。
进一步的，所述非导电层为环氧树脂材质。
进一步的，所述凸出件具有多个，延伸件具有多个，每个延伸件至少与一个接触件导通；一个延伸件至少与一个另外的延伸件电导通。
本实用新型的整片晶圆生产完成以后可以直接在该晶圆上进行封装测试，测试完成以后在进行切割，制成单颗微机电元件或积体电路，不在需要搭线或填胶的操作，可以大大减小材料以及人工成本；除此之外，该晶圆结构采用凸块技术作为I/O绕线的手段，有利于轻薄化。
附图说明
下面结合附图，通过对本实用新型的具体实施方式详细描述，将使本实用新型的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为本实用新型晶圆级封装结构剖面示意图；
图2为本实用新型晶圆级封装结构剖面示意图；
图3为本实用新型另一实施方式的晶圆级封装结构剖面示意图。
附图标号说明：
12、凸出件；122、第一接触端；124、第二接触端；14、延伸件；142、第三接触端；146、第四接触端；16、接触件；18、非导电层；20、微机电元件或积体电路；22、电性连接件。
具体实施方式
为更进一步阐述本实用新型所采取的技术手段及其效果，以下结合本实用新型的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1，本实用新型提供的所述晶圆级封装结构，电连接至微机电元件20或积体电路中的至少一个，其包括凸出件12、电性连接件22、延伸件14以及接触件16。
其中凸出件12具有第一接触端122及第二接触端124；电性连接垫与所述第一接触端122电导通；延伸件14具有第三接触端142及第四接触端146，所述第三接触端142与所述第二接触端124电导通；接触件16用于与外部传导电信号。
所述电性连接垫嵌入所述微机电元件或积体电路20中，所述凸出件12及所述延伸件14被非导电层18包裹，所述接触件16设置在所述非导电层18的表面并与所述第四接触端146电导通。
在本实用新型中，所述微机电元件20或积体电路产生电信号，该电信号通过电性连接件22、凸出件12以及延伸件14传递至接触件16，其中接触件16为芯片外部电路连接；同时，外部电路产生的电信号通过接触件16、延伸件14、凸出件12以及电性连接件22传递至微机电元件或积体电路20中。
在本实用新型的晶圆级封装结构能够应用在接脚数量较少的积体电路上，该积体电路可以透过延伸件14的位置调整接脚，即接触件16，的位置，从而轻易的对封装结构进行重新的布局。同时，本晶圆级封装结构还可以应用在晶圆级晶片的封装上，封装后的晶圆级晶片尺寸基本相当于晶粒原来的尺寸。
本实用新型的整片晶圆生产完成以后可以直接在该晶圆上进行封装测试，测试完成以后在进行切割，制成单颗微机电元件或积体电路20，不在需要搭线或填胶的操作，可以大大减小材料以及人工成本；除此之外，该晶圆结构采用凸块技术作为I/O绕线的手段，有利于轻薄化。
进一步的，所述凸出件12优选的为球状体。该凸出件12还可以是其他形状，但是都同时满足的是，该凸出件12要与电性连接垫以及延伸体电性导通。
进一步的，所述延伸体优选的为柱状体，在其他实施例中，该延伸体的结构还可以是曲线或其他任意形状，当该延伸体为其他形状时，相应的需要对电性连接垫的固定位置记性适当的调整。
进一步的，所述延伸体为导电材质。
在本实施方式中，所述延伸体一般采用例如金、银、铜、铝或者金银铜铝的合金导电材料。
在本实施方式中，以接触件16为球状体为例，该球状体形成在该非导电层18的一个表面上，球状体的形成方式相对其他结构来说工艺制造相对简单。
请参阅图2及图3，在当所述接触体为金手指时，该金手指也可以设置在非导电层18的表面，当然还可以嵌入在所述非导电层18上，使所述金手指的上表面与非导电层18的上表面平齐。采用这种方式，该金手指的固定强度较大，减小了接触体脱落的风险。
进一步的，所述非导电层18为环氧树脂材质。当然，所述非导电层18也可以为其他非导电材料。
该非导电材料可以支撑凸出体、延伸件14以及接触件16；同时还可以有效的避免因为撞击或其他外力因素导致的突出体、延伸件14或接触件16的异常接触。
请参阅图3，进一步的，所述凸出件12具有多个，延伸件14具有多个，每个延伸件14至少与一个接触件16导通；一个延伸件14至少与一个另外的延伸件14电导通。
在本实施方式紫中，多个所述延伸件14至少有两个之间是导通的，与该两个导通的延伸件14电连接的接触件16上可以同时获取相同的电信号。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本实用新型的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本实用新型权利要求的保护范围。
Claims (7)
1.一种晶圆级封装结构，其特征在于，所述晶圆级封装结构电连接至微机电元件或积体电路中的至少一个，其包括：
凸出件，具有第一接触端及第二接触端；
电性连接垫，与所述第一接触端电导通；
延伸件，具有第三接触端及第四接触端，所述第三接触端与所述第二接触端电导通；
接触件，用于与外部传导电信号；
所述电性连接垫嵌入所述微机电元件或积体电路中，所述凸出件及所述延伸件被非导电层包裹，所述接触件设置在所述非导电层的表面并与所述第四接触端电导通。
2.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述凸出件为球状体。
3.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述延伸体为柱状体。
4.根据权利要求3所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述延伸体为导电材质。
5.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述接触件为球状体或扁平金手指；所述金手指状的接触件嵌入非导电层中。
6.根据权利要求1或5所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述非导电层为环氧树脂材质。
7.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述凸出件具有多个，延伸件具有多个，每个延伸件至少与一个接触件导通；一个延伸件至少与一个另外的延伸件电导通。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201620540977.7U CN205911301U (zh) | 2016-06-03 | 2016-06-03 | 晶圆级封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201620540977.7U CN205911301U (zh) | 2016-06-03 | 2016-06-03 | 晶圆级封装结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN205911301U true CN205911301U (zh) | 2017-01-25 |
Family
ID=57815814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201620540977.7U Active CN205911301U (zh) | 2016-06-03 | 2016-06-03 | 晶圆级封装结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN205911301U (zh) |
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2016
- 2016-06-03 CN CN201620540977.7U patent/CN205911301U/zh active Active
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