CN206210775U - 高导热大功率桥式整流器结构 - Google Patents

高导热大功率桥式整流器结构 Download PDF

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何刘红
夏镇宇
卓绵昌
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DUNNAN MICROELECTRONIC (WUXI) Co Ltd
Shanghai Seefull Electronic Co Ltd
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DUNNAN MICROELECTRONIC (WUXI) Co Ltd
Shanghai Seefull Electronic Co Ltd
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    • H01L2224/39Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
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    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Abstract

本实用新型得供一种高导热大功率桥式整流器结构,包括导热基板,引脚,连接线,芯片,封装体,焊料;所述芯片直接布设于导热基板的一个面,芯片用焊料焊接引脚和连接线,并用封装体灌封,导热基板的另一面曝露于空间,与设备散热体接触。所述导热基板是在导热基板的两个面覆铜铂。所述导热基板是导热陶瓷板,或是铝基板,或是铜板。本实用新型的优点是,热源(芯片)与热沉之间都是高导热材料,可实现内部热量顺畅散出,其热阻远小于传统的封装结构。封装后厚度2.5‑6mm尺寸,输出功率(电流)达到10‑300A。

Description

高导热大功率桥式整流器结构
技术领域
本实用新型涉及一种大功率桥式整流器,特别涉及10-300A的单相桥式整流器或三相桥式整流器。
背景技术
传统的桥式整流器采用整体环氧树脂包封结构,如附图10所示,因环氧树脂的导热系数太小(约1W/m.℃),器件内部芯片产生的热量无法有效散出,而芯片能承受的温度是有限的(约150-175℃)这样就限制了作为桥式整流器的输出功率。
另一种如附图11所示,经改进过的封装结构仍无法克服高功率散热问题。因为芯片106所产生的热能 ,系生成于芯片内部的半导体接合处之PN 界面(PN junction), 芯片106和导线架108用焊料连接,再用整体环氧树脂105包封结构, 使得导线架108与散热片109之间存在低导热的封装体105无法快速消散热量 , 在高功率负载或高温的应用环境下,产品有严重功能失效的问题。
发明内容
为解决现有高功率整流器散热问题,本实用新型得供一种高导热大功率桥式整流器结构,包括导热基板,引脚,连接线,芯片,封装体,焊料;所述芯片直接布设于导热基板的一个面,芯片用焊料焊接引脚和连接线或直接用连接线键合,并用封装体灌封,导热基板的另一面曝露于空间,与设备散热体接触。
所述导热基板是在导热基板的两个面覆铜铂。
所述导热基板是导热陶瓷板,或是铝基板,或是铜基板。
所述连接线是铜片,或是铜线,或是铝带,或是铝线。
所述引脚与导热基板为两个独立的部件,通过焊料焊接互连或直接键合。
所述引脚为4只或5只。
所述封装体采用环氧树脂、或黑胶、或模塑料半包覆。
所述封装体灌封后的整流器厚度为2.5-6mm。
本实用新型的优点是,热源(芯片)与热沉之间都是高导热材料,可实现内部热量顺畅散出,其热阻远小于传统的封装结构。从而突破了因热量无法散出而整个器件的输出功率受限的瓶颈,由此实现了封装尺寸不变的情况下提升输出功率(电流)达到10-300A。
附图说明
图1是本实用新型外形平面图
图2是图1的侧视图
图3是图1内部元件布置平面图
图4是图3的侧视剖视图
图5是图3局部剖视放大图
图6是图5的局部放大图
图7是引脚平面图
图8是导热基板平面图
图9是连接线平面图
图10是传统的桥式整流器采用整体环氧树脂包封结构图
图11是另一种传统的桥式整流器采用整体环氧树脂包封结构图
图中标号说明:
1-陶瓷板;2-背面铜板;3-正面铜板(含电路)4-连接线;5-封装体; 6-芯片;7-导热基板;8-引脚。
图10、11中标号说明:
104-跳线;105-封装体;106-芯片;108-导线架;109-散热片。
具体实施方式
请参阅附图3、4所示,所述芯片6直接布设于导热基板7的一个面,芯片6用焊料焊接引脚8和连接线4或用连接线直接键合,并用封装体5灌封,导热基板7的另一面曝露于空间(如附图4的铜铂标号2),与设备散热体接触。
所述导热基板7是在导热基板的两个面覆铜铂3和铜铂2;铜铂3的一面,布设芯片、连接线和引脚下,并用封装体灌封;铜铂2的面曝露于空间。
所述导热基板7是导热陶瓷板1。
所述引脚8与导热基板7为两个独立的部件,通过焊料焊接互连或直接键合。
所述引脚为4只或5只。
所述封装体采用环氧树脂、或黑胶、或模塑料胶半包覆。
所述封装体灌封后的整流器厚度为2.5-6mm。
本实用新型每个封装外形包含导热基板7共一片,引脚8共四支或五支,连接线4共四支(或组)或六支(或组),芯片4共四个或六个;所述产品长度为20~35mm, 宽度为17~25mm, 厚度为2.5~6mm,中间有圆形或椭圆形锁镙丝孔。
本实用新型针对大功率整流器件而设计,当热阻要求小于1℃/W时,因本设计结构中在热源(芯片)与热沉之间都是高导热材料,使热阻极大减小,当温度差在100℃时GBU产品仅0.4℃/W,GBJ产品仅0.36℃/W,可以大量提升产品可承载功率 , 同时由于高散热之特性 , 可承受大电流 ,用于300A以下的整流器。

Claims (8)

1.一种高导热大功率桥式整流器,包括导热基板,引脚,连接线,芯片,封装体,焊料,其特征在于,所述芯片直接布设于导热基板的一个面,芯片用焊料焊接引脚和连接线或直接用连接线键合,并用封装体灌封,导热基板的另一面曝露于空间,与设备散热体接触。
2.按权利要求1所述的高导热大功率桥式整流器,其特征在于,所述导热基板是在导热基板的两个面覆铜铂。
3.按权利要求2所述的高导热大功率桥式整流器,其特征在于,所述导热基板是导热陶瓷板,或是铝基板,或是铜基板。
4.按权利要求1所述的高导热大功率桥式整流器,其特征在于,所述连接线是铜片,或是铜线,或是铝带,或是铝线。
5.按权利要求1所述的高导热大功率桥式整流器,其特征在于,所述引脚与导热基板为两个独立的部件,通过焊料焊接互连或直接键合。
6.按权利要求1所述的高导热大功率桥式整流器,其特征在于,所述引脚为4只或5只。
7.按权利要求1所述的高导热大功率桥式整流器,其特征在于,所述封装体采用环氧树脂、或黑胶、或模塑料半包覆。
8.按权利要求1所述的高导热大功率桥式整流器,其特征在于,所述封装体灌封后的整流器厚度为2.5-6mm。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106356345A (zh) * 2016-11-24 2017-01-25 敦南微电子(无锡)有限公司 高导热大功率桥式整流器结构
CN107622986A (zh) * 2017-10-11 2018-01-23 扬州虹扬科技发展有限公司 一种高导热、高耐压绝缘的整流桥的封装结构及封装方法

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