CN204029796U - 一种单相整流桥 - Google Patents
一种单相整流桥 Download PDFInfo
- Publication number
- CN204029796U CN204029796U CN201420516556.1U CN201420516556U CN204029796U CN 204029796 U CN204029796 U CN 204029796U CN 201420516556 U CN201420516556 U CN 201420516556U CN 204029796 U CN204029796 U CN 204029796U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- input pin
- chip
- plastic
- lead frame
- phase rectification
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Rectifiers (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种单相整流桥,属于半导体器件领域。一种单相整流桥,包括:芯片、输入端引脚一、输入端引脚二、塑封体、正向输出端引线框架、金属引线、焊片和绝缘散热片,其中,芯片有四颗,两颗芯片通过焊片固定在正向输出端引线框架上,另外两颗芯片分别通过焊片固定在输入端引脚一和输入端引脚二上,塑封体将正向输出端引线框架、输入端引脚一和输入端引脚二含有芯片和金属引线的部分塑封在内。本实用新型采用了不同的结构,在功率相同的情况下,可以减少塑封体体积40%-83%,从而减小了整流桥的体积,成本也可以随之降低40%-60%;由于本实用新型结构紧凑,符合电子元器件微型化的趋势,广泛用作整流器件。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体器件领域,更具体地说,涉及一种单相整流桥。
背景技术
整流桥是重要的半导体器件,应用非常广泛,凡需要电压进行整流的领域,即需要将交流电整流为直流电的领域,都可以用到整流桥。整流桥具有比单一整流二极管一致性较好且易于安装的优点,但传统的整流桥具有一些缺点:
1)传统的整流桥基本都是手动将芯片安装固定在引线框架上,容易出现人为的芯片缺陷如破裂、划伤、裂缝、沾污等,进而出现电性能衰降或击穿,最后影响使用,早些时候曾经被客户投诉过类似情况。
2)传统的整流桥虽然一致性较好,但只要其中一处芯片出现人为的缺陷,则在考核或长期使用过程中易出现失效且无法恢复,从而影响使用,这一点在被客户投诉的案例中得以体现。
3)传统的整流桥体积比较大,散热效率低,使用寿命短,比如:本实用新型中涉及的一种整流桥,尺寸达10mm*10mm*4.6mm,体积为460mm3,而KBJ外形封装系列中2A整流桥的塑封体尺寸达20mm*11mm*3.5mm,体积为770mm3,4A整流桥的尺寸达25mm*15mm*4.6mm,体积为1725mm3,6A-25A整流桥的尺寸达30mm*20mm*4.6mm,体积为2760mm3,即KBJ外形封装系列整流桥的最小塑封体体积达770mm3,比460m3大67%,散热效率也会降低,从而影响使用寿命。
实用新型内容
1.要解决的技术问题
针对传统整流桥存在的易产生缺陷、体积大、散热差、成本高的问题,本实用新型提供了一种单相整流桥。它可以减少人为导致的芯片缺陷,一致性好、体积小、散热效率高、使用寿命长、成本低廉。
2.技术方案
本实用新型的目的通过以下技术方案实现。
一种单相整流桥,包括:芯片、输入端引脚一、输入端引脚二、塑封体、正向输出端引线框架、金属引线、焊片和绝缘散热片,其中,芯片有四颗,两颗芯片通过焊片固定在正向输出端引线框架上,另外两颗芯片分别通过焊片固定在输入端引脚一和输入端引脚二上,正向输出端引线框架上的两颗芯片通过金属引线分别与输入端引脚一和输入端引脚二相连,负向输出端引脚通过金属引线分别与输入端引脚一和输入端引脚二上的芯片相连;正向输出端引线框架、负向输出端引脚、输入端引脚一和输入端引脚二均固定在绝缘散热片上。
塑封体将正向输出端引线框架、输入端引脚一和输入端引脚二含有芯片和金属引线的部分塑封在内。
更进一步的,芯片为单极性肖特基二极管芯片。
更进一步的,焊片采用铅锡银焊料制成。
更进一步的,金属引线采用纯铝线。
更进一步的,塑封体采用环氧树脂制成。
更进一步的,塑封体尺寸为10mm*10mm*4.6mm。
由于本实用新型采用了上述结构,在功率相同的情况下,可以减少塑封体体积40%-83%,从而减小了整流桥的体积,成本也可以随之降低40%-60%;由于本实用新型结构紧凑,符合电子元器件微型化的趋势,广泛用作整流器件。
3.有益效果
相比于现有技术,本实用新型的优点在于:
(1)体积减小:在功率相同的情况下,减少了塑封体体积40%-83%,从而减小了整流桥的体积,成本也随之降低40%-60%;
(2)散热好:使用了特殊的封装和工艺,使得体积减小、散热效率高,所造成的散热量小,工作时间更长,工作更加稳定;
(3)一致性较好:由于制造的芯片体积的减小,可以采用自动装片时候,机械手从固定在蓝膜上的晶元上按顺序取相邻的芯片进行装片,各个芯片之间的电性差异较小,一致性较好。
附图说明
图1为本实用新型的单相整流桥的主视图;
图2为本实用新型的单相整流桥的左视图;
图3为本实用新型的单相整流桥的内部结构示意图;
图4为图3的A-A截面剖视图。
图中标号说明:
1、正向输出端引线框架;2、芯片;3、金属引线;4、输入端引脚一;5、输入端引脚二;6、负向输出端引脚;7、塑封体;8、焊片;9、绝缘散热片。
具体实施方式
下面结合说明书附图和具体的实施例,对本实用新型作详细描述。
实施例1
由图3和图4所示,一种单相整流桥,包括:芯片2、输入端引脚一4、输入端引脚二5、塑封体7,还包括正向输出端引线框架1、金属引线3、焊片8和绝缘散热片9,其中,所述的芯片2有四颗,两颗芯片2通过焊片8固定在正向输出端引线框架1上,另外两颗芯片2分别通过焊片8固定在输入端引脚一4和输入端引脚二5上;所述的正向输出端引线框架1上的两颗芯片通过金属引线3分别与输入端引脚一4和输入端引脚二5相连,负向输出端引脚6通过金属引线3分别与输入端引脚一4和输入端引脚二5上的芯片2相连;正向输出端引线框架1、负向输出端引脚6、输入端引脚一4和输入端引脚二5均固定在绝缘散热片9上;
由图1和图2所示,塑封体7将正向输出端引线框架1、输入端引脚一4和输入端引脚二5含有芯片2和金属引线3的部分塑封在内。封装过程中采用机器自动装片与键合工艺,避免了芯片之间或芯片与装片工具之间的相互摩擦与碰撞,最大限度地减少或避免了人为原因导致的芯片缺陷;采用自动装片技术,机械手从固定在蓝膜上的晶元上按顺序取相邻的芯片进行装片,各个芯片之间的电性差异较小,一致性较好。
芯片2为单极性肖特基二极管芯片。
焊片8采用铅锡银焊料制成。
金属引线3采用纯铝线,导电性好,有外界影响小。
塑封体7采用环氧树脂制成,散热性强,对整体散热具有促进作用。
本实用新型的一种单相整流桥,尺寸达10mm*10mm*4.6mm,体积为460mm3,而KBJ外形封装系列中2A整流桥的塑封体尺寸达20mm*11mm*3.5mm,体积为770mm3,4A整流桥的尺寸达25mm*15mm*4.6mm,体积为1725mm3,6A-25A整流桥的尺寸达30mm*20mm*4.6mm,体积为2760mm3,即KBJ外形封装系列整流桥的最小塑封体体积达770mm3,比460m3大67%,散热效率也会降低,从而影响使用寿命,塑封体体积可以减少40%-83%,从而减小了整流桥的体积,成本也可以随之降低40%-60%;由于本实用新型结构紧凑,符合电子元器件微型化的趋势,广泛用作整流器件。
以上示意性地对本发明创造及其实施方式进行了描述,该描述没有限制性,附图中所示的也只是本发明创造的实施方式之一,实际的结构并不局限于此。所以,如果本领域的普通技术人员受其启示,在不脱离本创造宗旨的情况下,不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例,均应属于本专利的保护范围。
Claims (6)
1.一种单相整流桥,包括:芯片(2)、输入端引脚一(4)、输入端引脚二(5)、塑封体(7),其特征在于:还包括正向输出端引线框架(1)、金属引线(3)、焊片(8)和绝缘散热片(9),其中,所述的芯片(2)有四颗,两颗芯片(2)通过焊片(8)固定在正向输出端引线框架(1)上,另外两颗芯片(2)分别通过焊片(8)固定在输入端引脚一(4)和输入端引脚二(5)上;所述的正向输出端引线框架(1)上的两颗芯片通过金属引线(3)分别与输入端引脚一(4)和输入端引脚二(5)相连,负向输出端引脚(6)通过金属引线(3)分别与输入端引脚一(4)和输入端引脚二(5)上的芯片(2)相连;正向输出端引线框架(1)、负向输出端引脚(6)、输入端引脚一(4)和输入端引脚二(5)均固定在绝缘散热片(9)上;
所述的塑封体(7)将正向输出端引线框架(1)、输入端引脚一(4)和输入端引脚二(5)含有芯片(2)和金属引线(3)的部分塑封在内。
2.根据权利要求1所述的一种单相整流桥,其特征在于:所述芯片(2)为单极性肖特基二极管芯片。
3.根据权利要求1或2所述的一种单相整流桥,其特征在于:所述焊片(8)采用铅锡银焊料制成。
4.根据权利要求3所述的一种单相整流桥,其特征在于:所述金属引线(3)采用纯铝线。
5.根据权利要求1所述的一种单相整流桥,其特征在于:所述塑封体(7)材料采用环氧树脂。
6.根据权利要求5所述的一种单相整流桥,其特征在于:所述塑封体(7)尺寸为10mm*10mm*4.6mm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201420516556.1U CN204029796U (zh) | 2014-09-09 | 2014-09-09 | 一种单相整流桥 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201420516556.1U CN204029796U (zh) | 2014-09-09 | 2014-09-09 | 一种单相整流桥 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN204029796U true CN204029796U (zh) | 2014-12-17 |
Family
ID=52069627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201420516556.1U Active CN204029796U (zh) | 2014-09-09 | 2014-09-09 | 一种单相整流桥 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN204029796U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106356345A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-01-25 | 敦南微电子(无锡)有限公司 | 高导热大功率桥式整流器结构 |
-
2014
- 2014-09-09 CN CN201420516556.1U patent/CN204029796U/zh active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106356345A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-01-25 | 敦南微电子(无锡)有限公司 | 高导热大功率桥式整流器结构 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2009076810A1 (zh) | 半导体功率模块及其散热方法 | |
WO2006058477A1 (fr) | Emballage externe mince et compact renfermant un mosfet et une diode schottky | |
CN204029796U (zh) | 一种单相整流桥 | |
CN106298725A (zh) | 串联二极管的封装结构 | |
CN103413851A (zh) | 光伏旁路器件及应用该器件的保护电路、接线盒及发电系统 | |
CN204516749U (zh) | 一种针式散热的半导体封装结构 | |
CN103474422A (zh) | 一种单相整流桥 | |
CN102593093A (zh) | 双芯片在to-220封装中引线框架的结构 | |
CN202332970U (zh) | 一种硅基板功率型led封装结构 | |
CN104319346A (zh) | 一种高导热结构led芯片及其制备方法 | |
WO2018024042A1 (zh) | 提升散热性能的整流桥器件 | |
Zheng et al. | Design, packaging and test of a planar double-side cooling IGBT power module | |
WO2021047638A1 (zh) | 二极管分立器件、带旁路功能的电路及变换器 | |
CN201185187Y (zh) | 大功率小封装三极管 | |
WO2019085442A1 (zh) | 高强度整流桥器件 | |
CN109216469A (zh) | 可避免引脚折弯的二极管 | |
CN207398136U (zh) | 单相桥式整流电路和三相桥式整流电路 | |
CN205508811U (zh) | 一种高散热性能的表面贴装功率器件封装结构 | |
CN207676903U (zh) | 一种双芯片横向串联型高耐压表面贴装的二极管封装结构 | |
CN204144322U (zh) | 一种高导热结构led芯片 | |
CN205081112U (zh) | 一种具有散热功能的集成电路基底 | |
CN203588993U (zh) | 一种功率器件的封装结构 | |
WO2018024044A1 (zh) | 紧凑设计型整流桥结构 | |
CN211125645U (zh) | 一种微型桥式整流器 | |
CN107689352A (zh) | 一种高散热性的smp贴片式二极管 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |