CN106356345A - 高导热大功率桥式整流器结构 - Google Patents
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Abstract
本发明得供一种高导热大功率桥式整流器结构,包括导热基板,引脚,连接线,芯片,封装体,焊料;所述芯片直接布设于导热基板的一个面,芯片用焊料焊接引脚和连接线,并用封装体灌封,导热基板的另一面曝露于空间,与设备散热体接触。所述导热基板是在导热基板的两个面覆铜铂。所述导热基板是导热陶瓷板,或是铝基板,或是铜板。本发明的优点是,热源(芯片)与热沉之间都是高导热材料,可实现内部热量顺畅散出,其热阻远小于传统的封装结构。封装后厚度2.5‑6mm尺寸,输出功率(电流)达到10‑300A。
Description
技术领域
本发明涉及一种大功率桥式整流器,特别涉及10-300A的单相桥式整流器或三相桥式整流器。
背景技术
传统的桥式整流器采用整体环氧树脂包封结构,如附图10所示,因环氧树脂的导热系数太小(约1W/m.℃),器件内部芯片产生的热量无法有效散出,而芯片能承受的温度是有限的(约150-175℃)这样就限制了作为桥式整流器的输出功率。
另一种如附图11所示,经改进过的封装结构仍无法克服高功率散热问题。因为芯片106所产生的热能 ,系生成于芯片内部的半导体接合处之PN 界面(PN junction), 芯片106和导线架108用焊料连接,再用整体环氧树脂105包封结构, 使得导线架108与散热片109之间存在低导热的封装体105无法快速消散热量 , 在高功率负载或高温的应用环境下,产品有严重功能失效的问题。
发明内容
为解决现有高功率整流器散热问题,本发明得供一种高导热大功率桥式整流器结构,包括导热基板,引脚,连接线,芯片,封装体,焊料;所述芯片直接布设于导热基板的一个面,芯片用焊料焊接引脚和连接线或直接用连接线键合,并用封装体灌封,导热基板的另一面曝露于空间,与设备散热体接触。
所述导热基板是在导热基板的两个面覆铜铂。
所述导热基板是导热陶瓷板,或是铝基板,或是铜基板。
所述连接线是铜片,或是铜线,或是铝带,或是铝线。
所述引脚与导热基板为两个独立的部件,通过焊料焊接互连或直接键合。
所述引脚为4只或5只。
所述封装体采用环氧树脂、或黑胶、或模塑料半包覆。
所述封装体灌封后的整流器厚度为2.5-6mm。
本发明的优点是,热源(芯片)与热沉之间都是高导热材料,可实现内部热量顺畅散出,其热阻远小于传统的封装结构。从而突破了因热量无法散出而整个器件的输出功率受限的瓶颈,由此实现了封装尺寸不变的情况下提升输出功率(电流)达到10-300A。
附图说明
图1是本发明外形平面图
图2是图1的侧视图
图3是图1内部元件布置平面图
图4是图3的侧视剖视图
图5是图3局部剖视放大图
图6是图5的局部放大图
图7是引脚平面图
图8是导热基板平面图
图9是连接线平面图
图10是传统的桥式整流器采用整体环氧树脂包封结构图
图11是另一种传统的桥式整流器采用整体环氧树脂包封结构图
图中标号说明:
1-陶瓷板;2-背面铜板;3-正面铜板(含电路)4-连接线;5-封装体; 6-芯片;7-导热基板;8-引脚。
图10、11中标号说明:
104-跳线;105-封装体;106-芯片;108-导线架;109-散热片。
具体实施方式
请参阅附图3、4所示,所述芯片6直接布设于导热基板7的一个面,芯片6用焊料焊接引脚8和连接线4或用连接线直接键合,并用封装体5灌封,导热基板7的另一面曝露于空间(如附图4的铜铂标号2),与设备散热体接触。
所述导热基板7是在导热基板的两个面覆铜铂3和铜铂2;铜铂3的一面,布设芯片、连接线和引脚下,并用封装体灌封;铜铂2的面曝露于空间。
所述导热基板7是导热陶瓷板1。
所述引脚8与导热基板7为两个独立的部件,通过焊料焊接互连或直接键合。
所述引脚为4只或5只。
所述封装体采用环氧树脂、或黑胶、或模塑料胶半包覆。
所述封装体灌封后的整流器厚度为2.5-6mm。
本发明每个封装外形包含导热基板7共一片,引脚8共四支或五支,连接线4共四支(或组)或六支(或组),芯片4共四个或六个;所述产品长度为20~35mm, 宽度为17~25mm, 厚度为2.5~6mm,中间有圆形或椭圆形锁镙丝孔。
本发明针对大功率整流器件而设计,当热阻要求小于1℃/W时,因本设计结构中在热源(芯片)与热沉之间都是高导热材料,使热阻极大减小,当温度差在100℃时GBU产品仅0.4℃/W,GBJ产品仅0.36℃/W,可以大量提升产品可承载功率 , 同时由于高散热之特性 ,可承受大电流 ,用于300A以下的整流器。
Claims (8)
1.一种高导热大功率桥式整流器,包括导热基板,引脚,连接线,芯片,封装体,焊料,其特征在于,所述芯片直接布设于导热基板的一个面,芯片用焊料焊接引脚和连接线或直接用连接线键合,并用封装体灌封,导热基板的另一面曝露于空间,与设备散热体接触。
2.按权利要求1所述的高导热大功率桥式整流器,其特征在于,所述导热基板是在导热基板的两个面覆铜铂。
3.按权利要求2所述的高导热大功率桥式整流器,其特征在于,所述导热基板是导热陶瓷板,或是铝基板,或是铜基板。
4.按权利要求1所述的高导热大功率桥式整流器,其特征在于,所述连接线是铜片,或是铜线,或是铝带,或是铝线。
5.按权利要求1所述的高导热大功率桥式整流器,其特征在于,所述引脚与导热基板为两个独立的部件,通过焊料焊接互连或直接键合。
6.按权利要求1所述的高导热大功率桥式整流器,其特征在于,所述引脚为4只或5只。
7.按权利要求1所述的高导热大功率桥式整流器,其特征在于,所述封装体采用环氧树脂、或黑胶、或模塑料半包覆。
8.按权利要求1所述的高导热大功率桥式整流器,其特征在于,所述封装体灌封后的整流器厚度为2.5-6mm。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106877629A (zh) * | 2017-02-17 | 2017-06-20 | 华为技术有限公司 | 一种插脚散热的电源适配器 |
CN108155109A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-12 | 山东才聚电子科技有限公司 | 一种芯片的管脚焊接方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3979659A (en) * | 1975-01-30 | 1976-09-07 | Texas Instruments Incorporated | Automotive alternator rectifier bridges |
US20080136015A1 (en) * | 2006-12-07 | 2008-06-12 | Fairchild Korea Semiconductor, Ltd. | High power semiconductor device |
CN201796886U (zh) * | 2010-09-08 | 2011-04-13 | 四川太晶微电子有限公司 | 金属化平面整流器 |
CN103199067A (zh) * | 2013-03-08 | 2013-07-10 | 程德明 | 铝基覆铜箔板制作主导热面的低热阻桥式整流器 |
CN103928411A (zh) * | 2013-01-16 | 2014-07-16 | 英飞凌科技股份有限公司 | 芯片装置及其制造方法、集成电路及其制造方法 |
CN204029796U (zh) * | 2014-09-09 | 2014-12-17 | 桑德斯微电子器件(南京)有限公司 | 一种单相整流桥 |
CN205582914U (zh) * | 2016-03-31 | 2016-09-14 | 扬州虹扬科技发展有限公司 | 一种新型整流桥封装 |
CN206210775U (zh) * | 2016-11-24 | 2017-05-31 | 敦南微电子(无锡)有限公司 | 高导热大功率桥式整流器结构 |
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2016
- 2016-11-24 CN CN201611044545.8A patent/CN106356345A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3979659A (en) * | 1975-01-30 | 1976-09-07 | Texas Instruments Incorporated | Automotive alternator rectifier bridges |
US20080136015A1 (en) * | 2006-12-07 | 2008-06-12 | Fairchild Korea Semiconductor, Ltd. | High power semiconductor device |
CN201796886U (zh) * | 2010-09-08 | 2011-04-13 | 四川太晶微电子有限公司 | 金属化平面整流器 |
CN103928411A (zh) * | 2013-01-16 | 2014-07-16 | 英飞凌科技股份有限公司 | 芯片装置及其制造方法、集成电路及其制造方法 |
CN103199067A (zh) * | 2013-03-08 | 2013-07-10 | 程德明 | 铝基覆铜箔板制作主导热面的低热阻桥式整流器 |
CN204029796U (zh) * | 2014-09-09 | 2014-12-17 | 桑德斯微电子器件(南京)有限公司 | 一种单相整流桥 |
CN205582914U (zh) * | 2016-03-31 | 2016-09-14 | 扬州虹扬科技发展有限公司 | 一种新型整流桥封装 |
CN206210775U (zh) * | 2016-11-24 | 2017-05-31 | 敦南微电子(无锡)有限公司 | 高导热大功率桥式整流器结构 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106877629A (zh) * | 2017-02-17 | 2017-06-20 | 华为技术有限公司 | 一种插脚散热的电源适配器 |
CN108155109A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-12 | 山东才聚电子科技有限公司 | 一种芯片的管脚焊接方法 |
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