CN206250185U - 高导热焊线封装桥式整流器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型得供一种高导热焊线封装桥式整流器,包括导热基板,引脚,铝线或铝带,芯片,封装体,焊料,所述芯片直接布设于导热基板的一个面,用焊料焊接芯片、引脚,芯片的正面用铝带或铝线与基板直接键合,芯片的背面用焊料与基板连接,并用封装体灌封,导热基板的另一面曝露于空间,与设备散热体接触。本实用新型的优点是,热源(芯片)与热沉之间都是高导热材料,可实现内部热量顺畅散出,其热阻远小于传统的封装结构。封装后厚度尺寸2.5‑6mm,输出功率(电流)达到10‑300A。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种大功率高导热焊线封装桥式整流器,特别涉及10-300A的单相桥式整流器或三相桥式整流器。
背景技术
传统的桥式整流器采用整体环氧树脂包封结构,如附图10所示,因环氧树脂的导热系数太小(约1W/m.℃),器件内部芯片产生的热量无法有效散出,而芯片能承受的温度是有限的(约150-175℃),这样就限制了作为桥式整流器的输出功率。
另一种如附图11所示,经改进过的封装结构仍无法克服高功率散热问题。因为芯片106所产生的热能 ,系生成于芯片内部的半导体接合处之PN 界面(PN junction), 芯片106和导线架108用焊料连接,再用整体环氧树脂105包封结构, 使得导线架108与散热片109之间存在低导热的封装体105无法快速消散热量 , 在高功率负载或高温的应用环境下,产品有严重功能失效的问题。
实用新型内容
为解决现有高功率整流器散热问题,本实用新型得供一种高导热焊线封装桥式整流器,包括导热基板,引脚,铝线或铝带,芯片,封装体,焊料,所述芯片直接布设于导热基板的一个面,用焊料焊接芯片、引脚,芯片的正面用铝带或铝线与基板直接键合,芯片的背面用焊料与基板焊接,并用封装体灌封,导热基板的另一面曝露于空间,与设备散热体接触。
所述导热基板是在导热基板的两个面覆铜铂。
所述导热基板是导热陶瓷板,或是铝基板,或是铜基板。
所述引脚与导热基板为两个独立的部件,通过焊料焊接互连或直接键合。
所述引脚为4只或5只。
所述封装体采用环氧树脂、或黑胶、或模塑料胶半包覆。
所述封装体灌封后的整流器厚度为2.5-6mm。
本实用新型的优点是,热源(芯片)与热沉之间都是高导热材料,可实现内部热量顺畅散出,其热阻远小于传统的封装结构。从而突破了因热量无法散出而整个器件的输出功率受限的瓶颈,由此实现了封装尺寸不变的情况下提升输出功率(电流)达到10-300A。
附图说明
图1是本实用新型外形平面图
图2是图1的侧视图
图3是图1内部元件布置平面图
图4是图3的侧视剖视图
图5是图3局部剖视放大图
图6是图5的局部放大图
图7是引脚平面图
图8是导热基板平面图
图9是铝线(或铝带)平面图
图10是传统的桥式整流器采用整体环氧树脂包封结构图
图11是另一种传统的桥式整流器采用整体环氧树脂包封结构图
图中标号说明:
1-陶瓷板;2-背面铜板;3-正面铜板(含电路)4-铝线(或铝带);5-封装体; 6-芯片;7-导热基板;8-引脚。
图10、11中标号说明:
104-跳线;105-封装体;106-芯片;108-导线架;109-散热片。
具体实施方式
请参阅附图3、4所示,所述芯片6直接布设于导热基板7的一个面,芯片6背面用焊料焊接引脚8,芯片6正面用铝线(或铝带)4直接键合,并用封装体5灌封,导热基板7的另一面曝露于空间(如附图4的铜铂标号2,与设备散热体接触。
所述导热基板7是在导热基板的两个面覆铜铂3和铜铂2;铜铂3的一面,布设芯片、铝线(或铝带)和引脚,并用封装体灌封;铜铂2的面露于空间。
所述导热基板7是导热陶瓷板1。
所述引脚8与导热基板7为两个独立的部件,通过焊料焊接互连或直接键合。
所述引脚为4只或5只。
所述封装体采用环氧树脂、或黑胶、或模塑料胶半包覆。
所述封装体灌封后的整流器厚度为2.5-6mm。
本实用新型每个封装外形包含导热基板7共一片,引脚8共四支或五支,铝线(或铝带)4共四片(或组)或六片(或组),芯片4共四个或六个;所述产品长度为20~35mm, 宽度为17~25mm, 厚度为2.5~6mm,中间有圆形或椭圆形锁镙丝孔。
本实用新型针对大功率整流器件而设计,当热阻要求小于1℃/W时,因本设计结构中在热源(芯片)与热沉之间都是高导热材料,使热阻极大减小,当温度差在100℃时GBU产品仅0.4℃/W,GBJ产品仅0.36℃/W,可以大量提升产品可承载功率 , 同时由于高散热之特性 , 可承受大电流 ,用于300A以下的整流器。
Claims (7)
1.一种高导热焊线封装桥式整流器,包括导热基板,引脚,铝线或铝带,芯片,封装体,焊料,其特征在于,所述芯片直接布设于导热基板的一个面,用焊料焊接芯片、引脚,芯片的正面用铝带或铝线与基板直接键合,芯片的背面用焊料与基板焊接,并用封装体灌封,导热基板的另一面曝露于空间,与设备散热体接触。
2.按权利要求1所述的高导热焊线封装桥式整流器,其特征在于,所述导热基板是在导热基板的两个面覆铜铂。
3.按权利要求2所述的高导热焊线封装桥式整流器,其特征在于,所述导热基板是导热陶瓷板,或是铝基板,或是铜基板。
4.按权利要求1所述的高导热焊线封装桥式整流器,其特征在于,所述引脚与导热基板为两个独立的部件,通过焊料焊接互连或直接键合。
5.按权利要求1所述的高导热焊线封装桥式整流器,其特征在于,所述引脚为4只或5只。
6.按权利要求1所述的高导热焊线封装桥式整流器,其特征在于,所述封装体采用环氧树脂、或黑胶、或模塑料胶半包覆。
7.按权利要求1所述的高导热焊线封装桥式整流器,其特征在于,所述封装体灌封后的整流器厚度为2.5-6mm。
Priority Applications (1)
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CN201621266375.3U CN206250185U (zh) | 2016-11-24 | 2016-11-24 | 高导热焊线封装桥式整流器 |
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CN206250185U true CN206250185U (zh) | 2017-06-13 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107946272A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-04-20 | 中航(重庆)微电子有限公司 | 一种高集成度的功率mosfet逆变模块 |
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2016
- 2016-11-24 CN CN201621266375.3U patent/CN206250185U/zh active Active
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