CN109095494B - 一种氧化亚铜纳米线材料的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种氧化亚铜纳米线材料的制备方法。将氯化铜溶液涂覆于铜箔表面,中和反应快速发生,生成氯化亚铜,从铜箔表面刮除收集;将氢氧化钠、氯化钾与少许水加入到乙醇溶液中,通入氮气除氧,加入氯化亚铜粉末,封闭加热,反应生成氧化亚铜纳米线。本发明所公开的方法制备的氧化亚铜纳米线粒径均匀,尺寸、形貌和维度易于控制,氯化铜、铜箔、氢氧化钠为原料,乙醇为反应介质,氯化钾为络合剂,原料易得,价格低廉,降低了成本,步骤简单,便于操作,设备要求简单,有利于实现大规模的工业生产。

Description

一种氧化亚铜纳米线材料的制备方法
技术领域
本发明涉及纳米材料制备领域,尤其涉及一种利用氯化亚铜制备氧化亚铜纳米线的方法。
背景技术
氧化亚铜为一价铜的氧化物,带隙宽度为1.8~2.2eV,是一种重要的新型无机化工原料,在光催化、光电转换、传感器、着色剂、超级电容器、染料敏化太阳能电池、锂离子电池、污水处理等领域都有极大的应用前景。
纳米氧化亚铜材料包括氧化亚铜纳米颗粒、氧化亚铜纳米线、氧化亚铜纳米管、氧化亚铜薄膜等。氧化亚铜的物理和化学性质在很大程度上取决于晶体的尺寸和形貌,合成形貌尺寸可控的氧化亚铜晶体已成为该领域的研究焦点。氧化亚铜纳米线由于具备特殊的几何形状、高的长宽比以及量子尺寸效应和表面效应,已受到人们的广泛关注。其常见的制备方法主要有化学沉淀法、水热法、溶剂热法、电化学模板法、机械化学法等。大多数方法得到的氧化亚铜纳米线长径比较低,形貌难以控制,制备工艺复杂,需要发展新的制备方法获得结构均匀可控、合成简单、性能良好的氧化亚铜纳米线材料。
发明内容
提出了一种氧化亚铜纳米线材料的制备方法,尤其是一种利用氯化亚铜制备氧化亚铜纳米线的方法。
本发明采用如下技术方案:
一种氧化亚铜纳米线材料的制备方法,包括如下步骤:
(1)将氯化铜溶液涂覆于铜箔表面,中和反应快速发生,将氯化亚铜从铜箔表面刮除收集;
(2)将氢氧化钠、氯化钾与少许水加入到乙醇溶液中,通入氮气除氧,加入氯化亚铜粉末,封闭加热,反应生成氧化亚铜纳米线。
步骤(1)中的氯化铜溶液浓度范围为0.01~1mol/L,溶剂为水、乙醇、丙醇、二氯甲烷、汽油、丁醇、丙酮、乙醚、乙醛、石油醚的一种或者混合溶液。
步骤(1)中的中和反应温度为0~80℃。
步骤(1)中的涂覆方法为滴涂、线棒涂膜法、喷涂法。
步骤(2)中的氢氧化钠与氯化亚铜的质量比为0.5~2,氯化钾与氯化亚铜的质量比为0.6~1,水与乙醇的体积比为0.01~0.1。
步骤(2)中的通入氮气除氧时间为10min~2h。
步骤(2)中的加热温度为40~85℃,反应时间为8~24h。
本发明具有如下优势:
(1)本发明方法利用氯化铜、铜箔、氢氧化钠原料,乙醇为反应介质,氯化钾为络合剂,原料易得,价格低廉,降低了成本。
(2)本发明方法步骤简单,便于操作,设备要求简单,有利于实现大规模的工业生产。
(3)本发明方法制备的氧化亚铜纳米线粒径均匀,尺寸、形貌和维度易于控制。
附图说明
图1为本发明方法实施例1制备氧化亚铜纳米线的透射电镜图。
图2为本发明方法实施例1制备氧化亚铜纳米线的X射线衍射图。
具体实施方式
为便于理解本发明,本发明列举实施例如下。本领域技术人员应该明了,所述实施例仅仅用于帮助理解本发明,不应视为对本发明的具体限制。
实施例1
(1)选用25um厚度的铜箔,铜箔的一面或者两面是经过抛光处理的平面,用去离子水清洗铜箔表面后置于60℃环境中烘干备用。
(2)将134.45mg二水合氯化铜粉末加入10mL去离子水中,搅拌2分钟,配置0.1mol/L的氯化铜水溶液,将10mL的0.1mol/L的氯化铜水溶液滴加到铜箔的抛光面,经过线棒涂膜法将液体在铜箔表面分散均匀,形成均匀连续的薄膜,将承载氯化铜水溶液的铜箔置于温度为60℃的烘箱内干燥处理5min。
(3)将铜箔表面的氯化亚铜微晶薄膜用无水乙醇进行清洗,干燥后将氯化亚铜从铜箔表面刮除收集备用。
(4)将100mg氢氧化钠、150mg氯化钾与1mL水加入到20mL乙醇溶液中,摇晃均匀。
(5)通入氮气除氧,时间为30min。
(6)将200mg氯化亚铜放入乙醇中封闭加热,加热温度为70℃,反应时间为12h,反应生成氧化亚铜纳米线。
图1为本实施例制备氧化亚铜纳米线的透射电镜图。
图2为本实施例制备氧化亚铜纳米线的X射线衍射图。
实施例2
(1)选用25um厚度的铜箔,铜箔的一面或者两面是经过抛光处理的平面,用去离子水清洗铜箔表面后置于60℃环境中烘干备用。
(2)将134.45mg二水合氯化铜粉末加入10mL去离子水中,搅拌2分钟,配置0.1mol/L的氯化铜水溶液,将10mL的0.1mol/L的氯化铜水溶液滴加到铜箔的抛光面,经过线棒涂膜法将液体在铜箔表面分散均匀,形成均匀连续的薄膜,将承载氯化铜水溶液的铜箔置于温度为40℃的烘箱内干燥处理10min。
(3)将铜箔表面的氯化亚铜微晶薄膜用无水乙醇进行清洗,干燥后将氯化亚铜从铜箔表面刮除收集备用。
(4)将100mg氢氧化钠、150mg氯化钾与1mL水加入到20mL乙醇溶液中,摇晃均匀。
(5)通入氮气除氧,时间为30min。
(6)将200mg氯化亚铜放入乙醇中封闭加热,加热温度为70℃,反应时间为12h,反应生成氧化亚铜纳米线。
实施例3
(1)选用25um厚度的铜箔,铜箔的一面或者两面是经过抛光处理的平面,用去离子水清洗铜箔表面后置于60℃环境中烘干备用。
(2)将134.45mg二水合氯化铜粉末加入10mL去离子水中,搅拌2分钟,配置0.1mol/L的氯化铜水溶液,将10mL的0.1mol/L的氯化铜水溶液滴加到铜箔的抛光面,经过线棒涂膜法将液体在铜箔表面分散均匀,形成均匀连续的薄膜,将承载氯化铜水溶液的铜箔置于温度为60℃的烘箱内干燥处理5min。
(3)将铜箔表面的氯化亚铜微晶薄膜用无水乙醇进行清洗,干燥后将氯化亚铜从铜箔表面刮除收集备用。
(4)将200mg氢氧化钠、200mg氯化钾与2mL水加入到20mL乙醇溶液中,摇晃均匀。
(5)通入氮气除氧,时间为30min。
(6)将200mg氯化亚铜放入乙醇中封闭加热,加热温度为70℃,反应时间为12h,反应生成氧化亚铜纳米线。
实施例4
(1)选用25um厚度的铜箔,铜箔的一面或者两面是经过抛光处理的平面,用去离子水清洗铜箔表面后置于60℃环境中烘干备用。
(2)将134.45mg二水合氯化铜粉末加入10mL去离子水中,搅拌2分钟,配置0.1mol/L的氯化铜水溶液,将10mL的0.1mol/L的氯化铜水溶液滴加到铜箔的抛光面,经过线棒涂膜法将液体在铜箔表面分散均匀,形成均匀连续的薄膜,将承载氯化铜水溶液的铜箔置于温度为60℃的烘箱内干燥处理5min。
(3)将铜箔表面的氯化亚铜微晶薄膜用无水乙醇进行清洗,干燥后将氯化亚铜从铜箔表面刮除收集备用。
(4)将100mg氢氧化钠、150mg氯化钾与1mL水加入到20mL乙醇溶液中,摇晃均匀。
(5)通入氮气除氧,时间为30min。
(6)将200mg氯化亚铜放入乙醇中封闭加热,加热温度为60℃,反应时间为12h,反应生成氧化亚铜纳米线。
申请人声明,本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺设备和工艺流程,但本发明并不局限于上述详细工艺设备和工艺流程,即不意味着本发明必须依赖上述详细工艺设备和工艺流程才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了,对本发明的任何改进,对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等,均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (5)

1.一种氧化亚铜纳米线材料的制备方法,包括如下步骤:
(1)将氯化铜溶液涂覆于铜箔表面,氯化铜溶液浓度范围为0.01~1mol/L,归中反应快速发生,将氯化亚铜从铜箔表面刮除收集;
(2)将氢氧化钠、氯化钾与少许水加入到乙醇溶液中,氢氧化钠与氯化亚铜的质量比为0.5~2,氯化钾与氯化亚铜的质量比为0.6~1,水与乙醇的体积比为0.01~0.1,通入氮气除氧,加入氯化亚铜粉末,封闭加热,加热温度为40~85℃,反应时间为8~24h,反应生成氧化亚铜纳米线。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中的氯化铜溶液的溶剂为水、乙醇、丙醇、二氯甲烷、汽油、丁醇、丙酮、乙醚、乙醛、石油醚的一种或者混合溶液。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中的归中反应温度为0~80℃。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中的涂覆方法为滴涂、线棒涂膜法、喷涂法。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中的通入氮气除氧时间为10min~2h。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113410339B (zh) * 2021-06-18 2023-08-15 中科检测技术服务(重庆)有限公司 一种高稳定性纳米铜导电薄膜的制备及其应用
TWI792664B (zh) * 2021-11-08 2023-02-11 淡江大學學校財團法人淡江大學 次微米及奈米銅粉量產裝置及其方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101429680A (zh) * 2008-08-01 2009-05-13 华中师范大学 金属铜基底上直接生长一维纳米氧化亚铜阵列的制备方法
CN103482674A (zh) * 2012-06-12 2014-01-01 北京化工大学 一种氧化铜纳米线的制备方法及其在锂电负极中的应用
CN107662939A (zh) * 2017-09-24 2018-02-06 盐城师范学院 一种铁离子诱导的氯化亚铜片状纳米晶体材料的界面快速可控制备方法
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Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101429680A (zh) * 2008-08-01 2009-05-13 华中师范大学 金属铜基底上直接生长一维纳米氧化亚铜阵列的制备方法
CN103482674A (zh) * 2012-06-12 2014-01-01 北京化工大学 一种氧化铜纳米线的制备方法及其在锂电负极中的应用
CN107662939A (zh) * 2017-09-24 2018-02-06 盐城师范学院 一种铁离子诱导的氯化亚铜片状纳米晶体材料的界面快速可控制备方法
CN107740088A (zh) * 2017-09-24 2018-02-27 盐城师范学院 一种氯化亚铜微晶材料的界面快速可控制备方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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