CN202332970U - 一种硅基板功率型led封装结构 - Google Patents
一种硅基板功率型led封装结构 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种硅基板功率型LED封装结构,包括硅基板、LED芯片和二次光学透镜,所述LED芯片固定安装在硅基板上,LED芯片的上方设有安装在硅基板上的二次光学透镜,所述硅基板内开有弧形循环通道,弧形循环通道的一端为进液孔,另一端为出液孔。本实用新型采用弧形循环通道,冷却液经过弧形循环通道流通更顺畅,从而提高了散热效果,并且弧形循环通道加工方便,结构简单,成本低。
Description
【技术领域】
本实用新型涉及电子元器件,尤其涉及一种硅基板功率型LED封装结构的改进。
【背景技术】
针对大功率LED封装的散热问题,人们分别在封装结构和材料等方面对器件的热系统进行了优化。
2001年美国Lumileds公司研发的AlGaInN功率型倒装芯片结构,由于LED芯片是通过凸点倒装连接在硅基上的,因而热量不必经过导热性不良的蓝宝石衬底,而是直接传导到热导率较高的硅衬底,再传到金属导管上。由于其有源发热区更接近散热体,从而可降低内部的热沉电阻。在硅基倒装芯片结构中,热阻与热沉的厚度成正比。但是,受硅片机械强度和导热性能所限,很难通过减小硅片的厚度进一步降低内部热沉的热阻,从而限制了其传热性能的进一步提高。
金属线路板结构是美国UOE公司在Norlux系列LED中首先采用的一种封装结构。该结构利用铝等金属具有良好热传导性,将芯片封装在金属夹芯的PCB上,或将芯片封装到敷有几毫米厚的铜电极PCB上,然后再封装到散热片上来解决散热问题。采用这种结构夹层中的PCB是热的不良导体,它阻碍了热的传导,该结构的热阻达60-70K/W。
东莞勤上光电股份有限公司实用新型的硅基板功率型LED封装结构提出了一种散热方式,是在硅基板上设置长条形循环通道,在长条形循环通道内通入 冷却液进行循环散热,提高了散热效果。但是,该结构的硅基板加工过程复杂,冷却液在长条形循环通道内流通不够顺畅,一定程度上影响了散热效果。
【实用新型内容】
本实用新型的目的就是解决现有技术中的问题,提出一种硅基板功率型LED封装结构,不但能够提高散热效果,而且能够简化结构、降低成本。
为实现上述目的,本实用新型提出了一种硅基板功率型LED封装结构,包括硅基板、LED芯片和二次光学透镜,所述LED芯片固定安装在硅基板上,LED芯片的上方设有安装在硅基板上的二次光学透镜,所述硅基板内开有弧形循环通道,弧形循环通道的一端为进液孔,另一端为出液孔。
作为优选,所述弧形循环通道为由外向内逐渐过渡的螺旋形弧形循环通道,结构简单,效果好。
作为优选,所述弧形循环通道由外向内每隔180°减小弧形的直径5~15mm,结构简单,效果好。
作为优选,所述弧形循环通道由外向内每隔180°减小弧形的直径10mm结构简单,效果好。
作为优选,所述弧形循环通道的横截面为圆形,冷却液更流通顺畅,且加工方便。
本实用新型的有益效果:本实用新型采用弧形循环通道,冷却液经过弧形循环通道流通更顺畅,从而提高了散热效果,并且弧形循环通道加工方便,结构简单,成本低。
本实用新型的特征及优点将通过实施例结合附图进行详细说明。
【附图说明】
图1是本实用新型中一种硅基板功率型LED封装结构的结构示意图;
图2是本实用新型中一种硅基板功率型LED封装结构中下硅板的结构示意 图。
【具体实施方式】
如图1、2所示,一种硅基板功率型LED封装结构,包括硅基板、LED芯片3和二次光学透镜4,所述LED芯片3固定安装在硅基板上,LED芯片3的上方设有安装在硅基板上的二次光学透镜4,所述硅基板内开有弧形循环通道5,弧形循环通道5的一端为进液孔6,另一端为出液孔7。所述弧形循环通道5为由外向内逐渐过渡的螺旋形弧形循环通道5,弧形循环通道5由外向内每隔180°减小弧形的直径5~15mm,一般每隔180°减小弧形的直径10mm,该结构既能确保平稳过渡,又最大程度提高散热效果。所述弧形循环通道5的横截面为圆形,冷却液更流通顺畅,且加工方便。为方便加工,硅基板可分成下硅板1和上硅板2,先在下硅板1和上硅板2上单独加工出横截面为半圆的凹槽,并在下硅板1的凹槽的两端分别开进液孔6和出液孔7,将下硅板1和上硅板2配合安装后,两凹槽相互配合形成弧形循环通道5。
上述实施例是对本实用新型的说明,不是对本实用新型的限定,任何对本实用新型简单变换后的方案均属于本实用新型的保护范围。
Claims (5)
1.一种硅基板功率型LED封装结构,包括硅基板、LED芯片和二次光学透镜,所述LED芯片固定安装在硅基板上,LED芯片的上方设有安装在硅基板上的二次光学透镜,其特征在于:所述硅基板内开有弧形循环通道,弧形循环通道的一端为进液孔,另一端为出液孔。
2.如权利要求1所述的一种硅基板功率型LED封装结构,其特征在于:所述弧形循环通道为由外向内逐渐过渡的螺旋形弧形循环通道。
3.如权利要求2所述的一种硅基板功率型LED封装结构,其特征在于:所述弧形循环通道由外向内每隔180°减小弧形的直径5~15mm。
4.如权利要求3所述的一种硅基板功率型LED封装结构,其特征在于:所述弧形循环通道由外向内每隔180°减小弧形的直径10mm。
5.如权利要求1~4中任一项所述的一种硅基板功率型LED封装结构,其特征在于:所述弧形循环通道的横截面为圆形。
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CN2011204530085U CN202332970U (zh) | 2011-11-15 | 2011-11-15 | 一种硅基板功率型led封装结构 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN106098872A (zh) * | 2016-07-29 | 2016-11-09 | 王汉清 | 一种具有散热结构的GaN发光二极管及其制造方法 |
CN106098873A (zh) * | 2016-07-29 | 2016-11-09 | 王汉清 | 一种具有散热结构的GaN发光二极管的制造方法 |
CN108831986A (zh) * | 2018-05-07 | 2018-11-16 | 深圳技术大学(筹) | 热沉装置及其制备方法 |
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2011
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Legal Events
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C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120711 Termination date: 20131115 |