CN203588993U - 一种功率器件的封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种功率器件的封装结构，包括功率器件本体，从所述的功率器件本体上引出的信号引脚，与所述的功率器件本体一体的散热凸起；所述的信号引脚从所述的功率器件本体的一侧直排伸出；信号引脚的尖端向所述的功率器件本体底面弯曲；所述的散热凸起从所述的功率器件本体的侧面伸出，与所述的功率器件本体表面持平。本实用新型提供了一种适合于散热的功率器件的封装结构，适合于贴片。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体元器件封装领域，特别涉及一种半导体功率器件的封装结构。
背景技术
功率器件也称半导体功率器件，例如，选自可控硅整流器、功率晶体管、绝缘栅极双极晶体管、MOSS 晶体管、功率整流器、功率调节器、换流器、转换器及其组合的大功率半导体芯片，设计成在30 ～ 100V 的电压下、或100V 以上的电压下工作。因此，其上安装有这种大功率半导体芯片的功率器件封装需要具有很强的耗散大功率半导体芯片所产生的热的能力。
目前，功率器件由于具有较大的功率，需要较其它非功率的电子元件要求高的散热结构，如图1所示为目前使用较多的三引脚功率器件如MOS晶闸管的封装图，该器件的晶片由树脂包裹组成功率器件的主体1，在功率器件的主体上除了一侧的三个引脚3外，在另外一侧还有一个散热凸起2，散热凸起2上有一个平面，用来将功率器件固定在PCB板上，并通过PCB板散热，因此，目前的这样的功率器件在封装时，将散热凸起2与三个引脚3的端面5在同一个平面。这样的封装结构，不利于散热。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了克服目前功率器件目前封装结构不利于散热的不足，提供一种功率器件的封装结构。
本实用新型的技术方案是：一种功率器件的封装结构，包括功率器件本体，从所述的功率器件本体上引出的信号引脚，与所述的功率器件本体一体的散热凸起；所述的信号引脚从所述的功率器件本体的一侧直排伸出；信号引脚的尖端向所述的功率器件本体底面弯曲；所述的散热凸起从所述的功率器件本体的侧面伸出，与所述的功率器件本体表面持平。
进一步的，上述的功率器件的封装结构中：所述的散热凸起从所述的功率器件本体与所述的信号引脚相对一侧伸出。
进一步的，上述的功率器件的封装结构中：所述的散热凸起从所述的功率器件本体与所述的信号引脚相邻一侧伸出。
进一步的，上述的功率器件的封装结构中：所述的散热凸起的厚度小于所述的功率器件本体的厚度。
进一步的，上述的功率器件的封装结构中：所述的信号引脚从所述的功率器件本体的一侧中间直排伸出，还包括第二散热凸起，所述的第二散热凸起从所述的功率器件本体的与所述的信号引脚相同一侧伸出，与所述的功率器件本体表面持平。
本实用新型提供了一种适合于散热的功率器件的封装结构，适合于贴片。
下面结合具体实施例对本实用新型作较为详细的描述。
附图说明
图1为现有技术中的功率器件的封装结构示意图。
图2为本实用新型实施例1侧面图。
图3为本实用新型实施例1正面图。
图4为本实用新型实施例2正面图。
图5为本实用新型实施例3侧面图。
图中：1、功率器件本体，2、散热凸起，3、信号引脚，4、螺丝孔，5、尖端，6、第二散热凸起。
具体实施方式
实施例1，如图2、图3所示，本实施例是一种适合于贴片用的功率器件的封装结构，与目前的所有功率器件的封装结构类式，也包括功率器件本体1，从功率器件本体1上引出的信号引脚3，与功率器件本体1一体的散热凸起3；信号引脚3从功率器件本体1的一侧直排伸出；信号引脚3的尖端5向功率器件本体1底面弯曲；散热凸起2从功率器件本体1的与信号引脚3相对一侧伸出，与功率器件本体1表面持平。散热凸起2的厚度小于功率器件本体1的厚度。本实施例中，在功率器件贴片以后，信号引脚3的尖端5焊接到PCB板上了，此时散热凸起2没有象现有技术中的功率器件一样，紧贴PCB板而是向上翅上，此时采用一块散热器通过散热凸起2中的螺丝孔4固定，从上面散热可以降低PCB板上的温度。
实施例2如图4所示，本实施例与实施例1一样，散热凸起3与功率器件本体1表面持平，与信号引脚3的尖端5不在一个方向，方便采用一块散热器通过散热凸起2中的螺丝孔4固定，从上面散热可以降低PCB板上的温度，只是散热凸起2从功率器件本体1与信号引脚3相邻一侧伸出。
实施例3如图5所示，在该实施例中，信号引脚3从功率器件本体1的一侧中间直排伸出，在伸出信号引脚3的这一侧，设置第二散热凸起6，第二散热凸起6从功率器件本体1的与信号引脚3相同一侧伸出，与功率器件本体1表面持平。
Claims (5)
1.一种功率器件的封装结构，包括功率器件本体，从所述的功率器件本体上引出的信号引脚，与所述的功率器件本体一体的散热凸起；其特征在于：所述的信号引脚（3）从所述的功率器件本体（1）的一侧直排伸出；信号引脚（3）的尖端（5）向所述的功率器件本体（1）底面弯曲；所述的散热凸起（2）从所述的功率器件本体（1）的侧面伸出，与所述的功率器件本体（1）表面持平。
2.根据权利要求1所述的功率器件的封装结构，其特征在于：所述的散热凸起（2）从所述的功率器件本体（1）与所述的信号引脚（3）相对一侧伸出。
3.根据权利要求1所述的功率器件的封装结构，其特征在于：所述的散热凸起（2）从所述的功率器件本体（1）与所述的信号引脚（3）相邻一侧伸出。
4.根据权利要求1至3中任一所述的功率器件的封装结构，其特征在于：所述的散热凸起（2）的厚度小于所述的功率器件本体（1）的厚度。
5.根据权利要求4所述的功率器件的封装结构，其特征在于：所述的信号引脚（3）从所述的功率器件本体（1）的一侧中间直排伸出，还包括第二散热凸起（6），所述的第二散热凸起（6）从所述的功率器件本体（1）的与所述的信号引脚（3）相同一侧伸出，与所述的功率器件本体（1）表面持平。
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| CN201320632011.2U CN203588993U (zh) | 2013-10-14 | 2013-10-14 | 一种功率器件的封装结构 |
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| CN (1) | CN203588993U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107275295A (zh) * | 2017-06-05 | 2017-10-20 | 深圳市力生美半导体股份有限公司 | 一种功率集成器件、封装方法及电源装置 |
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| CN107275295A (zh) * | 2017-06-05 | 2017-10-20 | 深圳市力生美半导体股份有限公司 | 一种功率集成器件、封装方法及电源装置 |
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