CN204208630U - 一种高纯氧化镓的球磨装置 - Google Patents

一种高纯氧化镓的球磨装置 Download PDF

Info

Publication number
CN204208630U
CN204208630U CN201420678476.6U CN201420678476U CN204208630U CN 204208630 U CN204208630 U CN 204208630U CN 201420678476 U CN201420678476 U CN 201420678476U CN 204208630 U CN204208630 U CN 204208630U
Authority
CN
China
Prior art keywords
ball grinder
ball
gallium oxide
utility
model
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201420678476.6U
Other languages
English (en)
Inventor
赵科湘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhuzhou Keneng New Material Co.,Ltd.
Original Assignee
Zhuzhou Keneng New Material Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhuzhou Keneng New Material Co Ltd filed Critical Zhuzhou Keneng New Material Co Ltd
Priority to CN201420678476.6U priority Critical patent/CN204208630U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN204208630U publication Critical patent/CN204208630U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Crushing And Grinding (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种高纯氧化镓的球磨装置。本实用新型的目的是提供一种高纯氧化镓的球磨装置。本实用新型包括球磨罐,其特征在于:所述球磨罐内设有外裹聚胺酯的破碎球,该球磨罐设有聚胺酯内衬,球磨罐的外面设有集料腔;该球磨罐的一端设有进料桶,该进料桶通过挡料板、进料口与球磨罐连通,球磨罐的另一端通过集料腔和出料口与接料桶连通;球磨罐的一侧通过传动轴与电机连接,另一侧与控制器相连。本实用新型主要用作高纯氧化镓的研磨设备。

Description

一种高纯氧化镓的球磨装置
技术领域
本实用新型涉及一种球磨装置,尤其涉及一种高纯氧化镓的球磨装置。
背景技术
Ga2O3是一种宽禁带半导体材料,能隙宽度Eg=4.9eV,由于其纳米半导体粒子具有高比表面、高活性、量子尺寸效应、小尺寸效应和表面效应等,因而在光学、光电转换和电学性质上具有独特性,在微电子学、光电子学、非线性光学、高密度信息存储、催化、储氢、生物医学以及传感器等方面正在广泛地得到应用;Ga2O3有5种不同的形式,即α- Ga2O3,β- Ga2O3,γ- Ga2O3,δ- Ga2O3,ε-Ga2O3,在室温下具有单斜晶结构的β-Ga2O3最为稳定。β-Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料,在光电子器件方面有广阔的应用前景,被用作Ga基半导体材料的绝缘层,以及紫外线滤光片。
β-Ga2O3需要把氧化镓放在900℃的高温环境煅烧才能够生成,而煅烧后的β-Ga2O3颗粒因相互团聚而变大变粗,氧化镓的粒度至少是在微米级别的情况下才能够被使用,因此氧化镓煅烧后必须经过球磨才能够使用,传统的球磨机操作繁复,不易控制粉末粒度且球磨过程中易引进杂质元素而导致产品纯度降低。
本实用新型是一种氧化镓的球磨装置,通过自动控制球磨罐转速以及时间等得到期望粒度的粉末,同时在球磨过程中充入低温惰性气体保护,球磨罐内衬有机高分子材料(如聚胺酯或聚四氟乙烯)以及破碎球外裹聚胺酯,球磨过程中粉末不会与金属接触碰撞,确保粉末中不会带入新的金属杂质。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种高纯氧化镓的球磨装置,通过该装置,可快速精确地控制氧化镓的粒度,且可保证氧化镓的纯度。
为实现上述目的,本实用新型的技术解决方案是:一种高纯氧化镓的球磨装置,包括球磨罐,其特征在于:所述球磨罐4内设有外裹聚胺酯的破碎球6,该球磨罐设有聚胺酯内衬5,球磨罐4的外面设有集料腔3;该球磨罐的一端设有进料桶12,该进料桶通过挡料板11、进料口10与球磨罐连通,球磨罐的另一端通过集料腔3和出料口2与接料桶1连通;球磨罐的一侧通过传动轴与电机7连接,另一侧与控制器13相连。
本实用新型的有益效果是:通过本装置自动控制球磨罐的转速及时间等能得到期望的Ga2O3粒度的粉末,由于有低温惰性气体的保护,不会导致粉末中带入新的杂质污染。
本实用新型的有益效果是:设备操作简单,球磨量大,粉末球磨效果好,设备运行过程中无污染物、无废弃物、无粉尘产生,达到环保要求。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图中: 1—接料桶; 2—出料口; 3—集料腔; 4—球磨罐; 5—内衬; 6—破碎球; 7—电机; 8—减速机;—9支撑装置; 10—进料口; 11—挡料板、12—进料桶;13—控制器; 14—进气孔; 15—排气孔,16—基座。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型及其具体实施方式作进一步详细说明。
参见图1,本实用新型包括球磨罐,其特征在于:所述球磨罐4内设有外裹聚胺酯的破碎球6,该球磨罐设有聚胺酯内衬5,球磨罐4的外面设有集料腔3;该球磨罐的一端设有进料桶12,该进料桶通过挡料板11、进料口10与球磨罐连通,球磨罐的另一端通过集料腔3和出料口2与接料桶1连通;球磨罐的一侧通过传动轴与电机7连接,另一侧与控制器13相连。
本实用新型的具体操作步骤为:
第一步,开启挡料板11把Ga2O3粉末加入球磨罐内;
第二步,打开进气孔14及排气孔15,充入低温惰性气体(氮或氩),排尽球磨罐内空气,关闭进气孔以及排气孔;
第三步,开启控制箱13,设定物料重量、粉末目标粒度等参数,控制系统计算得到运行的时间以及旋转速度;
第四步,开始球磨,球磨罐内破碎球以及粉末按照设定的速度以及抛物线轨迹球磨;
第五步,球磨完成,自动打开出料口筛网;继续保持球磨罐运行;
第六步,将接料桶1置于出料口2下,接料。
本装置与物料接触的部件均由有机高分子材料(如聚胺脂或聚四氟乙烯)以及316L不锈钢组成,保证物料球磨过程中不被污染。

Claims (1)

1.一种高纯氧化镓的球磨装置,包括球磨罐,其特征在于:所述球磨罐(4)内设有外裹聚胺酯的破碎球(6),该球磨罐设有聚胺酯内衬(5),球磨罐(4)的外面设有集料腔(3);该球磨罐的一端设有进料桶(12),该进料桶通过挡料板(11)、进料口(10)与球磨罐连通,球磨罐的另一端通过集料腔(3)和出料口(2)与接料桶(1)连通;球磨罐的一侧通过传动轴与电机(7)连接,另一侧与控制器(13)相连。
CN201420678476.6U 2014-11-14 2014-11-14 一种高纯氧化镓的球磨装置 Active CN204208630U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201420678476.6U CN204208630U (zh) 2014-11-14 2014-11-14 一种高纯氧化镓的球磨装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201420678476.6U CN204208630U (zh) 2014-11-14 2014-11-14 一种高纯氧化镓的球磨装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN204208630U true CN204208630U (zh) 2015-03-18

Family

ID=52977341

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201420678476.6U Active CN204208630U (zh) 2014-11-14 2014-11-14 一种高纯氧化镓的球磨装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN204208630U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110801910A (zh) * 2019-11-07 2020-02-18 安徽天顺环保设备股份有限公司 一种铬矿粉磨收集环保设备
CN111790493A (zh) * 2020-06-18 2020-10-20 沙洋棠欣新材料有限公司 一种用于电工触头生产的球磨机

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110801910A (zh) * 2019-11-07 2020-02-18 安徽天顺环保设备股份有限公司 一种铬矿粉磨收集环保设备
CN111790493A (zh) * 2020-06-18 2020-10-20 沙洋棠欣新材料有限公司 一种用于电工触头生产的球磨机

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Abate Perovskite solar cells go lead free
Deng et al. Influence of cationic substitutions on the oxygen loss and reversible capacity of lithium-rich layered oxide cathodes
CN204208630U (zh) 一种高纯氧化镓的球磨装置
CN106384811B (zh) 一种蓝磷/过渡金属二硫化物异质结阳极材料及制备方法
CN102219254A (zh) 一种氧化锌纳米棒的制备方法
CN103588216A (zh) 一种硼/碳热还原法低温制备硼化锆粉体的方法
CN104016408A (zh) 一种铌酸钠纳米线的合成方法
CN101694010A (zh) 一种层状纳米结构InSb热电材料的制备方法
CN104528808B (zh) 一种二氧化锡中空微球的制备方法
CN108807956A (zh) 一种锂离子电池用核壳结构负极材料及其制备方法
CN104192890B (zh) 一种制备碳掺杂氧化锌纳米柱的方法
CN106116587A (zh) 一种立方相Ca2Si热电材料及其制备方法
CN104934490A (zh) 一种大面积合成氧化亚锡半导体光电薄膜材料的方法
CN104060241A (zh) 一种高取向二氧化钒薄膜的液相制备方法
Su et al. Investigation of carrier transport behavior for cubic CH3NH3SnX3 and CH3NH3PbX3 (X= Br and I) using Boltzmann transport equation
CN109437296A (zh) 一种熔盐法制备四方相氧化锆纳米棒的方法
CN105514359A (zh) 滤纸模板法制备Fe-Sn复合氧化物的方法
CN104393274A (zh) 一种中空球型LiTiO2材料及其制备方法
CN101633519A (zh) 一种纯相超细纳米晶CuO块体材料的制备方法
CN104878469A (zh) 一种制备无机氧化锰纳米线、纳米管和纳米棒的方法
CN103848455B (zh) 二维半导体模板材料及其制备方法
CN104445372B (zh) 一种制备碳掺杂氧化锌纳米颗粒的方法
CN106800412A (zh) 一种具有核壳结构的氧化钇基透明陶瓷及其制备方法
CN204214225U (zh) 一种氧化镓粉末的干燥装置
CN105858713B (zh) 一种熔融盐焙烧法合成负载型纳米复合材料的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address

Address after: 412000 Jinshan private science and Technology Park, Hetang District, Zhuzhou City, Hunan Province

Patentee after: Zhuzhou Keneng New Material Co.,Ltd.

Address before: 412000 Jinshan Industrial Park, Hetang District, Zhuzhou City, Hunan Province

Patentee before: ZHUZHOU KENENG NEW MATERIAL Co.,Ltd.

CP03 Change of name, title or address